技術(shù)特征：

1.一種包含第一部件和第二部件的組件，其中第三部件定位于所述第一和第二部件之間，其中：

(i)所述第一部件包含聚合材料(A)，所述聚合材料(A)包含式(XI)重復(fù)單元

其中t1和w1獨(dú)立地表示0或1并且v1表示0、1或2；

(ii)所述第二部件包含聚合材料(B)，所述聚合材料(B)包含式(XI)重復(fù)單元

其中t1和w1獨(dú)立地表示0或1并且v1表示0、1或2；并且

(iii)所述第三部件包含聚合材料(C)，所述聚合材料(C)包含的聚合物具有下式重復(fù)單元

-O-Ph-O-Ph-CO-Ph- I

和下式重復(fù)單元

-O-Ph-Ph-O-Ph-CO-Ph- II

其中Ph表示亞苯基部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述聚合材料(A)的結(jié)晶水平是至少15％，優(yōu)選至少25％；并且所述聚合材料(B)的結(jié)晶水平是至少15％，優(yōu)選至少25％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的組件，其中所述聚合材料(A)具有其中t1＝1、v1＝0和w1＝0的重復(fù)單元；并且優(yōu)選地，聚合材料(B)具有其中t1＝1、v1＝0和w1＝0的重復(fù)單元。

4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述聚合材料(A)具有至少0.06kNsm^-2的熔體粘度(MV)，其中MV是使用毛細(xì)管流變儀測量，所述毛細(xì)管流變儀是使用圓形橫截面碳化鎢沖模，0.5mm(毛細(xì)管直徑)×3.175mm(毛細(xì)管長度)，在1000s^-1的剪切速率下，在400℃操作；并且優(yōu)選地，所述聚合材料(B)具有至少0.06kNsm^-2的MV。

5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述聚合材料(A)是包括聚合材料(A)和填充元件的第一組合物的一部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組件，其中所述第一組合物包括20wt％至99.9wt％(例如20wt％至70wt％)的聚合材料(A)和0.1wt％至80wt％(例如30wt％至80wt％)的填充元件；并且優(yōu)選地包括40wt％至60wt％的填充元件和40wt％至60wt％的聚合材料(A)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或權(quán)利要求6所述的組件，其中所述第一組合物包括40wt％至60wt％的碳纖維和40wt％至60wt％的聚合材料(A)。

8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述聚合材料(B)是包括聚合材料(B)和填充元件的第二組合物的一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組件，其中所述第二組合物包括20wt％至99.9wt％(例如20wt％至70wt％)的聚合材料(B)和0.1wt％至80wt％(例如30wt％至80wt％)的填充元件；并且優(yōu)選地包括40wt％至60wt％的填充元件和40wt％至60wt％的聚合材料(B)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或權(quán)利要求9所述的組件，其中所述第二組合物包括40wt％至60wt％的碳纖維和40wt％至60wt％的聚合材料(B)。

11.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中在所述第一部件和所述第二部件中，所述聚合材料(A)和(B)相同。

12.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述第一和第二部件具有基本上相同的組成。

13.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述重復(fù)單元I和II的相對(duì)摩爾濃度比例I:II是65:35到95:5。

14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中在所述聚合材料(C)中，以下關(guān)系適用：

log₁₀(X％)>1.50-0.26MV；

其中X％是指如實(shí)例2中所述測量的結(jié)晶度％并且MV是指熔體粘度。

15.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述式I重復(fù)單元具有以下結(jié)構(gòu)

并且所述式II重復(fù)單元具有以下結(jié)構(gòu)

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的組件，其中所述聚合材料(C)包括至少68mol％并且小于90mol％的式III重復(fù)單元；以及至少10mol％并且小于32mol％的式IV重復(fù)單元。

17.根據(jù)權(quán)利要求15或權(quán)利要求16所述的組件，其中所述聚合材料(C)包括至少70mol％并且小于80mol％的式III重復(fù)單元；以及至少20mol％并且小于30mol％的式IV重復(fù)單元。

18.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述聚合材料(C)的Tm小于330℃并且大于280℃；并且優(yōu)選地，所述聚合材料(C)的Tm小于310℃并且大于295℃。

19.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述聚合材料(C)具有至少25％的結(jié)晶度。

20.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述第三部件包括至少50wt％，優(yōu)選至少99wt％的所述聚合材料(C)。

21.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述聚合材料(A)與所述聚合材料(C)之間的Tm差值是至少20℃，并且優(yōu)選小于50℃。

22.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述第一部件的疊置于所述第二部件上的面積是至少10cm²，或垂直于所述第一和第二部件之間界面所測量的所述第一部件厚度是至少2mm。

23.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述第三部件具有不超過100μm的厚度。

24.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述第三部件限定所述第一和第二部件之間所定位的基本上連續(xù)層。

25.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述組件包含限定第一層的所述第一部件；限定與所述第一層接觸的第二層的所述第三部件；所述第二部件，其限定與所述第二層接觸的第三層；與包括所述聚合材料(C)的所述第三層接觸的第四層；以及與包括聚合材料(A)的所述第四層接觸的第五層。

26.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的組件，其中所述組件具有大于10cm、優(yōu)選大于1m的最大維度。

27.一種制造組件(例如如權(quán)利要求1至26中任一權(quán)利要求中所述)的方法，所述方法包含：在包含聚合材料(A)的第一構(gòu)件與包含聚合材料(B)的第二構(gòu)件之間配置聚合材料(C)，其中所述第一構(gòu)件包含聚合材料(A)，所述聚合材料(A)包含如權(quán)利要求1至26中任一權(quán)利要求所述的式(XI)重復(fù)單元；所述第二構(gòu)件包含聚合材料(B)，所述聚合材料(B)包含如權(quán)利要求1至26中任一權(quán)利要求中所述的式(XI)重復(fù)單元；并且所述聚合材料(C)如權(quán)利要求1至26中任一權(quán)利要求所述。

28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述方法包含使聚合材料(C)經(jīng)受一種溫度，所述溫度小于所述第一構(gòu)件中的所述聚合材料(A)的Tm并且小于所述第二構(gòu)件中的所述聚合材料(B)的Tm，但大于所述聚合材料(C)的Tm。

29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述溫度小于330℃，優(yōu)選小于310℃；并且大于280℃。

30.根據(jù)權(quán)利要求27至29中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述聚合材料(C)呈膜形式。

31.根據(jù)權(quán)利要求27至30中任一權(quán)利要求所述的方法，其中在所述方法中，控制熔融之后，冷卻所述聚合材料(C)，因此聚合材料(C)出現(xiàn)結(jié)晶。

32.一種包含第一部件和第二部件的組件，其中第三部件定位于所述第一和第二部件之間，其中：

(i)所述第一部件包含聚合材料(A)，所述聚合材料(A)包含式(XI)重復(fù)單元

其中t1和w1獨(dú)立地表示0或1并且v1表示0、1或2；或

所述第一部件包含聚合材料(C)，所述聚合材料(C)包含的聚合物具有下式重復(fù)單元

-O-Ph-O-Ph-CO-Ph- I

和下式重復(fù)單元

-O-Ph-Ph-O-Ph-CO-Ph- II

其中Ph表示亞苯基部分；

(ii)所述第二部件包含聚合材料(C)，所述聚合材料(C)包含的聚合物具有下式重復(fù)單元

-O-Ph-O-Ph-CO-Ph- I

和下式重復(fù)單元

-O-Ph-Ph-O-Ph-CO-Ph- II

其中Ph表示亞苯基部分；以及

(iii)所述第三部件包含聚合材料(C)，所述聚合材料(C)包含的聚合物具有下式重復(fù)單元

-O-Ph-O-Ph-CO-Ph- I

和下式重復(fù)單元

-O-Ph-Ph-O-Ph-CO-Ph- II

其中Ph表示亞苯基部分。

33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的組件，其中所述第二部件包括空隙且其中所述第二部件具有蜂窩結(jié)構(gòu)。