本發(fā)明涉及玻璃層疊體和其制造方法。

背景技術(shù)：

為了提高經(jīng)過薄板化的玻璃基板的操作性，提出了如下方法：準備將玻璃基板和支撐基板介由樹脂層(所謂的有機硅樹脂層)層疊而成的玻璃層疊體，在玻璃基板上形成顯示裝置等電子器件用構(gòu)件，然后將玻璃基板和支撐基板分離(例如參照專利文獻1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2013/058217號

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

近年來，伴隨著形成的電子器件用構(gòu)件的高功能化、復雜化，形成電子器件用構(gòu)件時期望實施在更高溫條件下(例如550℃)的處理。通過高溫加熱處理，附著于或包含于玻璃基板、有機硅樹脂層的氣體被釋放，有時在玻璃基板與有機硅樹脂層之間產(chǎn)生氣泡。在高溫下形成電子器件用構(gòu)件時，如果產(chǎn)生規(guī)定大小以上的氣泡，則造成電子器件用構(gòu)件的位置偏移等不良影響。

根據(jù)本發(fā)明人等的發(fā)現(xiàn)，專利文獻1所述的玻璃層疊體在450℃的熱處理下在玻璃基板與有機硅樹脂層之間不會產(chǎn)生規(guī)定大小以上的氣泡，但在高溫加熱處理(550℃)下，有時在玻璃基板與有機硅樹脂層之間產(chǎn)生規(guī)定大小以上的氣泡。

本發(fā)明是鑒于以上的方面而作出的，目的在于，提供：進行高溫加熱處理時，在玻璃基板與有機硅樹脂層之間氣泡(特別是規(guī)定大小以上的氣泡)的產(chǎn)生被抑制的玻璃層疊體和其制造方法。

用于解決問題的方案

本發(fā)明人等為了達成上述目的而深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：通過采用特定的有機硅樹脂層，即使在高溫加熱處理后在玻璃基板與有機硅樹脂層之間氣泡的產(chǎn)生也被抑制，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明的第1方案為一種玻璃層疊體，其依次具備：支撐基材、有機硅樹脂層和玻璃基板，將玻璃層疊體在氮氣氣氛下以550℃加熱10分鐘時，在有機硅樹脂層與玻璃基板之間不存在氣泡，或存在氣泡的情況下氣泡的直徑小于1mm。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，有機硅樹脂層中的有機硅樹脂包含：(R)SiO_3/2所示的有機硅氧基單元(T單元)和SiO₂所示的有機硅氧基單元(Q單元)。需要說明的是，R表示氫原子或有機基團。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，T單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為91～99摩爾％，Q單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為1～9摩爾％。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，有機硅樹脂還具有(R)₂SiO_2/2所示的有機硅氧基單元(D單元)。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，D單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為1～40摩爾％，T單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為30～98摩爾％，Q單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為1～30摩爾％。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，D單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為1～35摩爾％。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，D單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為1～15摩爾％。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，有機硅樹脂為固化性有機硅的固化物，固化性有機硅的重均分子量為5000～60000。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，有機硅樹脂層的厚度為0.001～100μm。

另外，第1方案中，優(yōu)選的是，玻璃基板的厚度為0.03～0.3mm。

另外，優(yōu)選的是，有機硅樹脂層的玻璃基板側(cè)的表面粗糙度Ra為0.1～20nm。

另外，本發(fā)明的第2方案為一種玻璃層疊體的制造方法，其具有如下工序：在支撐基材上形成包含有機硅樹脂的有機硅樹脂層的工序，所述有機硅樹脂包含(R)SiO_3/2所示的有機硅氧基單元(T單元)和SiO₂所示的有機硅氧基單元(Q單元)，T單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為91～99摩爾％，Q單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為1～9摩爾％；和，在有機硅樹脂層上層疊玻璃基板的工序。

另外，本發(fā)明的第3方案為一種玻璃層疊體的制造方法，其具有如下工序：在支撐基材上形成包含有機硅樹脂的有機硅樹脂層的工序，所述有機硅樹脂包含(R)₂SiO_2/2所示的有機硅氧基單元(D單元)、(R)SiO_3/2所示的有機硅氧基單元(T單元)和SiO₂所示的有機硅氧基單元(Q單元)，D單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為1～40摩爾％，T單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為30～98摩爾％，Q單元的比率相對于全部有機硅氧基單元為1～30摩爾％；和，在有機硅樹脂層上層疊玻璃基板的工序。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，可以提供：在高溫加熱處理中，在玻璃基板與有機硅樹脂層之間氣泡(特別是，規(guī)定大小以上的氣泡)的產(chǎn)生被抑制的玻璃層疊體和其制造方法。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的玻璃層疊體的示意性截面圖。

圖2為以工序順序示出本發(fā)明的帶構(gòu)件的玻璃基板的制造方法的一個實施方式的示意性截面圖。

附圖標記說明

10 玻璃層疊體

12 支撐基材

14 有機硅樹脂層

16 玻璃基板

18 帶樹脂層的支撐基材

22 電子器件用構(gòu)件

24 帶電子器件用構(gòu)件的層疊體

26 帶構(gòu)件的玻璃基板

具體實施方式

以下，參照附圖對用于實施本發(fā)明的方案進行說明，但本發(fā)明不限定于以下的實施方式，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對以下的實施方式加以各種變形和置換。

圖1為本發(fā)明的玻璃層疊體的示意性截面圖。

如圖1所示那樣，玻璃層疊體10為支撐基材12、玻璃基板16和存在于它們之間的有機硅樹脂層14的層疊體。對于有機硅樹脂層14，其一個面與支撐基材12相接觸，且另一個面與玻璃基板16的第1主面16a相接觸。

玻璃層疊體10中，有機硅樹脂層14與玻璃基板16的界面的剝離強度低于有機硅樹脂層14與支撐基材12的界面的剝離強度，有機硅樹脂層14與玻璃基板16剝離，分離為有機硅樹脂層14和支撐基材12的層疊體以及玻璃基板16。換言之，有機硅樹脂層14被固定于支撐基材12上，玻璃基板16在有機硅樹脂層14上以能夠剝離的方式層疊。

由支撐基材12和有機硅樹脂層14構(gòu)成的2層部分在制造液晶面板等電子器件用構(gòu)件的構(gòu)件形成工序中用于加強玻璃基板16。需要說明的是，將為了制造玻璃層疊體10而預先制造的由支撐基材12和有機硅樹脂層14構(gòu)成的2層部分稱為帶樹脂層的支撐基材18。

使用該玻璃層疊體10直至后述的構(gòu)件形成工序。即，使用該玻璃層疊體10直至在該玻璃基板16的第2主面16b表面上形成液晶顯示裝置等電子器件用構(gòu)件。之后，形成有電子器件用構(gòu)件的玻璃層疊體分離為帶樹脂層的支撐基材18和帶構(gòu)件的玻璃基板26，帶樹脂層的支撐基材18不會成為構(gòu)成電子器件的部分。帶樹脂層的支撐基材18與新的玻璃基板16層疊，可以作為新的玻璃層疊體10而再利用。

支撐基材12與有機硅樹脂層14的界面具有剝離強度(x)，對支撐基材12與有機硅樹脂層14的界面施加超過剝離強度(x)的剝離方向的應(yīng)力時，在支撐基材12與有機硅樹脂層14的界面發(fā)生剝離。有機硅樹脂層14與玻璃基板16的界面具有剝離強度(y)，對有機硅樹脂層14與玻璃基板16的界面施加超過剝離強度(y)的剝離方向的應(yīng)力時，在有機硅樹脂層14與玻璃基板16的界面發(fā)生剝離。

玻璃層疊體10中，上述剝離強度(x)高于上述剝離強度(y)。因此，對玻璃層疊體10施加剝離支撐基材12和玻璃基板16的方向的應(yīng)力時，玻璃層疊體10在有機硅樹脂層14與玻璃基板16的界面發(fā)生剝離，分離為玻璃基板16和帶樹脂層的支撐基材18。

優(yōu)選剝離強度(x)與剝離強度(y)相比足夠高。提高剝離強度(x)是指，提高有機硅樹脂層14對支撐基材12的附著力，并且在加熱處理后能夠維持與玻璃基板16相比相對高的附著力。

為了提高有機硅樹脂層14對支撐基材12的附著力，優(yōu)選使后述的固化性有機硅在支撐基材12上交聯(lián)固化而形成有機硅樹脂層?？梢酝ㄟ^交聯(lián)固化時的粘接力形成以高的結(jié)合力與支撐基材12結(jié)合的有機硅樹脂層14。

另一方面，交聯(lián)固化后的有機硅樹脂對玻璃基板16的結(jié)合力低于上述交聯(lián)固化時產(chǎn)生的結(jié)合力是通常例子。因此，在支撐基材12上形成有機硅樹脂層14，之后在有機硅樹脂層14的表面層疊玻璃基板16，從而可以制造玻璃層疊體10。

本發(fā)明的玻璃層疊體10在規(guī)定的加熱處理后在有機硅樹脂層14與玻璃基板16之間規(guī)定大小以上的氣泡的產(chǎn)生被抑制。更具體而言，將玻璃層疊體10在氮氣氣氛下以550℃加熱10分鐘后，在有機硅樹脂層14與玻璃基板16之間不存在氣泡(未觀察到氣泡)，或存在氣泡(觀察到氣泡)的情況下，該氣泡的直徑小于1mm。其中，從更難以產(chǎn)生電子器件用構(gòu)件的位置偏移等的方面出發(fā)，優(yōu)選不存在氣泡，或存在氣泡的情況下該氣泡的直徑為0.5mm以下。

加熱處理的方法和加熱處理后的氣泡的觀察方法如以下所述。

首先，作為使用的玻璃層疊體10，使用以后述的方法制造的玻璃層疊體，具體而言，自支撐基材12、有機硅樹脂層14和玻璃基板16層疊而成的玻璃層疊體10切出50mm見方(長50mm×寬50mm)的測定用玻璃層疊體。切出的方法沒有特別限制，通常，自玻璃層疊體10的玻璃基板16側(cè)起握住蝕刻刀，切出規(guī)定大小的玻璃層疊體10。接著，將測定用玻璃層疊體載置于加熱至550℃的熱風爐內(nèi)，放置10分鐘。之后，將測定用玻璃層疊體從熱風爐取出，以目視觀察有機硅樹脂層14與玻璃基板16之間的氣泡的有無。需要說明的是，觀察對象為測定用玻璃層疊體的整個面(長50mm×寬50mm)。觀察不到氣泡的情況下，判斷為無氣泡，測定對象的玻璃層疊體滿足本發(fā)明的特征。另外，觀察到氣泡的情況下，測定氣泡的直徑。觀察到氣泡的情況下，如果觀察到的氣泡的直徑分別小于1mm，則測定對象的玻璃層疊體滿足本發(fā)明的特征。

需要說明的是，作為目視下的觀察極限，通常為直徑0.1mm左右。

另外，氣泡不是正圓狀的情況下，將圓當量直徑設(shè)為上述直徑。圓當量直徑是指，具有與觀察到的氣泡的面積相等的面積的圓的直徑。

作為本發(fā)明的玻璃層疊體10的優(yōu)選方案，優(yōu)選的是，在上述加熱處理前，在有機硅樹脂層14與玻璃基板16之間不存在氣泡，或存在氣泡的情況下氣泡的直徑小于1mm。

氣泡的測定方法與上述同樣。

需要說明的是，作為得到具有上述那樣的特性的玻璃層疊體的方法，例如如后段所詳述那樣，可以舉出使用規(guī)定的有機硅樹脂層的方法，其方法沒有限定。

以下，首先，對構(gòu)成玻璃層疊體10的各層(支撐基材12、玻璃基板16、有機硅樹脂層14)進行詳述，之后對玻璃層疊體的制造方法進行詳述。

[支撐基材]

支撐基材12支撐玻璃基板16，在后述的構(gòu)件形成工序(制造電子器件用構(gòu)件的工序)中電子器件用構(gòu)件制造時防止玻璃基板16的變形、劃痕、破損等。

作為支撐基材12，例如可以使用玻璃板、塑料板、SUS板等金屬板等。通常，構(gòu)件形成工序伴有熱處理，因此，支撐基材12優(yōu)選由與玻璃基板16的線膨脹系數(shù)之差小的材料形成，更優(yōu)選由與玻璃基板16相同的材料形成。即，支撐基材12優(yōu)選為玻璃板。支撐基材12特別優(yōu)選為由與玻璃基板16相同的玻璃材料形成的玻璃板。

需要說明的是，如后述那樣，支撐基材12可以為由2種以上的層構(gòu)成的層疊體。

采用玻璃作為支撐基材12的材質(zhì)時，例如可以使用含有堿金屬氧化物的玻璃(鈉鈣玻璃)、無堿玻璃等各種組成的玻璃。其中，從熱收縮率小的方面出發(fā)，優(yōu)選為無堿玻璃。

支撐基材12的厚度可以比玻璃基板16厚也可以比玻璃基板16薄。優(yōu)選的是，基于玻璃基板16的厚度、有機硅樹脂層14的厚度和玻璃層疊體10的厚度來選擇支撐基材12的厚度。例如，現(xiàn)有的構(gòu)件形成工序是為了對厚度0.5mm的基板進行處理而設(shè)計的，玻璃基板16的厚度與有機硅樹脂層14的厚度之和為0.1mm的情況下，將支撐基材12的厚度設(shè)為0.4mm。支撐基材12的厚度在通常的情況下優(yōu)選為0.2～5.0mm。

支撐基材12為玻璃板的情況下，出于容易操作、不易破裂等理由，玻璃板的厚度優(yōu)選為0.08mm以上。另外，出于期望在電子器件用構(gòu)件形成后進行剝離時適度地撓曲而不破裂那樣的剛性的理由，玻璃板的厚度優(yōu)選為1.0mm以下。

支撐基材12與玻璃基板16的線膨脹系數(shù)之差優(yōu)選為150×10^-7/℃以下，更優(yōu)選為100×10^-7/℃以下，進一步優(yōu)選為50×10^-7/℃以下。線膨脹系數(shù)之差過大時，構(gòu)件形成工序中的加熱冷卻時，有玻璃層疊體10劇烈翹曲、或支撐基材12與玻璃基板16剝離的可能性。支撐基材12的材料與玻璃基板16的材料相同的情況下，可以抑制產(chǎn)生這樣的問題。

[玻璃基板]

對于玻璃基板16，第1主面16a與有機硅樹脂層14相接觸，在與有機硅樹脂層14側(cè)處于相反側(cè)的第2主面16b上設(shè)有電子器件用構(gòu)件。

玻璃基板16的種類可以為一般的種類，例如可以舉出：LCD、OLED之類的顯示裝置用的玻璃基板等。玻璃基板16的耐化學藥品性、耐透濕性優(yōu)異，且熱收縮率低。作為熱收縮率的指標，可以使用JIS R 3102(1995年修訂)中規(guī)定的線膨脹系數(shù)。

玻璃基板16的線膨脹系數(shù)優(yōu)選為150×10^-7/℃以下，更優(yōu)選為100×10^-7/℃以下，進一步優(yōu)選為50×10^-7/℃以下。

如果玻璃基板16的線膨脹系數(shù)為上述范圍內(nèi)，則在玻璃基板16上形成TFT的情況下，將在加熱下形成TFT的玻璃基板16冷卻時，可以抑制由玻璃基板16的熱收縮而導致的TFT位置偏移的產(chǎn)生。

玻璃基板16是將玻璃原料熔融、將熔融玻璃成形為板狀而得到的。這樣的成形方法可以為一般的方法，例如可以使用：浮法、熔融法、狹縫下拉法、垂直引上法、拉伯斯(Lubbers)法等。另外，特別是厚度薄的玻璃基板16可以如下得到：將暫時成形為板狀的玻璃加熱至能夠成形的溫度，通過利用拉伸等手段進行拉伸使其變薄的方法(平拉法)進行成形從而得到。

玻璃基板16的玻璃的種類沒有特別限定，優(yōu)選無堿硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、高硅氧玻璃、其他以氧化硅作為主要成分的氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，優(yōu)選基于氧化物換算的氧化硅的含量為40～90質(zhì)量％的玻璃。

作為玻璃基板16的玻璃，可以采用適于電子器件用構(gòu)件的種類、其制造工序的玻璃。例如，對于液晶面板用的玻璃基板，由于堿金屬成分的溶出容易對液晶造成影響，因此，由實質(zhì)上不含堿金屬成分的玻璃(無堿玻璃)形成(其中，通常包含堿土金屬成分)。如此，玻璃基板16的玻璃可以基于應(yīng)用的器件的種類和其制造工序而適當選擇。

從玻璃基板16的薄型化和/或輕量化的觀點出發(fā)，玻璃基板16的厚度優(yōu)選為0.3mm以下，更優(yōu)選為0.15mm以下。0.3mm以下的情況下，可以對玻璃基板16賦予良好的撓性。0.15mm以下的情況下，可以將玻璃基板16卷繞為卷狀。

另外，出于容易制造玻璃基板16、玻璃基板16的處理容易等理由，玻璃基板16的厚度優(yōu)選為0.03mm以上。

需要說明的是，玻璃基板16可以由2層以上形成，上述情況下，形成各層的材料可以為同種材料也可以為不同種材料。另外，上述情況下，“玻璃基板16的厚度”是指全部層的總厚度。

[有機硅樹脂層]

有機硅樹脂層14用于：防止玻璃基板16的位置偏移直至進行分離玻璃基板16和支撐基材12的操作為止，并且防止玻璃基板16等由于分離操作而破損。有機硅樹脂層14與玻璃基板16相接觸的表面14a與玻璃基板16的第1主面16a密合。有機硅樹脂層14與玻璃基板16的第1主面16a以弱的結(jié)合力結(jié)合，該界面的剝離強度(y)低于有機硅樹脂層14與支撐基材12之間的界面的剝離強度(x)。

認為有機硅樹脂層14與玻璃基板16以弱的粘接力、起因于范德華力的結(jié)合力結(jié)合。

另外，有機硅樹脂層14以粘接力、粘合力等強的結(jié)合力與支撐基材12表面結(jié)合，作為提高兩者的密合性的方法，可以采用公知的方法。有機硅樹脂層14由包含規(guī)定的有機硅氧基單元的有機硅樹脂形成。例如，如后述那樣，在支撐基材12表面上形成有機硅樹脂層14(更具體而言，使能夠形成規(guī)定的有機硅樹脂的固化性有機硅(有機聚硅氧烷)在支撐基材12上進行交聯(lián)固化)，從而可以使有機硅樹脂層14中的有機硅樹脂與支撐基材12表面粘接，得到高的結(jié)合力。另外，實施使支撐基材12表面與有機硅樹脂層14之間產(chǎn)生強的結(jié)合力的處理(例如，使用偶聯(lián)劑的處理)，可以提高支撐基材12表面與有機硅樹脂層14之間的結(jié)合力。

有機硅樹脂層14的厚度沒有特別限定，上限優(yōu)選為100μm(即，100μm以下)，更優(yōu)選為50μm，進一步優(yōu)選為10μm。有機硅樹脂層14的厚度的下限只要為能夠剝離的厚度就沒有特別限定，0.001μm以上的情況多。有機硅樹脂層14的厚度為這樣的范圍時，有機硅樹脂層14中不易產(chǎn)生裂紋，在有機硅樹脂層14與玻璃基板16之間即使存在氣泡、異物，也可以抑制玻璃基板16的變形缺陷的產(chǎn)生。

上述厚度是指平均厚度，是用接觸式膜厚測定裝置測定5點以上任意位置處的有機硅樹脂層14的厚度，將它們進行算術(shù)平均而得到的。

有機硅樹脂層14的玻璃基板16側(cè)的表面的表面粗糙度Ra沒有特別限制，從玻璃基板16的層疊性和剝離性更優(yōu)異的方面出發(fā)，優(yōu)選為0.1～20nm，更優(yōu)選為0.1～10nm。

需要說明的是，表面粗糙度Ra的測定依據(jù)JIS B 0601-2001進行，將在任意5處以上的點測定的Ra進行算術(shù)平均而得到的值相當于上述表面粗糙度Ra。

需要說明的是，有機硅樹脂層14可以由2層以上形成。上述情況下，“有機硅樹脂層14的厚度”是指全部有機硅樹脂層的總厚度。

(有機硅樹脂)

有機硅樹脂層14由如上述那樣玻璃層疊體顯示出規(guī)定性質(zhì)的、包含規(guī)定的有機硅氧基單元的有機硅樹脂形成。另外，有機硅樹脂通常將能夠成為該有機硅樹脂的固化性有機硅通過固化處理進行交聯(lián)固化而得到。即，有機硅樹脂通常相當于固化性有機硅的固化物。

需要說明的是，本發(fā)明中的固化性有機硅優(yōu)選為作為單體的水解性有機硅烷化合物的混合物(單體混合物)，或者為使單體混合物進行部分水解縮合反應(yīng)而得到的部分水解縮合物(有機聚硅氧烷)。另外，也可以為部分水解縮合物和單體的混合物。作為本發(fā)明中的固化性有機硅，優(yōu)選為單體混合物的部分水解縮合物。

為了使固化性有機硅進行交聯(lián)固化，通常通過加熱推進交聯(lián)反應(yīng)而使其固化(即，使其熱固化)。然后，通過使固化性有機硅進行熱固化，從而可以得到有機硅樹脂。其中，固化中也有不一定需要加熱的情況，也可以使其進行室溫固化。

有機硅氧基單元中包括：被稱為M單元的1官能有機硅氧基單元、被稱為D單元的2官能有機硅氧基單元、被稱為T單元的3官能有機硅氧基單元和被稱為Q單元的4官能有機硅氧基單元。需要說明的是，Q單元為不具有與硅原子鍵合的有機基團(具有與硅原子鍵合的碳原子的有機基團)的單元，本發(fā)明中，視為有機硅氧基單元(含硅鍵單元)。需要說明的是，將形成M單元、D單元、T單元、Q單元的單體分別也稱為M單體、D單體、T單體、Q單體。

需要說明的是，全部有機硅氧基單元是指M單元、D單元、T單元和Q單元的合計。M單元、D單元、T單元和Q單元的數(shù)量(摩爾量)的比率可以由基于²⁹Si-NMR的峰面積比的值計算。

有機硅氧基單元中，硅氧烷鍵為2個硅原子介由1個氧原子鍵合而成的鍵，由此，硅氧烷鍵中的每1個硅原子中的氧原子視為1/2個，式中表示為O_1/2。更具體而言，例如，1個D單元中，該1個硅原子與2個氧原子鍵合，各個氧原子與其他單元的硅原子鍵合，由此該式變?yōu)?O_1/2-(R)₂Si-O_1/2-(R表示氫原子或有機基團)。由于存在2個O_1/2，因此，通常D單元表示為(R)₂SiO_2/2(換言之，(R)₂SiO)。

需要說明的是，以下的說明中，其他與硅原子鍵合的氧原子O^＊為將2個硅原子間鍵合的氧原子，是指Si-O-Si所示的鍵中的氧原子。因此，在2個有機硅氧基單元的硅原子間存在1個O^＊。

M單元是指，(R)₃SiO_1/2所示的有機硅氧基單元。此處，R表示氫原子或有機基團。(R)之后所記載的數(shù)字(此處為3)是指，氫原子或有機基團3個連接。即，M單元具有1個硅原子、3個氫原子或有機基團、和1個氧原子O^＊。更具體而言，M單元具有與1個硅原子鍵合的3個氫原子或有機基團、和與1個硅原子鍵合的氧原子O^＊。

D單元是指，(R)₂SiO_2/2(R表示氫原子或有機基團)所示的有機硅氧基單元。即，D單元為如下單元：具有1個硅原子，且具有與該硅原子鍵合的2個氫原子或有機基團、和2個與其他硅原子鍵合的氧原子O^＊。

T單元是指，(R)SiO_3/2(R表示氫原子或有機基團)所示的有機硅氧基單元。即，T單元為如下單元：具有1個硅原子，且具有與該硅原子鍵合的1個氫原子或有機基團、和3個與其他硅原子鍵合的氧原子O^＊。

Q單元是指，SiO₂所示的有機硅氧基單元。即、Q單元為如下單元：具有1個硅原子，且具有4個與其他硅原子鍵合的氧原子O^＊。

需要說明的是，各有機硅氧基單元之間和單元內(nèi)的多個R可以分別相同也可以不同。

需要說明的是，作為有機基團，例如可以舉出：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、環(huán)己基、庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；芐基、苯乙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等鹵代烷基等鹵素取代的一價烴基。需要說明的是，作為有機基團，可以優(yōu)選舉出：碳數(shù)1～12(優(yōu)選碳數(shù)1～10左右)的、無取代或鹵素取代的一價烴基。

對于構(gòu)成有機硅樹脂層14的有機硅樹脂，只要玻璃層疊體顯示出規(guī)定的特性就對其結(jié)構(gòu)沒有特別限定，優(yōu)選至少包含：(R)SiO_3/2所示的有機硅氧基單元(T單元)和SiO₂所示的有機硅氧基單元(Q單元)。

作為有機硅樹脂的第1優(yōu)選方案，可以舉出如下方案：包含T單元和Q單元，且T單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元為91～99摩爾％，Q單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元為1～9摩爾％。

本優(yōu)選方案中，T單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元優(yōu)選為92～98摩爾％，更優(yōu)選為93～97摩爾％。

本優(yōu)選方案中，Q單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元優(yōu)選為2～8摩爾％，更優(yōu)選為3～7摩爾％。

T單元和Q單元為上述范圍內(nèi)時，有機硅樹脂取得高密度的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，在高溫加熱處理中，可以抑制在玻璃基板與有機硅樹脂層之間氣泡的產(chǎn)生或擴大。

需要說明的是，T單元與Q單元的數(shù)量(摩爾量)的比率可以由基于²⁹Si-NMR的峰面積比的值計算。

作為有機硅樹脂的第2優(yōu)選方案，可以舉出如下方案：包含D單元、T單元和Q單元，且D單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元為1～40摩爾％(優(yōu)選為1～35摩爾％、更優(yōu)選為1～15摩爾％)，T單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元為30～98摩爾％，Q單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元為1～30摩爾％。

本優(yōu)選方案中，D單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元優(yōu)選為5～40摩爾％，更優(yōu)選為5～35摩爾％，進一步優(yōu)選為5～15摩爾％。

本優(yōu)選方案中，T單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元優(yōu)選為40～90摩爾％，更優(yōu)選為60～90摩爾％，進一步優(yōu)選為75～90摩爾％。

本優(yōu)選方案中，Q單元的比率相對于有機硅樹脂的全部有機硅氧基單元優(yōu)選為5～20摩爾％，更優(yōu)選為5～15摩爾％。

D單元、T單元和Q單元為上述范圍內(nèi)時，有機硅樹脂取得高密度的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，在高溫加熱處理中，可以抑制在玻璃基板與有機硅樹脂層之間氣泡的產(chǎn)生或擴大。

D單元、T單元、Q單元的數(shù)量(摩爾量)的比率可以由基于²⁹Si-NMR的峰面積比的值計算。

D單元((R)₂SiO_2/2)和T單元((R)SiO_3/2)中的R的限定如上述那樣為氫原子或有機基團，從本發(fā)明的效果更優(yōu)異的方面出發(fā)，作為R，優(yōu)選為1價烴基，更優(yōu)選為烷基(優(yōu)選為甲基)或芳基(優(yōu)選為苯基)。

需要說明的是，D單元((R)₂SiO_2/2)和T單元((R)SiO_3/2)中可以包含烷基(優(yōu)選為甲基)或芳基(優(yōu)選為苯基)中的任意一者或兩者。

上述有機硅樹脂可以使用公知的材料來制造。

例如，作為通過固化處理能夠變?yōu)樯鲜鲇袡C硅樹脂的固化性有機硅，可以使用：作為單體的水解性有機硅烷化合物的混合物(單體混合物)、和/或使單體混合物進行部分水解縮合反應(yīng)而得到的部分水解縮合物(有機聚硅氧烷)。

使用的單體的種類只要能夠得到具有上述規(guī)定的有機硅氧基單元的有機硅樹脂就沒有特別限制。

需要說明的是，單體(水解性有機硅烷化合物)通常如(R’-)_aSi(-Z)_4-a所示。其中，a表示0～3的整數(shù)，R’表示氫原子或有機基團，Z表示羥基或水解性基團。該化學式中，a＝3的化合物為M單體，a＝2的化合物為D單體，a＝1的化合物為T單體，a＝0的化合物為Q單體。單體中，通常、Z基為水解性基團。另外，R’存在2個或3個時(a為2或3時)，多個R’也可以不同。

作為部分水解縮合物的固化性有機硅可以通過將單體的Z基的一部分轉(zhuǎn)化為氧原子O^＊的反應(yīng)而得到。單體的Z基為水解性基團的情況下，Z基通過水解反應(yīng)轉(zhuǎn)化為羥基，接著通過與各個硅原子鍵合的2個羥基之間的脫水縮合反應(yīng)，2個硅原子介由氧原子O^＊而鍵合。固化性有機硅中殘留有羥基(或未水解的Z基)，在固化性有機硅的固化時，這些羥基、Z基與上述同樣地反應(yīng)而固化。固化性有機硅的固化物通常變?yōu)橐匀S的方式交聯(lián)而成的聚合物(有機硅樹脂)。

單體的Z基為水解性基團的情況下，作為該Z基，可以舉出：烷氧基、氯原子、酰氧基、異氰酸酯基等。大多數(shù)情況下，作為單體，使用Z基為烷氧基的單體。這樣的單體也被稱為烷氧基硅烷。

烷氧基與氯原子等相比，為反應(yīng)性較低的水解性基團，使用Z基為烷氧基的單體(烷氧基硅烷)而得到的固化性有機硅中，大多存在作為Z基的羥基以及未反應(yīng)的烷氧基。

作為能夠變?yōu)樯鲜鲇袡C硅樹脂的固化性有機硅，從反應(yīng)控制、處理等方面出發(fā)，優(yōu)選由水解性有機硅烷化合物的混合物得到的部分水解縮合物(有機聚硅氧烷)。部分水解縮合物可以如下得到：將水解性有機硅烷化合物以成為上述各有機硅氧基單元的比率的方式進行混合，使所得的單體混合物部分地進行水解縮合從而得到。部分地進行水解縮合的方法沒有特別限定。通常，使水解性有機硅烷化合物的混合物在溶劑中、在催化劑存在下反應(yīng)而制造。作為催化劑，可以使用酸催化劑、堿催化劑。另外，水解反應(yīng)通常優(yōu)選使用水。本發(fā)明中使用的部分水解縮合物優(yōu)選為在溶劑中、使水解性有機硅烷化合物的混合物在酸或堿水溶液的存在下反應(yīng)而制造的物質(zhì)。

作為使用的水解性有機硅烷化合物的優(yōu)選方案，可以舉出：烷氧基硅烷。即，作為固化性有機硅的優(yōu)選方案之一，可以舉出：通過烷氧基硅烷的水解反應(yīng)和縮合反應(yīng)而得到的固化性有機硅。

烷氧基硅烷是指，水解性基團為烷氧基的水解性有機硅烷化合物。使用烷氧基硅烷時，部分水解縮合物的聚合度容易變大，本發(fā)明的效果更優(yōu)異。

上述固化性有機硅的重均分子量(Mw)沒有特別限制，從本發(fā)明的效果更優(yōu)異的方面出發(fā)，優(yōu)選為5000～60000，更優(yōu)選為5000～30000。Mw為5000以上時，從涂布性的觀點出發(fā)是優(yōu)異的，Mw為60000以下時，從溶劑中的溶解性、涂布性的觀點出發(fā)是優(yōu)異的。

上述有機硅樹脂層14的制造方法沒有特別限制，可以采用公知的方法。作為有機硅樹脂層14的制造方法，如后述那樣，優(yōu)選的是，在支撐基材12上涂布變?yōu)樯鲜鲇袡C硅樹脂的固化性有機硅，使該固化性有機硅交聯(lián)固化而形成有機硅樹脂層14。為了在支撐基材12上形成固化性有機硅的層，優(yōu)選的是，使用包含固化性有機硅的固化性組合物，將該固化性組合物涂布于支撐基材12上，根據(jù)需要去除溶劑而形成固化性有機硅的層。

固化性組合物中可以包含溶劑，上述情況下，通過調(diào)整溶劑濃度等可以控制固化性有機硅的層厚度。其中，從操作性優(yōu)異、有機硅樹脂層14的膜厚的控制更容易的方面出發(fā)，包含固化性有機硅的固化性組合物中的固化性有機硅的含量相對于組合物總質(zhì)量優(yōu)選為1～100質(zhì)量％，更優(yōu)選為1～50質(zhì)量％。

作為溶劑，只要為在作業(yè)環(huán)境下能夠容易溶解固化性有機硅、且能夠容易揮發(fā)去除的溶劑就沒有特別限定。具體而言，例如可以舉出：乙酸丁酯、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯等。

另外，為了促進固化性有機硅的固化性，可以根據(jù)需要在固化性組合物中包含固化催化劑。

固化催化劑為促進固化性有機硅的水解反應(yīng)和/或縮合反應(yīng)的催化劑。作為固化催化劑，期望為有機金屬系固化催化劑，例如可以舉出：二乙酸二乙?；a、二月桂酸二丁基錫、二乙酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫、二辛酸二乙?；a、辛酸錫等有機錫化合物；三甲醇鋁、三(乙酰丙酮)鋁、三正丁醇鋁、三(乙酰乙酸酯乙基)鋁、二異丙氧基(乙酰乙酸酯乙基)鋁、乙酰丙酮鋁等有機鋁化合物；四(單甲基乙醇)鈦、四(單乙基乙醇)鈦、四(單丁基乙醇)鈦等有機鈦化合物；四(單甲基乙醇)鋯、四(單乙基乙醇)鋯、四(單丁基乙醇)鋯、正丙醇鋯等有機鋯化合物等，它們可以單獨使用或組合使用2種以上。

固化催化劑的用量沒有特別限制，從本發(fā)明的效果更優(yōu)異的方面出發(fā)，相對于固化性有機硅100質(zhì)量份，優(yōu)選為0.01～20質(zhì)量份，更優(yōu)選為0.05～10質(zhì)量份。

另外，固化性組合物中可以包含各種添加劑。例如，可以包含流平劑。作為流平劑，可以舉出：Mega Fuck F558、Mega Fuck F560、Mega Fuck F561(均為DIC株式會社制造)等氟系的流平劑。其中，優(yōu)選0.1％PGME溶液的表面張力(mN/m)為19(mN/m)至27(mN/m)的流平劑，更優(yōu)選上述表面張力的范圍為20(mN/m)至25(mN/m)，進一步優(yōu)選為22(mN/m)至24(mN/m)。

需要說明的是，關(guān)于使用固化性有機硅形成有機硅樹脂層的步驟，后段中詳述。

[玻璃層疊體和其制造方法]

本發(fā)明的玻璃層疊體10如上述那樣為具備支撐基材12、玻璃基板16和存在于它們之間的有機硅樹脂層14的層疊體。

本發(fā)明的玻璃層疊體10的制造方法沒有特別限制，為了得到剝離強度(x)高于剝離強度(y)的層疊體，優(yōu)選在支撐基材12表面上形成有機硅樹脂層14的方法。其中，優(yōu)選如下方法：將固化性有機硅涂布于支撐基材12的表面，實施固化處理，在支撐基材12表面上形成有機硅樹脂層14，接著，在有機硅樹脂層14的有機硅樹脂面層疊玻璃基板16，從而制造玻璃層疊體10。

認為，使固化性有機硅在支撐基材12表面固化時，通過固化反應(yīng)時的與支撐基材12表面的相互作用進行粘接，有機硅樹脂與支撐基材12表面的剝離強度變高。因此，即使玻璃基板16和支撐基材12由相同材質(zhì)形成，也可以對有機硅樹脂層14與兩者間的剝離強度設(shè)置差異。

以下，將在支撐基材12的表面形成固化性有機硅的層、在支撐基材12表面上形成有機硅樹脂層14的工序稱為樹脂層形成工序，將在有機硅樹脂層14的有機硅樹脂面上層疊玻璃基板16而形成玻璃層疊體10的工序稱為層疊工序，對各工序的步驟進行詳述。

(樹脂層形成工序)

樹脂層形成工序中，在支撐基材12的表面形成固化性有機硅的層，在支撐基材12表面上形成有機硅樹脂層14。

為了在支撐基材12上形成固化性有機硅的層，優(yōu)選的是，使用溶劑中溶解有固化性有機硅的涂布用組合物(相當于固化性組合物)，將該組合物涂布于支撐基材12上形成溶液的層，接著實施固化處理而制成有機硅樹脂層14。

在支撐基材12表面上涂布固化性組合物的方法沒有特別限定，可以使用公知的方法。例如可以舉出：噴涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、輥涂法、棒涂法、絲網(wǎng)印刷法、凹版涂布法等。

接著，使支撐基材12上的固化性有機硅固化，形成有機硅樹脂層14。更具體而言，如圖2的(A)所示那樣，該工序中，在支撐基材12的至少單面的表面上形成有機硅樹脂層14。

固化的方法沒有特別限制，通常通過熱固化處理來進行。

進行熱固化的溫度條件優(yōu)選為150～550℃，更優(yōu)選為200～450℃。另外，加熱時間通常優(yōu)選為10～300分鐘，更優(yōu)選為20～120分鐘。需要說明的是，加熱條件可以改變溫度條件而階段性地實施。

需要說明的是，熱固化處理中，優(yōu)選進行預固化(pre-cure)后進行固化(完全固化)使其固化。通過進行預固化，可以得到耐熱性優(yōu)異的有機硅樹脂層14。預固化優(yōu)選緊接著溶劑的去除進行，上述情況下，從層去除溶劑形成交聯(lián)物的層的工序與進行預固化的工序不特別區(qū)分。溶劑的去除優(yōu)選加熱至100℃以上進行，通過加熱至150℃以上，可以緊接著進行預固化。進行溶劑的去除和預固化的溫度和加熱時間優(yōu)選在100～420℃下5～60分鐘，更優(yōu)選在150～300℃下10～30分鐘。為420℃以下時，可以得到容易剝離的有機硅樹脂層。

(層疊工序)

層疊工序為如下工序：在上述樹脂層形成工序中得到的有機硅樹脂層14的有機硅樹脂面上層疊玻璃基板16，得到依次具備支撐基材12的層、有機硅樹脂層14和玻璃基板16的層的玻璃層疊體10。更具體而言，如圖2的(B)所示那樣，將有機硅樹脂層14的與支撐基材12側(cè)處于相反側(cè)的表面14a和具有第1主面16a和第2主面16b的玻璃基板16的第1主面16a作為層疊面，將有機硅樹脂層14和玻璃基板16層疊，得到玻璃層疊體10。

將玻璃基板16層疊在有機硅樹脂層14上的方法沒有特別限制，可以采用公知的方法。

例如可以舉出在常壓環(huán)境下在有機硅樹脂層14的表面上重疊玻璃基板16的方法。需要說明的是，也可以根據(jù)需要，在有機硅樹脂層14的表面上重疊玻璃基板16，然后使用輥、加壓機使玻璃基板16壓接在有機硅樹脂層14上。通過利用輥或加壓機的壓接，可以較容易去除在有機硅樹脂層14與玻璃基板16之間混入的氣泡，故優(yōu)選。

通過真空層壓法、真空加壓法進行壓接時，能抑制氣泡的混入、確保良好的密合，故更優(yōu)選。還具有如下優(yōu)點：通過在真空下進行壓接，即使殘留微小氣泡的情況下，也不會由于加熱引起氣泡生長，不易導致玻璃基板16的變形缺陷。

層疊玻璃基板16時，優(yōu)選對與有機硅樹脂層14接觸的玻璃基板16的表面進行充分清洗，在清潔度高的環(huán)境下進行層疊。清潔度越高玻璃基板16的平坦性變得越良好，故優(yōu)選。

需要說明的是，將玻璃基板16層疊后，也可以根據(jù)需要進行預退火處理(加熱處理)。通過進行該預退火處理，層疊后的玻璃基板16對有機硅樹脂層14的密合性提高，可以形成適合的剝離強度(y)，后述的構(gòu)件形成工序時，不易產(chǎn)生電子器件用構(gòu)件的位置偏移等，電子器件的生產(chǎn)率提高。

作為預退火處理的條件，可以根據(jù)使用的有機硅樹脂層14的種類而適當選擇最適條件，從使玻璃基板16與有機硅樹脂層14之間的剝離強度(y)更適合的方面出發(fā)，優(yōu)選在300℃以上(優(yōu)選300～400℃)進行5分鐘以上(優(yōu)選5～30分鐘)加熱處理。

需要說明的是，對玻璃基板16的第1主面的剝離強度和對支撐基材12的第1主面的剝離強度設(shè)有差異的有機硅樹脂層14的形成不限定于上述方法。

例如，使用對有機硅樹脂層14表面的密合性高于玻璃基板16的材質(zhì)的支撐基材12時，可以將上述固化性有機硅在任意剝離性表面上固化，制造有機硅樹脂的薄膜，使該薄膜存在于玻璃基板16與支撐基材12之間，同時進行層疊。

另外，基于固化性有機硅的固化的粘接性對玻璃基板16充分低且該粘接性對支撐基材12充分高時，在玻璃基板16與支撐基材12之間使交聯(lián)物固化，可以形成有機硅樹脂層14。

進而，支撐基材12由與玻璃基板16同樣的玻璃材料形成的情況下，也可以實施提高支撐基材12表面的粘接性的處理來提高對有機硅樹脂層14的剝離強度。例如可以舉出：硅烷偶聯(lián)劑那樣的以化學方式提高固定力的化學方法(底漆處理)；如火焰(flame)處理那樣增加表面活性基團的物理方法；如噴砂處理那樣通過增加表面的粗糙度從而增加附著的機械處理方法等。

(玻璃層疊體)

本發(fā)明的玻璃層疊體10可以用于各種用途，例如可以舉出：制造后述的顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路的半導體晶片等電子部件的用途等。需要說明的是，該用途中，玻璃層疊體10大多被暴露于高溫條件(例如550℃以上)(例如1小時以上)。

此處，顯示裝置用面板包括：LCD、OLED、電子紙、等離子體顯示器面板、場發(fā)射面板、量子點LED面板、MEMS(微電子機械系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems))快門面板等。

[帶構(gòu)件的玻璃基板和其制造方法]

本發(fā)明中，使用上述玻璃層疊體，可以制造電子器件。

以下，對使用上述玻璃層疊體10的方案進行詳述。

通過使用玻璃層疊體10，可以制造包含玻璃基板和電子器件用構(gòu)件的帶構(gòu)件的玻璃基板(帶電子器件用構(gòu)件的玻璃基板)。

該帶構(gòu)件的玻璃基板的制造方法沒有特別限定，從電子器件的生產(chǎn)率優(yōu)異的方面出發(fā)，優(yōu)選如下方法：在上述玻璃層疊體中的玻璃基板上形成電子器件用構(gòu)件，制造帶電子器件用構(gòu)件的層疊體，以有機硅樹脂層的玻璃基板側(cè)界面或有機硅樹脂層內(nèi)部作為剝離面，從所得帶電子器件用構(gòu)件的層疊體分離為帶構(gòu)件的玻璃基板和帶樹脂層的支撐基材。需要說明的是，更優(yōu)選的是，根據(jù)需要，對帶構(gòu)件的玻璃基板的剝離面進行凈化。

以下，將在上述玻璃層疊體中的玻璃基板上形成電子器件用構(gòu)件制造帶電子器件用構(gòu)件的層疊體的工序稱為構(gòu)件形成工序，將以有機硅樹脂層的玻璃基板側(cè)界面作為剝離面、從帶電子器件用構(gòu)件的層疊體分離為帶構(gòu)件的玻璃基板和帶樹脂層的支撐基材的工序稱為分離工序，將對帶構(gòu)件的玻璃基板的剝離面進行凈化的工序稱為凈化處理工序。需要說明的是，如上述那樣，凈化處理工序為根據(jù)需要實施的任意工序。

以下，對各工序中使用的材料和步驟進行詳述。

(構(gòu)件形成工序)

構(gòu)件形成工序為在上述層疊工序中得到的玻璃層疊體10中的玻璃基板16上形成電子器件用構(gòu)件的工序。更具體而言，如圖2的(C)所示那樣，在玻璃基板16的第2主面16b(露出表面)上形成電子器件用構(gòu)件22，得到帶電子器件用構(gòu)件的層疊體24。

首先，對本工序中使用的電子器件用構(gòu)件22進行詳述，對后續(xù)工序的步驟進行詳述。

(電子器件用構(gòu)件(功能性元件))

電子器件用構(gòu)件22為形成于玻璃層疊體10中的玻璃基板16上且構(gòu)成電子器件的至少一部分的構(gòu)件。更具體而言，作為電子器件用構(gòu)件22，可以舉出：顯示裝置用面板、太陽能電池、薄膜二次電池、或表面形成有電路的半導體晶片等電子部件等中使用的構(gòu)件(例如，顯示裝置用構(gòu)件、太陽能電池用構(gòu)件、薄膜二次電池用構(gòu)件、電子部件用電路)。

例如，作為太陽能電池用構(gòu)件，對于硅型，可以舉出：正極的氧化錫等透明電極、p層/i層/n層所示的硅層和負極的金屬等，此外，可以舉出：與化合物型、染料敏化型、量子點型等對應(yīng)的各種構(gòu)件等。

另外，作為薄膜二次電池用構(gòu)件，對于鋰離子型，可以舉出：正極和負極的金屬或金屬氧化物等的透明電極、電解質(zhì)層的鋰化合物、集電層的金屬、作為密封層的樹脂等，此外，可以舉出：與鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質(zhì)型等對應(yīng)的各種構(gòu)件等。

另外，作為電子部件用電路，對于CCD、CMOS，可以舉出：導電部的金屬、絕緣部的氧化硅、氮化硅等，此外，可以舉出：與壓力傳感器·加速度傳感器等各種傳感器、剛性印刷基板、柔性印刷基板、剛性柔性印刷基板等對應(yīng)的各種構(gòu)件等。

(工序的步驟)

上述帶電子器件用構(gòu)件的層疊體24的制造方法沒有特別限定，根據(jù)電子器件用構(gòu)件的構(gòu)成構(gòu)件的種類，利用以往公知的方法，在玻璃層疊體10的玻璃基板16的第2主面16b表面上形成電子器件用構(gòu)件22。

需要說明的是，電子器件用構(gòu)件22可以不是在玻璃基板16的第2主面16b上最終形成的構(gòu)件的全部(以下，稱為“全部構(gòu)件”)，而是全部構(gòu)件的一部分(以下，稱為“部分構(gòu)件”)。也可以將從有機硅樹脂層14剝離的帶部分構(gòu)件的玻璃基板在其后工序中作為帶全部構(gòu)件的玻璃基板(相當于后述的電子器件)。

另外，也可以在從有機硅樹脂層14剝離的、帶全部構(gòu)件的玻璃基板的剝離面(第1主面16a)上形成其他電子器件用構(gòu)件。另外，也可以組裝帶全部構(gòu)件的層疊體，之后從帶全部構(gòu)件的層疊體剝離帶樹脂層的支撐基材18，制造電子器件。進而，也可以使用2張帶全部構(gòu)件的層疊體進行組裝，之后從帶全部構(gòu)件的層疊體剝離2張帶樹脂層的支撐基材18，制造具有2張玻璃基板的帶構(gòu)件的玻璃基板。

例如，以制造OLED的情況為例時，為了在玻璃層疊體10的玻璃基板16的與有機硅樹脂層14側(cè)處于相反側(cè)的表面上(相當于玻璃基板16的第2主面16b)形成有機EL結(jié)構(gòu)體，進行如下各種的層形成、處理：形成透明電極，進而在形成有透明電極的面上蒸鍍空穴注入層·空穴傳輸層·發(fā)光層·電子傳輸層等，形成背面電極，使用密封板進行密封等。作為這些層形成、處理，具體而言，例如可以舉出：成膜處理、蒸鍍處理、密封板的粘接處理等。

另外，例如，制造TFT-LCD時，具有如下各種工序：使用抗蝕液，在玻璃層疊體10的玻璃基板16的第2主面16b上對通過CVD法和濺射法等一般的成膜法形成的金屬膜和金屬氧化膜等進行圖案形成，形成薄膜晶體管(TFT)的TFT形成工序；在其他玻璃層疊體10的玻璃基板16的第2主面16b上將抗蝕液用于圖案形成來形成濾色器(CF)的CF形成工序；和，將由TFT形成工序得到的帶TFT的層疊體和由CF形成工序得到的帶CF的層疊體層疊的貼合工序等。

TFT形成工序、CF形成工序中，使用公知的光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)等，在玻璃基板16的第2主面16b上形成TFT、CF。此時，作為圖案形成用的涂布液，使用抗蝕液。

需要說明的是，在形成TFT、CF前，可以根據(jù)需要清洗玻璃基板16的第2主面16b。作為清洗方法，可以使用公知的干式清洗、濕式清洗。

貼合工序中，使帶TFT的層疊體的薄膜晶體管形成面與帶CF的層疊體的濾色器形成面對置，使用密封劑(例如，單元形成用紫外線固化型密封劑)進行貼合。之后，向由帶TFT的層疊體和帶CF的層疊體形成的單元內(nèi)注入液晶材料。作為注入液晶材料的方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。

(分離工序)

分離工序為如下工序：以有機硅樹脂層14與玻璃基板16的界面作為剝離面，從上述構(gòu)件形成工序中得到的帶電子器件用構(gòu)件的層疊體24分離為層疊有電子器件用構(gòu)件22的玻璃基板16(帶構(gòu)件的玻璃基板26)、有機硅樹脂層14和支撐基材12(帶樹脂層的支撐基材18)，得到包含電子器件用構(gòu)件22和玻璃基板16的帶構(gòu)件的玻璃基板26。

剝離時的玻璃基板16上的電子器件用構(gòu)件22為所需全部構(gòu)成構(gòu)件的形成的一部分時，也可以在分離后在玻璃基板16上形成剩余的構(gòu)成構(gòu)件。

將帶構(gòu)件的玻璃基板26和帶樹脂層的支撐基材18剝離的方法沒有特別限定。具體而言，例如，在玻璃基板16和有機硅樹脂層14的界面插入銳利的刀具狀物質(zhì)，賦予剝離起點，然后吹送水和壓縮空氣的混合流體，從而可以進行剝離。優(yōu)選的是，以帶電子器件用構(gòu)件的層疊體24的支撐基材12為上側(cè)、電子器件用構(gòu)件22側(cè)為下側(cè)的方式設(shè)置于平臺上，將電子器件用構(gòu)件22側(cè)真空吸附(兩面層疊有支撐基材的情況下依次進行)于平臺上，在該狀態(tài)下，首先使刀具侵入到玻璃基板16-有機硅樹脂層14界面。并且，之后將支撐基材12側(cè)用多個真空吸盤進行吸附，從插入了刀具的位置附近依次使真空吸盤上升。如此，在有機硅樹脂層14與玻璃基板16的界面形成空氣層，該空氣層鋪展于整個界面，可以容易地剝離帶樹脂層的支撐基材18。

另外，帶樹脂層的支撐基材18與新的玻璃基板層疊，可以制造本發(fā)明的玻璃層疊體10。

需要說明的是，從帶電子器件用構(gòu)件的層疊體24分離帶構(gòu)件的玻璃基板26時，通過控制基于離子發(fā)生器的吹送、濕度，從而可以進一步抑制有機硅樹脂層14的碎片靜電吸附于帶構(gòu)件的玻璃基板26。

[凈化處理工序]

凈化處理工序為如下工序：對上述分離工序中得到的帶構(gòu)件的玻璃基板26中的玻璃基板16的剝離面(第1主面16a)實施凈化處理。通過實施該工序，可以去除附著于剝離面的有機硅樹脂、有機硅樹脂層、附著于剝離面的上述構(gòu)件形成工序中產(chǎn)生的金屬片、灰塵等雜質(zhì)，可以維持剝離面的清潔性。作為結(jié)果，粘附于玻璃基板16的剝離面的相位差薄膜、偏光薄膜等的粘合性提高。

凈化處理的方法只要能夠去除附著于剝離面的樹脂、灰塵等就沒有特別限制。例如可以舉出：對附著物進行熱分解的方法；通過等離子體照射或光照射(例如UV照射處理)去除剝離面上的雜質(zhì)的方法；使用溶劑進行清洗處理的方法等。

上述帶構(gòu)件的玻璃基板26的制造方法適合于移動電話、PDA那樣的移動終端中使用的小型顯示裝置的制造。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等?；旧显跓o源驅(qū)動型、有源驅(qū)動型的任意顯示裝置的情況下均可以應(yīng)用。

作為由上述方法制造的帶構(gòu)件的玻璃基板26，可以舉出：具有玻璃基板和顯示裝置用構(gòu)件的顯示裝置用面板、具有玻璃基板和太陽能電池用構(gòu)件的太陽能電池、具有玻璃基板和薄膜二次電池用構(gòu)件的薄膜二次電池、具有玻璃基板和電子器件用構(gòu)件的電子部件等。作為顯示裝置用面板，包括液晶面板、有機EL面板、等離子體顯示器面板、場發(fā)射面板等。

實施例

以下，根據(jù)實施例等具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受這些例子的限定。另外，本制造例中，通過以下所示的項目和方法進行固化性有機硅的評價。

(1)重均分子量Mw的評價

通過凝膠滲透色譜法(GPC、東曹株式會社制造的HLC8220、RI檢測、柱：TSK-GEL SuperHZ、洗脫液：四氫呋喃)求出聚苯乙烯換算分子量。

以下的實施例1～37和比較例1～6中，作為玻璃基板，使用由無堿硼硅酸鹽玻璃形成的玻璃板(長274mm、寬274mm、板厚0.2mm、線膨脹系數(shù)38×10^-7/℃、旭硝子株式會社制造、商品名“AN100”)。另外，作為支撐基材，使用同樣由無堿硼硅酸鹽玻璃形成的玻璃板(長274mm、寬274mm、板厚0.4mm、線膨脹系數(shù)38×10^-7/℃、旭硝子株式會社制造、商品名“AN100”)。

＜制造例1：固化性有機硅S1的制造＞

在氮氣氣氛中，在1L玻璃反應(yīng)器中投入甲基三乙氧基硅烷(108g)、四乙氧基硅烷(6.5g)，冷卻至0℃。冷卻后，在反應(yīng)器中滴加用蒸餾水(17g)稀釋濃硝酸(2g)而成的溶液。將反應(yīng)溶液溫度保持為0℃進行3小時攪拌。接著，在反應(yīng)器中加入四氫呋喃(75g)、用蒸餾水(33g)稀釋濃硝酸(4g)而成的溶液，在室溫下進行1小時攪拌，然后在反應(yīng)溶液溫度40℃下進行4小時攪拌。攪拌結(jié)束后，將反應(yīng)溶液自然冷卻至室溫，加入蒸餾水(300g)、乙酸乙酯(300g)。將乙酸乙酯相分離并回收。將乙酸乙酯相用無水硫酸鎂進行脫水并過濾。通過進行真空干燥，得到白色固體狀的固化性有機硅S1(收率85％)。

對于所得固化性有機硅S1，通過GPC(凝膠滲透色譜法)求出的重均分子量(聚苯乙烯換算)為6.0×10⁴。通過²⁹Si NMR測定，得到固化性有機硅S1的共聚物組成為T/Q＝95/5(摩爾比)。

＜制造例2～43：固化性有機硅S2～S43的制造＞

將使用的單體和其用量如表1所示那樣進行變更，除此之外，按照與上述制造例1同樣的步驟，制造固化性有機硅S2～S43。

需要說明的是，作為固化性有機硅S42～S43，使用專利文獻1的實施例欄中記載的固化性有機硅(S1)和(S6)。

＜實施例1＞

使所得固化性有機硅(S1)(100質(zhì)量份)、流平劑Mega Fuck F561(DIC株式會社制造、0.2質(zhì)量份)和固化催化劑(Wacker(注冊商標)Catalyst F)(Wacker Asahikasei Co.,Ltd.制造、3質(zhì)量份)溶解于環(huán)己酮，制作包含固化性有機硅(S1)的液態(tài)物(固體成分濃度：40質(zhì)量％)。

將支撐基材進行純水清洗，然后進一步進行UV清洗并凈化。

接著，用旋涂機，以長274mm和寬274mm的大小，將包含固化性有機硅(S1)的液態(tài)物涂覆在支撐基材的第1主面上。

接著，將其以250℃在大氣中加熱固化30分鐘，在支撐基材的第1主面上形成厚度4μm的有機硅樹脂層，得到支撐體A(帶樹脂層的支撐基材)。

接著，使支撐體A的有機硅樹脂層的剝離性表面和與該有機硅樹脂層為同樣尺寸且厚度0.2mm的玻璃基板(“AN100”。旭硝子株式會社制造)的第1主面對置，在室溫下、大氣壓下，利用層疊裝置，以兩基板的重心重合的方式使兩基板重疊，得到玻璃層疊體S1。

需要說明的是，所得玻璃層疊體S1相當于上述圖1的玻璃層疊體10，玻璃層疊體S1中，支撐基材與有機硅樹脂層的界面的剝離強度(x)高于有機硅樹脂層與玻璃基板的界面剝離強度(y)。

另外，在有機硅樹脂層與玻璃基板之間不存在氣泡。

接著，使用所得玻璃層疊體S1，實施以下的測定。以下的評價結(jié)果歸納示于后述的表1。

[剝離性評價]

從玻璃層疊體S1切出50mm見方(長：50mm×寬：50mm)的樣品，將該樣品載置于加熱至550℃(氮氣氣氛下)的熱風爐內(nèi)，放置10分鐘后取出。接著，使玻璃層疊體S1的玻璃基板的第2主面真空吸附于平臺，然后在玻璃層疊體S1的1個角部的玻璃基板與有機硅樹脂層之間插入厚度0.1mm的不銹鋼制刀具，對上述玻璃基板的第1主面與上述有機硅樹脂層之間賦予剝離起點。然后，將玻璃層疊體S1的支撐基材的第2主面以90mm間隔用多個真空吸盤吸附，然后從接近上述角部的吸盤依次上升，從而將玻璃基板的第1主面和有機硅樹脂層剝離。

根據(jù)上述結(jié)果，確認了高溫加熱處理后玻璃基板也能夠剝離。

需要說明的是，有機硅樹脂層的主要部分與支撐基材一起從玻璃基板分離，根據(jù)該結(jié)果，確認了支撐基材與有機硅樹脂層之間的剝離強度(x)高于有機硅樹脂層與玻璃基板之間的剝離強度(y)。

[發(fā)泡評價]

在玻璃層疊體的玻璃基板上形成電子器件用構(gòu)件時，進行高溫條件下的處理。該處理后，在有機硅樹脂層與玻璃基板之間存在直徑1mm以上的氣泡時，有產(chǎn)生電子器件用構(gòu)件的位置偏移等降低工序收率的情況。因此，重要的是，加熱處理后，在有機硅樹脂層與玻璃基板之間不存在氣泡，或氣泡的大小小于規(guī)定值。因此，進行以下的發(fā)泡評價。

從層疊有支撐基材、有機硅樹脂層和玻璃基板的狀態(tài)的玻璃層疊體S1切出50mm見方(長：50mm×寬：50mm)的玻璃層疊體(測定用樣品)，將切出的玻璃層疊體在氮氣氣氛下載置于加熱至550℃的熱風爐內(nèi)，放置10分鐘后取出，以目視觀察切出的玻璃層疊體中的有機硅樹脂層與玻璃基板之間的氣泡的有無，按照以下基準進行評價。

“◎”：加熱后不存在氣泡，或存在直徑0.5mm以下的氣泡

“○”：加熱后存在直徑超過0.5mm且小于1mm的氣泡

“×”：加熱后存在直徑1mm以上的氣泡

“××”：加熱后制品基板完全剝離

＜實施例2～37、比較例1～6＞

分別使用包含下述表1所示的固化性有機硅(S2)～(S43)的液態(tài)物代替包含固化性有機硅(S1)的液態(tài)物，除此之外，按照與實施例1同樣的步驟，制造玻璃層疊體S2～S43。

需要說明的是，此處，將使用固化性有機硅(SN)(N為2～43的整數(shù))制造的玻璃層疊體稱為玻璃層疊體SN。例如，使用固化性有機硅(S3)制造的玻璃層疊體相當于玻璃層疊體S3。

需要說明的是，所得玻璃層疊體S2～S43相當于上述圖1的玻璃層疊體10，玻璃層疊體S2～S43中，支撐基材與有機硅樹脂層的界面的剝離強度(x)高于有機硅樹脂層與玻璃基板的界面的剝離強度(y)。

另外，使用所得玻璃層疊體S2～S43，實施上述[剝離性評價]和[發(fā)泡評價]。將結(jié)果歸納示于表1。

需要說明的是，實施例1～37中，有機硅樹脂層的玻璃基板側(cè)的表面粗糙度Ra為0.1～20nm的范圍。

另外，實施例1～37中，有機硅樹脂層的厚度為4μm。

需要說明的是，以下的表1中，“Me基”為包含Me基(甲基)的有機硅氧基單元相對于全部有機硅氧基單元的含量(摩爾％)。另外，“Ph基”為包含Ph基(苯基)的有機硅氧基單元相對于全部有機硅氧基單元的含量(摩爾％)。

另外，以下的表1中，“D單元”欄、“T單元”欄和“Q單元”欄分別為有機硅樹脂層中的有機硅樹脂所含的D單元、T單元和Q單元相對于全部有機硅氧基單元的含量(摩爾％)。

另外，上述各單元的含量通過²⁹Si-NMR算出。

另外，表1中，“剝離性評價”欄中，將能夠剝離玻璃基板的情況表示為“○”，將無法剝離玻璃基板或玻璃基板破損的情況表示為“×”。

需要說明的是，本制造例和比較例中，通過以下所示的項目和方法進行有機硅樹脂層的解析。

(1)有機硅樹脂層的硅原子的結(jié)合狀態(tài)的解析

使用核磁共振分析裝置(固體²⁹Si-NMR：JEOL RESONANCE株式會社制造、ECP600)求出各有機硅氧基單元的含量(摩爾％)。

(2)有機硅樹脂層的具有甲基的有機硅氧基單元和具有苯基的有機硅氧基單元的解析

使用核磁共振分析裝置(固體¹H-NMR：JEOL RESONANCE株式會社制造、ECP600)，根據(jù)源自Ph基和Me基的峰面積比求出。有機硅樹脂層使用如下的固體樣品：利用旋涂機將包含各實施例和比較例中使用的固化性有機硅的液態(tài)物涂覆于玻璃基材上，以各實施例和比較例的加熱條件進行加熱固化，在玻璃基材上形成有機硅樹脂層，然后用剃刀削去該有機硅樹脂層。測定法使用Depth2，測定條件設(shè)為脈沖寬度2.3μsec、脈沖重復的等待時間15sec、累積次數(shù)16scan、MAS旋轉(zhuǎn)速度22KHz?；瘜W位移的基準將源自金剛烷的峰設(shè)為1.7ppm。另外，源自各結(jié)構(gòu)的固體¹H-NMR的化學位移如以下所示。

Ph基：18～4ppm

Me基：4～-10ppm

(3)有機硅樹脂層的膜厚

有機硅樹脂層的膜厚使用作為接觸式膜厚裝置的表面粗糙度·輪廓形狀測定機(TOKYO SEIMITSU CO.,LTD.制造Surfcom 1400G-12)來測定。

[表1]

如上述表1所示那樣，本發(fā)明的玻璃層疊體中，規(guī)定大小以上的氣泡的產(chǎn)生被抑制，玻璃基板的剝離性(分離性)也優(yōu)異。

另一方面，如比較例1～6所示那樣，不使用規(guī)定的有機硅樹脂層時，無法得到期望的效果。

＜實施例38＞

本例中，使用實施例1中得到的玻璃層疊體S1制造OLED。

首先，在玻璃層疊體S1中的玻璃基板的第2主面上，通過等離子體CVD法依次將氮化硅、氧化硅、非晶硅進行成膜。接著，通過離子摻雜裝置，將低濃度的硼注入至非晶硅層，進行加熱處理并進行脫氫處理。接著，通過激光退火裝置，進行非晶硅層的結(jié)晶化處理。接著，通過利用光刻法的蝕刻和離子摻雜裝置，將低濃度的磷注入至非晶硅層，形成N型和P型的TFT區(qū)域。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)龋ㄟ^等離子體CVD法對氧化硅膜進行成膜，形成柵極絕緣膜，然后通過濺射法將鉬成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成柵電極。接著，通過光刻法和離子摻雜裝置，將高濃度的硼和磷注入至N型、P型各自期望的區(qū)域，形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，利用基于等離子體CVD法的氧化硅的成膜形成層間絕緣膜，通過濺射法將鋁成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成TFT電極。接著，在氫氣氣氛下，進行加熱處理并進行氫化處理，然后利用基于等離子體CVD法的氮化硅的成膜形成鈍化層。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)韧坎甲贤饩€固化性樹脂，通過光刻法形成平坦化層和接觸孔。接著，通過濺射法將氧化銦錫成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成像素電極。

接著，通過蒸鍍法，在玻璃基板的第2主面?zhèn)龋瑢⒆鳛榭昭ㄗ⑷雽拥?,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺、作為空穴傳輸層的雙[(N-萘基)-N-苯基]聯(lián)苯胺、作為發(fā)光層的在8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq₃)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)40體積％而成的物質(zhì)、作為電子傳輸層的Alq₃依次成膜。接著，通過濺射法將鋁成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成對置電極。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冉橛勺贤饩€固化型的粘接層貼合另一張玻璃基板進行密封。通過上述步驟，在玻璃基板上形成有機EL結(jié)構(gòu)體。在玻璃基板上具有有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃層疊體S1(以下，稱為面板A)為本發(fā)明的帶電子器件用構(gòu)件的層疊體。

接著，將面板A的密封體側(cè)真空吸附于平臺，然后，在面板A的角部的玻璃基板與有機硅樹脂層的界面插入厚度0.1mm的不銹鋼制刀具，對玻璃基板與有機硅樹脂層的界面賦予剝離起點。然后，將面板A的支撐基材表面用真空吸盤吸附，然后，使吸盤上升。此處，刀具的插入邊從離子發(fā)生器(KEYENCE CORPORATION.制造)向該界面吹送除電性流體邊進行。接著，從離子發(fā)生器朝向形成的空隙繼續(xù)吹送除電性流體，同時一邊將水浸潤剝離前線一邊提拉真空吸盤。其結(jié)果，平臺上僅殘留形成了有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃基板，可以剝離帶樹脂層的支撐基材。

接著，使用激光切割機或劃線-折斷法切斷分離后的玻璃基板，分割成多個單元，然后，將形成了有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃基板和對置基板組裝，實施組件形成工序制作OLED。如此得到的OLED在特性上不會產(chǎn)生問題。

＜實施例39＞

本例中，使用實施例1中得到的玻璃層疊體S1制造LCD。

首先，準備2張玻璃層疊體S1-1和S1-2。在一張玻璃層疊體S1-1中的玻璃基板的第2主面上，通過等離子體CVD法依次將氮化硅、氧化硅、非晶硅進行成膜。接著，通過離子摻雜裝置將低濃度的硼注入至非晶硅層，在氮氣氣氛下，進行加熱處理并進行脫氫處理。接著，通過激光退火裝置進行非晶硅層的結(jié)晶化處理。接著，通過利用光刻法的蝕刻和離子摻雜裝置，將低濃度的磷注入至非晶硅層，形成N型和P型的TFT區(qū)域。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，通過等離子體CVD法將氧化硅膜成膜形成柵極絕緣膜，然后通過濺射法將鉬成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成柵電極。接著，通過光刻法和離子摻雜裝置，將高濃度的硼和磷注入至N型、P型各自期望的區(qū)域，形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，利用基于等離子體CVD法的氧化硅的成膜形成層間絕緣膜，通過濺射法將鋁成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成TFT電極。接著，在氫氣氣氛下，進行加熱處理并進行氫化處理，然后利用基于等離子體CVD法的氮化硅的成膜，形成鈍化層。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)韧坎甲贤饩€固化性樹脂，通過光刻法形成平坦化層和接觸孔。接著，通過濺射法將氧化銦錫進行成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成像素電極。

接著，將另一張玻璃層疊體S1-2在大氣氣氛下進行加熱處理。接著，在玻璃層疊體S1-2中的玻璃基板的第2主面上，通過濺射法將鉻成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成遮光層。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，通過模涂法涂布彩色抗蝕劑，通過光刻法和熱固化形成濾色器層。接著，通過濺射法將氧化銦錫成膜，形成對置電極。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，通過模涂法涂布紫外線固化樹脂液，通過光刻法和熱固化形成柱狀間隔物。接著，通過輥涂法涂布聚酰亞胺樹脂液，通過熱固化形成取向?qū)?，進行摩擦。

接著，通過點膠法將密封用樹脂液描繪為框狀，在框內(nèi)通過點膠法滴加液晶，然后使用上述形成有像素電極的玻璃層疊體S1-1，使2張玻璃層疊體S1的玻璃基板的第2主面?zhèn)缺舜速N合，通過紫外線固化和熱固化得到LCD面板。

接著，使玻璃層疊體S1-1的支撐基材的第2主面真空吸附于平臺，在玻璃層疊體S1-2的角部的玻璃基板與有機硅樹脂層的界面插入厚度0.1mm的不銹鋼制刀具，對玻璃基板的第1主面與有機硅樹脂層的剝離性表面賦予剝離起點。此處，刀具的插入邊從離子發(fā)生器(KEYENCE CORPORATION.制造)向該界面吹送除電性流體邊進行。接著，從離子發(fā)生器朝向形成的空隙繼續(xù)吹送除電性流體，同時一邊將水浸潤剝離前線一邊提拉真空吸盤。然后，將玻璃層疊體S1-2的支撐基材的第2主面用真空吸盤吸附，然后，使吸盤上升。其結(jié)果，在平臺上僅殘留帶有玻璃層疊體S1-1的支撐基材的LCD的空單元，可以將帶樹脂層的支撐基材剝離。

接著，使第2主面上形成有濾色器的玻璃基板的第1主面真空吸附于平臺，在玻璃層疊體S1-1的角部的玻璃基板與有機硅樹脂層的界面插入厚度0.1mm的不銹鋼制刀具，對玻璃基板的第1主面與有機硅樹脂層的剝離性表面賦予剝離起點。然后，將玻璃層疊體S1-1的支撐基材的第2主面用真空吸盤吸附，然后，邊向玻璃基板和有機硅樹脂層之間吹送水邊使吸盤上升。其結(jié)果，在平臺上僅殘留LCD單元，可以將固定有有機硅樹脂層的支撐基材剝離。如此，可以得到由厚度0.1mm的玻璃基板構(gòu)成的多個LCD的單元。

接著，通過切斷的工序，分割成多個LCD的單元。實施在完成的各LCD單元上貼附偏振片的工序，接著，實施組件形成工序得到LCD。如此得到的LCD在特性上不會產(chǎn)生問題。

＜實施例40＞

本例中，使用實施例1中得到的玻璃層疊體S1制造OLED。

首先，在玻璃層疊體S1中的玻璃基板的第2主面上，通過濺射法將鉬成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成柵電極。接著，通過濺射法，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冗M一步將氧化鋁成膜形成柵極絕緣膜，接著，通過濺射法將氧化銦鎵鋅成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成氧化物半導體層。接著，通過濺射法，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冗M一步將氧化鋁進行成膜，形成通道保護層，接著，通過濺射法將鉬成膜，通過利用光刻法的蝕刻，形成源電極和漏電極。

接著，在大氣中進行加熱處理。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冗M一步通過濺射法將氧化鋁成膜形成鈍化層，接著，通過濺射法將氧化銦錫成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成像素電極。

接著，通過蒸鍍法，在玻璃基板的第2主面?zhèn)?，將作為空穴注入層?,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺、作為空穴傳輸層的雙[(N-萘基)-N-苯基]聯(lián)苯胺、作為發(fā)光層的在8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq₃)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)40體積％而成的物質(zhì)、作為電子傳輸層的Alq₃依次成膜。接著，通過濺射法將鋁成膜，通過利用光刻法的蝕刻形成對置電極。接著，在玻璃基板的第2主面?zhèn)冉橛勺贤饩€固化型的粘接層使另一張玻璃基板貼合進行密封。通過上述步驟，在玻璃基板上形成有機EL結(jié)構(gòu)體。在玻璃基板上具有有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃層疊體S1(以下，稱為面板B)為本發(fā)明的帶電子器件用構(gòu)件的層疊體(帶支撐基材的顯示裝置用面板)。

接著，使面板B的密封體側(cè)真空吸附于平臺，然后，在面板B的角部的玻璃基板與有機硅樹脂層的界面插入厚度0.1mm的不銹鋼制刀具，在玻璃基板與有機硅樹脂層的界面賦予剝離起點。然后，將面板B的支撐基材表面用真空吸盤吸附，然后，使吸盤上升。此處，刀具的插入邊從離子發(fā)生器(KEYENCE CORPORATION.制造)向該界面吹送除電性流體邊進行。接著，從離子發(fā)生器朝向形成的空隙繼續(xù)吹送除電性流體，同時一邊將水浸潤剝離前線一邊提拉真空吸盤。其結(jié)果，在平臺上僅殘留形成了有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃基板，可以將帶樹脂層的支撐基材剝離。

接著，使用激光切割機或劃線-折斷法將分離后的玻璃基板切斷，分割成多個單元，然后將形成了有機EL結(jié)構(gòu)體的玻璃基板和對置基板組裝，實施組件形成工序制作OLED。如此得到的OLED在特性上不會產(chǎn)生問題。

本申請基于2015年8月6日申請的日本專利申請2015-155753，將其內(nèi)容作為參照引入其中。