一種電磁屏蔽膜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及的一種電磁屏蔽膜，其特征在于，其由硅膠片和低熔點(diǎn)金屬組成。所述硅膠片兩兩接觸面處具有大小不等且能使硅膠片之間相互緊密結(jié)合的小突起。所述低熔點(diǎn)金屬為鎵基二元合金、鎵基多元合金、銦基合金或鉍基合金。使用前，將適量低熔點(diǎn)金屬涂覆于兩硅膠片之間，并適當(dāng)用力擠壓，保證低熔點(diǎn)金屬不會(huì)溢流且硅膠片緊密貼合后再使用。本實(shí)用新型的一種電磁屏蔽膜結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，且能使多片硅膠片重疊使用，效果更佳，適用于電磁泄露區(qū)域的修補(bǔ)等場合。
【專利說明】_種電磁屏蔽膜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電磁屏蔽膜，此種材料結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，效果顯著。適用于電磁泄露區(qū)域的修補(bǔ)等場合。

【背景技術(shù)】
[0002]電磁波是電磁能量傳播的主要方式，高頻電路工作時(shí)，會(huì)向外輻射電磁波，對鄰近的其它設(shè)備產(chǎn)生干擾。另一方面，空間的各種電磁波也會(huì)感應(yīng)到電路中，對電路造成干擾。電磁屏蔽的作用是切斷電磁波的傳播途徑，從而消除干擾。在解決電磁干擾問題的諸多手段中，電磁屏蔽是最基本和有效的。用電磁屏蔽的方法來解決電磁干擾問題的最大好處是不會(huì)影響電路的正常工作，因此不需要對電路做任何修改。
[0003]電磁屏蔽的機(jī)理是:a、當(dāng)電磁波到達(dá)屏蔽體表面時(shí)，由于空氣與金屬的交界面上阻抗的不連續(xù)，對入射波產(chǎn)生的反射。這種反射不要求屏蔽材料必須有一定的厚度，只要求交界面上的不連續(xù)；b、未被表面反射掉而進(jìn)入屏蔽體的能量，在體內(nèi)向前傳播的過程中，被屏蔽材料所衰減。也就是所謂的吸收；c、在屏蔽體內(nèi)尚未衰減掉的剩余能量，傳到材料的另一表面時(shí)，遇到金屬一空氣阻抗不連續(xù)的交界面，會(huì)形成再次反射，并重新返回屏蔽體內(nèi)。這種反射在兩個(gè)金屬的交界面上可能有多次的反射?？傊?，電磁屏蔽體對電磁的衰減主要是基于電磁波的反射和電磁波的吸收。
[0004]目前，市場上廣泛使用的電磁屏蔽材料有TF-828銀導(dǎo)電漆、TF-801銀銅導(dǎo)電漆、TF-609銅導(dǎo)電漆和TF-606鎳導(dǎo)電漆，其中TF-801銀銅導(dǎo)電漆使用最為廣泛，因?yàn)橄啾萒F-828銀導(dǎo)電漆價(jià)格便宜很多。但是，這些導(dǎo)電漆仍然存在以下不足:(1)導(dǎo)電漆是將金屬粉末添加于特定的樹脂原料中以制成能夠噴涂的的油漆涂料，其熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率均較低，既影響電器的散熱效果，也影響電磁屏蔽的效率；(2)導(dǎo)電漆需采用噴涂工藝涂覆于塑膠外殼上，其要求的噴涂工藝嚴(yán)格，操作稍有不當(dāng)，便有可能導(dǎo)致屏蔽失敗，且塑膠外殼也不能再重復(fù)使用，造成白色浪費(fèi)。
[0005]為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種電磁屏蔽膜，其使用方便、電磁屏蔽效率高且熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率均佳。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型涉及一種電磁屏蔽膜，此種材料結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，效果顯著。適用于電磁泄露區(qū)域的修補(bǔ)等場合。
[0007]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0008]一種電磁屏蔽膜，其特征在于，如圖1所示，其由硅膠片1和低熔點(diǎn)金屬3組成；
[0009]所述硅膠片1兩兩接觸面處具有大小不等且能使硅膠片之間相互緊密結(jié)合的小突起2 ;
[0010]所述低恪點(diǎn)金屬3為鎵基二元合金、鎵基多元合金、銦基合金或秘基合金。
[0011]所述低熔點(diǎn)金屬3可直接涂覆在塑料外殼上單獨(dú)使用。
[0012]所述硅膠片1數(shù)量可根據(jù)實(shí)際需要決定，可多片硅膠1重疊使用。
[0013]所述鎵基二元合金為鎵銦合金、鎵鉛合金或鎵未合金。
[0014]所述鎵基多元合金為鎵銦錫合金或鎵銦錫鋅合金。
[0015]所述銦基合金為銦鉍錫合金。
[0016]所述低熔點(diǎn)金屬3中可添加低熔點(diǎn)金屬氧化物以增加其粘性。
[0017]所述低熔點(diǎn)金屬氧化物為氧化鎵、氧化銦、氧化錫或氧化鋅。
[0018]所述低熔點(diǎn)金屬氧化物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)范圍為3%~20%。
[0019]所述電磁屏蔽膜可在平面或任意曲面上使用，應(yīng)用范圍廣泛。
[0020]所述硅膠片的尺寸可根據(jù)電磁泄露區(qū)域的大小進(jìn)行自由裁剪。
[0021]使用時(shí)，可直接將低熔點(diǎn)金屬3均勻地涂刷在塑料或其他絕緣材質(zhì)的外殼上即可使用?；?qū)⒌腿埸c(diǎn)金屬3均勻地涂刷在一表面有小突起2的硅膠片1上后，再用與已涂刷了低熔點(diǎn)金屬3的硅膠片1成對的另一硅膠片1將低熔點(diǎn)金屬3覆蓋起來并適當(dāng)用力擠壓，以達(dá)到兩片硅膠1緊密貼合的效果(如圖1)。多層低熔點(diǎn)金屬3和硅膠片1疊合使用(如圖2)，電磁屏蔽的效果更佳。
[0022]本實(shí)用新型所述的一種電磁屏蔽膜具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0023](1)低熔點(diǎn)金屬作為電磁屏蔽材料，其導(dǎo)熱率和導(dǎo)電率均較高，解決了傳統(tǒng)導(dǎo)電漆的導(dǎo)熱率和導(dǎo)電率較低，從而屏蔽效果較差的問題。
[0024](2)低熔點(diǎn)金屬為膏狀金屬材料，方便涂抹，可實(shí)現(xiàn)柔性電磁屏蔽功能。
[0025](3)低熔點(diǎn)金屬安全、無毒，可保證使用者的人身安全。
[0026](4)本實(shí)用新型的電磁屏蔽膜既能在規(guī)整的平面上使用，又可任意彎曲使用，應(yīng)用范圍廣泛。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為實(shí)施例中一種電磁屏蔽膜兩片硅膠使用的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]附圖標(biāo)記說明:1-硅膠，2-硅膠面上的小突起，3-低熔點(diǎn)金屬。
[0029]圖2為實(shí)施例中一種電磁屏蔽膜三片娃膠使用的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0030]附圖標(biāo)記說明:1-硅膠，2-硅膠面上的小突起，3-低熔點(diǎn)金屬。

【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)一步描述本實(shí)用新型。
[0032]實(shí)施例1
[0033]實(shí)施例1展示了本實(shí)用新型中的電磁屏蔽膜的一種典型應(yīng)用。圖1為實(shí)施例中一種電磁屏蔽膜兩片硅膠使用的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為實(shí)施例中一種電磁屏蔽膜三片硅膠使用的結(jié)構(gòu)示意圖，其中:1為硅膠，2為硅膠面上的突起，3為低熔點(diǎn)金屬。
[0034]本實(shí)施例中的低恪點(diǎn)金屬為鎵銦錫鋅合金，合金恪點(diǎn)為8° C，合金中添加氧化鎵調(diào)節(jié)其粘度，使鎵銦錫鋅合金在常溫下成膏狀。
[0035]使用時(shí)，將低熔點(diǎn)金屬3均勻地涂刷在一表面有小突起2的硅膠片1上后，再用與涂刷低熔點(diǎn)金屬3的硅膠片1成對的另一硅膠片1將低熔點(diǎn)金屬3覆蓋起來并適當(dāng)用力擠壓，以達(dá)到兩片硅膠1緊密貼合的效果(如圖1)。多層低熔點(diǎn)金屬3和硅膠片1疊合使用(如圖2)，電磁屏蔽的效果更佳。
[0036]最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制。盡管參照實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，都不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種電磁屏蔽膜，其特征在于，其由硅膠片和低熔點(diǎn)金屬組成； 所述硅膠片兩兩接觸面處具有大小不等且能使硅膠片之間相互緊密結(jié)合的小突起； 所述低熔點(diǎn)金屬可直接涂覆在塑料外殼上單獨(dú)使用。
2.按權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽膜，其特征在于，所述低熔點(diǎn)金屬為鎵基二元合金、鎵基多元合金、銦基合金或鉍基合金中的一種。
3.按權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜可由多層硅膠片和低熔點(diǎn)金屬相互重疊而成，多層電磁屏蔽膜具有更優(yōu)的屏蔽能力。
4.按權(quán)利要求2所述的一種電磁屏蔽膜，其特征在于，所述鎵基二元合金為鎵銦合金、鎵鉛合金或鎵未合金中的一種。
5.按權(quán)利要求2所述的一種電磁屏蔽膜，其特征在于，所述鎵基多元合金為鎵銦錫合金或鎵銦錫鋅合金。
6.按權(quán)利要求2所述的一種電磁屏蔽膜，其特征在于，所述銦基合金為銦鉍錫合金。
7.按權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽膜，其特征在于，所述硅膠片的尺寸可根據(jù)電磁泄露區(qū)域的大小進(jìn)行自由裁剪。
【文檔編號】H05K9/00GK204231864SQ201420714191
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月25日
【發(fā)明者】郭瑞 申請人:北京依米康科技發(fā)展有限公司