可進行高溫熱處理的雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法
【專利說明】可進行高溫熱處理的雙銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法 【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種雙銀低輻射鍍膜玻璃，更具體地說是一種可進行高溫熱處理的雙 銀低輻射鍍膜玻璃，本發(fā)明還涉及一種可進行高溫熱處理的雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方 法。 【【背景技術】】
[0002] 玻璃在當代的生產(chǎn)和生活中扮演著重要角色，鍍膜玻璃成為一種良好的玻璃幕墻 材料且得到了廣泛應用。而隨著現(xiàn)代建筑設計的多樣性和唯美性，許多幕墻外觀需要有曲 面和弧形設計，但現(xiàn)有的雙銀低輻射鍍膜玻璃熱處理前后顏色變化巨大，而且透過率比較 低，生產(chǎn)過程中容易開裂損壞，不能應用在建筑幕墻上。 【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003] 本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術的不足，提供一種可進行高溫熱處理的雙銀低輻射 鍍膜玻璃，其熱處理后顏色變化小，透過率較高，能防止玻璃在高溫加工時膜層的開裂，使 其保持完整性、均勻性、穩(wěn)定性，能更好地應用在建筑幕墻上。本發(fā)明還提供一種可進行高 溫熱處理的雙銀低輻射鍍膜玻璃的制備方法。
[0004] 本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的：
[0005] -種可進行高溫熱處理的雙銀低輻射鍍膜玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃 基片1的復合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復合有二十個膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為SiO2 層2,第二膜層為Si3N4層3,第三膜層為AZO層4,第四膜層為Ag層5,第五膜層為NiCrOx 層6,第六膜層為Si3N4層7,第七膜層為AZO層8,第八膜層為Ag層9,第九膜層為NiCrOx 層10,第十膜層為Si3N4層11，第^ 膜層即最外層為ZrNx層12。
[0006] -種制備可進行高溫熱處理的雙銀低輻射鍍膜玻璃的方法，包括如下步驟：
[0007] (1)磁控濺射SiOJi，采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶，Si:A1比例為90% :10%，工藝氣 體為氬氣和氧氣，氬氧比為I:1. 5;
[0008] (2)磁控濺射Si3N4層，采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶，Si:A1比例為90%:10%，工藝氣 體為氬氣和氮氣，氬氮比為1:1. 2;
[0009] (3)磁控濺射AZO層，采用陶瓷鋅靶在氬氧氣氛下濺射，氬氧比為10:1 ;
[0010] (4)磁控濺射Ag層，采用平面陰極濺射，純氬氣狀態(tài)，氣壓范圍在3X10 3Hibar~ 3. 5X103mbar；
[0011] (5)磁控濺射NiCrOx層，采用平面陰極濺射，純氬氣狀態(tài)，氣壓范圍在 3X103mbar~6X103mba;
[0012] (6)磁控濺射Si3N4層，采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶，Si:A1比例為90%:10%，工藝氣 體為氬氣和氮氣，氬氮比為1:1. 2;
[0013] (7)磁控濺射AZO層，采用陶瓷鋅靶在氬氧氣氛下濺射，氬氧比為10:1;
[0014] (8)磁控濺射Ag層，采用平面陰極濺射，純氬氣狀態(tài)，氣壓范圍在3X10 3Hibar~ 3. 5X103mbar；
[0015] (9)磁控濺射NiCrOx層，采用平面陰極濺射，純氬氣狀態(tài)，氣壓范圍在 3X103mbar~6X103mbar;
[0016] (10)磁控濺射Si3N4層，采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶，Si:A1比例為90% :10%，工藝 氣體為氬氣和氮氣，氬氮比為1:1. 2 ;
[0017] (11)磁控濺射ZrNx層，采用旋轉(zhuǎn)雙陰極濺射，氬氮比為1:1.2。
[0018] 與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明有如下優(yōu)點：
[0019] 1、本發(fā)明通過對玻璃膜系結構的改進，使其熱處理后顏色變化小，透過率較高，能 防止玻璃在高溫熱處理加工時膜層的開裂，使其保持完整性、均勻性、穩(wěn)定性，能更好地應 用在建筑幕墻上。
[0020] 2、本發(fā)明鍍在玻璃上的第一層膜二氧化硅層，具備阻擋在高溫熱處理過程中玻璃 中的鈉離子擴散至膜層中的功能。
[0021] 3、本發(fā)明各膜層均具備耐高溫的性能，相鄰的不同膜層具有相互阻止擴散的能 力。
[0022] 4、本發(fā)明通過將銀層嵌在有效的阻擋層中間，以避免銀膜在高溫處理過程中氧 化，使銀層在鋼化過程中保持其均勻性和光滑性。 【【附圖說明】】
[0023] 圖1是本發(fā)明結構示意圖。 【【具體實施方式】】
[0024] -種可進行高溫熱處理的雙銀低輻射鍍膜玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃 基片1的復合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復合有二十個膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為SiO2 層2,第二膜層為Si3N4層3,第三膜層為AZO層4,第四膜層為Ag層5,第五膜層為NiCrOx 層6,第六膜層為Si3N4層7,第七膜層為AZO層8,第八膜層為Ag層9,第九膜層為NiCrOx 層10,第十膜層為Si3N4層11，第^ 膜層即最外層為ZrNx層12。
[0025] 所述的第一膜層SiOJl2是一種酸性氧化物二氧化硅層，為附著力增強層和防止 玻璃中鈉離子擴散至整個膜層的基礎膜層，第一膜層SiOJl2層厚為10~20nm。
[0026] 所述的第二膜層Si3N4層3,即氮化硅，為低吸收率電介質(zhì)膜層，其功能為有效降低 膜層對可見光的反射率，達到高透、低反的效果。第二膜層Si3N4層3的層厚為40~50nm， 所述的第十膜層Si3N4層11的層厚為40~50nm，所述的第六膜層Si3N4層7的層厚為80~ 100nm〇
[0027] 所述的第三膜層AZO層4為摻鋁氧化鋅層，為銀膜生長層，能將低吸收率電介質(zhì)層 的膜層平整光滑化，使得銀層在平整光滑的基礎上形成均勻一致的膜層。第三膜層AZO層 4的層厚為3~5nm，所述的第七膜層AZO層8的層厚為3~5nm。
[0028] 所述的第四膜層Ag層5為低輻射功能膜層銀層，能對陽光輻射范圍內(nèi)達到最好吸 收和在紅外線范圍內(nèi)得到最高的反射率，第四膜層Ag層5的層厚為8~12nm，所述的第八 膜層Ag層9的層厚為8~12nm〇
[0029] 所述的第五膜層NiCrOx層6為氧化鎳鉻層，為銀層保護層，能保護銀層使其不被 氧化，第五膜層NiCrOx層6的層厚為5~15nm，所述的第九膜層NiCrOx層10的層厚為5~ 15nm〇
[0030] 所述的第十一膜層ZrNx層12為氮化鋯層，為最外層，具備抗機械損傷能力的保 護層，能避免玻璃在進行高溫熱處理加工時膜層被破壞，第十一膜層ZrNx層12的層厚為 10 ~25nm〇
[0031] 制備可進行高溫熱處理的雙銀低輻射鍍膜玻璃的方法，包括如下步驟：
[0032] (1)磁控濺射SiOJl，采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶，Si:A1比例為90% :10%，工藝氣 體為氬氣和氧氣，氬氧比為I:1. 5 ;
[0033] (2)磁控濺射Si3N4層，采用旋轉(zhuǎn)雙陰極SiAl靶，Si:A1比例為90%:10%，工藝氣 體為氬氣和氮氣，氬氮比為1:1. 2 ;
[0034] (3)磁控濺射AZO層，采用陶瓷鋅靶在氬氧