本發(fā)明涉及覆銅板制作領(lǐng)域，尤其涉及一種低介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗的雙面撓性覆銅板制作方法及利用該方法制作得到的雙面撓性覆銅板。

背景技術(shù)：

隨著信息科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，具有高速信息處理功能的各種電子消費(fèi)產(chǎn)品已成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢扇鄙俚囊徊糠郑瑥亩涌炝藷o(wú)線通訊和寬頻應(yīng)用工業(yè)技術(shù)由傳統(tǒng)的軍用領(lǐng)域向民用的消費(fèi)電子領(lǐng)域轉(zhuǎn)移之速度，由于消費(fèi)電子市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，且不斷提出更高的技術(shù)要求，如信息傳遞高速化、完整性及產(chǎn)品多功能化和微型化等，從而促進(jìn)了高頻高速應(yīng)用技術(shù)之不斷發(fā)展。因?yàn)楦呓殡姵?shù)(Dk)會(huì)使信號(hào)傳遞速率變慢，高介質(zhì)損耗(Df)會(huì)使信號(hào)部分轉(zhuǎn)化為熱能損耗在基板材料中，因而降低介電常數(shù)和介質(zhì)損耗已成為基板業(yè)者之追逐熱點(diǎn)，各種降低介電常數(shù)及低介質(zhì)損耗之新技術(shù)和新型基板產(chǎn)品也不斷地涌現(xiàn)出來(lái)。

在低介電常數(shù)(Low Dk)撓性覆銅板的制備方面，目前業(yè)界普遍采取的方法是先制造液晶聚酯薄膜，再用高溫輥壓機(jī)在高溫下與銅箔壓合制備雙面的撓性覆銅板，但用這種方式制備Low Dk撓性覆銅板有其局限性，耐浸焊性不足，在下游FPCB廠家加工時(shí)，288℃就易出現(xiàn)爆板現(xiàn)象，進(jìn)而影響使用。

因此，有必要提供一種新的雙面撓性覆銅板及其制作方法，以降低雙面撓性覆銅板的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種可降低介電常數(shù)和介質(zhì)損耗的雙面撓性覆銅板制作方法。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種可降低介電常數(shù)和介質(zhì)損耗的雙面撓性覆銅板。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為：提供一種雙面撓性覆銅板制作方法，其包括如下步驟：

(1)將依次疊置的第一銅箔、第一含氟聚合物膜、熱塑性聚酰亞胺膜進(jìn)行低溫輥壓，得到三層結(jié)構(gòu)的第一單面撓性覆銅板；

(2)將依次疊置的第二銅箔、第二含氟聚合物膜進(jìn)行低溫輥壓，得到兩層結(jié)構(gòu)的第二單面撓性覆銅板；

(3)將所述第一單面撓性覆銅板與所述第二單面撓性覆銅進(jìn)行高溫輥壓得到雙面撓性覆銅板，其中，所述第二含氟聚合物膜置于所述熱塑性聚酰亞胺膜上。

較佳地，所述步驟(1)、(2)中進(jìn)行低溫輥壓的溫度介于200℃～260℃之間。

較佳地，所述步驟(3)中進(jìn)行高溫輥壓的溫度介于360℃～400℃之間。

較佳地，所述第一含氟聚合物膜、所述第二含氟聚合物膜的厚度均介于3～25μm之間，熔點(diǎn)均介于270℃～300℃之間，10GHz下，介電常數(shù)均小于2.6，介質(zhì)損耗均小于0.003。

較佳地，所述熱塑性聚酰亞胺膜的厚度介于6～25μm之間，熔點(diǎn)介于240℃～280℃之間，10GHz下，介電常數(shù)小于2.6，介質(zhì)損耗小于0.003。

較佳地，所述第一含氟聚合物膜、所述第二含氟聚合物膜均為全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜、聚全氟乙丙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、聚氟乙烯薄膜、聚＝氟氯乙烯薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯薄膜、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物膜之一。

較佳地，所述雙面撓性覆銅板在10GHz下，介電常數(shù)小于2.6，介質(zhì)損耗小于0.005。

對(duì)應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種使用如上方法制作得到的雙面撓性覆銅板，其包括第一單面撓性覆銅板及第二單面撓性覆銅板；其中，第一單面撓性覆銅板包括依次疊置的第一銅箔、第一含氟聚合物膜及熱塑性聚酰亞胺膜；第二單面撓性覆銅板包括依次疊置于所述熱塑性聚酰亞胺膜上方的第二含氟聚合物膜及第二銅箔。

較佳地，所述第一含氟聚合物膜、所述第二含氟聚合物膜的厚度均介于3～25μm之間，熔點(diǎn)均介于270℃～300℃之間，10GHz下，介電常數(shù)均小于2.6，介質(zhì)損耗均小于0.003。

較佳地，所述熱塑性聚酰亞胺膜的厚度介于6～25μm之間，熔點(diǎn)介于240℃～280℃之間，10GHz下，介電常數(shù)小于2.6，介質(zhì)損耗小于0.003。

較佳地，所述雙面撓性覆銅板在10GHz下，介電常數(shù)小于2.6，介質(zhì)損耗小于0.005。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本發(fā)明的雙面撓性覆銅板制作方法，先將第一銅箔、第一含氟聚合物膜、熱塑性聚酰亞胺膜進(jìn)行低溫輥壓假貼，得到三層結(jié)構(gòu)的第一單面撓性覆銅板，并將第二銅箔、第二含氟聚合物膜進(jìn)行低溫輥壓假貼，得到兩層結(jié)構(gòu)的第二單面撓性覆銅板，分兩次先進(jìn)行低溫假貼可以保證假貼效果的同時(shí)，還可以減少單面覆銅板的尺寸變化，使尺寸變化得到很大改善，避免了在高溫輥壓下熱塑性聚酰亞胺膜易斷膜的問(wèn)題；然后再將三層結(jié)構(gòu)的第一單面撓性覆銅板與兩層結(jié)構(gòu)的第二單面撓性覆銅進(jìn)行高溫壓合得到雙面撓性覆銅板，利用相對(duì)較高的溫度對(duì)兩單面撓性覆銅進(jìn)行壓合，可以確保熱塑性聚酰亞胺膜與第一、第二含氟聚合物膜之間的結(jié)合力。通過(guò)該方法得到的雙面撓性覆銅板具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，耐熱性能良好，機(jī)械性能優(yōu)異，具有較高的耐浸焊性，下游廠家加工時(shí)不易出現(xiàn)爆板現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明雙面撓性覆銅板制作方法的流程圖。

圖2是本發(fā)明雙面撓性覆銅板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中類(lèi)似的元件標(biāo)號(hào)代表類(lèi)似的元件。

如圖1所示，本發(fā)明所提供的雙面撓性覆銅板制作方法，包括如下步驟：

步驟S01：將依次疊置的第一銅箔、第一含氟聚合物膜、熱塑性聚酰亞胺膜在200℃～260℃條件下進(jìn)行輥壓假貼，得到三層結(jié)構(gòu)的第一單面撓性覆銅板；由于在較低的溫度條件下進(jìn)行輥壓假貼，保證假貼效果的同時(shí)，可以減少單面覆銅板的尺寸變化，以避免在高溫輥壓下熱塑性聚酰亞胺膜易斷膜的問(wèn)題；

步驟S02：將依次疊置的第二銅箔、第二含氟聚合物膜在200℃～260℃條件下進(jìn)行輥壓假貼，得到兩層結(jié)構(gòu)的第二單面撓性覆銅板；相應(yīng)地，由于在該較低的溫度條件下進(jìn)行輥壓假貼，保證假貼效果的同時(shí)，可以減少該單面覆銅板的尺寸變化；

步驟S03：將所述第一單面撓性覆銅板與所述第二單面撓性覆銅在360℃～400℃條件下進(jìn)行輥壓壓合得到雙面撓性覆銅板，其中，所述第二含氟聚合物膜置于所述熱塑性聚酰亞胺膜上；將假貼的兩單面撓性覆銅板進(jìn)行高溫輥壓以制備雙面撓性覆銅板，可以確保熱塑性聚酰亞胺膜與第一、第二含氟聚合物膜之間的結(jié)合力。

本發(fā)明中，所述第一含氟聚合物膜、第二含氟聚合物膜為相同的膜，其厚度均介于3～25μm之間，熔點(diǎn)均介于270℃～300℃之間，10GHz條件下，介電常數(shù)(Dk)小于2.6，介質(zhì)損耗(Df)小于0.003，具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗。

優(yōu)選地，第一含氟聚合物膜、第二含氟聚合物膜可以是全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜、聚全氟乙丙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、聚氟乙烯薄膜、聚＝氟氯乙烯薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯薄膜、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物膜中的任一種。

本發(fā)明中，所述熱塑性聚酰亞胺膜(thermoplastic polyimide Film，簡(jiǎn)稱(chēng)TPI膜)也具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，具體地，10GHz條件下，其介電常數(shù)小于2.6，介質(zhì)損耗小于0.003，且其厚度介于6～25μm之間，熔點(diǎn)介于240℃～280℃之間。

下面參看圖2所示，對(duì)利用本發(fā)明雙面撓性覆銅板制作方法制作得到的雙面撓性覆銅板100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。

具體地，所述雙面撓性覆銅板100包括相疊置的第一單面撓性覆銅板110及第二單面撓性覆銅板120。其中，第一單面撓性覆銅板110包括依次疊置的第一銅箔111、第一含氟聚合物膜112及TPI膜113；第二單面撓性覆銅板120包括依次疊置的第二銅箔121及第二含氟聚合物膜122，且第二含氟聚合物膜122疊置于TPI膜113的上方。

其中，所述第一含氟聚合物膜112、第二含氟聚合物膜122的厚度均介于3～25μm之間，熔點(diǎn)均介于270℃～300℃之間，10GHz條件下，介電常數(shù)均小于2.6，介質(zhì)損耗均小于0.003。所述TPI膜113的厚度介于6～25μm之間，熔點(diǎn)介于240℃～280℃之間，在10GHz條件下，介電常數(shù)小于2.6，介質(zhì)損耗小于0.003。第一含氟聚合物膜112、第二含氟聚合物膜122、TPI膜113均具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，因此使最后得到的面撓性覆銅板100也具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗。

其中，第一含氟聚合物膜112、第二含氟聚合物膜122可以是以下任一種：四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(英文名稱(chēng)為：Polyfluoroalkoxy，簡(jiǎn)稱(chēng)PFA)膜、全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜、聚全氟乙丙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、聚氟乙烯薄膜、聚＝氟氯乙烯薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯薄膜。

本發(fā)明的雙面撓性覆銅板100，在10GHz條件下，介電常數(shù)小于2.6，介質(zhì)損耗小于0.005，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均較低，因此耐熱性能良好，機(jī)械性能優(yōu)異。

下面結(jié)合圖1-2所示，對(duì)利用本發(fā)明雙面撓性覆銅板制作方法進(jìn)行生產(chǎn)的一優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。

首先，提供第一銅箔111、第一PFA膜112及TPI膜113，并將第一PFA膜112、TPI膜113依次疊置于第一銅箔111之上，然后將三者在240℃的條件下進(jìn)行輥壓假貼，得到三層結(jié)構(gòu)的第一單面撓性覆銅板110，此處利用相對(duì)較低的溫度進(jìn)行輥壓假貼，可以保證假貼效果的同時(shí)，減少該單面覆銅板的尺寸變化，使尺寸變化得到很大改善，避免了在高溫輥壓下TPI膜113易斷膜的問(wèn)題。

然后，提供第二銅箔121及第二PFA膜122，并將第二銅箔121疊置于第二PFA膜122上，將兩者在240℃的條件下進(jìn)行輥壓假貼，得到兩層結(jié)構(gòu)的第二單面撓性覆銅板120，此處也采用相對(duì)較低的溫度進(jìn)行輥壓假貼，可以保證兩者假貼的效果，同時(shí)減少該單面覆銅板的尺寸變化。

最后，將第二單面撓性覆銅板120的第二PFA膜122疊置于第一單面撓性覆銅板110的TPI膜113上，再將兩者在360℃的條件下進(jìn)行高溫壓合得到雙面撓性覆銅板100，此處采用較高的溫度進(jìn)行輥壓，可以確保TPI膜113與第一PFA膜112、第二PFA膜122之間的結(jié)合力。

綜上，由于本發(fā)明的雙面撓性覆銅板制作方法中，先將第一銅箔111、第一含氟聚合物膜112、TPI膜113進(jìn)行低溫輥壓假貼，得到三層結(jié)構(gòu)的第一單面撓性覆銅板110，再將第二銅箔121、第二含氟聚合物膜122進(jìn)行低溫輥壓假貼，得到兩層結(jié)構(gòu)的第二單面撓性覆銅板120，分兩次先進(jìn)行低溫假貼可以保證假貼效果的同時(shí)，還可以減少單面覆銅板的尺寸變化，使尺寸變化得到很大改善，避免了在高溫輥壓下TPI膜113易斷膜的問(wèn)題；然后，再將三層結(jié)構(gòu)的第一單面撓性覆銅板110與兩層結(jié)構(gòu)的第二單面撓性覆銅板120進(jìn)行高溫壓合得到雙面撓性覆銅板100，利用相對(duì)較高的溫度對(duì)兩單面撓性覆銅進(jìn)行壓合，可以確保TPI膜113與第一含氟聚合物膜112、第二含氟聚合物膜122之間的結(jié)合力。通過(guò)該方法得到的雙面撓性覆銅板100具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，耐熱性能良好，機(jī)械性能優(yōu)異，具有較高的耐浸焊性，下游廠家加工時(shí)不易出現(xiàn)爆板現(xiàn)象。

以上所揭露的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。