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包括金屬線層的層合體及其制造方法與流程

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包括金屬線層的層合體及其制造方法與流程
本發(fā)明涉及一種由其生產(chǎn)嵌入有金屬線的基底的層合結(jié)構(gòu)。更具體地,本發(fā)明涉及一種層合結(jié)構(gòu),其中作為柔性基底的嵌入有金屬線的基底層容易與載體基底分離,使得能夠以更簡(jiǎn)單的方式制造具有柔性基底的裝置(例如,柔性顯示裝置)。
背景技術(shù)
:柔性電子設(shè)備(例如柔性顯示器、太陽(yáng)能電池、區(qū)域照明裝置、電子紙、柔性二次電池和觸摸面板)作為有前途的技術(shù)最近已經(jīng)受到關(guān)注。柔性電子設(shè)備已經(jīng)發(fā)展成為便宜、易彎曲且透明的電子裝置和系統(tǒng)。實(shí)現(xiàn)柔性電子設(shè)備基本上需要用于生產(chǎn)包括具有低電阻的透明電極的柔性基底的技術(shù)。已知一些方法例如(1)通過(guò)降低線的電阻率(ρ),(2)通過(guò)減小電線的長(zhǎng)度,或(3)通過(guò)增加電線的高度(厚度)來(lái)降低金屬線的電阻。然而,對(duì)于方法(1),電阻率限制了材料的選擇。由于銅的足夠低的電阻率,銅是目前使用最廣泛的材料。其他材料(例如銀)只能以高價(jià)格獲得,限制了其使用。方法(2)在物理上受到與韓國(guó)專利公開(kāi)第10-2014-0008606號(hào)中描述的電路設(shè)計(jì)相關(guān)的問(wèn)題的限制。鑒于方法(1)和(2)的局限性,方法(3)被認(rèn)為是可接受的。然而,隨著線的高度增加,出現(xiàn)許多問(wèn)題,例如線的排列混亂、電短路、線之間的短路以及對(duì)線的損壞。因此,需要將金屬線插入至基底中。在這方面,常規(guī)技術(shù)包括用于通過(guò)沉積和蝕刻形成期望的金屬線圖案的蝕刻技術(shù)和用于將線鑲嵌至通過(guò)將cmp施加至難以進(jìn)行用于圖案化的干式蝕刻的膜(例如銅(cu)薄膜)而在絕緣膜中形成的溝槽中的鑲嵌技術(shù)(damascenetechniques)。然而,這種常規(guī)技術(shù)通過(guò)重復(fù)沉積/蝕刻需要消耗大量的材料,涉及復(fù)雜的加工步驟,并且對(duì)在塑料基底中形成的金屬層進(jìn)行熱處理時(shí)引起對(duì)塑料基底的熱損傷。為了解決上述問(wèn)題,提出了一種技術(shù),其中在硬基底上形成金屬線,在其上涂覆并固化可固化聚合物,并將硬基底機(jī)械剝離。然而,根據(jù)該技術(shù),當(dāng)將硬基底從嵌入有金屬線的聚合物基底強(qiáng)制剝離時(shí),引起對(duì)金屬線和聚合物基底的損壞,導(dǎo)致最終產(chǎn)品的缺陷。部分硬基底保持未從聚合物基底中移除并充當(dāng)雜質(zhì)。在這種情況下,已經(jīng)提出了一種方法,其中在載體基底上形成水溶性的或有機(jī)溶劑可溶性的或可光降解的犧牲層,在犧牲層上形成嵌入有金屬線的柔性基底層,移除犧牲層以從載體基底分離并回收柔性基底(韓國(guó)專利公開(kāi)第10-2014-0028243號(hào))。然而,根據(jù)該方法,通過(guò)溶解在水中或有機(jī)溶劑中或光分解(photodecomposition)來(lái)移除犧牲層增加了使用后與水或有機(jī)溶劑的處理相關(guān)的成本。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種可以由其容易地在沒(méi)有沉積和蝕刻下制造嵌入有金屬線的柔性基底的層合結(jié)構(gòu),以及由層合結(jié)構(gòu)制成的柔性基底。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種包括嵌入有金屬線的柔性基底的電子裝置。技術(shù)方案本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種層合結(jié)構(gòu),其包括載體基底;設(shè)置在載體基底的至少一個(gè)表面上并且包括聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層(debondinglayer);與剝離層接觸設(shè)置的金屬布線層;以及與金屬布線層接觸設(shè)置的柔性基底層,其中金屬布線層與柔性基底層之間的粘合強(qiáng)度大于金屬布線層與剝離層之間的粘合強(qiáng)度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案,金屬布線層包括多個(gè)金屬線,并且柔性基底層圍繞金屬線并與剝離層接觸以將金屬線嵌入其中。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案,可以施加物理刺激以改變剝離層與具有金屬布線層的柔性基底之間的粘合強(qiáng)度,使得金屬布線層與柔性基底層的截面暴露而不引起剝離層中的化學(xué)變化,并且當(dāng)在施加物理刺激之前和之后的剝離層對(duì)金屬布線層的粘合強(qiáng)度分別被定義為a1和a2時(shí),比例a2/a1可以為0.001至0.5。在施加物理刺激之后,剝離層的剝離強(qiáng)度可以為不大于0.3n/cm。在施加物理刺激之前,剝離層對(duì)金屬布線層的粘合強(qiáng)度可以為至少1n/cm。剝離層的厚度可以為0.05μm至5μm。金屬線可以通過(guò)噴墨印刷、凹版印刷、凹版膠板印刷、氣溶膠印刷、絲網(wǎng)印刷、電鍍、真空沉積或光刻法形成。金屬線可以以0.05mm至50mm的間隔布置。金屬線可以由銀(ag)、銅(cu)、鋁(al)、金(au)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)、鉬(mo)或其合金構(gòu)成。聚酰亞胺樹(shù)脂可以通過(guò)使式1的芳族四羧酸二酐與具有直鏈結(jié)構(gòu)的芳族二胺化合物反應(yīng)提供聚酰胺酸,并在200℃或更高的溫度下使聚酰胺酸固化來(lái)制備:[式1]在式1中,a為式2a或2b的四價(jià)芳族有機(jī)基團(tuán):[式2a][式2b]在式2a和式2b中,r11至r14各自獨(dú)立地為c1-c4烷基或c1-c4鹵代烷基,a為0至3的整數(shù),b為0至2的整數(shù),c和e各自獨(dú)立地為0至3的整數(shù),d為0至4的整數(shù),并且f為0至3的整數(shù)。芳族二胺化合物可以由式4a或4b表示:[式4a][式4b]在上式中,r21至r23各自獨(dú)立地為c1-c10烷基或c1-c10鹵代烷基,x選自-o-、-cr24r25-、-c(=o)-、-c(=o)o-、-c(=o)nh-、-s-、-so-、-so2-、-o[ch2ch2o]q-、c6-c18單環(huán)的和多環(huán)的環(huán)亞烷基、c6-c18單環(huán)的和多環(huán)的亞芳基、及其組合,r24和r25各自獨(dú)立地選自氫原子、c1-c10烷基和c1-c10鹵代烷基,q為1或2的整數(shù),l、m和n各自獨(dú)立地為0至4的整數(shù),以及p為0或1的整數(shù)。柔性基底層可以由選自以下的至少一種可固化聚合物樹(shù)脂形成:聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚乙烯砜(pes)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯(pc)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚酰亞胺(pi)、聚醚酰亞胺(pei)、聚酰胺酰亞胺、聚酯、乙烯乙酸乙烯酯(eva)、聚醚酰胺酰亞胺、聚酯酰胺酰亞胺、聚芳酯(par)、無(wú)定形聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(apet)、聚對(duì)苯二甲酸丙二醇酯(ppt)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯甘油(petg)、聚對(duì)苯二甲酸環(huán)亞己基二亞甲基酯(pctg)、改性三乙酰纖維素(tac)、環(huán)烯烴聚合物(cop)、環(huán)烯烴共聚物(coc)、二環(huán)戊二烯(dcpd)聚合物、環(huán)戊二烯(cpd)聚合物、聚二甲基硅氧烷(pdms)、硅酮樹(shù)脂、氟化物樹(shù)脂和改性環(huán)氧樹(shù)脂。本發(fā)明的另一方面提供了一種用于生產(chǎn)具有金屬布線層的柔性基底的方法,包括制備載體基底;在載體基底上形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層;在剝離層上形成金屬布線層;在形成于剝離層上的金屬布線層上涂覆可固化聚合物以形成柔性基底層,以及通過(guò)施加物理刺激使得金屬布線層和柔性基底的截面暴露而不引起剝離層中的化學(xué)變化以使具有金屬布線層的柔性基底從載體基底分離。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案,物理刺激選自切割、激光切割和金剛石劃線。物理刺激可以大于0n但不大于0.1n。本發(fā)明的另一方面提供了一種包括具有金屬布線層的柔性基底的電子裝置。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案,電子裝置可以選自太陽(yáng)能電池、有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置、半導(dǎo)體裝置和顯示裝置。顯示裝置可以為柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面的其它實(shí)施方案的細(xì)節(jié)包括在以下描述中。有益效果具有金屬布線層的柔性基底可以通過(guò)施加相對(duì)小的物理刺激(例如切割)而容易地與載體基底分離,而省去激光或光照射或溶解的需要。因此,使用層合結(jié)構(gòu)使得能夠以更容易的方式制造包括柔性基底的裝置(例如柔性顯示裝置)。因此,不需要額外加工(例如激光或光照射或溶解),有助于簡(jiǎn)化裝置制造過(guò)程和降低制造成本。此外,可以防止裝置由激光或光照射引起的可靠性劣化和缺陷的發(fā)生。金屬線在基底中的嵌入減小了透明電極的薄層電阻,并且即使當(dāng)柔性基底形狀變形時(shí)也可以保護(hù)金屬線免于損壞或斷開(kāi),從而使柔性基底適用于柔性裝置。附圖說(shuō)明圖1a是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的層合結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖,圖1b是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案的層合結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖;圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的用于生產(chǎn)柔性基底的方法;圖3示意性地示出了用于生產(chǎn)柔性基底的比較方法。圖4a示出了實(shí)施例1中生產(chǎn)的柔性基底膜,圖4b示出柔性基底膜的表面,圖4c示出了移除柔性基底之后的載體基底的表面;圖5a示出了在比較例1中生產(chǎn)的柔性基底膜,圖5b示出了柔性基底膜的表面,圖5c示出了移除柔性基底之后的載體基底的表面;以及圖6a至6c是示出在帶測(cè)試之前和之后實(shí)施例2和比較例2中生產(chǎn)的柔性基底的可分離性的照片。最佳實(shí)施方式由于本發(fā)明允許各種改變和許多實(shí)施方案,將在附圖中示出并在書(shū)面描述中詳細(xì)描述特定的實(shí)施方案。然而,這不旨在將本發(fā)明限于特定的實(shí)施模式,并且應(yīng)當(dāng)理解不脫離本發(fā)明的精神和技術(shù)范圍的所有改變、等效方案和替代方案都包含在本發(fā)明中。在本發(fā)明的描述中,當(dāng)認(rèn)為現(xiàn)有技術(shù)的詳細(xì)說(shuō)明可能不必要地使本發(fā)明的本質(zhì)模糊時(shí),省略對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,當(dāng)元件例如層、膜(membrane)、膜(film)或基底被稱為在另一元件“上(above)”或“上(on)”時(shí),其可以直接在另一元件上,或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間元件。還應(yīng)理解,當(dāng)元件例如層、膜(membrane)、膜(film)或基底被稱為在另一元件“下”時(shí),其可以直接在另一元件下,或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間元件。除非另有說(shuō)明,否則本文所用的術(shù)語(yǔ)“物理刺激”旨在包括不引起化學(xué)變化的機(jī)械刺激,例如剝離、切割、摩擦、拉伸和壓縮,并且是指無(wú)論使用什么手段或模式,通過(guò)其可以使層合結(jié)構(gòu)的截面暴露的刺激。在某些情況下,物理刺激的強(qiáng)度可以大于0n每單位面積但不大于0.1n每單位面積。即施加物理刺激意指層合結(jié)構(gòu)的截面暴露,而不管使用什么手段。優(yōu)選地,以使得形成柔性基底的端部的層合結(jié)構(gòu)的兩個(gè)或更多個(gè)截面以預(yù)定間隔暴露的方式施加物理刺激。如本文所使用的,術(shù)語(yǔ)“粘合強(qiáng)度”是指在施加物理刺激之前剝離層對(duì)柔性基底的粘合強(qiáng)度,以及術(shù)語(yǔ)“剝離強(qiáng)度”是指施加物理刺激之后剝離層對(duì)柔性基底的粘合強(qiáng)度。本發(fā)明提供了一種層合結(jié)構(gòu),其包括載體基底;設(shè)置在載體基底的至少一個(gè)表面上并且包括聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層;與剝離層接觸設(shè)置的金屬布線層;以及與金屬布線層接觸設(shè)置的柔性基底層,其中金屬布線層與柔性基底層之間的粘合強(qiáng)度大于金屬布線層與剝離層之間的粘合強(qiáng)度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案,金屬布線層包括多個(gè)金屬線,并且柔性基底層圍繞金屬線并與剝離層接觸以將金屬線嵌入其中。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案,可以施加物理刺激以改變剝離層與具有金屬布線層的柔性基底之間的粘合強(qiáng)度,使得金屬布線層與柔性基底層的截面暴露而不引起剝離層中的化學(xué)變化,并且當(dāng)在施加物理刺激之前和之后剝離層對(duì)金屬布線層的粘合強(qiáng)度分別被定義為a1和a2時(shí),比例a2/a1可以為0.001至0.5。在施加物理刺激之后剝離層從柔性基底的剝離強(qiáng)度可以不大于0.3n/cm和/或?qū)θ嵝曰椎恼澈蠌?qiáng)度可以為至少1n/cm。本發(fā)明還提供了由層合結(jié)構(gòu)生產(chǎn)的裝置基底。本發(fā)明還提供了包括裝置基底的裝置?,F(xiàn)在將根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案給出關(guān)于層合結(jié)構(gòu)、用于生產(chǎn)層合結(jié)構(gòu)的方法、由層合結(jié)構(gòu)生產(chǎn)的裝置基底、用于生產(chǎn)裝置基底的方法、包括裝置基底的裝置及用于制造裝置的方法的更詳細(xì)描述。具體地,形成在剝離層上并包括金屬布線層的柔性基底層可以通過(guò)物理刺激容易地從層合結(jié)構(gòu)剝離。因此,即使不需要用于移除在載體基底和基底層之間形成的犧牲層的其它過(guò)程例如激光和光照射,也可以將柔性基底從剝離層分離。這使得能夠以更容易的方式生產(chǎn)嵌入有線的柔性基底。剝離層與金屬布線層接觸設(shè)置。在將金屬布線層圖案化并且將金屬線嵌入柔性基底的情況下,剝離層可以部分地與柔性基底接觸。即剝離層可以與金屬布線層和任選地柔性基底層接觸。具體地,施加物理刺激以暴露金屬布線層和柔性基底的截面降低了剝離層對(duì)金屬布線層和/或柔性基底的粘合強(qiáng)度。更具體地,剝離層在施加物理刺激之前對(duì)金屬布線層和/或柔性基底的粘合強(qiáng)度為至少1n/cm,但是在施加物理刺激之后從金屬布線層和/或柔性基底的剝離強(qiáng)度為不大于0.3n/cm。施加物理刺激使得金屬布線層和柔性基底的截面暴露而不引起剝離層中的化學(xué)變化,并且可以具有大于0n但不大于0.1n的強(qiáng)度。用于施加物理刺激以暴露金屬布線層和/或柔性基底的截面的方法的具體實(shí)例但不限于切割、激光切割和金剛石劃線。物理刺激沒(méi)有限制,只要使金屬布線層和柔性基底的截面暴露即可。例如,可以施加物理刺激以暴露柔性基底和剝離層的截面或柔性基底、剝離層、其它功能層和任選地載體基底的截面(除金屬布線層和柔性基底的截面外)。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn),當(dāng)在載體基底上設(shè)置包含具有特定特征的聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層、在剝離層上形成金屬布線層、并隨后涂覆聚合物層以形成柔性基底時(shí),金屬線和聚合物層可以簡(jiǎn)單地通過(guò)施加物理刺激而容易地從剝離層分離,不需要激光或光照射,使得能夠生產(chǎn)具有金屬布線層的柔性基底并且有利于制造使用柔性基底的顯示裝置。這些功能和作用被認(rèn)為歸因于聚酰亞胺樹(shù)脂的以下特征。嵌入有金屬線的柔性基底可以起到降低透明電極的薄層電阻的功能,獲得電子裝置的改善的效率。特別地,柔性基底可用于制造具有改善的功率轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。使用柔性基底可以防止大面積太陽(yáng)能電池?fù)p失其功率轉(zhuǎn)換效率。即使當(dāng)包括金屬線的裝置形狀變形時(shí),也可以保護(hù)嵌入基底中的金屬線免于損壞或斷開(kāi)。這使得基底適合用于柔性顯示器。圖1a和1b是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的層合結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。這些附圖僅僅是說(shuō)明性的,并且本發(fā)明不限于此。參照?qǐng)D1a和1b,層合結(jié)構(gòu)10或20可以包括載體基底11或21、設(shè)置在載體基底的一個(gè)表面上并包含聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層12或22、設(shè)置在剝離層12或22上并包含其中嵌入有金屬線13或23的聚合物層15b或25c的柔性基底層15或25、以及設(shè)置在薄膜玻璃層15a或25a上的透明電極層。施加物理刺激以改變剝離層12或22與柔性基底層15或25或金屬布線層13或23之間的粘合強(qiáng)度,使得柔性基底15或25或金屬布線層13或23的截面暴露而不引起剝離層12或22中的化學(xué)變化。以下是實(shí)施方案的更詳細(xì)的討論。載體基底11可以是用于支撐柔性基底15以使得在層合結(jié)構(gòu)10上可以容易地制造裝置的任一者。合適的載體基底的具體實(shí)例包括玻璃基底、金屬基底(例如不銹鋼基底)及其多層結(jié)構(gòu)。特別優(yōu)選的是最容易適用于裝置制造的玻璃基底。載體基底11可以通過(guò)蝕刻進(jìn)行預(yù)處理,例如在臭氧氣氛下的電暈處理、火焰處理、濺射、uv照射或電子束照射。這種預(yù)處理增加了載體基底對(duì)剝離層的粘附性。載體基底11的厚度和尺寸可以根據(jù)待應(yīng)用層合體的裝置的種類來(lái)適當(dāng)?shù)剡x擇??紤]到基底的透明度,載體基底11的厚度優(yōu)選地在0.1mm至50mm的范圍內(nèi)。在該范圍內(nèi),載體基底11的機(jī)械強(qiáng)度足夠高以支撐柔性基底。包含聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層12設(shè)置在載體基底11的至少一個(gè)表面上。包含在剝離層12中的聚酰亞胺樹(shù)脂的酰亞胺化度被控制在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)(將在下面描述)。剝離層表現(xiàn)出高于預(yù)定水平的粘合強(qiáng)度,以便在隨后的用于制造裝置的過(guò)程(包括在柔性基底15上形成裝置結(jié)構(gòu))中適當(dāng)?shù)毓潭ê椭稳嵝曰?5。然而,在裝置制造過(guò)程完成之后,可以通過(guò)簡(jiǎn)單的物理刺激(例如在沒(méi)有激光或光照射或溶解的情況下進(jìn)行切割)來(lái)降低剝離層對(duì)柔性基底15的粘合強(qiáng)度,并因此可以容易地將剝離層12與柔性基底15分離。具體地,當(dāng)在施加物理刺激之前和之后剝離層12對(duì)金屬布線層13或柔性基底15的粘合強(qiáng)度分別被定義為a1和a2時(shí),比例a2/a1為0.001至0.5,優(yōu)選地為0.001至0.1。通過(guò)簡(jiǎn)單的物理刺激(例如沒(méi)有激光或光照射的切割),可以將剝離層12容易地從具有金屬布線層的柔性基底15分離。更具體地,在施加物理刺激之前剝離層12表現(xiàn)出至少約1n/cm、至少約2n/cm、或約3n/cm至約5n/cm的對(duì)金屬布線層13或柔性基底15的粘合強(qiáng)度,但是在施加物理刺激之后,剝離層12可以表現(xiàn)出約0.3n/cm或更小(例如約0.2n/cm或更小,約0.1n/cm或更小,或約0.001n/cm至0.05n/cm)的從金屬布線層13或柔性基底15的剝離強(qiáng)度。剝離層12的剝離強(qiáng)度可以在表1所示的條件下進(jìn)行測(cè)量。[表1]具體地,剝離強(qiáng)度可以通過(guò)以下步驟來(lái)確定。首先,在玻璃基底上依次形成剝離層、金屬布線層和柔性基底以制備層合結(jié)構(gòu)作為樣品。施加物理刺激以將樣品切割成寬度為10mm的矩形。使用測(cè)試儀在表1所示的條件下測(cè)量在保持柔性基底的一端時(shí)使柔性基底以90°的角度從剝離層分離所需的力。定義該力為剝離層的剝離強(qiáng)度。粘合強(qiáng)度可以通過(guò)以下步驟來(lái)確定。首先,在玻璃基底上依次形成剝離層和柔性基底以制備100mm寬的層合結(jié)構(gòu)作為樣品。將10mm寬的帶附著至柔性基底的一端。測(cè)量在保持帶的一端時(shí)使帶以90°的角度從剝離層分離所需的力。定義該力為剝離層的粘合強(qiáng)度。用于測(cè)量力的測(cè)試儀和條件可以與表1所示的用于剝離強(qiáng)度測(cè)量的那些相同。剝離層12的期望粘合強(qiáng)度和剝離強(qiáng)度可以通過(guò)包含在剝離層中的聚酰亞胺樹(shù)脂的酰亞胺化度來(lái)實(shí)現(xiàn)。酰亞胺化度可以通過(guò)多種因素來(lái)控制,例如用于聚酰亞胺樹(shù)脂的單體的種類和含量以及酰亞胺化條件(例如熱處理溫度和時(shí)間)。作為實(shí)例,包含在剝離層12中的聚酰亞胺樹(shù)脂的酰亞胺化度可以為約60%至約99%、約70%至98%或約75%至96%。在該范圍內(nèi),剝離層12能夠滿足粘合強(qiáng)度和剝離強(qiáng)度方面的要求,因此即使當(dāng)施加物理刺激而不需要激光或光照射時(shí),也可以容易地將具有金屬布線層的柔性基底15從剝離層12分離。聚酰亞胺樹(shù)脂的酰亞胺化度可以定義為在應(yīng)用包含聚酰亞胺前體(例如聚酰胺酸樹(shù)脂)的組合物并在約200℃或更高的溫度下酰亞胺化之后,在ir光譜中在1350cm-1至1400cm-1處觀察到的cn帶的積分強(qiáng)度相對(duì)于將組合物在約500℃或更高的溫度下酰亞胺化之后,在相同波長(zhǎng)范圍內(nèi)觀察到的cn帶的積分強(qiáng)度(100%)的百分比。聚酰亞胺樹(shù)脂的酰亞胺化度范圍可以通過(guò)控制用于固化聚酰胺酸樹(shù)脂的溫度條件來(lái)實(shí)現(xiàn)。作為本發(fā)明人進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,確認(rèn)了用于制備聚酰亞胺樹(shù)脂的固化溫度條件、聚酰亞胺樹(shù)脂的酰亞胺化度、以及聚酰亞胺樹(shù)脂層的剝離強(qiáng)度可以滿足表2中所示的關(guān)系。[表2]固化溫度(℃)150200250300350500酰亞胺化度(%)10.3649.2179.3492.6995.69100剝離強(qiáng)度(n/cm)2.82.80.030.0160.030.35如表2所示,當(dāng)通過(guò)將包含聚酰胺酸樹(shù)脂作為聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的組合物施加至載體基底并使組合物在約200℃或更高或250℃至500℃的溫度下固化來(lái)形成剝離層時(shí),剝離層的剝離強(qiáng)度不大于約0.3n/cm,并且包含在剝離層中的聚酰亞胺樹(shù)脂的酰亞胺化度為約60%至約99%、約70%至約98%、或約75%至約96%。使用根據(jù)該實(shí)施方案的層合結(jié)構(gòu)顯著地簡(jiǎn)化了上文已經(jīng)描述的包括柔性基底的裝置(例如,柔性顯示裝置)的制造過(guò)程。在控制固化溫度下制備的聚酰亞胺樹(shù)脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可以為至少約200℃、至少約300℃或約350℃至約500℃,并且分解溫度(td)為至少400℃或400℃至600℃。由于聚酰亞胺樹(shù)脂良好的耐熱性,所以在用于制造裝置的過(guò)程中,剝離層高度耐高溫,并且可以防止在于層合結(jié)構(gòu)上制造裝置的過(guò)程中發(fā)生翹曲。此外,剝離層可以防止裝置的可靠性劣化。因此,使用剝離層使得能夠制造具有改善的特性和高可靠性的裝置。具體地,根據(jù)本實(shí)施方案的層合結(jié)構(gòu)的剝離層在100℃至200℃的溫度下的熱膨脹系數(shù)(cte)可以為不高于約30ppm/℃、不高于約25ppm/℃、不高于約20ppm/℃或約1ppm/℃至約17ppm/℃,并且1%熱分解溫度(td1%)為至少450℃或至少470℃。在結(jié)構(gòu)和物理特性方面滿足需求的剝離層12從柔性基底15完全剝離,并因此對(duì)裝置基底的透明度和光學(xué)特性沒(méi)有影響。作為聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的聚酰胺酸樹(shù)脂可以通過(guò)使作為單體的四羧酸二酐化合物和二胺化合物聚合來(lái)制備。聚酰亞胺樹(shù)脂可以通過(guò)聚酰胺酸樹(shù)脂的酰亞胺化來(lái)制備。適合作為單體的四羧酸二酐化合物的具體實(shí)例包括苯均四酸二酐(pmda)、3,3',4,4'-聯(lián)苯四甲酸二酐(bpda)、內(nèi)消旋丁烷-1,2,3,4-四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐(btda)、2,3,3',4'-二苯醚四甲酸二酐(odpa)、3,3',4,4'-二苯基砜四甲酸二酐(dsda)、4,4'-(六氟異亞丙基)二鄰苯二甲酸酐、3,3',4,4'-聯(lián)苯四甲酸二酐(s-bpda)、1,2,3,4-環(huán)丁烷四甲酸二酐、1,2-二甲基-1,2,3,4-環(huán)丁烷四甲酸二酐、1,2,3,4-四甲基-1,2,3,4-環(huán)丁烷四甲酸二酐、1,2,3,4-環(huán)戊烷四甲酸二酐、1,2,4,5-環(huán)己烷四甲酸二酐、3,4-二羧基-1,2,3,4-四氫-1-萘琥珀酸二酐、5-(2,5-二氧代四氫呋喃基)-3-甲基-3-環(huán)己烯-1,2-二甲酸二酐、2,3,5-三羧基-2-環(huán)戊烷乙酸二酐、雙環(huán)[2.2.2]辛-7-烯-2,3,5,6-四甲酸二酐、2,3,4,5-四氫呋喃四甲酸二酐、3,5,6-三羧基-2-降冰片烷乙酸二酐、及其衍生物。應(yīng)當(dāng)理解,也可以使用其它各種四羧酸二酐。適合作為單體的二胺化合物的具體實(shí)例包括:芳族二胺,例如對(duì)苯二胺(pda)、間苯二胺(m-pda)、2,4,6-三甲基-1,3-苯二胺、2,3,5,6-四甲基-1,4-苯二胺、4,4'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、3,3'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯基硫醚、4,4'-二氨基二苯基甲烷、3,4'-二氨基二苯基甲烷、3,3'-二氨基二苯基甲烷、4,4'-亞甲基-雙(2-甲基苯胺)、4,4'-亞甲基-雙(2,6-二甲基苯胺)、4,4'-亞甲基-雙(2,6-二乙基苯胺)、4,4'-亞甲基-雙(2-異丙基-6-甲基苯胺)、4,4'-亞甲基-雙(2,6-二異丙基苯胺)、4,4'-二氨基二苯基砜、3,3'-二氨基二苯基砜、聯(lián)苯胺、鄰甲苯胺、間甲苯胺、3,3',5,5'-四甲基聯(lián)苯胺、2,2'-雙(三氟甲基)聯(lián)苯胺、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(6hmda)、2,2'-雙(三氟甲基)聯(lián)苯胺(tfmb)、3,3'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯(lián)苯(3,3'-tfdb)、4,4'-雙(3-氨基苯氧基)二苯基砜(dbsda)、雙(3-氨基苯基)砜(3dds)、雙(4-氨基苯基)砜(4dds)、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯(apb-133)、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯(apb-134)、2,2'-雙[3(3-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(3-bdaf)、2,2'-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(4-bdaf)、2,2'-雙(3-氨基苯基)六氟丙烷(3,3'-6f)、2,2'-雙(4-氨基苯基)六氟丙烷(4,4'-6f)和4,4'-氧聯(lián)二苯胺(oda);以及脂族二胺,例如1,6-己二胺、1,4-環(huán)己烷二胺、1,3-環(huán)己二胺、1,4-雙(氨基甲基)環(huán)己烷、1,3-雙(氨基甲基)環(huán)己烷、4,4'-二氨基二環(huán)己基甲烷、4,4'-二氨基-3,3'-二甲基二環(huán)己基甲烷、4,4'-二氨基-3,3'-二甲基二環(huán)己基甲烷、1,2-雙-(2-氨基乙氧基)乙烷,雙(3-氨基丙基)醚、1,4-雙(3-氨基丙基)哌嗪、3,9-雙(3-氨基丙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5.5]-十一烷和1,3-雙(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷。對(duì)四羧酸二酐和二胺化合物的種類沒(méi)有特別限制,但是為了更適當(dāng)?shù)貪M足剝離層在物理特性方面(例如,上述低cte范圍和剝離強(qiáng)度)的需求,酸二酐在芳族環(huán)之間不具有連接體結(jié)構(gòu)是重要的。四羧酸二酐優(yōu)選地為式1的芳族四羧酸二酐:[式1]其中a是來(lái)源于酸二酐的四價(jià)芳族有機(jī)基團(tuán),特別地是式2a或2b的四價(jià)芳族有機(jī)基團(tuán):[式2a][式2b]在式2a和式2b中,r11至r14為c1-c4烷基(例如甲基、乙基或丙基)或c1-c4鹵代烷基(例如氟甲基、溴甲基、氯甲基或三氟甲基)基團(tuán),a為0至3的整數(shù),b為0至2的整數(shù),c和e各自獨(dú)立地為0至3的整數(shù),d為0至4的整數(shù),并且f為0至3的整數(shù),b、c、d和e優(yōu)選地為0。特別地,四羧酸二酐更優(yōu)選地為式3a的苯均四酸二酐(pmda)或式3b的3,3',4,4'-聯(lián)苯四甲酸二酐(bpda):[式3a][式3b]隨著剝離層12的堆積密度增加,分子間空間減小,并因此分子難以互穿,導(dǎo)致低的結(jié)合強(qiáng)度。因此,剝離層12對(duì)上覆柔性基底15的粘合強(qiáng)度降低并且柔性基底從層合結(jié)構(gòu)的剝離強(qiáng)度也降低。堆積密度可由cte表示。堆積密度越高,cte值越低,反之亦然。因此,優(yōu)選二胺化合物為具有直鏈結(jié)構(gòu)的芳族二胺化合物,具體地,為式4a或4b的芳族二胺化合物:[式4a][式4b]在上式中,r21至r23各自獨(dú)立地為c1-c10烷基(例如甲基、乙基或丙基)或c1-c10鹵代烷基(例如氟甲基、溴甲基、氯甲基或三氟甲基)基團(tuán),x選自-o-、-cr24r25-、-c(=o)-、-c(=o)o-、-c(=o)nh-、-s-、-so-、-so2-、-o[ch2ch2o]q-、c6-c18單環(huán)的和多環(huán)的環(huán)亞烷基(例如環(huán)亞己基和降冰片烯)基團(tuán)、c6-c18單環(huán)的和多環(huán)的亞芳基(例如亞苯基和亞萘基)、及其組合,r24和r25各自獨(dú)立地選自氫原子、c1-c10烷基(例如甲基、乙基或丙基)和c1-c10鹵代烷基(例如氟甲基、溴甲基、氯甲基或三氟甲基)基團(tuán),q為1或2的整數(shù),l、m和n各自獨(dú)立地為0至4的整數(shù),優(yōu)選為0,并且p為0或1的整數(shù),優(yōu)選為0。使用芳族二胺化合物更適當(dāng)?shù)貪M足脫離層在物理特性方面的需求。優(yōu)選的芳族二胺化合物的實(shí)例包括對(duì)苯二胺(pda)、聯(lián)苯胺(bzd)、間甲苯胺和2,2'-雙(三氟甲基)聯(lián)苯胺(tfmb)。這些單體在極性有機(jī)溶劑中聚合以制備期望的聚酰胺酸樹(shù)脂。在酰亞胺化催化劑(例如胺催化劑)存在或不存在下,將聚酰胺酸樹(shù)脂在上述固化溫度下進(jìn)行酰亞胺化以制備聚酰亞胺樹(shù)脂。包含聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層可以滿足物理特性方面的需求。可以通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的合適方法來(lái)控制用于制備聚酰胺酸樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂的除固化溫度以外的條件,并因此省略其進(jìn)一步的說(shuō)明。剝離層12的厚度可以為0.05μm至5μm、0.05μm至4μm、0.05μm至3μm、0.05μm至2μm或0.05μm至1μm。隨著剝離層的厚度減小,其對(duì)載體基底的粘合強(qiáng)度增加。然而,剝離層的厚度過(guò)小導(dǎo)致剝離層對(duì)柔性基底的粘合強(qiáng)度增加,導(dǎo)致剝離層從柔性基底的可分離性差。在上述限定的厚度范圍內(nèi),確保了剝離層對(duì)載體基底的高粘合強(qiáng)度及剝離層從柔性基底的良好可分離性。在層合結(jié)構(gòu)中,嵌入至形成柔性基底的聚合物層15b中的金屬布線層13設(shè)置在剝離層12上。金屬線13可以通過(guò)由合適的技術(shù)(例如噴墨印刷、凹版印刷、凹版膠板印刷、氣溶膠印刷、電鍍、真空沉積、熱沉積、濺射或電子束沉積)在剝離層12上涂覆或沉積合適的金屬或合金(例如銀(ag)、銅(cu)、鋁(al)、金(au)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)、鉬(mo)或其合金)或選自氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化銦鋅錫(izto)、氧化鋁鋅(azo)、氧化銦錫-銀-氧化銦錫(ito-ag-ito)、氧化銦鋅-銀-氧化銦鋅(izo-ag-izo)、氧化銦鋅錫-銀-氧化銦鋅錫(izto-ag-izto)和氧化鋁鋅-銀-氧化鋁鋅(azo-ag-azo)中的至少一種導(dǎo)電性金屬氧化物來(lái)形成。可以沒(méi)有限制地使用導(dǎo)電性足夠降低電極的薄層電阻的任何合適的材料。在柔性基底15的聚合物層15b中,金屬布線層13平行布置,優(yōu)選地以0.05mm至50mm的間隔平行布置。如果金屬線13以小于0.05mm的間隔緊密地布置,則加工成本的上升可能是不可避免的。同時(shí),如果金屬線以超過(guò)50mm的間隔布置,則金屬線作為輔助電極的作用可以忽略不計(jì),不能有效地降低與金屬線接觸的電極的薄層電阻。金屬線13的寬度優(yōu)選為0.5μm至1000μm。如果金屬線的寬度小于0.5μm,則微圖案化需要復(fù)雜的過(guò)程,并且金屬線的電阻增加。同時(shí),如果金屬線的寬度超過(guò)1000μm,則柔性基底的透射率降低。金屬線13可以用作包括柔性基底的電子裝置中的輔助電極。在太陽(yáng)能電池、有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置、半導(dǎo)體裝置和顯示裝置中,金屬線13的暴露部分與設(shè)置在基底上的透明電極直接接觸,以降低透明電極的薄層電阻。然而,金屬線13和透明電極之間的接觸模式?jīng)]有限制。此外,在金屬線完全嵌入柔性基底中的情況下,可以使用輔助手段將作為輔助電極的金屬線連接至透明電極。柔性基底15可以包括選自薄膜玻璃層15a、聚合物層15b及其多層層合體的結(jié)構(gòu)。用于一般顯示裝置的任何玻璃材料可以用作柔性基底15的薄膜玻璃層15a的材料。適用于薄膜玻璃層的材料的具體實(shí)例包括鈉鈣玻璃、中性硼硅酸鹽玻璃和非堿玻璃。用于薄膜玻璃層的材料根據(jù)應(yīng)用其的裝置適當(dāng)?shù)剡x擇。優(yōu)選將非堿玻璃應(yīng)用于需要低的熱收縮系數(shù)的裝置,以及優(yōu)選將具有高可見(jiàn)光透射率的鈉鈣玻璃應(yīng)用于需要高透明度的裝置。更優(yōu)選地,將上述材料以適當(dāng)?shù)牧炕旌希沟帽∧げA釉?5℃至200℃的平均熱膨脹系數(shù)(以下簡(jiǎn)稱為“平均熱膨脹系數(shù)”)為0至200×10-7/℃,優(yōu)選為0至50×10-7/℃,以及可見(jiàn)光透射率為至少90%。當(dāng)薄膜玻璃層15a的平均熱膨脹系數(shù)在上述限定的范圍內(nèi)時(shí),可以防止在裝置的經(jīng)加熱的基底上形成的裝置元件在冷卻時(shí)發(fā)生錯(cuò)位。薄膜玻璃層15a可以根據(jù)本領(lǐng)域已知的任何合適的方法形成。具體地,薄膜玻璃層15a可以通過(guò)將玻璃原料混合、使混合物熔融、將熔融混合物成型為板以及將板切割成合適的尺寸來(lái)形成。成型可以通過(guò)浮法(floatprocess)、狹縫下拉法(slotdown-drawprocess)、溢流下拉法overflowdown-drawprocess)、融合法(fusionprocess)、再拉延法(redrawprocess)或碾平法(roll-outprocess)來(lái)進(jìn)行。薄膜玻璃層15a的大小(例如,厚度和尺寸)可以根據(jù)待向其應(yīng)用層合結(jié)構(gòu)的裝置的種類來(lái)適當(dāng)選擇。考慮到裝置基底的透明度,優(yōu)選薄膜玻璃層15a的厚度在10μm至200μm的范圍內(nèi)。在該范圍內(nèi),薄膜玻璃層15a可以表現(xiàn)出高柔性與適當(dāng)?shù)臋C(jī)械強(qiáng)度。聚合物層15b可以在薄膜玻璃層15a上或下方形成?;蛘撸酆衔飳?5b可以在薄膜玻璃層15a的兩個(gè)表面上形成。薄膜玻璃層15a可以通過(guò)蝕刻進(jìn)行預(yù)處理,例如在臭氧氣氛下的電暈處理、火焰處理、濺射、uv照射或電子束照射。這種預(yù)處理增加了薄膜玻璃層15a對(duì)聚合物層15b的粘附性。用于柔性基底15的聚合物層15b的材料沒(méi)有特別限制,并且可以是已知可用于柔性裝置的一般基底的任何聚合物。具體地,聚合物層15b可包括選自以下的至少一種聚合物樹(shù)脂:聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚乙烯砜(pes)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯(pc)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚酰亞胺(pi)、聚醚酰亞胺(pei)、聚酰胺酰亞胺、聚酯、乙烯乙酸乙烯酯(eva)、聚醚酰胺酰亞胺、聚酯酰胺酰亞胺、聚芳酯(par)、無(wú)定形聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(apet)、聚對(duì)苯二甲酸丙二醇酯(ppt)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯甘油(petg)、聚對(duì)苯二甲酸環(huán)亞己基二亞甲基酯(pctg)、改性三乙酰纖維素(tac)、環(huán)烯烴聚合物(cop)、環(huán)烯烴共聚物(coc)、二環(huán)戊二烯(dcpd)聚合物、環(huán)戊二烯(cpd)聚合物、聚二甲基硅氧烷(pdms)、硅酮樹(shù)脂、氟化物樹(shù)脂和改性環(huán)氧樹(shù)脂。聚酰亞胺樹(shù)脂作為聚合物層的材料是特別優(yōu)選的。具體地,聚酰亞胺樹(shù)脂的酰亞胺化度可以為約50%至約99%或約70%至95%,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(tg)為至少約200℃、至少約300℃或約350℃至500℃,并且分解溫度(td)為至少400℃或400℃至600℃。聚酰亞胺樹(shù)脂的這種良好的耐熱性消除了聚合物層15b在用于生產(chǎn)層合結(jié)構(gòu)或裝置基底的后續(xù)加熱期間可能變形的風(fēng)險(xiǎn),并導(dǎo)致基底和裝置的耐熱性改善。具體地,聚合物層15b在100℃至200℃下的熱膨脹系數(shù)(cte)可以為約60ppm/℃或更低、約50ppm/℃或更低、約40ppm/℃或更低或約1ppm/℃至30ppm/℃,1%熱分解溫度(td1%)為450℃或更高或470℃或更高。包含在聚合物層15b中的聚酰亞胺樹(shù)脂也可以通過(guò)使作為單體的酸二酐和二胺化合物聚合以制備聚酰胺酸樹(shù)脂并固化聚酰胺酸樹(shù)脂來(lái)制備。聚合物層15b可以通過(guò)干燥包含聚酰亞胺樹(shù)脂的呈溶液形式的組合物來(lái)形成。酸二酐及二胺化合物與在用于形成剝離層的聚酰亞胺樹(shù)脂的制備中描述的那些相同。為了制備滿足物理特性方面的要求的聚酰亞胺樹(shù)脂,優(yōu)選適當(dāng)?shù)乜刂朴糜诰埘啺窐?shù)脂的單體的種類和比例以及酰亞胺化條件。作為實(shí)例,為了在物理特性方面滿足聚合物層15b的要求,優(yōu)選在聚合過(guò)程中適當(dāng)?shù)乜刂扑岫投返谋壤>唧w地,以每摩爾四羧酸二酐0.8摩爾至1.2摩爾或0.9摩爾至1.1摩爾的量使用二胺是期望的。具有上述物理特性的聚合物層15b的厚度可以為0.5μm至50μm、1μm至50μm、2μm至50μm、3μm至50μm或3μm至30μm。特別地,當(dāng)聚合物層15b與剝離層接觸時(shí),優(yōu)選聚合物層15b具有最佳厚度。例如,聚合物層15b的厚度可以為剝離層的厚度的10至500倍,20至400倍,30至300倍或50至200倍。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案,層合結(jié)構(gòu)的柔性基底15可以包括薄膜玻璃層15a和聚合物層15b,其每一者為單層形式?;蛘?,薄膜玻璃層15a和聚合物層15b的每一者可以以復(fù)數(shù)形成。即柔性基底15可以包括其中層合有兩層或更多層薄膜玻璃層15a和兩層或更多層聚合物層15b的多層結(jié)構(gòu)。如圖1a所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的層合結(jié)構(gòu)10包括具有其中聚合物層15b層合在薄膜玻璃層15a之下的雙層結(jié)構(gòu)的柔性基底。本發(fā)明的另一實(shí)施方案提供了圖1b所示的層合結(jié)構(gòu)20。層合結(jié)構(gòu)20包括具有其中聚合物層25b、25c形成在薄膜玻璃層25a的兩個(gè)表面上的三層結(jié)構(gòu)的柔性基底25。然而,本發(fā)明的層合結(jié)構(gòu)不限于該多層結(jié)構(gòu)。在具有多層結(jié)構(gòu)的柔性基底中,形成在薄膜玻璃層25a上的聚合物層25b可以用作薄膜玻璃層的保護(hù)膜。參照?qǐng)D2,具有上述結(jié)構(gòu)的層合結(jié)構(gòu)10可以根據(jù)包括以下步驟的方法生產(chǎn):(s1)在載體基底11的至少一個(gè)表面上形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層12;(s2)在剝離層12上形成金屬線;以及(s3)形成包括涂覆在金屬線上的聚合物層的柔性基底15。在下文中,對(duì)各個(gè)步驟進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在s1中,在載體基底11上形成剝離層12。載體基底11與上述相同。在形成剝離層12之前,可以通過(guò)蝕刻來(lái)對(duì)載體基底11進(jìn)行預(yù)處理,例如在臭氧氣氛下的電暈處理、火焰處理、濺射、uv照射或電子束照射。這種預(yù)處理增加了載體基底對(duì)剝離層的粘附性。剝離層12可以通過(guò)將包含聚酰亞胺樹(shù)脂或作為聚酰亞胺樹(shù)脂的前體的聚酰胺酸樹(shù)脂的組合物施加至載體基底11上并在200℃或更高的溫度下使組合物固化而形成。在固化期間,進(jìn)行聚酰胺酸樹(shù)脂的酰亞胺化。用于形成剝離層的組合物中所包含的聚酰亞胺樹(shù)脂和聚酰胺酸樹(shù)脂與上述的那些相同。用于形成剝離層的組合物還可以包括通常用于聚酰亞胺樹(shù)脂層的選自以下的至少一種添加劑:粘合劑、溶劑、交聯(lián)劑、引發(fā)劑、分散劑、增塑劑、粘度調(diào)節(jié)劑、uv吸收劑、感光單體和敏化劑。可以通過(guò)本領(lǐng)域已知的任何合適的技術(shù)施加組合物。適用于施加組合物的技術(shù)的具體實(shí)例包括旋涂、浸涂和棒涂。流延、軋制或噴涂可適用于連續(xù)過(guò)程。在固化之前,可以進(jìn)一步進(jìn)行干燥以除去存在于用于形成剝離層的組合物中的有機(jī)溶劑??梢酝ㄟ^(guò)本領(lǐng)域已知的任何合適的技術(shù)干燥組合物。具體地,可以在140℃或更低的溫度下干燥組合物??梢酝ㄟ^(guò)在至少200℃的溫度或250℃至500℃的溫度下進(jìn)行熱處理來(lái)進(jìn)行固化。該熱處理也可以在上述限定的溫度范圍內(nèi)的多個(gè)溫度下以多個(gè)階段進(jìn)行。固化時(shí)間沒(méi)有特別限制,并且可以例如在3分鐘至30分鐘的范圍內(nèi)。固化后,可任選地進(jìn)一步進(jìn)行熱處理。隨后的熱處理優(yōu)選在至少300℃的溫度下進(jìn)行1分鐘至30分鐘。熱處理可以僅進(jìn)行一次?;蛘?,可以以多個(gè)階段進(jìn)行兩次或更多次熱處理。例如,熱處理可以以三個(gè)階段進(jìn)行:在200℃至250℃下進(jìn)行第一次熱處理,在300℃至350℃下進(jìn)行第二次熱處理,在400℃至450℃下進(jìn)行第三次熱處理。在s2中,在剝離層12上形成金屬線13和柔性基底15以生產(chǎn)層合結(jié)構(gòu)。柔性基底15與上述相同。柔性基底15可以是可通過(guò)本領(lǐng)域已知的任何合適的方法形成的薄膜玻璃層15a和聚合物層15b的層合體。例如,柔性基底15可以具有其中包含聚酰亞胺樹(shù)脂的聚合物層15b形成在薄膜玻璃層15a下的雙層結(jié)構(gòu)。在這種情況下,柔性基底15可以通過(guò)以下來(lái)形成:將包含聚酰胺酸樹(shù)脂的組合物施加至剝離層12,通過(guò)在200℃或更高的溫度下加熱使組合物固化以形成聚合物層15b,在聚合物層15b上設(shè)置薄膜玻璃層15a,以及在200℃至300℃的溫度下對(duì)所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理以進(jìn)行層合?;蛘?,可以使用包含聚酰胺樹(shù)脂的組合物代替包含聚酰胺酸樹(shù)脂的組合物。在這種情況下,可以通過(guò)干燥包含聚酰胺樹(shù)脂的組合物來(lái)形成聚合物層15b。用于形成聚合物層的組合物還可以包含本領(lǐng)域通常使用的至少一種添加劑。這些添加劑的實(shí)例包括粘合劑、溶劑、交聯(lián)劑、引發(fā)劑、分散劑、增塑劑、粘度調(diào)節(jié)劑、uv吸收劑、感光單體和敏化劑。固化也可以在上述限定的溫度范圍內(nèi)的多個(gè)溫度下以多個(gè)階段進(jìn)行。在如此生產(chǎn)的層合結(jié)構(gòu)中,剝離層對(duì)柔性基底表現(xiàn)出適當(dāng)?shù)恼澈蠌?qiáng)度,并因此可以在用于制造裝置的后續(xù)過(guò)程中適當(dāng)?shù)毓潭ê椭稳嵝曰?。因此,使用根?jù)本發(fā)明的該實(shí)施方案的層合結(jié)構(gòu)有利于生產(chǎn)包括柔性基底的裝置(例如,柔性顯示裝置)的基底。此外,即使不需要用于分離柔性基底的激光或光照射,也可以在層合結(jié)構(gòu)上適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行用于制造裝置的過(guò)程,以制造具有優(yōu)異特性的裝置。因此,可以簡(jiǎn)化具有柔性基底的裝置的制造過(guò)程,并且還可以降低制造成本。本發(fā)明的另一實(shí)施方案提供了使用層合結(jié)構(gòu)生產(chǎn)的裝置基底和用于生產(chǎn)裝置基底的方法??梢酝ㄟ^(guò)包括以下步驟的方法生產(chǎn)裝置基底:在載體基底的一個(gè)表面上形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層;在剝離層上形成金屬線并在金屬線上涂覆可固化樹(shù)脂以形成柔性基底;以及將物理刺激施加至柔性基底上以使得柔性基底的截面暴露而不引起剝離層中的化學(xué)變化,將柔性基底從其上形成有剝離層的載體基底分離。形成剝離層和柔性基底的步驟與上述的那些相同。圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的用于生產(chǎn)裝置基底的過(guò)程。圖2僅僅是說(shuō)明性的,并且本發(fā)明不限于此。參照?qǐng)D2,本發(fā)明的裝置基底可以通過(guò)包括以下步驟的方法生產(chǎn):(s1)在載體基底的至少一個(gè)表面上形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層;(s2)在剝離層上形成金屬線;(s3)在金屬線上涂覆可固化樹(shù)脂以形成柔性基底;以及(s4和s5)將物理刺激p施加至柔性基底并將柔性基底從其上形成有剝離層的載體基底分離。可以通過(guò)本領(lǐng)域中使用的一般方法分離柔性基底。例如,可以使用抽吸法來(lái)分離柔性基底,但是本發(fā)明不限于此??梢赃x擇需要比常規(guī)方法小得多的力的任何方法以使在制造期間對(duì)顯示裝置的損害最小化。在用于生產(chǎn)裝置基底的方法中分離柔性基底的步驟之前的步驟可以與用于生產(chǎn)層合結(jié)構(gòu)的方法中的那些相同??梢酝ㄟ^(guò)施加適當(dāng)?shù)奈锢泶碳?例如切割、激光切割或金剛石劃線)使得嵌入有金屬線的柔性基底的截面暴露而不引起剝離層中的化學(xué)變化來(lái)分離柔性基底。具體地,可以施加大于0n但不大于0.1n的物理刺激來(lái)分離柔性基底。根據(jù)該方法,即使不需要進(jìn)一步加工(例如激光或光照射或溶解),嵌入有金屬線的柔性基底也可以通過(guò)施加相對(duì)較小的物理刺激(例如切割)與載體基底分離。因此,使用柔性基底可以防止裝置由于激光或光照射而導(dǎo)致的物理特性劣化、以及由化學(xué)變化引起的可靠性劣化或缺陷的發(fā)生。金屬線在基底中的嵌入導(dǎo)致電特性的改善,例如與層合或組裝在基底上的電極的低接觸薄層電阻,并且即使當(dāng)柔性基底形狀變形時(shí)也可以保護(hù)金屬線免于斷開(kāi)、電短路和損壞,使柔性基底適用于柔性裝置。因此,本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了包括所述裝置基底的裝置。具體地,所述裝置可以是柔性顯示裝置,例如具有柔性基底的太陽(yáng)能電池(例如,柔性太陽(yáng)能電池)、具有柔性基底的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)照明裝置(例如柔性oled照明裝置)、具有柔性基底的半導(dǎo)體裝置、具有柔性基底的有機(jī)電致發(fā)光裝置、具有柔性基底的電泳裝置或具有柔性基底的lcd裝置。特別優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光裝置。該裝置可以通過(guò)包括以下步驟的方法制造:在載體基底的至少一個(gè)表面上依次形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層、金屬布線層和柔性基底,以獲得層合結(jié)構(gòu);在層合結(jié)構(gòu)的柔性基底上形成裝置結(jié)構(gòu)(即制造裝置的步驟);以及在沒(méi)有激光或光照射的情況下施加物理刺激,使得柔性基底層的截面暴露而不引起剝離層中的化學(xué)變化,以分離其上形成有裝置結(jié)構(gòu)的柔性基底。裝置結(jié)構(gòu)可以根據(jù)待在柔性基底上制造的裝置的種類而變化。裝置結(jié)構(gòu)可以是一般的裝置結(jié)構(gòu),例如,包括柵電極的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)、包括薄膜晶體管陣列的顯示裝置結(jié)構(gòu)、具有p/n結(jié)的二極管裝置結(jié)構(gòu)、包括有機(jī)發(fā)光層的oled結(jié)構(gòu)、或太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。作為實(shí)例,裝置結(jié)構(gòu)可以是有機(jī)電致發(fā)光裝置結(jié)構(gòu),包括:設(shè)置在暴露有金屬線的柔性基底的背側(cè)并包含例如氧化銦錫(ito)的透明電極;設(shè)置在透明電極的背側(cè)并包含有機(jī)化合物的發(fā)光部件;以及設(shè)置在發(fā)光部件的背側(cè)并包含金屬例如鋁的金屬電極。如上所述,由于不需要激光或光照射,本發(fā)明的裝置可以以簡(jiǎn)單的方式在大幅降低的成本下制造。此外,可以防止本發(fā)明的裝置由激光或光照射引起的可靠性劣化或缺陷的發(fā)生。另外,金屬線在基底中的嵌入降低了透明電極的薄層電阻,導(dǎo)致裝置效率的提高,并且即使當(dāng)柔性基底形狀變形時(shí)也可以保護(hù)金屬線免于損壞或斷開(kāi),使得柔性基底適用于柔性裝置。具體實(shí)施方式在下文中,將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方案,使得本發(fā)明可以由本領(lǐng)域具有普通知識(shí)的人員容易地進(jìn)行。然而,本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施,并且不應(yīng)被解釋為限于本文所闡述的實(shí)施方案。實(shí)施例1:層合結(jié)構(gòu)和柔性基底的生產(chǎn)將1摩爾bpda與0.99摩爾pda聚合以制備聚酰胺酸樹(shù)脂。將包含3重量%聚酰胺酸樹(shù)脂和作為溶劑的97重量%dmac的組合物施加至作為載體基底的非堿玻璃的一個(gè)表面上,使得干燥后的厚度為0.1μm。將所得涂層連續(xù)地在120℃的溫度下干燥并在300℃(30分鐘)的溫度下固化以形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂(在下文中,稱為“第一聚酰亞胺樹(shù)脂”)的剝離層。在剝離層上沉積鋁至厚度為200nm,并通過(guò)印刷使鋁微圖案化。具體地,在硅酮墊(siliconeblanket)的整個(gè)表面上涂覆抗蝕劑墨(resistink),然后將刻有微圖案的刻板(cliché)與墊接觸以在硅酮墊上形成圖案。隨后,移除部分涂層以在硅酮墊上形成微圖案。將形成在硅酮墊上的抗蝕劑墨微圖案轉(zhuǎn)移至形成在玻璃基底上的沉積有鋁的剝離層,并在115℃的烘箱中干燥3分鐘以移除殘留在抗蝕劑圖案中的溶劑。在45℃下用蝕刻劑通過(guò)噴淋來(lái)蝕刻經(jīng)抗蝕劑圖案化的鋁基底。用去離子水洗掉蝕刻劑,然后干燥。使用去除劑(stripper)移除殘留的抗蝕劑墨,以在剝離層上形成鋁線。將1摩爾bpda與0.99摩爾tfmb聚合以制備聚酰胺酸樹(shù)脂。將包含12重量%聚酰胺酸樹(shù)脂和作為溶劑的88重量%dmac的組合物施加(流延)至形成在剝離層上的鋁線,使得干燥后的厚度為15μm。將所得涂層連續(xù)地在100℃的溫度下干燥并在350℃的溫度下固化60分鐘,以形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂(在下文中稱為“第二聚酰亞胺樹(shù)脂”)的聚合物層。所得層合體具有其中依次設(shè)置載體基底、包含bpda-pda聚酰亞胺樹(shù)脂的剝離層和作為柔性基底的包含bpda-tfmb聚酰亞胺樹(shù)脂的聚合物層的結(jié)構(gòu)。向?qū)雍辖Y(jié)構(gòu)施加物理刺激,使得柔性基底層的截面暴露而不引起剝離層中的化學(xué)變化。通過(guò)物理刺激,將層合結(jié)構(gòu)切割成10mm(w)×100mm(l)的尺寸以及使得剝離層被切割但載體基底保持未切割的深度。將壓敏粘合帶(粘合強(qiáng)度為43±6g/mm)附著至層合結(jié)構(gòu)之后,以在保持帶端部的同時(shí)使帶分離的方式將嵌入有金屬線的柔性基底層從剝離層分離。在圖2中說(shuō)明了包括剝離層的層合結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)和柔性基底的分離。圖4a至4c示出了嵌入有金屬線的柔性基底和載體基底的表面圖像。比較例1:層合結(jié)構(gòu)和柔性基底的生產(chǎn)以與實(shí)施例1中所述相同的方式在作為載體基底的非堿玻璃的一個(gè)表面上形成金屬線,不同之處在于不形成剝離層。將1摩爾bpda與0.99摩爾tfmb聚合以制備聚酰胺酸樹(shù)脂。將包含12重量%聚酰胺酸樹(shù)脂和作為溶劑的88重量%dmac的組合物施加(流延)至金屬線上,使得干燥后的厚度為15μm。將所得涂層連續(xù)地在100℃的溫度下干燥并在350℃的溫度下固化60分鐘,以形成作為柔性層的包含聚酰亞胺樹(shù)脂(在下文中稱為“第二聚酰亞胺樹(shù)脂”)聚合物層。所得層合體具有其中依次設(shè)置載體基底、金屬線和嵌入有金屬線的柔性層的結(jié)構(gòu)。以與實(shí)施例1中所述相同的方式,將層合結(jié)構(gòu)切割成10mm(w)×100mm(l)的尺寸以及使得載體基底保持未切割的深度。將壓敏粘合帶(粘合強(qiáng)度為43±6g/mm)附著至層合結(jié)構(gòu)之后,以在保持帶端部的同時(shí)使帶分離的方式將嵌入有金屬線的柔性基底層從剝離層分離。圖3說(shuō)明了不具有剝離層的層合結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)及柔性基底從載體基底層的分離。圖5a至5c示出柔性基底和載體基底的表面圖像。圖4a示出了實(shí)施例1中生產(chǎn)的柔性基底膜。在剝離層上形成柔性基底膜。如圖4a所示,在從載體基底分離的膜上形成金屬線。相反地,圖5a示出了在比較例1中生產(chǎn)的載體基底上的具有金屬線的柔性基底。在柔性基底膜上未形成剝離層。如圖5a所示,當(dāng)柔性基底分離時(shí),金屬線未附著至膜并保留在載體基底上。圖4b示出了從剝離層分離的柔性膜的經(jīng)暴露金屬線的表面,以及圖4c示出了剝離層的表面。圖4b和4c的結(jié)果表明包括金屬線的柔性基底容易地從剝離層分離。相反地,圖5b和5c表明,由于不存在剝離層,柔性基底不容易通過(guò)物理刺激分離,并且在柔性基底分離之后金屬線保留在載體基底上。實(shí)施例2將1摩爾bpda與0.99摩爾pda聚合以制備聚酰胺酸樹(shù)脂。將包含3重量%聚酰胺酸樹(shù)脂和作為溶劑的97重量%dmac的組合物施加至作為載體基底的非堿玻璃的一個(gè)表面上,使得干燥后的厚度為0.1μm。將所得涂層連續(xù)地在120℃的溫度下干燥并在300℃(30分鐘)的溫度下固化以形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂(在下文中,稱為“第一聚酰亞胺樹(shù)脂”)的剝離層。通過(guò)濺射在剝離層的整個(gè)表面上沉積鋁至厚度為200nm。將1摩爾bpda與0.99摩爾tfmb聚合以制備聚酰胺酸樹(shù)脂。將包含12重量%聚酰胺酸樹(shù)脂和作為溶劑的88重量%dmac的組合物施加(流延)至沉積有鋁的剝離層,使得干燥后的厚度為15μm。將所得涂層連續(xù)地在100℃的溫度下干燥并在350℃的溫度下固化60分鐘,以形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂(在下文中稱為“第二聚酰亞胺樹(shù)脂”)的聚合物層。比較例2通過(guò)濺射在作為載體基底的非堿玻璃基底的整個(gè)表面上沉積鋁至厚度為200nm。將1摩爾bpda與0.99摩爾tfmb聚合以制備聚酰胺酸樹(shù)脂。將包含12重量%聚酰胺酸樹(shù)脂和作為溶劑的88重量%dmac的組合物施加(流延)至沉積有鋁的基底,使得干燥后的厚度為15μm。將所得涂層連續(xù)地在100℃的溫度下干燥并在350℃的溫度下固化60分鐘,以形成包含聚酰亞胺樹(shù)脂(在下文中稱為“第二聚酰亞胺樹(shù)脂”)的聚合物層。粘合強(qiáng)度測(cè)試將實(shí)施例2和比較例2中生產(chǎn)的層合結(jié)構(gòu)的柔性基底的每一者圖案化,使得形成各自的尺寸為1mm×1mm的10(w)×10(l)(總共100個(gè))正方形格子。將壓敏粘合帶(寬度1英寸,長(zhǎng)度~3英寸,粘合強(qiáng)度43±6g/mm)的中心部分附著至格子圖案。通過(guò)用橡皮摩擦10次將帶牢固地附著至格子圖案。放置60秒后,在保持帶端部的同時(shí)使帶沿180度方向分離2秒。剝離性能根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)評(píng)分,較高的分?jǐn)?shù)說(shuō)明載體基底與具有鋁層的柔性基底層之間的粘合強(qiáng)度較高。5分:沒(méi)有格子被剝離4分:5%或更少的格子被剝離3分:5%至15%的格子被剝離2分:15%至35%的格子被剝離1分:35%至65%的格子被剝離0分:65%或更多的格子被剝離圖6a示出了帶測(cè)試之前的(a)實(shí)施例2和(b)比較例2的基底。作為測(cè)試的結(jié)果,在實(shí)施例2的樣品中所有格子被剝離(得分0),以及在比較例2的樣品中沒(méi)有格子被剝離(得分5)。圖6b示出了在實(shí)施例2的基底上進(jìn)行帶測(cè)試之后的玻璃基底(a)和帶(b)的表面的照片。圖6c示出了在比較例2的基底上進(jìn)行帶測(cè)試之后的玻璃基底(a)和帶(b)的表面的照片。從這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以得出結(jié)論,剝離層的形成有助于具有金屬層的柔性基底從載體基底剝離,并且使得能夠?qū)⒔饘倬€嵌入在柔性基底層中,因此有利于實(shí)現(xiàn)電子裝置的薄化。雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方案,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解,這樣的詳細(xì)描述僅僅是優(yōu)選實(shí)施方案,并且本發(fā)明的范圍不限于此。因此,本發(fā)明的真實(shí)范圍應(yīng)由所附權(quán)利要求及其等效方案來(lái)限定。當(dāng)前第1頁(yè)12
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