優(yōu)選為IOnm~40nm，進(jìn)一步 優(yōu)選為15nm~30nm。
[0032] 發(fā)光層42可以為藍(lán)色發(fā)光材料通過蒸鍍形成，藍(lán)色發(fā)光材料可以為N-芳香基 苯并咪唑類，1，2, 4-三唑衍生物，1，3-4-噁二唑的衍生物等，優(yōu)選為DPVBi (4, V -二 (2,2-二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián)苯）：5%8〇2￥8(1，4-二[2-(34-乙基咔唑基）乙烯 基]-苯）。
[0033] 發(fā)光層42也可以為紅色發(fā)光材料通過蒸鍍形成，該紅色發(fā)光材料可以為DCJTB ( 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl~6 (I, I, 7, 7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyr an))摻雜 Alq3 〇
[0034] 發(fā)光層42還可以為綠色發(fā)光材料通過蒸鍍形成，該綠色發(fā)光材料可以為喹丫啶 酮（Quinacridone)慘雜 Alq3。
[0035] 電子傳輸層43可通過蒸鍍形成，其材質(zhì)可包括三嗪，例如4, 4'-雙-[2- (4, 6-二 苯基-1，3, 5-三嗪基）]_1，1'-聯(lián)苯、2, 4, 6-三（4-聯(lián)苯基）-1，3, 5-三嗪。電子傳輸層 43的厚度可以為Inm~200nm，優(yōu)選為5nm~100nm，進(jìn)一步優(yōu)選為20nm~70nm〇
[0036] 第二電極層5的厚度可以為IOnm~500nm，其可以為金屬、合金或金屬氟化物與金 屬復(fù)合電極，所述金屬選自鋰、鎂、鋁、鈣、鍶和銦，所述合金是鋰、鎂、鋁、鈣、鍶、銦中的一種 與銅、金或銀中的一種的合金。第二電極層5可通過蒸鍍形成。
[0037] 光取出層6可通過蒸鍍亞芳基二胺衍生物、星暴型化合物、具有螺環(huán)基的聯(lián)苯二 胺衍生物或梯狀化合物中的任意一種形成，其厚度可以為Inm~100nm，優(yōu)選為30nm~ 80nm〇
[0038] 本發(fā)明中上述各層的材質(zhì)、厚度、形成方式不限于上述描述。下面，通過實施例對 本發(fā)明的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法做進(jìn)一步說明，其中各層均通過蒸鍍的方式 形成，所使用的 HAT_CN(Dipyrazino[2, 3_f:2,，3, _h]quinoxaline-2, 3, 6, 7, 10, 11-hexaca rbonitrile)、Alq3(三（8-羥基喹啉）錯）等原料均可通過市售獲得。
[0039] 實施例1
[0040] 在玻璃基板上形成ITO膜，例如厚度可以為150nm ;在ITO膜上依次形成Ag膜、ITO 膜，兩者的厚度分別可以為150nm(Ag)、15nm(IT0)，以IT0/Ag/IT0復(fù)合膜作為陽極；
[0041] 在該陽極層上蒸鍍HAT-CN作為第一空穴注入層，第一空穴注入層的厚度可以為 IOnm ；
[0042] 在該第一空穴注入層上通過蒸鍍摻雜3% HAT-CN的NPB膜作為第二空穴注入層， 第二空穴注入層的厚度可以為85nm ;
[0043] 在第二空穴注入層上形成ΤΗ)膜作為空穴傳輸層，其厚度可以為20nm ;
[0044] 在空穴傳輸層上蒸鍍DPVBi : 5 % BCzVB的混合物形成的膜作為藍(lán)光發(fā)光材料層， 藍(lán)光發(fā)光材料層的厚度可以為25nm ;
[0045] 在藍(lán)光發(fā)光材料層上蒸鍍Alq3層作為電子傳輸層，厚度例如為35nm ;
[0046] 在電子傳輸層上形成Mg/Ag膜作為陰極層，陰極層的厚度例如可以為15nm ;
[0047] 最后，在陰極層上形成NPB膜作為光取出層，光取出層的厚度例如可以為60nm，得 到藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件Sl。
[0048] 實施例2至5
[0049] 實施例2至5的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法及使用的原料與實施例1相 同，故省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明，它們與實施例1的區(qū)別僅在于所形成的第二空穴注入 層的厚度，通過實施例2至5分別制得有機(jī)電致器件S2、S3、S4、S5。
[0050] 圖4為實施例1至5制得的的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖，其中，縱 坐標(biāo)為對比值，以各曲線最大值為1，曲線各點與最大值的比值即為圖4的縱坐標(biāo)。另外，各 實施例器件435nm以下波長藍(lán)光能量、該能量所占百分比、色坐標(biāo)以及各器件中第二空穴 注入層的厚度均列于表1中。
[0051] 表 1
[0052]
[0053] 表1中的能量所占百分比是指435nm以下藍(lán)光能量與380~780nm可見光區(qū)域器 件白光光譜能量的比值。表1的數(shù)據(jù)說明，發(fā)光器件的第二空穴注入層的厚度在85nm~ 104nm之間，尤其是90nm~95nm之間時，435nm以下波長藍(lán)光的能量較弱，所占的百分比較 小，且色坐標(biāo)也比較好，第二空穴注入層的厚度為90nm時，上述效果達(dá)到最佳。
[0054] 本發(fā)明的OLED的其它實施例的測試結(jié)果與圖4相類似，故在此省去相關(guān)測試結(jié)果 的描述。
[0055] 除非特別限定，本發(fā)明所用術(shù)語均為本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的含義。
[0056] 本發(fā)明所描述的實施方式僅出于示例性目的，并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍， 本領(lǐng)域技術(shù)人員可在本發(fā)明的范圍內(nèi)作出各種其他替換、改變和改進(jìn)，因而，本發(fā)明不限于 上述實施方式，而僅由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項】
1. 一種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括， 第一電極層； 第一空穴注入層，位于所述第一電極層上； 第二空穴注入層，位于所述第一空穴注入層上； 空穴傳輸層，位于所述第二空穴注入層上； 藍(lán)光發(fā)光材料層，位于所述空穴傳輸層上； 電子傳輸層，位于所述藍(lán)光發(fā)光材料層上；以及 第二電極層，位于所述電子傳輸層上； 其中，所述第二空穴注入層的厚度為85nm~105nm。2. 根據(jù)權(quán)利要求1的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第二空穴注入層的厚度為 90nm〇3. 根據(jù)權(quán)利要求1的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第一空穴注入層的厚度為 5nm ~15nm〇4. 根據(jù)權(quán)利要求1的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，還包括光取出層，位于所述第二電 極層上。5. 根據(jù)權(quán)利要求1的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第一電極層選自氧化銦錫層、 氧化銦鋅層、氧化錫層或氧化鋅層。6. 根據(jù)權(quán)利要求1的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第一空穴注入層的材質(zhì)包括 芳胺化合物或星型胺。7. 根據(jù)權(quán)利要求6的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第二空穴注入層的材質(zhì)包括 芳胺化合物或星型胺。8. 根據(jù)權(quán)利要求1的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴傳輸層的材質(zhì)選自亞芳 基二胺衍生物、星暴型化合物、具有螺環(huán)基的聯(lián)苯二胺衍生物或梯狀化合物。9. 根據(jù)權(quán)利要求1的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述藍(lán)光發(fā)光材料層的材質(zhì)為 DPVBi 摻雜 BCzVB。10. 根據(jù)權(quán)利要求5的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第二電極層為合金電極或 金屬氟化物與金屬的復(fù)合電極，所述金屬選自鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦，所述合金是鋰、鎂、鋁、 鈣、鍶、銦中的一種與銅、金、銀中的一種形成的合金。11. 根據(jù)權(quán)利要求4的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述光取出層的材質(zhì)選自亞芳基 二胺衍生物、星暴型化合物、具有螺環(huán)基的聯(lián)苯二胺衍生物或梯狀化合物。12. -種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括第一電極層、位于所述第一電極層上的有機(jī)功能 層、位于所述有機(jī)功能層上的第二電極層，其特征在于： 所述有機(jī)功能層包括第一空穴注入層和第二空穴注入層，所述第一空穴注入層位于所 述第一電極層和所述第二空穴注入層之間；所述第二空穴注入層的厚度為85nm~105nm。13. -種顯不器，包括權(quán)利要求1至12中任一項的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括，第一電極層；第一空穴注入層，位于所述第一電極層上；第二空穴注入層，位于所述第一空穴注入層上；空穴傳輸層，位于所述第二空穴注入層上；藍(lán)光發(fā)光材料層，位于所述空穴傳輸層上；電子傳輸層，位于所述藍(lán)光發(fā)光材料層上；以及第二電極層，位于所述電子傳輸層上；其中，所述第二空穴注入層的厚度為85nm～105nm。本發(fā)明還提供了一種包含該器件的顯示器。本發(fā)明的藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件應(yīng)用于3C產(chǎn)品，能夠?qū)?35nm以下波長的藍(lán)光能量成分控制在0.2％以內(nèi)，很大程度上減少了該波段藍(lán)光對人眼的危害，且還可避免因使用抗藍(lán)光保護(hù)膜帶來的屏幕亮度的降低的現(xiàn)象。
【IPC分類】H01L27/32, H01L51/50, H01L51/54
【公開號】CN105679945
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】高衍品, 鄒忠哲, 張其國, 黃初旺
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2014年11月18日