一種用于控制局部銅厚的pcb板制作方法及pcb板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法及PCB板,制作方法包括步驟:A、先對PCB板進行開料、減銅、鉆孔、沉銅、板電處理;B、然后再進行第一次外層線路制作、圖電、外層蝕刻、第二次外層線路制作、內(nèi)層蝕刻處理,最后進行防焊處理;其中,在步驟B中,在進行外層蝕刻處理時,只進行退膜處理,不進行蝕刻處理。本發(fā)明通過兩次線路制作,進行第一次外層的線路制作后,進行圖電、外層蝕刻處理,此時外層蝕刻過程中只退膜,而不蝕刻,然后再進行第二次外層線路制作,這樣就能滿足局部位置的線路表銅要求,達到特殊功能的應(yīng)用目的。
【專利說明】—種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法及PCB板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法及PCB板。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的線路板的設(shè)計、應(yīng)用越來越趨特殊化發(fā)展,例如保險絲設(shè)計的線路板,線路位置表銅要求不一致,但現(xiàn)有技術(shù)中的生產(chǎn)工藝是只能控制整面銅厚一致,無法滿足局部位置特殊表銅要求,導(dǎo)致保險絲功能喪失。
[0003]因此,現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進和發(fā)展。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法及PCB板,旨在解決現(xiàn)有的PCB板制作方法無法達到表銅要求的問題。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其中,包括步驟:
A、先對PCB板進行開料、減銅、鉆孔、沉銅、板電處理;
B、然后再進行第一次外層線路制作、圖電、外層蝕刻、第二次外層線路制作、內(nèi)層蝕刻處理,最后進行防焊處理;
其中,在步驟B中,在進行外層蝕刻處理時,只進行退膜處理,不進行蝕刻處理。
[0006]所述的用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其中,在板電處理時,將PCB板電鍍至表銅銅厚12?20 μ m。
[0007]所述的用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其中,在進行第一次外層線路制作時,采用干膜覆蓋PCB板上保險絲設(shè)計的線路,在PCB板上其他位置只鍍銅。
[0008]所述的用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其中,在進行第二次外層線路制作時,依次采用內(nèi)層涂布、外層貼干膜、曝光、顯影的處理方式。
[0009]所述的用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其中,最終制成的PCB板上孔銅銅厚> 17 μ m0
[0010]一種PCB板,其中,采用如上所述的制作方法制成。
[0011]有益效果:本發(fā)明通過兩次外層線路制作,進行第一次外層的線路制作后,進行圖電、外層蝕刻處理,此時外層蝕刻過程中只退膜,而不蝕刻,然后再進行第二次外層線路制作,這樣就能滿足局部位置的線路表銅要求,達到PCB板特殊功能的應(yīng)用目的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明一種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法較佳實施例的流程圖?!揪唧w實施方式】[0013]本發(fā)明提供一種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法及PCB板,為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確,以下對本發(fā)明進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0014]請參閱圖1,圖1為本發(fā)明所提供的一種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法較佳實施例的流程圖,其包括步驟:
51、先對PCB板進行開料、減銅、鉆孔、沉銅、板電處理;
52、然后再進行第一次線路制作、圖電、外層蝕刻、第二次外層線路制作、內(nèi)層蝕刻處理,最后進行防焊處理;
其中,在步驟S2中,在進行外層蝕刻處理時,只進行退膜處理,不進行蝕刻處理。退膜處理是將線路板面上蓋住的菲林褪去,露出未經(jīng)線路加工的銅面,具體可以采用3%(質(zhì)量百分比)的氫氧化鈉溶液(退膜液)進行退膜處理,退膜速度2.5^3.5m/min (較佳為3m/mn),退膜溫度48~54°C (較佳為50°C),退膜液噴壓為18~40PSI (較佳為30PSI)。另外還可加入除泡劑0.1-0.2%,退膜溫度低,速度慢,藥水(退膜液)濃度低,會導(dǎo)致退膜不凈,藥水濃度高,會導(dǎo)致板面氧化,退膜段噴嘴要及時清洗,防止碎片堵塞噴嘴,影響退膜質(zhì)量。按濃度控制PH值。退膜后水洗壓力應(yīng)大于20PSI,以便除去鍍層與底銅間的殘膜和附在板面上的殘膜,在進行內(nèi)層蝕刻處理時,蝕刻液溫度:46~52°C (較佳為50°C ),蝕刻液pH值:7.8~8.4(較佳為 8.0),比重 1.170~1.190 (較佳為 1.180),蝕刻液中:Cu2+:115~135g/l,CF:15(Tl90g/l,噴藥水(蝕刻液)壓力:18~30PSI,噴嘴形狀采用扇形噴嘴。蝕刻時噴嘴壓力應(yīng)在18~30PSI,過低則蝕刻不盡, 過高則易打斷藥水的保護膜,造成蝕刻過渡。Cu2+含量過低,蝕刻速率低,且溶液控制困難,Cu2+含量過高,溶液不穩(wěn)定,易生產(chǎn)沉淀。蝕刻液pH值過高,溶液中氨過飽和,游離到空氣中污染環(huán)境,且使側(cè)蝕增大,PH值過低,對金屬抗蝕層不利,且溶液中銅不能完全被絡(luò)合成銅絡(luò)合自理,溶液要出現(xiàn)沉淀,并在槽底形成泥狀沉淀。蝕刻溫度過低,蝕刻速度降低,且會增大側(cè)蝕量,影響蝕刻質(zhì)量,蝕刻溫度高,蝕刻速度明顯增大,但氨氣的揮發(fā)量增大,既污染環(huán)境,又增加成本。
[0015]在傳統(tǒng)的制作方法中,其流程是:開料一減銅一鉆孔一沉銅/板電一線路制作一防焊,這種傳統(tǒng)制作方法,只能控制正面銅厚一致,無法滿足局部位置的表銅要求,例如保險絲設(shè)計的線路,導(dǎo)致保險絲功能喪失,相對于傳統(tǒng)制作方法,本發(fā)明通過兩次線路制作可以滿足局部銅厚的要求,例如保險絲設(shè)計的線路。在本發(fā)明的制作方法,是通過進行兩次線路制作(外層線路)實現(xiàn)的,在進行第一次外層的線路制作后,進行圖電、外層蝕刻處理,此時外層蝕刻過程中只退膜,而不蝕刻,然后再進行第二次線路制作,這樣就能滿足局部位置的線路表銅要求,達到特殊功能的應(yīng)用目的。
[0016]進一步的實施例中,在板電處理時,將PCB板電鍍至表銅銅厚12~20 μ m,即達到保險絲設(shè)計的線路表銅要求。
[0017]而在進行第一次線路制作時,采用干膜覆蓋PCB板上保險絲設(shè)計的線路,在PCB板上其他位置只鍍銅,從而使孔銅、表銅都能達到要求。
[0018]進一步的實施例中,在進行第二次線路制作時,由于PCB板的銅面有階梯不平的問題,所以可采用特殊工藝進行外層線路制作,優(yōu)選依次采用內(nèi)層涂布、外層貼干膜、曝光、顯影的處理方式。
[0019]進一步的實施例中,最終制成的PCB板上孔銅銅厚> 17 μ m,且局部位置表銅厚度12-20um,其他線路表銅控制在≥1OZ0
[0020]基于上述方法,本發(fā)明還提供一種PCB板較佳實施例,其采用如上所述的制作方法制成。
[0021]綜上所述,本發(fā)明通過兩次線路制作,進行第一次外層的線路制作后,進行圖電、外層蝕刻處理,此時外層蝕刻過程中只退膜,而不蝕刻,然后再進行第二次線路制作,這樣就能滿足局部位置的線路表銅要求,達到特殊功能的應(yīng)用目的。
[0022]應(yīng)當(dāng)理解的是,本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例,對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)上述說明加以改進或變換,所有這些改進和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其特征在于,包括步驟: A、先對PCB板進行開料、減銅、鉆孔、沉銅、板電處理; B、然后再進行第一次外層線路制作、圖電、外層蝕刻、第二次外層線路制作、內(nèi)層蝕刻處理,最后進行防焊處理; 其中,在步驟B中,在進行外層蝕刻處理時,只進行退膜處理,不進行蝕刻處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其特征在于,在板電處理時,將PCB板電鍍至表銅銅厚12~20 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其特征在于,在進行第一次外層線路制作時,采用干膜覆蓋PCB板上保險絲設(shè)計的線路,在PCB板上其他位置只鍍銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其特征在于,在進行第二次外層線路制作時,依次采用內(nèi)層涂布、外層貼干膜、曝光、顯影的處理方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于控制局部銅厚的PCB板制作方法,其特征在于,最終制成的PCB板上孔銅銅厚≥17 μ m。
6.一種PCB板, 其特征在于,采用如權(quán)利要求1至5任一項所述的制作方法制成。
【文檔編號】H05K3/06GK103987202SQ201410212809
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月20日
【發(fā)明者】陳福強, 何自立 申請人:深圳市景旺電子股份有限公司