專利名稱：硫化鋅薄膜的真空補硫法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種用于電致發(fā)光薄膜補硫的方法，屬于電致發(fā)光薄膜制作技術(shù)。
薄膜電致發(fā)光屏(TFELP)的最核心部分是電致發(fā)光薄膜，現(xiàn)有技術(shù)中ZnS∶Mn是最常用的材料。由于在制作ZnS∶Mn薄膜的蒸發(fā)、濺射等常規(guī)工藝中往往會失S，因而造成薄膜中Zn與S的化學(xué)計量比不是1∶1，影響了器件的發(fā)光性能。為了彌補失S的影響，目前采用兩種方法一是三元共蒸發(fā)法(Kom-atsu，etal，SID87 Degest)，即把Zn、S、Mn分裝于三個坩堝，并分別控制其蒸發(fā)速率，以求Zn∶S＝1∶1，這種方法可以得到良好的效果，但需增加一個蒸發(fā)源及其控制設(shè)備;二是沉積ZnS∶Mn薄膜時向蒸發(fā)室通入一定量的H2S氣體，以達到補S的目的(H Ohnishi，etal，SID 88 De-gest P289)，但此法要增加H2S氣體的引入裝置，且因H2S為有毒氣體，需增加防護措施，給使用帶來不便。
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是提供一種設(shè)備簡單、制作方便的硫化鋅薄膜補硫法。
本發(fā)明采用真空補硫法進行補硫，它采用雙元蒸發(fā)或濺射法在基片上沉積ZnS∶Mn薄膜，將沉積有ZnS∶Mn薄膜的基片放置在容器(1)內(nèi)，并與裝有適量硫的容器(2)一起密封在真空容器(3)中，再進行熱處理。容器(3)中的壓強為低于1帕。熱處理溫度為450～600℃，保溫時間為1～4小時。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有設(shè)備簡單、操作方便等優(yōu)點，它不需要復(fù)雜的控制設(shè)備，也沒有毒害性氣體外溢。采用本發(fā)明對硫化鋅薄膜補硫，可提高發(fā)光層的發(fā)光效率，從而提高電致發(fā)光屏的質(zhì)量。
附圖
為本發(fā)明實施例的示意圖。
本發(fā)明可采取附圖所示的方案實現(xiàn)。將沉積有ZnS∶Mn薄膜的基片旋轉(zhuǎn)在小玻璃碗(1)內(nèi)，小玻璃碗(2)內(nèi)放有適量的硫，再把它們共裝在玻璃管(3)中，玻管(3)的開口端與真空系統(tǒng)(4)相連接，當(dāng)真空抽到P＜1帕?xí)r，將玻管封口。為了使玻管封口時不影響玻碗，放置玻碗時應(yīng)與封口處保持一定的距離。再把封好口的玻管放入馬福爐中熱處理，例如在500℃溫度下保溫3小時，即可達到ZnS∶Mn薄膜補硫的目的。薄膜的基片可根據(jù)需要，采用普通玻璃、石英玻璃、微晶玻璃或陶瓷。
權(quán)利要求
1.一種用于電致發(fā)光薄膜補硫的硫化鋅薄膜真空補硫法，采用雙元蒸發(fā)或濺射法在基片上沉積ZnS∶Mn薄膜，其特征在于將沉積有ZnS∶Mn薄膜的基片放置在容器內(nèi)，并與裝有適量硫的容器一起密封在真空容器中，再進行熱處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫化鋅薄膜真空補硫法，其特征在于將裝有ZnS∶Mn薄膜基片的容器與裝有硫的容器共裝在一個玻璃管內(nèi)，然后接到真空系統(tǒng)中抽真空，當(dāng)真空度P＜1帕?xí)r將玻璃管封口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硫化鋅薄膜真空補硫法，其特征在于熱處理采用馬福爐加熱，溫度為450～600℃，保溫時間為1～4小時。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硫化鋅薄膜真空補硫法，其特征在于基片為普通玻璃、石英玻璃、微晶玻璃或陶瓷。
全文摘要
硫化鋅薄膜的真空補硫法是一種用于電致發(fā)光薄膜的補硫方法，采用雙元蒸發(fā)或濺射法在基片上沉積ZnS:Mn薄膜，將它與適量的硫分別裝在不同的容器內(nèi)，再一起共裝于一個密閉的真空容器中。真空容器中的壓強應(yīng)低于1帕。再進行熱處理，其溫度為450～600℃，保溫時間為1～4小時，具有設(shè)備簡單、操作方便等優(yōu)點。
文檔編號H05B33/14GK1084902SQ9210777
公開日1994年4月6日 申請日期1992年9月26日 優(yōu)先權(quán)日1992年9月26日
發(fā)明者陳國平 申請人:東南大學(xué)