本發(fā)明涉及玻璃層疊體及電子器件的制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，正在進行太陽能電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等電子器件(電子設(shè)備)的薄型化、輕量化，正在進行這些電子器件中使用的玻璃基板的薄板化。另一方面，由于薄板化導(dǎo)致玻璃基板的強度不足時，電子器件的制造工序中，玻璃基板的處理性降低。

因此，最近，為了應(yīng)對上述課題，提出了如下方法：準備在帶無機薄膜的支撐玻璃的無機薄膜上層疊有玻璃基板的層疊體，在層疊體的玻璃基板上實施元件的制造處理后，從層疊體分離玻璃基板(專利文獻1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-184284號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

近年來，伴隨電子器件的高性能化的要求，期望在電子器件的制造時實施更高溫條件下的處理。

本發(fā)明人使用專利文獻1中具體記載的層疊體實施了在高溫條件下(例如400℃以上)的處理，結(jié)果明確了在處理后有時無法將玻璃基板從層疊體剝離。該情況下，高溫條件下的器件制造后，產(chǎn)生無法將形成有元件的玻璃基板從層疊體剝離這樣的問題。

本發(fā)明是鑒于以上問題而完成的，目的在于提供一種即使在高溫條件下的長時間處理后、也能容易地剝離玻璃基板的玻璃層疊體。

用于解決問題的方案

本發(fā)明人為了達成上述目的進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在支撐基板上形成特定的無機層，能夠容易地剝離玻璃基板，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明提供以下的[1]～[5]。

[1]一種玻璃層疊體，其具備：帶無機層的支撐基板，其具有支撐基板和配置在上述支撐基板上的無機層；以及玻璃基板，其以可剝離的方式層疊在上述無機層上，上述無機層的馬氏硬度為3000N/mm²以下。

[2]根據(jù)上述[1]所述的玻璃層疊體，其中，上述無機層中的水分濃度為1.5原子％以上。

[3]根據(jù)上述[1]或[2]所述的玻璃層疊體，其中，上述無機層的厚度為70nm以下。

[4]根據(jù)上述[1]～[3]中任一項所述的玻璃層疊體，其中，上述無機層含有金屬氟化物。

[5]一種電子器件的制造方法，其具備如下工序：構(gòu)件形成工序，其中，在上述[1]～[4]中任一項所述的玻璃層疊體具備的上述玻璃基板的與上述無機層側(cè)處于相反側(cè)的表面上形成電子器件用構(gòu)件，得到帶電子器件用構(gòu)件的層疊體；以及分離工序，其中，從上述帶電子器件用構(gòu)件的層疊體剝離上述帶無機層的支撐基板，得到具有上述玻璃基板和上述電子器件用構(gòu)件的電子器件。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠容易地剝離玻璃基板的玻璃層疊體。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的玻璃層疊體的一個實施方式的示意性截面圖。

圖2的(A)及(B)為依次示出本發(fā)明的電子器件的制造方法的優(yōu)選實施方式的各工序的示意性截面圖。

附圖標記說明

10 玻璃層疊體

12 支撐基板

14 無機層

14a 第一主表面(無機層的與支撐基板側(cè)處于相反側(cè)的表面)

16 帶無機層的支撐基板

18 玻璃基板

18a 第一主表面(玻璃基板的無機層側(cè)的表面)

18b 第二主表面(玻璃基板的與無機層側(cè)處于相反側(cè)的表面)

20 電子器件用構(gòu)件

22 帶電子器件用構(gòu)件的層疊體

24 電子器件(帶電子器件用構(gòu)件的玻璃基板)

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的玻璃層疊體和電子器件的制造方法的優(yōu)選方案進行說明，但本發(fā)明并不限于以下的實施方式，只要不脫離本發(fā)明的范圍，可以對以下的實施方式進行各種變形和替換。

以下，首先針對玻璃層疊體的優(yōu)選方案進行詳細說明，然后針對使用了該玻璃層疊體的電子器件的制造方法的優(yōu)選方案進行詳細說明。

[玻璃層疊體]

圖1為示出本發(fā)明的玻璃層疊體的一個實施方式的示意性截面圖。

如圖1所示，玻璃層疊體10具有：由支撐基板12和無機層14構(gòu)成的帶無機層的支撐基板16；和玻璃基板18。

玻璃層疊體10中，將帶無機層的支撐基板16的無機層14的第一主表面14a(無機層14的與支撐基板12側(cè)處于相反側(cè)的表面)和玻璃基板18的第一主表面18a(玻璃基板18的無機層14側(cè)的表面)作為層疊面，帶無機層的支撐基板16和玻璃基板18以可剝離的方式進行層疊。

即，無機層14的一個面被固定在支撐基板12的層上，同時其另一個面與玻璃基板18的第一主表面18a接觸，無機層14與玻璃基板18的界面以可剝離的方式進行密合。換言之，無機層14相對于玻璃基板18的第一主表面18a具有易剝離性。

本發(fā)明中，上述固定與上述(可剝離的)密合的剝離強度(即剝離所需的應(yīng)力)存在差異，固定意味著與密合相比剝離強度大。具體而言，無機層14和支撐基板12的界面的剝離強度與無機層14和玻璃基板18的界面的剝離強度相比變得更大。

另外，可剝離的密合也指，在可剝離的同時能夠不使被固定的面產(chǎn)生剝離地進行剝離。也就是指，玻璃層疊體10中，在進行將玻璃基板18和支撐基板12分離的操作時，在密合的面(無機層14與玻璃基板18的界面)剝離、在固定的面不剝離。因此，進行將玻璃層疊體10分離成玻璃基板18與支撐基板12的操作時，玻璃層疊體10被分離成玻璃基板18和帶無機層的支撐基板16的兩部分。

但是，對玻璃層疊體10實施高溫條件下(例如400℃以上)的處理的情況下，無機層14與玻璃基板18的界面的剝離強度變高至與無機層14和支撐基板12的界面的剝離強度為同等水平，其結(jié)果，玻璃基板18從玻璃層疊體10的剝離也可能變得困難。

然而，本發(fā)明中，通過使無機層14的馬氏硬度為3000N/mm²以下，從而即使在對玻璃層疊體10實施高溫條件下的處理后剝離玻璃基板18的情況下，該剝離時無機層14本身產(chǎn)生內(nèi)聚破壞(參照圖2的(B))，從而也能夠容易地從玻璃層疊體10剝離玻璃基板18。

以下，首先針對構(gòu)成玻璃層疊體10的帶無機層的支撐基板16和玻璃基板18進行詳細說明，之后針對玻璃層疊體10的制造步驟進行詳細說明。

〔帶無機層的支撐基板〕

帶無機層的支撐基板1具備：支撐基板12和配置(固定)在其表面上的無機層14。無機層14以與后述的玻璃基板18可剝離地密合的方式配置在帶無機層的支撐基板16中的最外側(cè)。

以下，針對支撐基板12和無機層14的方案進行詳細說明。

〈支撐基板〉

支撐基板12具有第一主表面和第二主表面，與配置在第一主表面上的無機層14協(xié)作，支撐并加強玻璃基板18，在后述的構(gòu)件形成工序(制造電子器件用構(gòu)件的工序)中電子器件用構(gòu)件的制造時防止玻璃基板18的變形、劃傷、破損等。

作為支撐基板12，例如可以使用玻璃板、塑料板、SUS板等金屬板等。對于支撐基板12，在構(gòu)件形成工序伴有熱處理時，優(yōu)選由與玻璃基板18的線膨脹系數(shù)之差小的材料形成，更優(yōu)選由與玻璃基板18相同的材料形成，支撐基板12優(yōu)選為玻璃板。特別地，支撐基板12優(yōu)選為由與玻璃基板18相同的玻璃材料形成的玻璃板。

支撐基板12的厚度可以比后述的玻璃基板18厚，也可以比后述的玻璃基板薄。優(yōu)選的是，基于玻璃基板18的厚度、無機層14的厚度、及后述玻璃層疊體10的厚度選擇支撐基板12的厚度。

例如，現(xiàn)行的構(gòu)件形成工序是以處理厚度0.5mm的基板的方式設(shè)計的，在玻璃基板18的厚度及無機層14的厚度之和為0.1mm時，將支撐基板12的厚度設(shè)為0.4mm。支撐基板12的厚度在通常的情況下優(yōu)選為0.2～5.0mm。

支撐基板12為玻璃板時，從易于操作、不易破裂等的理由出發(fā)，玻璃板的厚度優(yōu)選為0.08mm以上。另外，從電子器件用構(gòu)件形成后進行剝離時期望不破裂且適度地彎曲那樣的剛性的理由出發(fā)，玻璃板的厚度優(yōu)選為1.0mm以下。

支撐基板12與玻璃基板18的25～300℃下的平均線膨脹系數(shù)(以下簡稱為“平均線膨脹系數(shù)”)之差優(yōu)選為500×10^-7/℃以下、更優(yōu)選為300×10^-7/℃以下、進一步優(yōu)選為200×10^-7/℃以下。若差值過大，則構(gòu)件形成工序中的加熱冷卻時，有玻璃層疊體10嚴重翹曲的擔心。玻璃基板18的材料與支撐基板12的材料相同時，能夠抑制產(chǎn)生這樣的問題。

〈無機層〉

無機層14在玻璃層疊體10中配置(固定)在支撐基板12的主表面上，為與玻璃基板18的第一主表面18a直接接觸的層。

而且，如上述那樣，本發(fā)明中，將無機層14的馬氏硬度設(shè)為3000N/mm²以下。需要說明的是，馬氏硬度(ISO 14577 2002年)為在負載有試驗載荷的狀態(tài)下測定的硬度，由負載增加時的載荷-壓入深度曲線的值求出。

由此，對玻璃層疊體10施加高溫條件下(例如400℃以上)的處理后，從玻璃層疊體10剝離玻璃基板18的情況下，在該剝離時比較脆弱的無機層14自身也產(chǎn)生內(nèi)聚破壞(參照圖2的(B))，由此能夠從玻璃層疊體10容易地剝離玻璃基板18。即，剝離性優(yōu)異。

需要說明的是，在剝離的玻璃基板18的第一主表面18a上可以附著有經(jīng)內(nèi)聚破壞的無機層14的殘渣，但通過使無機層14為薄膜，從而殘渣的附著量變得很少，不會產(chǎn)生實用上的問題。

從剝離性更優(yōu)異的理由出發(fā)，無機層14的馬氏硬度優(yōu)選為2800N/mm²以下、更優(yōu)選為2500N/mm²以下。另一方面，下限沒有特別限定，從無機層14不會過于脆弱的觀點出發(fā)，例如為200N/mm²以上。

另外，對于無機層14，通過提高其水分濃度，從而即使經(jīng)過高溫條件下(例如400℃以上)的處理也易于維持脆弱性，由無機層14本身的內(nèi)聚破壞導(dǎo)致的剝離性變得更好。

因此，無機層14的水分濃度優(yōu)選為1.5原子％以上、更優(yōu)選為2.0原子％以上、進一步優(yōu)選為2.2原子％以上。另一方面，上限沒有特別限定，從無機層14的結(jié)構(gòu)不易崩壞的觀點出發(fā)，例如為10原子％以下。需要說明的是，本發(fā)明中的無機層14的水分濃度的測定方法在后述的“實施例”中詳細敘述。

無機層14的第一主表面14a的表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為2.0nm以下，更優(yōu)選為1.2nm以下。下限值沒有特別限制，例如超過0nm。如果處于上述范圍，則與玻璃基板18的密合性變得良好，能夠進一步抑制玻璃基板18的位置偏移等，并且玻璃基板18的剝離性也優(yōu)異。

Ra根據(jù)JIS B 0601(2001年修改)進行測定。

另外，如上所述，玻璃基板18的第一主表面18a上可以附著有經(jīng)內(nèi)聚破壞的無機層14的殘渣。對于殘渣的附著量，無機層14越薄則變得越少，是優(yōu)選的。

因此，無機層14的厚度優(yōu)選為70nm以下、更優(yōu)選為50nm以下、進一步優(yōu)選為30nm以下。另一方面，下限沒有特別限定，例如為5nm以上。

需要說明的是，無機層14在圖1中以單層的形式示出，但也可以為2層以上的層疊。2層以上的層疊的情況下，各層可以為不同的組成。此時，“無機層的厚度”是指所有層的總厚度。

無機層14通常如圖1所示地設(shè)置于支撐基板12的一個主表面的整體，但在不損害本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，也可以設(shè)置于支撐基板12的一個主表面的一部分。

這樣的無機層14優(yōu)選含有含F(xiàn)的含F(xiàn)無機層。無機層14可以僅由含F(xiàn)無機層構(gòu)成，也可以為含有含F(xiàn)無機層以外的無機層的多層。需要說明的是，無機層14為多層時，無機層14的厚度方向上的含F(xiàn)無機層的位置沒有特別限定，優(yōu)選為與玻璃基板18的第一主表面18a接觸的最表層。

另外，對于無機層14含有的含F(xiàn)無機層，更優(yōu)選含有選自由金屬氟化物及氟摻雜金屬氧化物組成的組中的至少1種。金屬氟化物及氟摻雜金屬氧化物分別可以單獨使用1種，也可以組合使用2種以上。

作為氟摻雜金屬氧化物，例如可以舉出氟摻雜氧化錫、氟摻雜氧化鋅、氟摻雜氧化鈦、氟摻雜氧化鋁、氟摻雜氧化硅、氟摻雜石英等，其中，優(yōu)選氟摻雜氧化錫。

金屬氟化物的組成沒有特別限制，在玻璃基板18的剝離性更優(yōu)異的方面，優(yōu)選包含選自由堿金屬、堿土金屬、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In及鑭系元素組成的組中的至少1種。

此處，作為堿金屬，例如可以舉出Li、Na、K、Rb、Cs。

另外，作為堿土金屬，例如可以舉出Mg、Ca、Sr、Ba。

另外，鑭系元素從La至Lu，例如可以舉出La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm等。

更具體而言，作為金屬氟化物，例如可以舉出RF、R’F₂、ScF₃、YF₃、VF₃、CrF₃、MnF₂、FeF₃、CoF₂、NiF₂、CuF₂、ZnF₂、AlF₃、GaF₃、InF₃及LF₃等。此處，R指堿金屬，R’指堿土金屬，L指鑭系元素。

需要說明的是，金屬氟化物的一部分可以被氧化。

從金屬氟化物大多較脆的方面出發(fā)，無機層14優(yōu)選至少含有金屬氟化物。更具體而言，相對于無機層14總量，金屬氟化物的總含量優(yōu)選為50質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為55質(zhì)量％以上、進一步優(yōu)選為60質(zhì)量％以上。上限沒有特別限定，優(yōu)選為95質(zhì)量％以下、更優(yōu)選為90質(zhì)量％以下、進一步優(yōu)選為85質(zhì)量％以下。

無機層14含有金屬氟化物的情況下，在無機層14的形成步驟中混入的氧(O)的濃度變高至一定程度時，高溫條件下(例如400℃以上)的處理后的、由無機層14本身的內(nèi)聚破壞導(dǎo)致的剝離性變得更好。

因此，無機層14含有金屬氟化物時，無機層14中的氧濃度優(yōu)選為1.5原子％以上、更優(yōu)選為2.5原子％以上、進一步優(yōu)選為5.5原子％以上、特別優(yōu)選為8.0原子％以上。另一方面，上限例如優(yōu)選為20.0原子％以下。

即，無機層14含有金屬氟化物時，作為金屬氟化物以外的含有成分，例如可以舉出金屬氧化物。該金屬氧化物與金屬氟化物同樣地，優(yōu)選包含選自由堿金屬、堿土金屬、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In及鑭系元素組成的組中的至少1種。

相對于無機層14總量，金屬氧化物的總含量優(yōu)選為5質(zhì)量％以上、更優(yōu)選為10質(zhì)量％以上、進一步優(yōu)選為15質(zhì)量％以上。上限沒有特別限定，但優(yōu)選為50質(zhì)量％以下、更優(yōu)選為45質(zhì)量％以下、進一步優(yōu)選為35質(zhì)量％以下。

〈帶無機層的支撐基板的制造方法〉

作為在支撐基板12上形成無機層14的方法，可以優(yōu)選舉出蒸鍍法或特定條件下的濺射法。

對于濺射法，一般為如下所述的方法：一邊在真空中導(dǎo)入Ar氣等非活性氣體，一邊對基板和靶之間施加直流高電壓，使經(jīng)離子化的Ar沖擊靶，使被彈飛的靶物質(zhì)在基板上成膜。

對于本發(fā)明中的濺射法，優(yōu)選與非活性氣體一起導(dǎo)入氧氣(O₂)。由此，例如在形成含有金屬氟化物的無機層14的情況下，氧氣被混入無機層14，氧濃度變高。如上所述，無機層14的氧濃度變高至一定程度時，高溫條件下的處理后的剝離性變得更好。

本發(fā)明的濺射法中，氧氣與非活性氣體的體積流量比(氧氣/非活性氣體)優(yōu)選為0.005～0.25，更優(yōu)選為0.01～0.10。

需要說明的是，作為非活性氣體，例如可以舉出氬氣(Ar)、氮氣(N₂)等。

形成無機層14后，可以對無機層14的第一主表面14a實施堿處理、等離子處理、UV處理等親水化處理。堿處理后，優(yōu)選用純水沖洗，接著使其干燥。需要說明的是，對無機層14實施親水化處理后，優(yōu)選盡量在短時間內(nèi)層疊玻璃基板18。

除此之外，根據(jù)需要，為了控制在支撐基板12上形成的無機層14的表面性狀(例如表面粗糙度Ra)，可以實施對無機層14的表面進行磨削的處理，作為這樣的處理，例如可以舉出研磨、離子濺射法等。

〔玻璃基板〕

玻璃基板18的種類可以為一般的基板，例如可以舉出LCD、OLED等顯示裝置用的玻璃基板等。玻璃基板18的耐化學藥品性、耐透濕性優(yōu)異，并且熱收縮率低。作為熱收縮率的指標，可以使用JIS R 3102(1995年修改)中規(guī)定的線膨脹系數(shù)。

玻璃基板18是將玻璃原料熔融、將熔融玻璃成形為板狀而得到的。這樣的成形方法可以為一般的方法，例如可以使用浮法、熔融法、狹縫下拉法、垂直引上法、Lubbers法等。另外，特別是厚度薄的玻璃基板，可利用平拉法成形而得到，所述平拉法是將暫時成形為板狀的玻璃加熱至能夠成形的溫度，利用拉伸等手段進行拉伸而變薄的方法。

玻璃基板18的玻璃沒有特別限定，也可以使用無堿硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、高硅氧玻璃、其他以氧化硅作為主要成分的氧化物系玻璃等。作為氧化物系玻璃，優(yōu)選基于氧化物換算的氧化硅的含量為40～90質(zhì)量％的玻璃。

作為玻璃基板18的玻璃，采用與器件的種類、其制造工序相適應(yīng)的玻璃。例如，對于液晶面板用的玻璃基板，由于金屬成分的溶出容易影響液晶，所以由實質(zhì)上不含堿金屬成分的玻璃(無堿玻璃)形成(但是，通常包含堿土金屬成分)。如此，玻璃基板18的玻璃基于適用的器件的種類及其制造工序來適當選擇。

玻璃基板18的厚度沒有特別限定，但從玻璃基板18的薄型化和/或輕量化的觀點出發(fā)，例如為0.8mm以下、優(yōu)選為0.3mm以下、更優(yōu)選為0.15mm以下。超過0.8mm時，存在不滿足玻璃基板18的薄型化和/或輕量化的要求的情況。為0.3mm以下時，能夠?qū)ΣＡЩ?8賦予良好的撓性。為0.15mm以下時，能夠?qū)⒉ＡЩ?8卷繞成卷狀。另外，從玻璃基板18的制造容易、玻璃基板18的處理容易等理由出發(fā)，玻璃基板18的厚度優(yōu)選為0.03mm以上。

玻璃基板18可以包含2層以上，這種情況下，形成各層的材料可以為同種材料，也可以為不同種材料。此時，“玻璃基板的厚度”是指所有層的總厚度。

需要說明的是，玻璃層疊體10中，優(yōu)選無機層14的第一主表面14a與玻璃基板18的第一主表面18a直接接觸。即，優(yōu)選在玻璃基板18的第一主表面18a(無機層14側(cè)的面)上不設(shè)置無機薄膜層，特別優(yōu)選不設(shè)置由金屬氟化物形成的無機薄膜層。

在玻璃基板的第一主表面上設(shè)置例如由金屬氟化物形成的層時，帶金屬氟化物層的玻璃基板與帶無機層的支撐基板的密合性在高溫處理后變差，兩者自發(fā)地產(chǎn)生剝離，因此無法作為玻璃層疊體使用。

〔玻璃層疊體的制造方法〕

玻璃層疊體10的制造方法沒有特別限制，具體而言，可以舉出如下方法：在常壓環(huán)境下將帶無機層的支撐基板16和玻璃基板18重疊后，使用輥、加壓機使其壓接的方法。通過用輥、加壓機進行壓接，帶無機層的支撐基板16與玻璃基板18進一步密合，因此優(yōu)選。另外，通過利用輥或加壓機的壓接，比較容易去除混入帶無機層的支撐基板16與玻璃基板18之間的氣泡，因此優(yōu)選。

通過真空層壓法、真空加壓法進行壓接時，能夠理想地抑制氣泡的混入、確保良好的密合，因此更優(yōu)選。通過在真空下進行壓接，從而還具有以下優(yōu)點：即使殘留微小的氣泡時，也不會因加熱導(dǎo)致氣泡生長，不易導(dǎo)致變形缺陷。

將帶無機層的支撐基板16與玻璃基板18以可剝離的方式密合時，優(yōu)選充分清洗無機層14和玻璃基板18彼此接觸側(cè)的面，在潔凈度高的環(huán)境下層疊。

進而，對所得玻璃層疊體10可以實施例如在400℃以上的高溫條件下的處理。溫度條件的上限沒有特別限定，通常700℃以下的情況較多。

玻璃層疊體10可以用于各種用途，例如可以舉出制造后述的顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路的半導(dǎo)體晶圓等電子部件的用途等。需要說明的是，該用途中，多數(shù)情況將玻璃層疊體10暴露于高溫條件(例如400℃以上)下(例如10分鐘以上)。

此處，所謂顯示裝置用面板包括：LCD、OLED、電子紙、等離子體顯示器面板、場發(fā)射面板、量子點LED面板、MEMS(微電子機械系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems))快門面板等。

[電子器件及其制造方法]

接著，針對電子器件及其制造方法的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。

圖2的(A)和(B)為依次示出本發(fā)明的電子器件的制造方法的優(yōu)選實施方式中的各工序的示意性截面圖，圖2的(A)示出構(gòu)件形成工序，圖2的(B)示出分離工序。即，本發(fā)明的電子器件的制造方法具備構(gòu)件形成工序和分離工序。

以下，一邊參照圖2的(A)和(B)，一邊對各工序中使用的材料及其步驟進行詳細說明。首先針對構(gòu)件形成工序進行詳細說明。

〔構(gòu)件形成工序〕

構(gòu)件形成工序是在玻璃層疊體中的玻璃基板上形成電子器件用構(gòu)件的工序。

更具體而言，如圖2的(A)所示，在玻璃基板18的第二主表面18b上形成電子器件用構(gòu)件20，制造帶電子器件用構(gòu)件的層疊體22。

首先，針對本工序中使用的電子器件用構(gòu)件20進行詳細說明，之后針對工序的步驟進行詳細說明。

〈電子器件用構(gòu)件(功能性元件)〉

電子器件用構(gòu)件20是形成在玻璃基板18的第二主表面18b上且構(gòu)成電子器件的至少一部分的構(gòu)件。更具體而言，作為電子器件用構(gòu)件20，可以舉出顯示裝置用面板、太陽能電池、薄膜二次電池、表面形成有電路的半導(dǎo)體晶圓等電子部件等中使用的構(gòu)件。作為顯示裝置用面板，包括：液晶面板、有機EL面板、等離子體顯示器面板、場發(fā)射面板等。

例如，作為太陽能電池用構(gòu)件，對于硅型，可以舉出正極的氧化錫等透明電極、p層/i層/n層表示的硅層、以及負極的金屬等，除此之外，可以舉出與化合物型、染料敏化型、量子點型等對應(yīng)的各種構(gòu)件等。

另外，作為薄膜二次電池用構(gòu)件，對于鋰離子型，可以舉出正極和負極的金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質(zhì)層的鋰化合物、集電層的金屬、作為密封層的樹脂等，除此之外，可以舉出與鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質(zhì)型等對應(yīng)的各種構(gòu)件等。

另外，作為電子部件用構(gòu)件，對于CCD、CMOS，可以舉出導(dǎo)電部的金屬、絕緣部的氧化硅、氮化硅等，除此之外，可以舉出與壓力傳感器/加速度傳感器等各種傳感器、剛性印刷基板、柔性印刷基板、剛性柔性印刷基板等對應(yīng)的各種構(gòu)件等。

〈工序的步驟〉

上述的帶電子器件用構(gòu)件的層疊體22的制造方法沒有特別限定，根據(jù)電子器件用構(gòu)件的構(gòu)成構(gòu)件的種類，采用現(xiàn)有公知的方法，在玻璃基板18的第二主表面18b上形成電子器件用構(gòu)件20。

需要說明的是，電子器件用構(gòu)件20可以不是玻璃基板18的第二主表面18b上最終形成的構(gòu)件的全部(以下稱為“全部構(gòu)件”)，而是全部構(gòu)件的一部分(以下稱為“部分構(gòu)件”)。也可以將帶部分構(gòu)件的玻璃基板在之后的工序中制成帶全部構(gòu)件的玻璃基板(與后述的電子器件相當)。另外，帶全部構(gòu)件的玻璃基板中，可以在其剝離面(第一主表面)形成有其他電子器件用構(gòu)件。另外，也可以組裝帶全部構(gòu)件的層疊體，之后從帶全部構(gòu)件的層疊體剝離帶無機層的支撐基板16，制造電子器件。進而，也可以使用2片帶全部構(gòu)件的層疊體組裝電子器件，之后從帶全部構(gòu)件的層疊體剝離2片帶無機層的支撐基板16，制造電子器件。

例如，以制造OLED的情況為例時，為了在玻璃基板18的第二主表面18b的表面上形成有機EL結(jié)構(gòu)體，進行如下各種層形成、處理：形成透明電極、進而在形成了透明電極的面上蒸鍍空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層等、形成背面電極、使用密封板進行密封等。作為這些層形成、處理，具體可以舉出成膜處理、蒸鍍處理、密封板的粘接處理等。

另外，例如TFT-LCD的制造方法具有如下等各種工序：TFT形成工序，在玻璃層疊體10的玻璃基板18的第二主表面18b上，使用抗蝕液對通過CVD法及濺射法等一般的成膜法形成的金屬膜及金屬氧化膜等進行圖案形成，從而形成薄膜晶體管(TFT)；CF形成工序，在另一玻璃層疊體10的玻璃基板18的第二主表面18b上，將抗蝕液用于圖案形成，從而形成濾色器(CF)；以及貼合工序，將帶TFT的器件基板和帶CF的器件基板層疊。

TFT形成工序、CF形成工序中，使用周知的光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)等在玻璃基板18的第二主表面18b上形成TFT、CF。此時，作為圖案形成用的涂覆液，可以使用抗蝕液。

需要說明的是，在形成TFT、CF之前，根據(jù)需要，可以清洗玻璃基板18的第二主表面18b。作為清洗方法，可以使用周知的干洗、濕洗。

貼合工序中，在帶TFT的層疊體與帶CF的層疊體之間注入液晶材料進行層疊。作為注入液晶材料的方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。

需要說明的是，構(gòu)件形成工序中，實施例如在400℃以上的高溫條件下的處理。

〔分離工序〕

分離工序是從在上述構(gòu)件形成工序中得到的帶電子器件用構(gòu)件的層疊體22剝離帶無機層的支撐基板16、得到包含電子器件用構(gòu)件20和玻璃基板18的電子器件24(帶電子器件用構(gòu)件的玻璃基板)的工序。即，將帶電子器件用構(gòu)件的層疊體22分離為帶無機層的支撐基板16和電子器件24(帶電子器件用構(gòu)件的玻璃基板)的工序。

可是，作為前工序的構(gòu)件形成工序中實施了高溫條件下的處理時，無機層14和玻璃基板18的界面的剝離強度變高至與無機層14和支撐基板12的界面的剝離強度為同等水平，有分離變困難的可能性。

然而，此時，由于在無機層14產(chǎn)生內(nèi)聚破壞，帶電子器件用構(gòu)件的層疊體22分離為帶無機層的支撐基板16和電子器件24。

將帶電子器件用構(gòu)件的層疊體22分離為帶無機層的支撐基板16和電子器件24的方法沒有特別限定。例如，可以在無機層14附近插入鋒利的刀狀物，施加剝離的起點，然后吹送水和壓縮空氣的混合流體，從而進行剝離。優(yōu)選的是，以帶電子器件用構(gòu)件的層疊體22的支撐基板12側(cè)為上側(cè)、電子器件用構(gòu)件20側(cè)為下側(cè)的方式設(shè)置在平臺上，將電子器件用構(gòu)件20側(cè)真空吸附于平臺上(兩面層疊有支撐基板的情況下依次進行)，該狀態(tài)下，首先使刀具侵入。然后，用多個真空吸盤吸附支撐基板12側(cè)，使真空吸盤從插入刀具處附近開始依次升高。由此，在無機層14發(fā)生內(nèi)聚破壞，能夠容易地剝離帶無機層的支撐基板16。

剝離電子器件24時的剝離強度沒有特別限制，從工業(yè)的方面出發(fā)，優(yōu)選為2.0N/25mm以下、更優(yōu)選為1.2N/25mm以下。

需要說明的是，剝離電子器件24時的剝離強度換言之也可以稱為剝離玻璃基板18時的剝離強度。

通過上述工序得到的電子器件24適合于手機、智能手機、平板型PC等移動終端中使用的小型顯示裝置的制造。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等?；旧显跓o源驅(qū)動型、有源驅(qū)動型的任意顯示裝置的情況下均能適用。

需要說明的是，可以在按照上述步驟分離的帶無機層的支撐基板16上層疊新的玻璃基板18，作為新的玻璃層疊體10。

實施例

以下，通過實施例等具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些例子的限定。

以下的實施例及比較例中，作為玻璃基板，使用由無堿硼硅酸鹽玻璃形成的玻璃板(長100mm、寬100mm、板厚0.2mm、線膨脹系數(shù)38×10^-7/℃、旭硝子株式會社制造商品名“AN100”)。

另外，作為支撐基板，使用同樣由無堿硼硅酸鹽玻璃形成的玻璃板(長100mm、寬100mm、板厚0.5mm、線膨脹系數(shù)38×10^-7/℃、旭硝子株式會社制造商品名“AN100”)。

〈實施例1〉

首先，對支撐基板的一個主表面進行純水清洗，然后進行堿清洗，由此潔凈化。

接著，在經(jīng)過潔凈化的支撐基板的一個主表面上，利用RF濺射法(室溫成膜、成膜壓力：3mTorr、O₂氣與Ar氣的體積流量比(O₂/Ar)：0.02、功率密度：5.3W/cm²)形成厚度20nm的含MgF₂層(相當于無機層)，得到玻璃層疊體A1用的帶無機層的支撐基板。

需要說明的是，無機層的厚度利用觸針式膜厚計進行測定(以下同樣)。

另外，無機層的組成(不包括雜質(zhì))為MgF₂：69質(zhì)量％、MgO：31質(zhì)量％。無機層的組成使用X射線光電子分光裝置(PHI5000VersaProbe、ULVAC-PHI,INCORPORATED制造)進行測定(以下同樣)。

(表面粗糙度(Ra))

所得帶無機層的支撐基板的無機層的第一主表面的表面粗糙度(Ra)為0.4nm。表面粗糙度(Ra)使用AFM(型號：L-trace(Nanonavi)、Hitachi High-Technologies Corporation制造)、根據(jù)JIS B 0601(2001年修改)進行測定(以下同樣)。

(馬氏硬度)

所得帶無機層的支撐基板的無機層的馬氏硬度為1247N/mm²。對于馬氏硬度，根據(jù)ISO 14577 2002年，使用微小硬度試驗機(PICODENTOR HM500、FISCHER公司制造)，以0.5N/s的速度施加載荷，將蠕變設(shè)為5秒進行測定，設(shè)為10點的測定結(jié)果的平均值(以下同樣)。

(水分濃度)

所得帶無機層的支撐基板的無機層的水分濃度為2.2原子％。水分濃度通過高分辨率ERDA(High Resolution Elastic Recoil Detection Analysis(HR-ERDA))法進行測定。

測定使用HRBS500(神戶制鋼所株式會社制造)。為了防止測定時的帶電，在作為試樣的無機層的表面(試樣面)蒸鍍幾nm的碳膜。

使480keV的N⁺離子以相對于試樣面法線為70度的角度入射，以設(shè)定散射角30度來檢測反沖氫離子。

假定蒸鍍碳膜上僅存在碳和氫，使用氫濃度已知試樣的測定值進行校正，算出厚度方向的氫濃度分布。

計算中，將蒸鍍碳膜的密度假定為2.25g/cm³，將MgF₂的密度假定為3.15g/cm³、MgO的密度假定為3.58g/cm³。

在厚度方向上算出的氫濃度分布中，將沒有蒸鍍碳膜的影響、濃度為恒定的區(qū)域的平均濃度作為無機層的水分濃度(以下同樣)。

(氧濃度)

所得帶無機層的支撐基板的無機層的氧濃度為15.8原子％。氧濃度使用X射線光電子分光裝置(PHI5000VersaProbe、ULVAC-PHI,INCORPORATED制造)進行測定(以下同樣)。

(層疊性)

接著，對玻璃基板的一個主表面進行純水清洗，然后進行堿清洗，由此潔凈化。接著，將帶無機層的支撐基板的無機層的第一主表面和玻璃基板的經(jīng)過潔凈化的第一主表面在室溫下、利用真空加壓進行貼合，得到玻璃層疊體A1。

所得玻璃層疊體A1中，帶無機層的支撐基板和玻璃基板不產(chǎn)生氣泡地密合，也沒有變形缺陷，平滑性也良好。

(剝離性(550℃))

準備10個寬25mm×長70mm的玻璃層疊體A1，在氮氣氣氛下、550℃下實施10分鐘加熱處理。接著，使用Autograph AG-20/50kNXDplus(株式會社島津制作所制造)進行玻璃基板的剝離。

具體而言，在加熱處理后的玻璃層疊體A1的無機層附近，插入厚度0.1mm的不銹鋼制刀具，形成剝離的起始部，然后完全固定玻璃基板，提起支撐基板，由此進行玻璃基板的剝離。需要說明的是，剝離速度設(shè)為30mm/分鐘。

其結(jié)果，全部10個試驗體中，能夠在支撐基板、玻璃基板中不產(chǎn)生裂紋地將玻璃基板剝離。

在該剝離時，無機層發(fā)生內(nèi)聚破壞。在剝離后的玻璃基板和支撐基板的表面上確認到經(jīng)內(nèi)聚破壞的無機層的殘渣附著。

此時，在550℃的加熱處理后，能夠剝離玻璃基板的試驗體的剝離強度為0.5N/25mm。將檢測載荷的地點設(shè)為0，將從該位置起提起2.0mm的位置的剝離強度作為測定值(以下同樣)。

(剝離性(600℃))

準備10個寬25mm×長70mm的玻璃層疊體A1，在氮氣氣氛下、600℃下實施10分鐘加熱處理。接著，與上述同樣地進行玻璃基板的剝離。

其結(jié)果，全部10個試驗體中，能夠在支撐基板、玻璃基板中不產(chǎn)生裂紋地將玻璃基板剝離。

〈實施例2〉

首先，對支撐基板的一個主表面進行純水清洗，然后進行堿清洗，由此潔凈化。

接著，在經(jīng)過潔凈化的支撐基板的一個主表面上，利用蒸鍍法形成厚度30nm的含CaF₂層(相當于無機層)，得到玻璃層疊體A2用的帶無機層的支撐基板。

無機層的形成使用真空蒸鍍裝置(昭和真空株式會社制造，SEC-16CM)。蒸鍍源使用CaF₂的顆粒，排氣至10^-5Torr以下后，在室溫下進行成膜。

無機層的組成(不包括雜質(zhì))為CaF₂：93質(zhì)量％、CaO：7質(zhì)量％。

(表面粗糙度(Ra)、馬氏硬度、水分濃度及氧濃度)

針對所得的帶無機層的支撐基板的無機層，測定表面粗糙度(Ra)、馬氏硬度、水分濃度及氧濃度。測定結(jié)果示于以下表1。

需要說明的是，水分濃度的測定中，將CaF₂的密度假定為3.18g/cm³、CaO的密度假定為3.35g/cm³。

(層疊性)

與實施例1同樣地操作，將帶無機層的支撐基板的無機層的第一主表面和玻璃基板的第一主表面貼合，得到玻璃層疊體A2。

在所得玻璃層疊體A2中，帶無機層的支撐基板和玻璃基板不產(chǎn)生氣泡地密合，也沒有變形缺陷，平滑性也良好。

(剝離性)

針對玻璃層疊體A2，與實施例1同樣地操作，測定剝離強度，并且評價剝離性。

其結(jié)果，在550℃的加熱處理后，全部10個試驗體中，能夠在支撐基板、玻璃基板中不產(chǎn)生裂紋地剝離玻璃基板，但600℃的加熱處理后，5個試驗體產(chǎn)生裂紋。需要說明的是，在剝離后的玻璃基板和支撐基板的表面上確認到經(jīng)內(nèi)聚破壞的無機層的殘渣的附著。

需要說明的是，550℃的加熱處理后的剝離強度為0.4N/25mm。

〈實施例3〉

首先，對支撐基板的一個主表面進行純水清洗，然后進行堿清洗，由此潔凈化。

接著，在經(jīng)過潔凈化的支撐基板的一個主表面上，與實施例2同樣地操作，利用蒸鍍法形成厚度30nm的含CeF₃層(相當于無機層)，得到玻璃層疊體A3用的帶無機層的支撐基板。

無機層的組成(不包括雜質(zhì))為CeF₃：94質(zhì)量％、CeO₂：6質(zhì)量％。

(表面粗糙度(Ra)、馬氏硬度、水分濃度及氧濃度)

針對所得的帶無機層的支撐基板的無機層，測定表面粗糙度(Ra)、馬氏硬度、水分濃度及氧濃度。測定結(jié)果示于以下表1。

需要說明的是，水分濃度的測定中，將CeF₃密度假定為6.16g/cm³、CeO₂的密度假定為7.65g/cm³。

(層疊性)

與實施例1同樣地操作，將帶無機層的支撐基板的無機層的第一主表面和玻璃基板的第一主表面貼合，得到玻璃層疊體A3。

在所得玻璃層疊體A3中，帶無機層的支撐基板和玻璃基板不產(chǎn)生氣泡地密合，也沒有變形缺陷，平滑性也良好。

(剝離性)

針對玻璃層疊體A3，與實施例1同樣地操作，測定剝離強度，并且評價剝離性。

其結(jié)果，在550℃的加熱處理后，全部10個試驗體中，能夠在支撐基板、玻璃基板中不產(chǎn)生裂紋地將玻璃基板剝離，但600℃的加熱處理后，4個試驗體產(chǎn)生裂紋。需要說明的是，在剝離后的玻璃基板和支撐基板的表面上確認到經(jīng)內(nèi)聚破壞的無機層的殘渣的附著。

需要說明的是，550℃的加熱處理后的剝離強度為0.4N/25mm。

〈比較例1〉

首先，對支撐基板的一個主表面進行純水清洗，然后進行堿清洗，由此潔凈化。

接著，在經(jīng)過潔凈化的支撐基板的一個主表面上，利用磁控濺射法(室溫成膜、成膜壓力：3mTorr、O₂氣與Ar氣的體積流量比(O₂/Ar)：0.20、功率密度：1.65W/cm²)形成厚度30nm的CeO₂層，得到玻璃層疊體B1用的帶無機層的支撐基板。

(表面粗糙度(Ra)及馬氏硬度)

針對所得的帶無機層的支撐基板的無機層，測定表面粗糙度(Ra)及馬氏硬度。測定結(jié)果示于以下表1。

(層疊性)

與實施例1同樣地操作，將帶無機層的支撐基板的無機層的第一主表面和玻璃基板的第一主表面貼合，得到玻璃層疊體B1。

所得玻璃層疊體B1中，帶無機層的支撐基板和玻璃基板不產(chǎn)生氣泡地密合，也沒有變形缺陷，平滑性也良好。

(剝離性)

針對玻璃層疊體B1，與實施例1同樣地操作，評價剝離性，結(jié)果550℃及600℃的任一加熱處理后，全部10個試驗體中均產(chǎn)生裂紋。因此，無法進行剝離強度的測定。

〈比較例2〉

首先，對支撐基板的一個主表面進行純水清洗，然后進行堿清洗，由此潔凈化。

接著，在經(jīng)過潔凈化的支撐基板的一個主表面上，利用磁控濺射法(室溫成膜、成膜壓力：3mTorr、O₂氣與Ar氣的體積流量比(O₂/Ar)：0.20、功率密度：1.65W/cm²)形成厚度20nm的ZrO₂層，得到玻璃層疊體B2用的帶無機層的支撐基板。

(表面粗糙度(Ra)及馬氏硬度)

針對所得的帶無機層的支撐基板的無機層，測定表面粗糙度(Ra)及馬氏硬度。測定結(jié)果示于以下表1。

(層疊性)

與實施例1同樣地操作，將帶無機層的支撐基板的無機層的第一主表面和玻璃基板的第一主表面貼合，得到玻璃層疊體B2。

所得玻璃層疊體B2中確認到氣泡的產(chǎn)生和變形缺陷。

(剝離性)

針對玻璃層疊體B2，與實施例1同樣地操作，評價剝離性，結(jié)果550℃及600℃的任一加熱處理后，全部10個試驗體中均產(chǎn)生裂紋。因此，無法進行剝離強度的測定。

〈比較例3〉

不使用O₂氣和Ar氣的混合氣體，僅使用Ar氣，除此之外，按照與實施例1同樣的步驟形成厚度30nm的MgF₂層，得到玻璃層疊體B3用的帶無機層的支撐基板。

(表面粗糙度(Ra)、馬氏硬度、水分濃度及氧濃度)

針對所得的帶無機層的支撐基板的無機層，測定表面粗糙度(Ra)、馬氏硬度、水分濃度及氧濃度。測定結(jié)果示于以下表1。

(層疊性)

與實施例1同樣地操作，將帶無機層的支撐基板的無機層的第一主表面和玻璃基板的第一主表面貼合，得到玻璃層疊體B3。

所得玻璃層疊體B3中，帶無機層的支撐基板和玻璃基板不產(chǎn)生氣泡地密合，也沒有變形缺陷，平滑性也良好。

(剝離性)

針對玻璃層疊體B3，與實施例1同樣地操作，評價剝離性，結(jié)果550℃及600℃的任一加熱處理后，全部10個試驗體中均產(chǎn)生裂紋。因此，無法進行剝離強度的測定。

〈比較例4〉

首先，對支撐基板的一個主表面進行純水清洗，然后進行堿清洗，由此潔凈化。

接著，在經(jīng)過潔凈化的支撐基板的一個主表面上，利用磁控濺射法(加熱溫度：300℃、成膜壓力：5mTorr、O₂氣與Ar氣的體積流量比(O₂/Ar)：0.10、功率密度：4.9W/cm²)形成厚度20nm的ITO層(氧化銦錫層)，得到玻璃層疊體B4用的帶無機層的支撐基板。

(表面粗糙度(Ra)及馬氏硬度)

針對所得的帶無機層的支撐基板的無機層，測定表面粗糙度(Ra)及馬氏硬度。測定結(jié)果示于以下表1。

(層疊性)

與實施例1同樣地操作，將帶無機層的支撐基板的無機層的第一主表面和玻璃基板的第一主表面貼合，得到玻璃層疊體B4。

所得玻璃層疊體B4中，帶無機層的支撐基板和玻璃基板以不產(chǎn)生氣泡的方式密合，沒有變形缺陷，平滑性也良好。

(剝離性)

針對玻璃層疊體B4，與實施例1同樣地操作，評價剝離性，結(jié)果在550℃及600℃的任一加熱處理后，全部10個試驗體中均產(chǎn)生裂紋。因此，無法進行剝離強度的測定。

將上述實施例1～3及比較例1～4的結(jié)果歸納示于以下表1。

以下表1中，“層疊性”的欄中，在帶無機層的支撐基板與玻璃基板以不產(chǎn)生氣泡的方式密合、也沒有變形缺陷、平滑性也良好的情況下，記為“○”，在產(chǎn)生氣泡、局部密合性差、還確認到變形缺陷的情況下，記為“×”。實用上，優(yōu)選為“○”。

另外，以下的表1中，“剝離性”的欄中，在全部試驗體中能夠在支撐基板、玻璃基板中不產(chǎn)生裂紋地將玻璃基板剝離的情況下，記為“○”，在幾個試驗體中能夠在支撐基板、玻璃基板中不產(chǎn)生裂紋地將玻璃基板剝離、剩余的試驗體中產(chǎn)生裂紋的情況下，記為“△”，在全部試驗體中產(chǎn)生裂紋、無法將玻璃基板剝離的情況下，記為“×”。實用上，優(yōu)選為“○”。

需要說明的是，以下的表1中，“水分濃度”及“剝離強度”的欄中，沒有測定(無法測定)水分濃度及剝離強度的情況下，記為“-”。

[表1]

如表1所示，對于無機層的馬氏硬度為3000N/mm²以下的實施例1～3，即使在高溫條件下的處理后，也能夠容易地剝離玻璃基板，剝離性良好。

另外，對比實施例1～3時，雖然500℃的處理后的剝離性為同等水平，但對于600℃的處理后的剝離性，與實施例2和3相比，無機層的氧濃度高的實施例1更好。

另一方面，無機層的馬氏硬度不為3000N/mm²以下的比較例1～4在高溫條件下的處理后的剝離性不充分。

〈實施例4〉

本例中，使用實施例1中制造的加熱處理前的玻璃層疊體A1制作OLED。需要說明的是，作為以下的工序中的加熱處理溫度，實施400℃以上的處理。

更具體而言，在玻璃層疊體A1中的玻璃基板的第二主表面上利用濺射法將鉬成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成柵電極。接著，利用等離子體CVD法，在設(shè)置有柵電極的玻璃基板的第二主表面?zhèn)冗M一步按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的順序成膜，接著，利用濺射法將鉬成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成柵極絕緣膜、半導(dǎo)體元件部和源極/漏極。接著，利用等離子體CVD法，在玻璃基板的第二主表面?zhèn)冗M一步將氮化硅成膜，形成鈍化層，然后，利用濺射法將氧化銦錫成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成像素電極。

接著，在玻璃基板的第二主表面?zhèn)冗M一步利用蒸鍍法將如下所述物質(zhì)依次成膜：作為正孔注入層的4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺、作為正孔輸送層的雙[(N-萘基)-N-苯基]聯(lián)苯胺、作為發(fā)光層的在8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq₃)中混合40體積％的2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)所得的混合物、作為電子輸送層的Alq₃。接著，利用濺射法在玻璃基板的第二主表面?zhèn)葘X成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成對電極。接著，在形成了對電極的玻璃基板的第二主表面上通過紫外線固化型的粘接層貼合另一張玻璃基板進行密封。通過上述步驟得到的、在玻璃基板上具有有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃層疊體相當于帶電子器件用構(gòu)件的層疊體。

接著，將帶電子器件用構(gòu)件的層疊體的密封體側(cè)真空吸附于平臺，然后在角部的無機層附近插入厚度0.1mm的不銹鋼制刀具，分離帶無機層的支撐基板，得到OLED面板(相當于電子器件。以下稱為面板A)。在制作的面板A上連接IC驅(qū)動器，在常溫常壓下使其驅(qū)動，結(jié)果在驅(qū)動區(qū)域內(nèi)未確認到顯示不均。

〈實施例5〉

本例中，使用實施例1中制造的、加熱處理前的玻璃層疊體A1制作LCD。需要說明的是，作為以下工序中的加熱處理溫度，實施400℃以上的處理。

準備2張玻璃層疊體A1，首先，在一張玻璃層疊體A1的玻璃基板的第二主表面上利用濺射法將鉬成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成柵電極。接著，利用等離子體CVD法，在設(shè)置有柵電極的玻璃基板的第二主表面?zhèn)冗M一步按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的順序成膜，接著利用濺射法將鉬成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成柵極絕緣膜、半導(dǎo)體元件部和源極/漏極。接著，利用等離子體CVD法，在玻璃基板的第二主表面?zhèn)冗M一步將氮化硅成膜，形成鈍化層，然后，利用濺射法將氧化銦錫成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成像素電極。接著，在形成了像素電極的玻璃基板的第二主表面上利用輥涂法涂布聚酰亞胺樹脂液，通過熱固化形成取向?qū)樱M行摩擦。將所得玻璃層疊體稱為玻璃層疊體X1。

接著，在另一張玻璃層疊體A1的玻璃基板的第二主表面上利用濺射法將鉻成膜，通過使用光刻法的蝕刻形成遮光層。接著，在設(shè)置有遮光層的玻璃基板的第二主表面?zhèn)冗M一步利用模涂法(die coat method)涂布彩色光阻，通過光刻法和熱固化形成濾色器層。接著，在玻璃基板的第二主表面?zhèn)冗M一步利用濺射法將氧化銦錫成膜，形成對電極。接著，在設(shè)置有對電極的玻璃基板的第二主表面上利用模涂法涂布紫外線固化樹脂液，通過光刻法和熱固化形成柱狀間隔物。接著，在形成有柱狀間隔物的玻璃基板的第二主表面上利用輥涂法涂布聚酰亞胺樹脂液，通過熱固化形成取向?qū)?，進行摩擦。接著，在玻璃基板的第二主表面?zhèn)壤梅峙浞▽⒚芊庥脴渲豪L制成框狀，利用分配法在框內(nèi)滴加液晶后，使用上述玻璃層疊體X1將2張玻璃層疊體的玻璃基板的第二主表面?zhèn)缺舜速N合，通過紫外線固化和熱固化得到具有LCD面板的層疊體。以下，將這里的具有LCD面板的層疊體稱為帶面板的層疊體X2。

接著，與實施例4同樣地從帶面板的層疊體X2分離兩面的帶無機層的支撐基板，得到包含形成有TFT陣列的基板和形成有濾色器的基板的LCD面板B(相當于電子器件)。

在制作的LCD面板B上連接IC驅(qū)動器，在常溫常壓下使其驅(qū)動，結(jié)果在驅(qū)動區(qū)域內(nèi)未確認到顯示不均。

本申請基于2015年5月13日申請的日本專利申請2015-098383，將其內(nèi)容作為參照并入本文。