氣氛下濺射,氬氧比為10:1 ;
[0035] (4)磁控濺射Ag層,采用平面陰極濺射,純氬氣狀態(tài),氣壓范圍在3X10 3Hibar~ 3. 5 X 10 3mbar;
[0036] (5)磁控濺射NiCrOx層,采用平面陰極濺射,純氬氣狀態(tài),氣壓范圍在 3 X 10 3mbar ~6 X 10 3mba ;
[0037] (6)磁控濺射Si3N4層,采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶,Si:A1比例為90%:10%,工藝氣 體為氬氣和氮?dú)?,氬氮比?:1. 2;
[0038] (7)磁控濺射AZO層,采用陶瓷鋅靶在氬氧氣氛下濺射,氬氧比為10:1 ;
[0039] (8)磁控濺射Ag層,采用平面陰極濺射,純氬氣狀態(tài),氣壓范圍在3X10 3Hibar~ 3. 5 X 10 3mbar;
[0040] (9)磁控濺射NiCrOx層,采用平面陰極濺射,純氬氣狀態(tài),氣壓范圍在 3X103mbar~6X103mbar;
[0041] (10)磁控濺射Si3N4層,采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶,Si:A1比例為90% :10%,工藝 氣體為氬氣和氮?dú)猓瑲宓葹?:1. 2 ;
[0042] (11)磁控濺射ZrNx層,采用旋轉(zhuǎn)雙陰極濺射,氬氮比為1:1.2。
[0043] 采用本發(fā)明工藝參數(shù)設(shè)計(jì)出的玻璃其鋼化前和鋼化后光學(xué)性能如下:
[0045] 采用本發(fā)明的玻璃制成中空間隔為12_的中空玻璃,在UV-3600紫外光分光光度 計(jì)上測出數(shù)據(jù),按照J(rèn)GJ/T 151-2008標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算出來6mmL0W-E玻璃+12A+6mm白玻,其光學(xué) 和熱學(xué)性能如下:
[0049] 可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃優(yōu)點(diǎn)在于其有優(yōu)越的可加工性能,不易 劃傷,不易脫膜,熱處理前后的顏色性能變化小,滿足高可見光透過和低可見光反射的特征 要求。
[0050] 本玻璃鋼化后光學(xué)性能變化小,鋼化后玻璃的可見光透過率Tvls由48變?yōu)?4,鋼 化后玻璃的可見光玻璃面反射率RciutS18. 7變?yōu)?9,鋼化后玻璃的玻璃面顏色坐標(biāo)a*由 0. 8變?yōu)?. 8,鋼化后玻璃的玻璃面顏色坐標(biāo)b*由-2. 3變?yōu)?3,鋼化后玻璃的玻璃面輻射 率由2. 55變?yōu)?. 8。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,包括有玻璃基片(I),在所述的玻 璃基片(1)的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有二十個(gè)膜層,其特征在于:其中第一膜 層即最內(nèi)層為SiOJi (2),第二膜層為Si3N4層(3),第三膜層為AZO層(4),第四膜層為Ag 層(5),第五膜層為NiCrOx層(6),第六膜層為Si 3N4層(7),第七膜層為AZO層(8),第八膜 層為Ag層(9),第九膜層為NiCrOx層(10),第十膜層為Si 3N4層(11),第十一膜層即最外 層為ZrNx層(12)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所 述的第一膜層SiO2層(2)的層厚為10~20nm〇3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所 述的第二膜層Si3N 4層⑶的層厚為40~50nm,所述的第十膜層Si3N4層(11)的層厚為 40~50nm,所述的第六膜層Si 3N4層(7)的層厚為80~100nm。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所 述的第三膜層AZO層⑷的層厚為3~5nm,所述的第七膜層AZO層⑶的層厚為3~5nm〇5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所 述的第四膜層Ag層(5)的層厚為8~12nm,所述的第八膜層Ag層(9)的層厚為8~12nm〇6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所 述的第五膜層NiCrOx層(6)的層厚為5~15nm,所述的第九膜層NiCrOx層(10)的層厚為 5 ~15nm〇7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所 述的第i 膜層ZrNx層(12)的層厚為10~25nm。8. -種制備權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃 的方法,其特征在于包括如下步驟: (1) 磁控濺射SiOJl,采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶,Si :A1比例為90% :10%,工藝氣體為 氬氣和氧氣,氬氧比為I :1. 5 ; (2) 磁控濺射Si3N4層,采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶,Si :A1比例為90%:10%,工藝氣體為 氬氣和氮?dú)?,氬氮比?:1. 2 ; (3) 磁控濺射AZO層,采用陶瓷鋅靶在氬氧氣氛下濺射,氬氧比為10:1 ; (4) 磁控濺射Ag層,采用平面陰極濺射,純氬氣狀態(tài),氣壓范圍在3X10 3Hibar~ 3. 5 X 10 3mbar ; (5) 磁控濺射NiCrOx層,采用平面陰極濺射,純氬氣狀態(tài),氣壓范圍在3X 10 3Hibar~ 6 X10 3mba ; (6) 磁控濺射Si3N4層,采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶,Si :A1比例為90%:10%,工藝氣體為 氬氣和氮?dú)?,氬氮比?:1. 2 ; (7) 磁控濺射AZO層,采用陶瓷鋅靶在氬氧氣氛下濺射,氬氧比為10:1 ; (8) 磁控濺射Ag層,采用平面陰極濺射,純氬氣狀態(tài),氣壓范圍在3X10 3Hibar~ 3. 5 X 10 3mbar ; (9) 磁控濺射NiCrOx層,采用平面陰極濺射,純氬氣狀態(tài),氣壓范圍在3X 10 3Hibar~ 6 X10 3mbar ; (10) 磁控濺射Si3N4層,采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶,Si :A1比例為90% :10%,工藝氣體 為氬氣和氮?dú)?,氬氮比為I: I. 2 ; (11)磁控濺射ZrNx層,采用旋轉(zhuǎn)雙陰極濺射,氬氮比為1:1. 2。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,包括有玻璃基片,在所述的玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有二十個(gè)膜層,其中第一膜層即最內(nèi)層為SiO2層,第二膜層為Si3N4層,第三膜層為AZO層,第四膜層為Ag層,第五膜層為NiCrOx層,第六膜層為Si3N4層,第七膜層為AZO層,第八膜層為Ag層,第九膜層為NiCrOx層,第十膜層為Si3N4層,第十一膜層即最外層為ZrNx層。本發(fā)明提供一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃,其熱處理后顏色變化小,透過率較高,能防止玻璃在高溫加工時(shí)膜層的開裂,使其保持完整性、均勻性、穩(wěn)定性,能更好地應(yīng)用在建筑幕墻上。本發(fā)明還提供一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼碾p銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法。
【IPC分類】B32B15/04, C23C14/35, B32B17/06, B32B9/04
【公開號(hào)】CN105058922
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510497995
【發(fā)明人】周永文, 范亞軍, 梁健威, 蘇少雄, 苗曉榮
【申請(qǐng)人】中山市格蘭特實(shí)業(yè)有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請(qǐng)日】2015年8月14日