技術(shù)特征：
1.一種聚變-裂變混合堆聚變靶室產(chǎn)物的處理方法，包括以下步驟，1a.氧化在聚變靶室中引入氧元素，將剩余的氘氚全部氧化為水蒸汽，同時(shí)產(chǎn)生氣態(tài)產(chǎn)物、固體粉末或氣溶膠；1b.冷凝-氣液分離聚變靶室中產(chǎn)生的氣態(tài)產(chǎn)物從靶室中抽出以后，在低溫下進(jìn)行冷凝及氣液分離，得到液體Ⅰ和尾氣Ⅰ，液體Ⅰ包括HTO、HDO，進(jìn)入金屬還原單元，尾氣Ⅰ包括Ar、CO2、He、和少量的HTO蒸汽、少量的HDO蒸汽；其特征在于，還包括以下步驟：1c.低溫吸附尾氣Ⅰ進(jìn)入低溫吸附單元，經(jīng)過吸附劑的吸附與解吸，得到液體Ⅱ、尾氣Ⅱ、尾氣Ⅲ，液體Ⅱ包括HTO、HDO，進(jìn)入金屬還原單元；尾氣Ⅱ包括Ar，進(jìn)入聚變靶室作為靶室氛圍氣體循環(huán)使用；尾氣Ⅲ包括CO2、He，進(jìn)入廢氣除氚系統(tǒng)進(jìn)一步處理；1d.熔融-鼓泡聚變靶室中產(chǎn)生的固體粉末或氣溶膠進(jìn)入熔融-鼓泡單元，在高溫下通入氣體，得到氣體Ⅰ和液態(tài)金屬，氣體Ⅰ包括Ar、H2、HD、HT、H2O蒸汽、HDO蒸汽、HTO蒸汽，液態(tài)金屬經(jīng)高溫過濾后澆注成型，重新作為可回收傳輸線部件使用；1e.常溫吸附氣體Ⅰ進(jìn)入常溫吸附單元，經(jīng)過吸附劑的吸附與解吸，得到液體Ⅲ和氣體Ⅱ，液體Ⅲ包括H2O、HTO、HDO，進(jìn)入金屬還原單元，氣體Ⅱ包括Ar、H2、HD、HT，進(jìn)入鈀膜分離單元；1f.金屬還原液體Ⅰ、液體Ⅱ、液體Ⅲ分別進(jìn)入金屬還原單元，在熱金屬作用下被還原為氫同位素單質(zhì)，得到氣體Ⅲ，氣體Ⅲ包括H2、HT、HD，進(jìn)入氫同位素分離系統(tǒng)；1g.鈀膜分離氣體Ⅱ進(jìn)入鈀膜分離單元，得到氣體Ⅳ和尾氣Ⅳ，氣體Ⅳ包括H2、HD、HT，進(jìn)入氫同位素分離系統(tǒng)；尾氣Ⅳ包括Ar，返回到熔融-鼓泡單元作為載帶氣循環(huán)使用。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚變-裂變混合堆聚變靶室產(chǎn)物的處理方法，其特征在于，所述的步驟1a中引入氧元素的方式為選用含氧化物的金屬材料作為可回收傳輸線，所述的含氧化物的金屬材料包括CuO/Cu、SnO2/Sn、TiO2/Ti、Fe2O3/Fe中的一種或以上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚變-裂變混合堆聚變靶室產(chǎn)物的處理方法，其特征在于，所述的步驟1b中冷凝的溫度范圍為0℃~5℃。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚變-裂變混合堆聚變靶室產(chǎn)物的處理方法，其特征在于，所述的步驟1c中低溫吸附單元的解吸溫度范圍為-196℃~10℃；所述的吸附劑為分子篩、硅膠、活性炭中的一種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚變-裂變混合堆聚變靶室產(chǎn)物的處理方法，其特征在于，所述的步驟1d中熔融-鼓泡單元的溫度范圍為800℃-1800℃；通入的氣體為H2/Ar混合氣體，H2所占的體積分?jǐn)?shù)范圍為1%-10%。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚變-裂變混合堆聚變靶室產(chǎn)物的處理方法，其特征在于，所述的步驟1e中常溫吸附單元的溫度范圍為0℃~30℃；所述的吸附劑為分子篩、硅膠、活性炭中的一種。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚變-裂變混合堆聚變靶室產(chǎn)物的處理方法，其特征在于，所述的步驟1f中金屬還原單元的溫度范圍為400℃~550℃；所述的金屬為U、Mg、Fe、Zn金屬或Zr基合金中的一種。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚變-裂變混合堆聚變靶室產(chǎn)物的處理方法，其特征在于，所述的步驟1g中鈀膜分離單元的溫度范圍為350℃~480℃；所述的鈀膜為Pd/Ag、Pd/Y、Pd/Ag/Au、Pd/Ag/Au/Y、Pd/Ag/Au/Ni合金膜中的一種。