本發(fā)明涉及一種用于檢測X射線的閃爍器板以及用于制造閃爍器板的方法。本發(fā)明尤其涉及一種具有基板、閃爍器層以及保護層的閃爍器板。
背景技術(shù):從現(xiàn)有技術(shù)中已知此類閃爍器板。所述閃爍器板用于將X輻射或伽馬輻射轉(zhuǎn)化為可見光,且使用在醫(yī)療技術(shù)和無干擾材料檢驗中。通常,此類閃爍器板包括其上設(shè)有閃爍器層的基板。閃爍器層的材料適合于吸收X輻射和伽馬輻射的高能光子且將所述高能光子的能量又以多個低能光子、優(yōu)選地在可見光區(qū)域內(nèi)(在下文中稱為可見光光子)的形式釋放。以此,通常可使用通常的光學(xué)傳感器處理X輻射或伽馬輻射的信息。尤其,在此可使用光檢測器的矩陣例如由晶體硅制成的CCD傳感器或由無定形硅制成的光電二極管陣列來二維地記錄圖像。為實現(xiàn)圖像的高分辨率,要求由矩陣的唯一的光檢測器接收盡可能多的通過單獨的高能光子產(chǎn)生的可見光光子,以獲得關(guān)于空間關(guān)系的信息。所使用的閃爍器材料之一是碘化銫(在下文中稱為CsI)。由CsI制成的閃爍器層通常通過在真空中將CsI蒸鍍在基板上來產(chǎn)生。CsI在合適的制造條件下傾向于形成相互分離的柱狀的從基板在高度方向上生長的微結(jié)構(gòu)或針狀物。微結(jié)構(gòu)在側(cè)向方向上具有在10μm的量級上的典型的結(jié)構(gòu)尺寸。由于全反射的已知影響,這些微結(jié)構(gòu)適合于將在其內(nèi)部產(chǎn)生的光子的大部分沿微結(jié)構(gòu)傳導(dǎo),這可與光導(dǎo)體相似。僅以過大的角度到達表面的可見光光子離開各微結(jié)構(gòu)且在周圍別處散射。如果閃爍器層的層厚度選擇為更大,則微結(jié)構(gòu)傾向于生長在一起且實現(xiàn)相互接觸。此效果尤其從300μm的層厚度開始出現(xiàn)。在此類接觸位置處,典型地不再存在對于全反射的條件,使得附加的可見光光子從微結(jié)構(gòu)散射出。此層厚度尤其在使用帶有更高能量的X輻射或伽馬輻射時是需要的,因為隨著能量的升高在CsI內(nèi)的吸收降低且必須將閃爍器層構(gòu)造為更厚以吸收大部分的X光光子或伽馬光子。因此,通常的層厚度可處在500μm至2000μm之間。因此在此層厚度下,通過從微結(jié)構(gòu)側(cè)向離開的可見光光子明顯降低了空間分辨能力。為應(yīng)對此效應(yīng),如從公開文獻DE10242006A1中已知,嘗試將閃爍器層有目的的結(jié)構(gòu)化。如已提及,但從300μm的厚度開始閃爍器層又傾向于生長在一起,使得在層厚度更大時不可實現(xiàn)希望的效果。從公開文獻DE4433132A1和DE10116803A1中已知如下嘗試,即將微結(jié)構(gòu)的表面著色以吸收側(cè)向從微結(jié)構(gòu)離開的可見光光子。但著色不僅限制于表面而且在微結(jié)構(gòu)內(nèi)部內(nèi)延伸。因此,也關(guān)聯(lián)地引起可見光光子在微結(jié)構(gòu)內(nèi)部內(nèi)的增大的吸收,這導(dǎo)致期望信號的減少。出版物“StructuredCsI(Tl),ScintillatorsforX-RayImagingApplications”V.V.Nagarkar,IEEETransactionsonNuclearScience,Vol.45No.3,June1998也教示了以吸收光的保護層覆蓋微結(jié)構(gòu)。此外從專利文獻EP1793457B1中已知將微結(jié)構(gòu)從基部至尖端完全地以吸收可見光光子的包覆材料包裹。此類包裹物的折射率接近碘化銫的折射率且因此將在更平的入射角上的全反射限制到碘化銫和包覆材料之間的邊界層,以此可見光光子不再進入到包覆材料內(nèi)且在其處被吸收。由聚對二甲苯制成的保護層從專利文獻US4123308和公開文獻DE19509438A1中已知。
技術(shù)實現(xiàn)要素:因此,本發(fā)明所基于的問題是在已知的閃爍器板中對比度或分辨率隨著閃爍器層的厚度增加而降低的問題?;谒岢龅膯栴},本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種閃爍器板,該閃爍器板在相似的閃爍器層厚度的情況下具有提高的對比度、更大轉(zhuǎn)換系數(shù)和/或更高的分辨率。本發(fā)明的另外的技術(shù)問題是創(chuàng)造一種用于制造此閃爍器板的方法。根據(jù)本發(fā)明,此技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案解決。根據(jù)本發(fā)明的用于制造閃爍器板的方法首先具有提供基板的步驟。在基板上施加緩沖層。作為進一步的步驟,在基板上施加閃爍器層。在附加的步驟中,在閃爍器層上施加保護層。在另外的步驟中,緩沖層和/或保護層通過退火著色。根據(jù)本發(fā)明的解決方法具有明顯的優(yōu)點。通過以退火將緩沖層和/或保護層著色,不存在染料到達閃爍器層內(nèi)且在其處通過吸收傳播的可見光光子而降低閃爍器層的效率的風(fēng)險。相比之下,保護層通過著色具有對于散射的可見光光子的增大的吸收,尤其當(dāng)可見光光子并非以最短距離穿過保護層而是以與所生成的伽馬光子或X光光子的傳播方向成角度傳播且在保護層內(nèi)經(jīng)過更長的距離時。因此,通過吸收此非定向的可見光光子,改進了根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板的對比度和分辨率。以相同的方式,被著色的緩沖層減少了與基板的方向上成角度離開閃爍器層且從基板在檢測器的方向上反射回的可見光光子的數(shù)量。因為此可見光光子也漫射地圍繞原來的生成位置分布,所以通過其在緩沖層內(nèi)的吸收也改進了閃爍器板的分辨率和對比度。根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板包括基板、基板表面上的緩沖層、布置在緩沖層上的閃爍器層以及保護層。緩沖層和/或保護層具有一定含量的羰基官能團,使得緩沖層和/或保護層具有發(fā)黃的變色處。根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板具有多個優(yōu)點。尤其當(dāng)可見光光子并非以最短距離穿過保護層而是以與所生成的伽馬光子或X光光子的傳播方向成角度傳播且在保護層內(nèi)經(jīng)過更長的距離時,通過保護層的發(fā)黃的變色處,所述保護層具有對于散射的可見光光子的增大的吸收。因此,通過吸收此非定向的可見光光子,改進了根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板的對比度和分辨率。以相同的方式,變色的緩沖層降低了與基板的方向上成角度離開閃爍器層且從基板在檢測器的方向上反射回的可見光光子的數(shù)量。因為此可見光光子也散射地圍繞原來的生成位置分布,所以通過其吸收也改進了閃爍器板的分辨率和對比度。緩沖層和/或保護層的通過羰基官能團的發(fā)黃的變色處可例如通過在含氧氛圍內(nèi)的退火產(chǎn)生。此變色處可在羰基成分含量例如超過5000ppm時發(fā)生,其中變色處和增大的氧成分含量可限定在此層的區(qū)域上。變色是特別地有益的,因為提供了在可見光波長范圍內(nèi)的光吸收,而不通過顏料或染料改變保護層。羰基官能團在此在緩沖層或保護層自身內(nèi)形成且不到達閃爍器層內(nèi),而在該閃爍器層處羰基官能團會降低閃爍器層的轉(zhuǎn)換效率。因此可使得保護層由聚對亞苯基二亞甲基材料類中的聚對二甲苯制成、尤其是由C型聚對二甲苯、N型聚對二甲苯和D型聚對二甲苯形成。C型聚對二甲苯例如可由氣相沉積且不需要水或溶劑以用于施加。C型聚對二甲苯形成不透水的保護膜,所述保護膜保護閃爍器層不受潮。這尤其對于吸濕性的碘化銫是重要的。此外,C型聚對二甲苯通過從氣相沉積也能夠沉積在間隙內(nèi)。在方法的一個實施形式中,退火在190℃至240℃的溫度范圍內(nèi)在含氧氛圍內(nèi)執(zhí)行。在所述的有利的溫度范圍內(nèi)閃爍器層是穩(wěn)定的,而合適的保護層在此溫度范圍內(nèi)且在提供氧的情況下變色。在根據(jù)本發(fā)明的閃爍器層的優(yōu)選實施形式中,此微結(jié)構(gòu)形成為使得在微結(jié)構(gòu)之間的間隙基本上垂直于閃爍器板的表面向基板延伸。閃爍器層具有多個優(yōu)點。具有基本上垂直于閃爍器板的表面向基板延伸的間隙的微結(jié)構(gòu)使通過X射線和伽馬射線的轉(zhuǎn)化而產(chǎn)生的可見光光子借助在微結(jié)構(gòu)的邊界面上的全反射優(yōu)選地在向著閃爍器板的表面的方向上傳導(dǎo)到閃爍器層內(nèi)。通過微結(jié)構(gòu)在平行于閃爍器板的表面的方向上的小尺寸,在微結(jié)構(gòu)內(nèi)產(chǎn)生的可見光光子以有利的方式被傳導(dǎo)到對應(yīng)于微結(jié)構(gòu)的小尺寸的面上。通過在微結(jié)構(gòu)之間的間隙內(nèi)延伸的保護層具有對于可見光光子的明顯的吸收,此保護層以較高的可能性吸收了從微結(jié)構(gòu)散射出的可見光光子,且因此改進了根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板的對比度和分辨率。因為保護層僅部分地在微結(jié)構(gòu)之間的間隙內(nèi)延伸且與緩沖層相鄰的區(qū)域留空,所以微結(jié)構(gòu)在此區(qū)域內(nèi)的邊界面不與保護層接觸。因為閃爍器層的材料的折射率與環(huán)境的差大于其與保護層材料的差,所以對于保護層不在其內(nèi)延伸的區(qū)域內(nèi)的全反射的臨界角更大。因此,以有利的方式,在此區(qū)域內(nèi)在微結(jié)構(gòu)內(nèi)由X光光子或伽馬光子所產(chǎn)生的可見光光子的更大的份額在邊界面上被反射回到微結(jié)構(gòu)內(nèi)且在微結(jié)構(gòu)內(nèi)被從基板傳導(dǎo)開。在方法的一個實施形式中建議使得閃爍器層包括碘化銫且使得閃爍器層沉積在緩沖層上。碘化銫具有對于X光光子到可見光光子的轉(zhuǎn)換的良好的轉(zhuǎn)換效率。此外,碘化銫在沉積于基板上時傾向于自動地以針狀微結(jié)構(gòu)垂直于基板的表面布置,所述微結(jié)構(gòu)以有利的方式用作光導(dǎo)體且將多個在其內(nèi)部內(nèi)產(chǎn)生的可見光光子傳導(dǎo)向表面。也在根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板的優(yōu)選的實施形式中可建議使得閃爍器板具有帶有間隙的微結(jié)構(gòu),其中間隙基本上垂直于閃爍器板的表面向基板延伸。微結(jié)構(gòu)以有利的方式將通過X射線和伽馬射線的轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的可見光光子通過在微結(jié)構(gòu)的邊界面上的全反射優(yōu)選地在向著閃爍器板的表面的方向上傳導(dǎo)到閃爍器板的表面。通過微結(jié)構(gòu)在平行于閃爍器板的表面的方向上的小尺寸,在微結(jié)構(gòu)內(nèi)產(chǎn)生的可見光光子以有利的方式被傳導(dǎo)到對應(yīng)于微結(jié)構(gòu)的小尺寸的面上。在根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板的實施形式中建議使得閃爍器層包括碘化銫。碘化銫具有對于X光光子到可見光光子的轉(zhuǎn)換的良好的轉(zhuǎn)換效率。此外,碘化銫由于自組織而傾向于以針狀微結(jié)構(gòu)布置,所述微結(jié)構(gòu)垂直于基板的表面定向。此外可行的是,緩沖層和/或保護層具有C型聚對二甲苯、N型聚對二甲苯或D型聚對二甲苯。由C型聚對二甲苯制成的緩沖層或保護層是不透水的且構(gòu)造為保護閃爍器層的微結(jié)構(gòu)不受潮。這尤其對于吸濕性的碘化銫是重要的。此外,C型聚對二甲苯也適合在從氣相沉積時也在基板內(nèi)的間隙內(nèi)延伸或如在微結(jié)構(gòu)之間延伸。在優(yōu)選的實施形式中建議使得由聚對二甲苯制成的緩沖層和/或保護層具有一定含量的羰基官能團,例如具有超過5000ppm的羰基官能團,所述羰基官能團導(dǎo)致發(fā)黃的變色,其中變色和氧含量的提高可限定在此層的區(qū)域上。變色是特別有利的,因為提供了在可見光波長范圍內(nèi)的光吸收,而不通過顏料或染料改變緩沖層和/或保護層。附圖說明在下文中根據(jù)附圖詳細解釋根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板的示意性地圖示的實施例,但不限制于此。各圖為:圖1是通過現(xiàn)有技術(shù)的帶有低閃爍器層厚度的閃爍器板的橫截面,圖2是通過現(xiàn)有技術(shù)的帶有較大的閃爍器層厚度的閃爍器板的橫截面,圖3是帶有圖2的示意性細節(jié)圖的部分,圖4是通過根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板的示意性橫截面,和圖5是由聚對二甲苯制成的層在退火前后的透射譜。具體實施方式以上所述的本發(fā)明的特征、特點和優(yōu)點及其實現(xiàn)方式結(jié)合下文中的結(jié)合附圖解釋的實施例描述被清楚地理解。圖1示出了通過現(xiàn)有技術(shù)的閃爍器板1的橫截面。閃爍器板1具有基板10,在所述基板10上設(shè)有閃爍器層20。若閃爍器層20的材料是碘化銫,則此材料在基板10上生長時形成柱或針形狀的從基板10伸出的微結(jié)構(gòu)。閃爍器層20相對較薄,通常薄于例如300μm,從而單獨的柱或針相互分開。在閃爍器層20上設(shè)有保護層30,所述保護層30應(yīng)保護閃爍器層20不受環(huán)境影響。此環(huán)境影響可能是污染物、液體、氣體或濕氣。圖2則示出了帶有由碘化銫制成的閃爍器層20的閃爍器板1,所述閃爍器層如一般具有1000μm的厚度。柱或針形狀的單獨的微結(jié)構(gòu)在此厚度下傾向于相互在接觸位置21處接觸。圖3是圖2的局部細節(jié)圖,在閃爍器層20內(nèi)入射的X輻射如何轉(zhuǎn)換為可見光且此光如何傳播。X光光子60以一定的可能性與閃爍器層20的電子相互作用(吸收、康普頓效應(yīng))。通過由此導(dǎo)致的閃爍器層20的原子的電子層的改變,帶有可見光范圍內(nèi)的能量的光子62、63從原子發(fā)射出??梢姽夤庾拥囊徊糠?2以陡的角度落到閃爍器層20的外邊界面上,從而此光子62離開微結(jié)構(gòu)??梢姽夤庾拥牧硪徊糠?1以小于在微結(jié)構(gòu)的外邊界面上的全反射的角度的角度到達且被完全反射回到微結(jié)構(gòu)內(nèi)。因此,微結(jié)構(gòu),如光導(dǎo)體一樣將此可見光光子61沿微結(jié)構(gòu)導(dǎo)引。但如果外邊界面與另外的微結(jié)構(gòu)接觸,則可見光光子63也可轉(zhuǎn)入到相鄰的微結(jié)構(gòu)內(nèi)。離開微結(jié)構(gòu)的光子62和轉(zhuǎn)入到另外的微結(jié)構(gòu)內(nèi)的光子63以與微結(jié)構(gòu)的距離64離開X光光子在其內(nèi)轉(zhuǎn)換的閃爍器層。因此,此光子62、63使得通過閃爍器板1產(chǎn)生的圖像的空間分辨率和對比度惡化。圖4示出了通過根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板1的橫截面。閃爍器板也包括基板10,在所述基板10上施加了緩沖層11。在緩沖層11上設(shè)有閃爍器層20。閃爍器層20被結(jié)構(gòu)化為微結(jié)構(gòu),在該微結(jié)構(gòu)之間,間隙22從朝向光檢測器100的上側(cè)向基板10延伸。間隙22基本上垂直于基板10的表面延伸。保護層30施加在面朝光檢測器100的上側(cè)上且在閃爍器層20的微結(jié)構(gòu)之間的間隙22內(nèi)延伸。在此可行的是,保護層30在間隙22內(nèi)延伸,在薄層的情況下延伸直至緩沖層11。也可構(gòu)思使得保護層30僅在間隙22內(nèi)延伸從面朝光檢測器100的上側(cè)直至緩沖層11的行程的部分。因此,可構(gòu)思使得保護層30從上側(cè)延伸直至間隙22內(nèi)500μm。保護層30被著色,使其明顯地吸收可見光。著色涉及施加在面朝光檢測器100的上側(cè)上的保護層30的區(qū)域以及在閃爍器層的微結(jié)構(gòu)之間的間隙22內(nèi)延伸的保護層30的區(qū)域。在此應(yīng)理解的是離開閃爍器層20的微結(jié)構(gòu)的可見光光子62、63的明顯份額直至其主要份額在閃爍器層20的尺寸內(nèi)被保護層30吸收。這可例如是著色處,其中光的至少10%在1000μm的傳播距離情況下被吸收。也可構(gòu)思的是也使得或僅使得緩沖層11被著色。著色的緩沖層11減少了在基板10的方向上傳播且在其上被反射的可見光光子的數(shù)量。通過角度分布和此可見光光子直至閃爍器板1的背離基板的側(cè)上的檢測器所必須經(jīng)過的大的距離,所述可見光光子分布在較寬的范圍內(nèi)。但如果此可見光光子在著色的緩沖層11內(nèi)被吸收,則根據(jù)本發(fā)明的閃爍器板1的分辨率和對比度相應(yīng)地升高。著色處可例如通過在緩沖層11和/或保護層30內(nèi)形成羰基官能團來實現(xiàn),如果此羰基官能團例如由聚對二甲苯形成。羰基官能團尤其通過發(fā)黃的變色可觀察到,所述變色也可轉(zhuǎn)變?yōu)橹敝涟l(fā)棕的顏色。用于產(chǎn)生羰基官能團的可能的方式在如下闡述的方法中給出。例如,變色可通過保護層內(nèi)的超過5000ppm的羰基官能團來提供。也可通過在1700cm-1的波數(shù)情況下的吸收證明羰基官能團存在于聚對二甲苯的紅外光譜內(nèi)。圖5示出了在退火前的聚對二甲苯層的相應(yīng)的透射譜110和在退火后的透射譜120。在y軸上以百分比繪出了透射比,在x軸上繪出了具有波數(shù)的形式的紅外光的波長。在透射譜120中,顯見在約1700cm-1的波數(shù)下的吸收峰值121,所述吸收峰值由于羰基官能團導(dǎo)致,且在退火前的透射譜110中不可見。為確定羰基官能團的相對濃度,可繪出峰值的幅值與未通過退火而改變的聚對二甲苯的吸收線的幅值的比。為此,在820cm-1的波數(shù)下出現(xiàn)吸收峰值112、122,所述吸收峰值對應(yīng)于聚對二甲苯的芳香環(huán)中的C-H鍵的面外變形振動。尤其,當(dāng)在820cm-1的波數(shù)下的吸收峰值處的相對吸收與在1700cm-1的波數(shù)下的相對吸收的比小于10時,存在相應(yīng)的變色。在帶有保護層30的閃爍器層20的背離基板10的上側(cè)上設(shè)有光檢測器100。光檢測器100可例如是用于拍攝2維X光圖像的2維CCD矩陣。CCD矩陣可具有由晶體半導(dǎo)體制成的有源元件。但也可構(gòu)思使得一維檢測器行在閃爍器板1上運動來作為光檢測器100。也可構(gòu)思使用由無定形硅制成的光電二極管作為光檢測器100。當(dāng)單獨的檢測器元件101的尺寸對應(yīng)于在上側(cè)上的閃爍器層20內(nèi)的微結(jié)構(gòu)的橫截面時,達到了最大分辨率。更小的檢測器元件不導(dǎo)致更高的分辨率,因為在可見光光子在微結(jié)構(gòu)內(nèi)的全反射時,有關(guān)X光光子的位置信息在微結(jié)構(gòu)內(nèi)丟失。基本上也可構(gòu)思使得基板自身足夠薄且是透光的或是限位光學(xué)板,使得光檢測器布置在基板10的背離閃爍器層20的側(cè)上。在度過生成閃爍器層20的步驟而無檢測特征明顯的惡化的合適的光檢測器中,也可構(gòu)思使得閃爍器層20直接施加在光檢測器上或在層11上施加在光檢測器上。在下文中描述用于制造閃爍器板1的根據(jù)本發(fā)明的方法。首先,要求提供合適的基板10。作為基板,基本上所有具有足夠清潔且均勻的表面以用于閃爍器層20的生長的材料是合適的。同時要求基板對于X光輻射60是透明的。例如使用玻璃、鋁或無定形碳作為用于基板的材料。在此可構(gòu)思使得緩沖層11在施加在基板10的所謂的基礎(chǔ)材料上。緩沖層11可由與保護層30相同的材料制成,所述材料在下文中對于保護層30詳細解釋且由于其特別好的特性而適合于保護隨后閃爍器層20不受環(huán)境影響且適合于形成合適用于其沉積的基礎(chǔ)。此外可使得緩沖層11以對于保護層30所解釋的方法著色。如已解釋,但也可構(gòu)思使得光檢測器100用作基板10。在另外的步驟中在基板10上施加閃爍器層20。在優(yōu)選的實施形式中,碘化銫用作閃爍器材料。碘化銫可在真空下蒸鍍且沉積在基板上。在沉積時,碘化銫從基板10的表面以柱形或針形微結(jié)構(gòu)垂直生長。如已對于閃爍器板10所解釋,此微結(jié)構(gòu)對于成像特性特別地有利。此外,碘化銫尤其當(dāng)以鉈摻雜時的特征在于X光輻射特別有效地轉(zhuǎn)換成可見光。在本發(fā)明的范圍內(nèi),另外的材料也適合于將X光輻射轉(zhuǎn)換為可見光。當(dāng)這些材料自身不傾向于微結(jié)構(gòu)化時,此外可構(gòu)思以技術(shù)手段提供此類結(jié)構(gòu)化,例如通過半導(dǎo)體技術(shù)中的光蝕刻方法。例如,可構(gòu)思使用Gd2O2S。在另外的步驟中,在閃爍器層20上施加保護層30。尤其,碘化銫是吸濕性的且需要防止與濕氣接觸的保護。在優(yōu)選的構(gòu)造中,作為保護層30施加C型聚對二甲苯,所述C型聚對二甲苯與另外的聚對二甲苯一樣屬于聚對二甲苯族。C型聚對二甲苯從氣相的沉積無溶劑地實現(xiàn)。原料分子直接在閃爍器層20的表面上聚合成保護層30。在此,單獨的氣態(tài)的原料分子也能夠侵入到閃爍器層20的間隙22內(nèi)且在其處形成保護層30,所述保護層30在間隙22內(nèi)延伸。但也可構(gòu)思另外的材料用于保護層30,只要所述材料與閃爍器層20的各材料相容且能夠形成在微結(jié)構(gòu)之間的間隙22內(nèi)延伸的保護層。所述另外的材料可例如是聚對二甲苯族中的另外的材料,例如D型聚對二甲苯或N型聚對二甲苯或環(huán)氧樹脂。在根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)選的實施形式中,在另外的步驟中通過退火將保護層30著色。通過將保護層30在含氧的氛圍中加熱到在190℃至240℃之間的范圍,由C型聚對二甲苯制成的保護層根據(jù)熱處理的溫度和持續(xù)時間發(fā)黃直至黃褐色變色。在190℃以下,變色緩慢使得不可實現(xiàn)有意義的制造。超過240℃則由C型聚對二甲苯制成的保護層不再具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性且因此不再具有保護作用。通過在所述的條件下的退火實現(xiàn)了聚對二甲苯的氧化,使得氧作為羰基官能團引入到聚對二甲苯層內(nèi)且導(dǎo)致希望的發(fā)黃或發(fā)棕的變色。在一個實施形式中,羰基官能團在保護層30內(nèi)或保護層30的部分區(qū)域內(nèi)的成分含量超過5000ppm。通過因此實現(xiàn)的變色,可見光光子在間隙22內(nèi)被吸收且因此如已所述提高了對比度和分辨率。也在如所述的由C型聚對二甲苯制成的另外的保護層30中可構(gòu)思通過退火的著色,其中持續(xù)時間、溫度和氛圍成分的過程參數(shù)取決于保護層30的各材料。用于保護層30的可能的材料例如也可以是環(huán)氧樹脂。但也可構(gòu)思使得保護層30在施加時已被著色。這例如在氣體沉積時通過在生成保護層30時添加另外的成分來實現(xiàn)。僅需使得所述另外的成分不將閃爍器層20自身著色。此外可構(gòu)思將保護層30在施加之后以合適的著色方法著色。例如,可將保護層30置于另外的氣態(tài)成分,只要此成分不損壞閃爍器層20。雖然本發(fā)明在細節(jié)上通過優(yōu)選實施例詳細圖示和描述,但本發(fā)明不被公開的實施例所限制,且另外的變體可由專業(yè)人員導(dǎo)出,只要不偏離本發(fā)明的保護范圍即可。