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控制放電燈的電路裝置的制作方法

文檔序號:8016548閱讀:245來源:國知局
專利名稱:控制放電燈的電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1前序部分所述的控制放電燈的電路裝置。
在控制和點(diǎn)火放電燈時(shí),損壞的電燈或當(dāng)燈壽命接近結(jié)束時(shí),可能出現(xiàn)高電壓,假如沒有采取適合的措施,它可能導(dǎo)致?lián)p壞各自的電子限流器。習(xí)慣上使用斷路電路來監(jiān)視燈電壓。只要燈電壓超過確定值的時(shí)間超過一個(gè)預(yù)先給定時(shí)間后,那么,斷路電路干預(yù)使一般是半橋發(fā)生器的燈發(fā)生器停止工作。
OSRAM有限公司(產(chǎn)品標(biāo)志QT EC)已經(jīng)公開了具有斷路裝置的電子限流器。

圖1中給出了相應(yīng)于現(xiàn)有技術(shù)的電路裝置的其中一個(gè)草圖。這里,斷電裝置由雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路構(gòu)成,該電路包括兩個(gè)晶體管T1和T2(可控硅等效電路)。燈電壓UL通過分壓器R4、R3和一個(gè)延遲網(wǎng)絡(luò)R4、Ct引到雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路晶體管的基極,該晶體管構(gòu)成電路的觸發(fā)輸入。如果雙穩(wěn)態(tài)電路翻到導(dǎo)通或工作狀態(tài),那么斷路晶體管T3通過二級管D1抑制半橋發(fā)生器的晶體管Tu的基極控制的方法停止燈發(fā)生器。這個(gè)燈發(fā)生器在所說明情形中作為一個(gè)半橋發(fā)生器。啟動(dòng)電容Cs經(jīng)過二極管DE與半橋發(fā)生器的下位晶體管Tu引線并聯(lián),并通過二極管D2被短路,因此防止逆整流器嘗試重新啟動(dòng)。
已公開的電路有兩個(gè)特別的缺點(diǎn)。為了能確定中斷半橋發(fā)生器的振蕩,半橋發(fā)生器的晶體管Tu的基極必須向下與地相聯(lián),但因?yàn)榘霕虬l(fā)生器的晶體管Tu的基極電位可以采用負(fù)值,所以通過二極管D1半橋發(fā)生器的這個(gè)晶體管的基極與斷路三極管T3相連。因此,自然使一個(gè)確定的斷路變得困難,因?yàn)橄挛坏木w管Tu的基極在斷路情況下不是直接而是通過D1的二極管引腳通過T3與地相連。
另外一個(gè)缺點(diǎn)必須預(yù)置一個(gè)電源Uv,它為斷路晶體管T3提供基極電流。在已公開的電路裝置中,為此預(yù)先規(guī)定了一個(gè)電解電容,它或者通過觸發(fā)信號或者通過泵電路充電。
所以本發(fā)明的任務(wù)是準(zhǔn)備提供一個(gè)控制放電燈的電路裝置,其避免了以上問題。
本任務(wù)通過根據(jù)本發(fā)明的電路裝置來完成,如在權(quán)利要求1和3所定義的。
根據(jù)權(quán)利要求1(圖2)的電路裝置的一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn),不需要用于斷路過程的附加電路,而是通過一個(gè)本來已存在的啟動(dòng)電容C3構(gòu)成這個(gè)電源。在以前所說明的已公開的電路中,如果半橋發(fā)生器工作,那么啟動(dòng)電容通過一個(gè)二極管D4放電,二極管D4與半橋發(fā)生器的晶體管T2的引線并聯(lián)。
根據(jù)權(quán)利要求2,插入一個(gè)穩(wěn)壓二極管D9,通過這種辦法,對啟動(dòng)電容C3以穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電壓值充電,并且通過這種辦法被用作電源。如果雙穩(wěn)態(tài)翻轉(zhuǎn)級(kippstufe)T5、T4導(dǎo)通,那么,不僅停止燈發(fā)生器,而且通過對啟動(dòng)電容放電來阻止重新啟動(dòng)。
根據(jù)權(quán)利要求3優(yōu)選的電路裝置具有以下優(yōu)點(diǎn)保證確定的斷路,因?yàn)閿嗦肪w管T3的集電極-發(fā)射極結(jié)直接位于半橋發(fā)生器的晶體管T2的基極與地之間。晶體管T4構(gòu)成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的觸發(fā)輸入,在半橋發(fā)生器中晶體管T2的基極為負(fù)電位時(shí),通過在晶體管T5的集電極和晶體管T4基極間的一個(gè)二極管D12,阻止斷路晶體管T3的負(fù)的集電極電流。此外,可以預(yù)先規(guī)定用于晶體管T4基極連接電位匹配的另外的一個(gè)二極管D11,其中T4構(gòu)成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的觸發(fā)輸入,并且還預(yù)先規(guī)定了斷路晶體管T3。
下面將參考圖例說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,從中得出本發(fā)明另外的優(yōu)點(diǎn)、特征和使用可能性。
如圖所示圖1根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)電路裝置。
圖2根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的第一個(gè)實(shí)施例。
圖3根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的第二個(gè)實(shí)施例。
圖2指出了控制放電燈的具有一個(gè)半橋發(fā)生器的電路裝置,該半橋發(fā)生器包括一個(gè)下位晶體管T2和一個(gè)上位的晶體管T1。與晶體管T2并聯(lián)的是一個(gè)在圖2介紹的具有一個(gè)放電管E的負(fù)載電路。燈電壓U2通過分壓器R13、R15和延遲網(wǎng)絡(luò)R13、C13引向晶體管T4的基極,晶體管T4構(gòu)成了包括第一個(gè)和第二個(gè)晶體管T4和T5的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器電路的觸發(fā)輸入。如果觸發(fā)電路處于導(dǎo)通狀態(tài),那么斷路晶體管T3通過抑制晶體管T2的基極來控制停止半橋發(fā)生器。
啟動(dòng)電容C3按照到二極管D4、再到穩(wěn)壓二極管D9的順序與晶體管T2并聯(lián),通過穩(wěn)壓二極管D9,啟動(dòng)電容C3被以穩(wěn)壓電壓值充電,并且因此用作向斷路晶體管T3提供基極電流的電源。
為啟動(dòng)半橋發(fā)生器T1、T2,啟動(dòng)電容C3通過電阻R1充電,直到達(dá)到可控硅DIAC的擊穿電壓為止。半橋晶體管T2的基極電流流過DIAC。因此,晶體管T2切換到導(dǎo)通狀態(tài),所以放電管E在圖3中的負(fù)載電路C10、C11、R8有負(fù)載電流流過。
負(fù)載電路中的一個(gè)線圈(圖3中的RK1-A)與線圈Rk(圖3中的RK1-C)相比被加倍,線圈Rk接在與晶體管T2基極串聯(lián)的電阻R6與地之間。因此觸發(fā)半橋發(fā)生器的自激振蕩。在發(fā)生器振蕩后,C3被以D9的穩(wěn)壓電壓值充電。
另外,可以在晶體管T3基極上預(yù)先規(guī)定二極管D11,用于調(diào)整晶體管T4和T3的基極連接上的電壓,還在電路裝置中,為控制放電燈預(yù)先規(guī)定了位于第二個(gè)晶體管T5集電極和第一個(gè)晶體管T4基極間的二極管D11。
在根據(jù)圖1的電路中,預(yù)先規(guī)定二極管D1,在晶體管Tu的基極-發(fā)射極電壓為負(fù)時(shí),該二極管防止Ct通過T3的基極-發(fā)射極結(jié)放電,在規(guī)定D1的同時(shí),根據(jù)圖2的根據(jù)本發(fā)明的電路預(yù)先取消這個(gè)二極管。根據(jù)圖2的根據(jù)本發(fā)明的電路中,禁止C13通過二極管D12放電。因此斷路晶體管T3的集電極可能直接連接到半橋晶體管T2的基極,所以在斷路情況下,T2的基極向下與地相連。(在根據(jù)圖1預(yù)先規(guī)定的二極管D1上無電壓情況下)。
D11保證為D4預(yù)先提供一個(gè)足夠大的控制電流,所以不是所有的T5的集電極電流流進(jìn)T3的基極。
在這個(gè)優(yōu)先的實(shí)施例中,根據(jù)權(quán)利要求1和權(quán)利要求3的兩個(gè)電路裝置,解決了在電路中的上述問題。然而它們也可以互不依賴的使用。
圖3中介紹的電路裝置有類似于圖2中所說明的電路裝置結(jié)構(gòu),它說明了本發(fā)明的原則,同一元件用同一標(biāo)識來標(biāo)記。
根據(jù)圖3的電路裝置具有一個(gè)連接在端子1(地)、2的沒有介紹的電源供給部分以及一個(gè)具有電容C10、C11的燈預(yù)熱電路和一個(gè)熱敏電阻R8,半橋具有兩個(gè)保護(hù)二極管D6和D7。電阻用在半橋發(fā)生器在晶體管T1和T2的中間抽頭,是半橋發(fā)生器在預(yù)定電位上起振。電路C5(梯形電容器,“snubber”)用作降低半橋晶體管的電路消耗。
電容C6用作附加的諧振電容,用作提高發(fā)生器輸出電壓。
為了探測燈電壓的峰值電壓,通過二極管D10,對燈電壓整流。
電容C4禁止由于干擾影響觸發(fā)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,例如基于電路裝置中的在導(dǎo)線間的串?dāng)_干擾影響。
權(quán)利要求
1.控制放電燈,優(yōu)選控制一個(gè)低壓放電燈的電路,具有一個(gè)半橋發(fā)生器(T1、T2),其中,一個(gè)與燈電壓(UL)成比例的電壓通過一個(gè)延遲網(wǎng)絡(luò)(R13、C13)引到第一個(gè)晶體管(T4)的基極,晶體管(T4)構(gòu)成了包括第一個(gè)和第二個(gè)晶體管(T4、T5)的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的觸發(fā)輸入,其中斷路晶體管(T3)使半橋發(fā)生器(T1、T2)不工作,如果觸發(fā)電路(T4、T5)處于導(dǎo)通狀態(tài),斷路晶體管(T3)抑制半橋發(fā)生器晶體管(T2)的基極控制并且其中半橋發(fā)生器(T1、T2)可以由啟動(dòng)電容(C3)啟動(dòng),在半橋發(fā)生器工作期間該電容通過放電二極管(D4)放電,其特征在于,啟動(dòng)電容(C3)構(gòu)成向斷路晶體管(T3)提供基極電流的電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電路裝置,其特征在于,此外在放電二極管(D3)和半橋發(fā)生器晶體管(T2)的集電極引線間安排一個(gè)穩(wěn)壓二極管(D9)。
3.控制放電燈,優(yōu)選控制一個(gè)低壓放電燈的電路,具有一個(gè)半橋發(fā)生器(T1、T2),該半橋發(fā)生器包括一個(gè)上位晶體管(T1)和一個(gè)下位晶體管(T2),一個(gè)與燈電壓(UL)成比例的電壓通過一個(gè)延遲網(wǎng)絡(luò)(R13、C13)引到第一個(gè)晶體管(T4)的基極,晶體管(T4)構(gòu)成了包括第一個(gè)和第二個(gè)晶體管(T4、T5)的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的觸發(fā)輸入,其中,斷路晶體管(T3)使半橋發(fā)生器(T1、T2)不工作,如果觸發(fā)電路(T4、T5)處于導(dǎo)通狀態(tài),斷路晶體管(T3)抑制半橋發(fā)生器晶體管(T2)的基極控制并且其中半橋發(fā)生器(T1、T2)可以由啟動(dòng)電容(C3)啟動(dòng),在半橋發(fā)生器工作期間該電容通過放電二極管(D4)放電,其特征在于,--斷路晶體管(T3)的集電極發(fā)射極結(jié)直接位于半橋發(fā)生器的下位晶體管(T2)基極與地之間,--在晶體管(T5)的集電極與雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的另外的晶體管(T4)的基極間安排了一個(gè)二極管(D12),--在斷路晶體管(T3)的基極引線上安排一個(gè)二極管(D11)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1和3的電路裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求2和4的電路裝置。
全文摘要
本發(fā)明說明一種控制放電燈的電路裝置,該電路裝置具有一個(gè)半橋發(fā)生器(T1、T2),其中斷路晶體管可以停止半橋發(fā)生器。提供短路晶體管(T3)基極電流的電源由啟動(dòng)半橋發(fā)生器(T1、T2)的啟動(dòng)電容構(gòu)成。此外,斷路晶體管(T3)的集電極-發(fā)射極結(jié)直接位于半橋發(fā)生器的下位晶體管(T2)與地之間。
文檔編號H05B41/285GK1174652SQ96191956
公開日1998年2月25日 申請日期1996年2月8日 優(yōu)先權(quán)日1995年2月17日
發(fā)明者F·賴瑟爾 申請人:電燈專利信托有限公司
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