技術(shù)特征：
1.一種3D式PIN結(jié)構(gòu)α輻照電池的制備方法，包括以下步驟：1)清洗：對SiC樣片進(jìn)行清洗，以去除表面污染物；2)生長N型低摻雜外延層：利用化學(xué)氣相淀積CVD法在清洗后的SiC樣片表面外延生長一層摻雜濃度為1x1015～2x1015cm-3，厚度為5～10μm的N型低摻雜外延層；3)生長P型高摻雜外延層：利用化學(xué)氣相淀積CVD法在N型低摻雜外延層表面外延生長一層摻雜濃度為1x1019～5x1019cm-3，厚度為1～2μm的P型高摻雜外延層；4)淀積歐姆接觸電極：在P型高摻雜外延層表面利用電子束蒸發(fā)法淀積一層厚度為300nm的Ni金屬層，作為刻蝕溝槽的掩膜和P型歐姆接觸金屬；利用電子束蒸發(fā)法在SiC襯底未外延的背面淀積厚度為300nm的Ni金屬層，作為N型歐姆接觸電極；1100℃下氮氣氣氛中快速退火3分鐘；5)光刻圖形：按照核電池溝槽的位置制作成光刻版；在淀積的Ni金屬層表面旋涂一層光刻膠，利用光刻版對光刻膠進(jìn)行電子束曝光，形成腐蝕窗口；對腐蝕窗口處的Ni金屬層進(jìn)行腐蝕，露出P型高摻雜外延層，得到P型歐姆接觸電極和溝槽腐蝕窗口；6)刻蝕溝槽：利用電感耦合等離子體ICP刻蝕技術(shù)，刻出用于放置α放射源，深度為6.5～12μm，寬度為5～14μm，間距為12～25μm的至少兩個溝槽；7)放置α放射源：采用淀積或涂抹的方法，在溝槽中放置α放射源，得到3D式PIN結(jié)構(gòu)α輻照電池。