布線基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種包括絕緣層（10）、以及夾著該絕緣層（10）而進(jìn)行配置的上側(cè)布線圖案（11）和下側(cè)布線圖案（12）。下側(cè)布線圖案（12）向上側(cè)布線圖案（11）一側(cè)突出，與和上側(cè)布線圖案（11）導(dǎo)通的層間連接導(dǎo)體（12A）形成為一體。層間連接導(dǎo)體（12A）以比絕緣層（10）與上側(cè)布線圖案（11）的接合界面要更陷入上側(cè)布線圖案（11）一側(cè)的狀態(tài)，來(lái)與上側(cè)布線圖案（11）相接合。由此，來(lái)提供一種能應(yīng)對(duì)大電流、而不會(huì)因裂紋、斷線、層間剝離等而使連接可靠性降低的布線基板。
【專利說(shuō)明】布線基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在絕緣層中形成有導(dǎo)體圖案的布線基板。
【背景技術(shù)】
[0002]在布線基板中，對(duì)于將不同層間的布線圖案進(jìn)行電連接的層間連接導(dǎo)體(通孔導(dǎo)體)，一般通過(guò)在布線基板上設(shè)置貫通孔，并對(duì)貫通孔的內(nèi)壁實(shí)施鍍敷，來(lái)形成所述層間連接導(dǎo)體。該形成方法由于鍍敷處理所耗費(fèi)的化學(xué)藥品較為昂貴、或者處理時(shí)間較長(zhǎng)等原因而在生產(chǎn)性和經(jīng)濟(jì)性等上存在問(wèn)題。
[0003]因此，例如有以下方法:向形成于布線基板的絕緣層中的貫通孔內(nèi)填充包含金屬粉末的導(dǎo)體糊料，從而形成層間連接導(dǎo)體。在該方法中，在向貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)體糊料從而形成層間連接導(dǎo)體之后，通過(guò)向由金屬箔構(gòu)成的布線電路層進(jìn)行施壓來(lái)使所述層間連接導(dǎo)體致密化。此時(shí)，由于向布線電路層進(jìn)行施壓，會(huì)導(dǎo)致層間連接導(dǎo)體中的導(dǎo)體糊料滲出至絕緣層與布線電路層之間的間隙中，從而會(huì)破壞布線電路層與絕緣層之間的密接性，其結(jié)果是，布線基板中有可能會(huì)發(fā)生導(dǎo)通不良。
[0004]專利文獻(xiàn)I中揭示了一種布線基板，所述布線基板能防止層間連接導(dǎo)體中的導(dǎo)體糊料向?qū)娱g連接導(dǎo)體周圍滲出，從而能防止布線電路層與絕緣層之間發(fā)生密接不良。圖1是專利文獻(xiàn)I所記載的布線基板的示意性剖視圖。在圖1所示的布線基板中，層疊有包含熱固性樹脂的絕緣層501A、501B，其表面埋設(shè)有布線電路層502。
[0005]在絕緣層501A、501B中，設(shè)有用于連接布線電路層502間的貫通孔，在貫通孔中設(shè)有通過(guò)填充包含金屬粉末的導(dǎo)體成分而形成的層間連接導(dǎo)體503。而且，在布線電路層502中，設(shè)有埋設(shè)層間連接導(dǎo)體503的凹腔504。利用該凹腔504，來(lái)防止層間連接導(dǎo)體503的導(dǎo)體糊料向?qū)娱g連接導(dǎo)體503的周圍滲出。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2003-8225號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0010]在專利文獻(xiàn)I中，若形成于布線電路層502的凹腔504的深度過(guò)淺，則防止導(dǎo)體糊料滲出的效果較差，若過(guò)深，則布線電路層502的厚度會(huì)變薄，從而布線電路層502的強(qiáng)度有可能會(huì)降低。因此，在專利文獻(xiàn)I中，由于無(wú)法充分防止布線電路層與絕緣層之間的密接不良，因此，布線基板的連接可靠性有可能會(huì)降低。
[0011]另外，在專利文獻(xiàn)I中，將導(dǎo)體糊料填充于貫通孔中而形成層間連接導(dǎo)體，但由于導(dǎo)體糊料是含有金屬粉末的樹脂，因此，層間連接導(dǎo)體中的金屬成分較少，其結(jié)果是，層間連接導(dǎo)體的電阻值會(huì)增大。因此，還存在以下問(wèn)題:即，層間連接導(dǎo)體會(huì)阻礙電流，從而作為布線基板卻無(wú)法應(yīng)對(duì)大電流。[0012]因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能應(yīng)對(duì)大電流，而不會(huì)因裂紋、斷線、層間剝離等而使連接可靠性降低的布線基板。
[0013]解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案
[0014]本發(fā)明所涉及的布線基板包括:絕緣層；夾著該絕緣層而進(jìn)行配置的第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案；以及沿厚度方向貫穿所述絕緣層并將所述第一導(dǎo)電圖案與所述第二導(dǎo)電圖案進(jìn)行導(dǎo)通的層間連接導(dǎo)體，所述層間連接導(dǎo)體與所述第一導(dǎo)體圖案形成為一體，并以比所述絕緣層與所述第二導(dǎo)電圖案的接合界面要更陷入所述第二導(dǎo)電圖案一側(cè)的狀態(tài)，來(lái)與所述第二導(dǎo)電圖案相接合。
[0015]在該結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)通第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案的層間連接導(dǎo)體會(huì)與第一導(dǎo)電圖案形成為一體，該層間連接導(dǎo)體處于陷入第二導(dǎo)電圖案一側(cè)的狀態(tài)。換言之，層間連接導(dǎo)體和第二導(dǎo)電圖案的接合界面位于不同于絕緣層和第二導(dǎo)電圖案的接合界面的平面上。此夕卜，所謂形成為一體是指，由一種相同金屬構(gòu)件來(lái)形成，因此，層間連接導(dǎo)體與第一導(dǎo)電圖案之間不存在接合界面。
[0016]伴隨溫度變化(過(guò)熱和冷卻)而發(fā)生的膨脹和收縮會(huì)導(dǎo)致絕緣層與導(dǎo)電圖案的接合部分上因膨脹率不同而產(chǎn)生應(yīng)力。假如在層間連接導(dǎo)體和第二導(dǎo)電圖案的接合界面、與絕緣層和第二導(dǎo)電圖案的接合界面存在于同一平面上的情況下，所產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)集中于接合界面，從而在接合界面上有可能會(huì)發(fā)生剝離。由此，有可能會(huì)在第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案之間發(fā)生導(dǎo)通不良，或在布線基板上產(chǎn)生裂紋等。
[0017]因此，通過(guò)采用層間連接導(dǎo)體陷入第二導(dǎo)體圖案一側(cè)的結(jié)構(gòu)，來(lái)使層間連接導(dǎo)體和第二導(dǎo)電圖案的接合界面、與絕緣層和第二導(dǎo)電圖案的接合界面位于不同的平面上，從而能使所產(chǎn)生的應(yīng)力分散，能防止因剝離而產(chǎn)生導(dǎo)通不良，防止布線基板產(chǎn)生裂紋等。
[0018]另外，在如以往那樣利用向貫通孔內(nèi)填充金屬粉末而形成的層間連接導(dǎo)體來(lái)連接不同層間的導(dǎo)電圖案的情況下，由于導(dǎo)電圖案與層間連接導(dǎo)體是由不同物質(zhì)形成的，因此，連接部分的電阻值較大。與之相對(duì)，如本發(fā)明那樣，將作為層間連接導(dǎo)體的層間連接導(dǎo)體與第一導(dǎo)電圖案形成為一體，從而第一導(dǎo)電圖案與層間連接導(dǎo)體之間的連接部分的電阻值不會(huì)增大，因此，能避免發(fā)生上述問(wèn)題。
[0019]此外，與以往的填充導(dǎo)電糊料的方法不同，通過(guò)將層間連接導(dǎo)體與第二導(dǎo)電圖案形成為一體，能使金屬成分增多，從而能減小層間連接導(dǎo)體的電阻值。
[0020]在本發(fā)明所涉及的布線基板中，也可以采用以下結(jié)構(gòu):即，所述絕緣層由多層構(gòu)成，導(dǎo)電圖案形成于由多層構(gòu)成的所述絕緣層的最上層的表面。
[0021]在該結(jié)構(gòu)中，能防止一般性安裝有電子元器件的絕緣層的最上層表面上發(fā)生導(dǎo)通不良。
[0022]在本發(fā)明所涉及的布線基板中，優(yōu)選采用以下結(jié)構(gòu):即，所述層間連接導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)電圖案的至少一部分經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑而導(dǎo)通。
[0023]在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)使得經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑而導(dǎo)通，能提高層間連接導(dǎo)體與第二導(dǎo)電性圖案之間的連接可靠性。
[0024]在本發(fā)明所涉及的布線基板中，優(yōu)選采用以下結(jié)構(gòu):即，在所述層間連接導(dǎo)體與所述第二導(dǎo)電圖案的接合界面的至少一部分上形成有有機(jī)皮膜。
[0025]在該結(jié)構(gòu)中，由于能抑制所述層間連接導(dǎo)體與所述第二導(dǎo)電圖案的連接部分的氧化，因此，連接部分的電阻值不會(huì)增大。
[0026]在本發(fā)明所涉及的布線基板中，優(yōu)選為采用以下結(jié)構(gòu):即，至少對(duì)所述層間連接導(dǎo)體進(jìn)行表面處理。表面處理例如可以舉出粗糙化處理、黑化處理、偶聯(lián)處理、有機(jī)皮膜形成
坐寸ο
[0027]在該結(jié)構(gòu)中，對(duì)所述層間連接導(dǎo)體進(jìn)行所述表面處理，從而提高了絕緣樹脂與所述層間連接導(dǎo)體的緊貼性，因此，能抑制因構(gòu)件膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生應(yīng)力從而發(fā)生剝離，能防止因剝離而產(chǎn)生導(dǎo)通不良，防止布線基板產(chǎn)生裂紋等。由于產(chǎn)生于絕緣樹脂與所述層間連接導(dǎo)體之間的剝離導(dǎo)致導(dǎo)通不良的可能性較高，因此，必須對(duì)所述層間連接導(dǎo)體的表面進(jìn)行表面處理，但也可以在對(duì)所述層間連接導(dǎo)體表面進(jìn)行處理的同時(shí)，也對(duì)所述第一導(dǎo)電圖案表面、所述第二導(dǎo)電圖案表面進(jìn)行處理。
[0028]在本發(fā)明所涉及的布線基板中，也可以采用以下結(jié)構(gòu):即，所述第一導(dǎo)電圖案具有與所述絕緣層側(cè)形成為一體的連接盤，所述布線基板還包括安裝于所述連接盤并配置于所述絕緣層內(nèi)的電子元器件。
[0029]在該結(jié)構(gòu)中，由于能將電子元器件內(nèi)置于絕緣層內(nèi)，因此，能使布線基板實(shí)現(xiàn)小型化。
[0030]在本發(fā)明所涉及的布線基板中，優(yōu)選為所述層間連接導(dǎo)體陷入所述第二導(dǎo)電圖案，其最深部分為IOym以上。
[0031]在該結(jié)構(gòu)中，將層間連接導(dǎo)體陷入第二導(dǎo)電圖案的深度的最深部分設(shè)為ΙΟμπι以上，從而能使層間連接導(dǎo)體與第二導(dǎo)電圖案之間不容易發(fā)生剝離不良，能提高布線基板的連接可靠性。
[0032]發(fā)明效果
[0033]根據(jù)本發(fā)明，使層間連接導(dǎo)體和第二導(dǎo)電圖案的接合界面、與第二導(dǎo)電圖案和絕緣層的接合界面位于不同的平面上，從而能使因構(gòu)件膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生的應(yīng)力分散。由此，能防止因應(yīng)力而發(fā)生層間剝離，并防止導(dǎo)通不良，從而能提高布線基板的連接可靠性。另外，通過(guò)將層間連接導(dǎo)體與第一導(dǎo)電圖案形成為一體，能使金屬成分增多，從而能減小層間連接導(dǎo)體的電阻值。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]圖1是專利文獻(xiàn)I所記載的布線基板的示意性剖視圖。
[0035]圖2是實(shí)施方式I所涉及的布線基板的示意性剖視圖。
[0036]圖3是對(duì)圖2的點(diǎn)劃線圓圈部分進(jìn)行放大的示意圖。
[0037]圖4是依次表示實(shí)施方式I所涉及的布線基板的制造工序的示意圖。
[0038]圖5是表示對(duì)實(shí)施方式I所涉及的布線基板進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)而得的結(jié)果的圖線。
[0039]圖6是表示陷入量10 μ m時(shí)的層間連接導(dǎo)體的直徑與連接可靠性之間的關(guān)系的圖線。
[0040]圖7是表示陷入量10 μ m時(shí)的上側(cè)布線圖案的厚度與連接可靠性之間的關(guān)系的圖線。
[0041]圖8是表示上側(cè)布線圖案與陷入量之間的關(guān)系的圖線。
[0042]圖9是實(shí)施方式2所涉及的布線基板的示意性剖視圖。[0043]圖10是表示對(duì)實(shí)施方式2所涉及的布線基板進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)而得的結(jié)果的圖線。
[0044]圖11是實(shí)施方式3所涉及的布線基板的示意性剖視圖。
[0045]圖12是依次表示實(shí)施方式3所涉及的布線基板的制造工序的示意圖。
[0046]圖13是實(shí)施方式4所涉及的布線基板的示意性剖視圖。
[0047]圖14是依次表示實(shí)施方式4所涉及的布線基板的制造工序的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]本發(fā)明所涉及的布線基板包括由絕緣樹脂所構(gòu)成的絕緣層、以及設(shè)置于絕緣層中的導(dǎo)電性的布線圖案(導(dǎo)電圖案)。絕緣層可以是一層，也可以是多層。另外，形成絕緣層的絕緣樹脂例如可以舉出環(huán)氧玻璃樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、氰酸酯樹脂、聚酰亞胺樹脂等。特別是在固化后的耐熱性較為優(yōu)異這點(diǎn)上，優(yōu)選為是聚酰亞胺樹脂。
[0049]布線基板通過(guò)布線圖案將搭載于絕緣層表面的電子元器件與搭載布線基板的主基板(例如母板)進(jìn)行電連接。搭載于布線基板的電子元器件例如為硅半導(dǎo)體元件、砷化鎵半導(dǎo)體元件等有源元件，或電容器、電感器等無(wú)源元件等。
[0050](實(shí)施方式I)
[0051]圖2是實(shí)施方式I所涉及的布線基板的示意性剖視圖。圖3是對(duì)圖2的點(diǎn)劃線圓圈部分進(jìn)行放大的示意圖。此外，在圖3中，各元器件實(shí)際上是緊貼的，但為了便于說(shuō)明，在各元器件的接合部分處設(shè)置空間來(lái)進(jìn)行描繪。
[0052]實(shí)施方式I所涉及的布線基板I具有以下結(jié)構(gòu):即，在絕緣層10的上表面上形成有上側(cè)布線圖案11，在下表面上形成有下側(cè)布線圖案12。此外，設(shè)絕緣層10的上表面為搭載上述電子元器件的表面。
[0053]絕緣層10具有0.1Omm的厚度，其中形成有圓筒狀的貫通孔IOA0在該貫通孔IOA中，插通有與后述的下側(cè)布線圖案12形成為一體的層間連接導(dǎo)體12A。利用層間連接導(dǎo)體12A，使得形成于絕緣層10的上下表面的上側(cè)布線圖案11與下側(cè)布線圖案12導(dǎo)通。
[0054]布線圖案11形成于絕緣層10的上表面，具有0.1Omm的厚度。在厚度方向上，在與形成于絕緣層10的貫通孔IOA相一致的位置上，從絕緣層10突出的后述的層間連接導(dǎo)體12A的前端部陷入上側(cè)布線圖案11。如圖3所示，上側(cè)布線圖案11和層間連接導(dǎo)體12A的接合面IlA的截面呈圓弧形，但也可以呈矩形。
[0055]下側(cè)布線圖案12形成于絕緣層10的下表面，具有0.1Omm的厚度。下側(cè)布線圖案12與層間連接導(dǎo)體12A形成為一體。即，下側(cè)布線圖案12及層間連接導(dǎo)體12A由一種相同的金屬構(gòu)件所形成，兩者之間不存在接合界面。
[0056]層間連接導(dǎo)體12A是直徑0.6mm、長(zhǎng)0.2mm的圓柱形，如圖3所示，其前端部呈圓弧形。將該層間連接導(dǎo)體12A貫穿形成于絕緣層10的貫通孔10A。從該絕緣層10的上表面突出的層間連接導(dǎo)體12A的前端埋設(shè)于上述上側(cè)布線圖案11內(nèi)。
[0057]將下側(cè)布線圖案12和層間連接導(dǎo)體12A形成為一體，從而與向貫通孔內(nèi)填充作為包含金屬粉末的樹脂的導(dǎo)體糊料來(lái)形成層間連接導(dǎo)體的情況相比，能使金屬成分增多，從而能減小層間連接導(dǎo)體的電阻值。
[0058]此外，設(shè)層間連接導(dǎo)體12A為圓柱形，但也可以為棱柱形。另外，層間連接導(dǎo)體12A的前端部也可以呈平面狀。[0059]這樣，由于層間連接導(dǎo)體12A埋設(shè)于上側(cè)布線圖案11，因此，層間連接導(dǎo)體12A和上側(cè)布線圖案11的接合界面、與絕緣層10和上側(cè)布線圖案11的接合界面位于不同的平面上。由此，能防止因膨脹率不同而產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)集中于接合界面，從而能防止因應(yīng)力而發(fā)生的剝離所引起的導(dǎo)通不良，并防止布線基板I產(chǎn)生裂紋等。
[0060]下面，對(duì)布線基板I的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖4是依次表示實(shí)施方式I所涉及的布線基板I的制造工序的不意圖。
[0061]在最初的第一工序中(圖4(a))，在厚度0.3mm的銅板20的厚度方向上，在相對(duì)的兩個(gè)表面上粘貼厚度15 μ m的干膜抗蝕劑21。此外，圖4是從銅板20的側(cè)面方向進(jìn)行觀察的圖。
[0062]接著，在第二工序中(圖4 (b))，對(duì)粘貼有干膜抗蝕劑21的銅板20的一面進(jìn)行蝕亥1J，以留下直徑為0.6mm、長(zhǎng)為0.2mm的圓筒形的層間連接導(dǎo)體12A。
[0063]在第三工序中(圖4 (c))，在厚度0.15mm的絕緣樹脂23中形成0.6mm的孔(未圖示)，將所述絕緣樹脂23層疊配置于在第二工序中實(shí)施蝕刻處理后的銅板20。該絕緣樹脂23成為上述絕緣層10。
[0064]在第四工序中(圖4(d))，將厚度0.1mm的銅板24配置于絕緣樹脂23(絕緣層10)的上表面，在該狀態(tài)下，在180°C、IOOkN下進(jìn)行I小時(shí)的層疊成形。由此，使層間連接導(dǎo)體12A的前端部陷入銅板24中，使上述接合面IlA形成為圓弧形。
[0065]在第五工序中(圖4(e))，利用減成法(去除不需要的部分而留下電路的方法)在第四工序中所獲得的層疊體的兩個(gè)表面上形成圖案，從而使銅板20形成為下側(cè)布線圖案12，使銅板24形成為上側(cè)布線 圖案11。由此，形成布線基板I。
[0066]接著，對(duì)將層間連接導(dǎo)體12A埋設(shè)于上側(cè)布線圖案11的陷入量進(jìn)行說(shuō)明。優(yōu)選為將陷入量設(shè)為上側(cè)布線圖案11的厚度的50%以下，下面對(duì)更具體的數(shù)值進(jìn)行說(shuō)明。
[0067]圖5是表示對(duì)實(shí)施方式I所涉及的布線基板I進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)而得的結(jié)果的圖線。圖5所示的圖線的縱軸表示布線基板I的電阻變化率(％)，橫軸表示熱沖擊試驗(yàn)中的熱循環(huán)數(shù)。
[0068]如圖5所示，在層間連接導(dǎo)體12A相對(duì)于上側(cè)布線圖案11的陷入量為O μ m或5 μ m的情況下，若熱循環(huán)數(shù)增大，則電阻變化率會(huì)上升。與之相對(duì)，在陷入量為10μπ?、15μπ?或20 μ m的情況下，無(wú)論熱循環(huán)數(shù)是多少，電阻變化率都幾乎不發(fā)生變化。因此，由于陷入量越小則連接可靠性越低，因此，優(yōu)選為是ΙΟμπι以上。
[0069]此外，無(wú)論層間連接導(dǎo)體12Α的直徑和上側(cè)布線圖案11的厚度如何，都優(yōu)選為將陷入量設(shè)為10 μ m以上。圖6是表示陷入量為10 μ m時(shí)的層間連接導(dǎo)體12A的直徑與連接可靠性之間的關(guān)系的圖線。圖7是表示陷入量ΙΟμπι時(shí)的上側(cè)布線圖案11的厚度與連接可靠性之間的關(guān)系的圖線。
[0070]在陷入量為ΙΟμπι以上時(shí)連接可靠性會(huì)提高的原因在于，上側(cè)布線圖案11和層間連接導(dǎo)體12Α的接合界面、與具有不同熱膨脹系數(shù)的絕緣層10和上側(cè)布線圖案11的接合界面不在同一平面上。因此，無(wú)論層間連接導(dǎo)體12Α的直徑和上側(cè)布線圖案11的厚度如何，都能獲得該效果。
[0071]例如,如圖6所示，即使層間連接導(dǎo)體12Α的直徑為0.05mm、0.6mm或1.0mm,無(wú)論熱循環(huán)數(shù)為多少，電阻變化率都幾乎不發(fā)生變化。另外，如圖7所示，即使上側(cè)布線圖案11的厚度為0.lmm、0.3mm或1.0mm，無(wú)論熱循環(huán)數(shù)為多少，電阻變化率都幾乎不發(fā)生變化。
[0072]另外，陷入量?jī)?yōu)選為在10 y m以上，但在這種情況下，優(yōu)選為將上側(cè)布線圖案11的厚度設(shè)為IOOiim以上。圖8是表示上側(cè)布線圖案11與陷入量之間的關(guān)系的圖線。在圖8 中，縱軸表示陷入量,橫軸表示上側(cè)布線圖案11的厚度。如圖8所示,在陷入量為IOiim的情況下，上側(cè)布線圖案11的厚度約為100 iim，若上側(cè)布線圖案11的厚度為IOOiim以上，則陷入量幾乎保持固定。因此，若上側(cè)布線圖案11的厚度為lOOym以上，則能確保最合適的 IOiim以上的陷入量。
[0073](實(shí)施方式2)
[0074]接著，對(duì)實(shí)施方式2所涉及的布線基板進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施方式2所涉及的布線基板I 與實(shí)施方式I的不同之處在于，通過(guò)導(dǎo)電性粘接劑來(lái)導(dǎo)通層間連接導(dǎo)體12A與上側(cè)布線圖案11。下面，只對(duì)該不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0075]圖9是實(shí)施方式2所涉及的布線基板I的示意性剖視圖。實(shí)施方式2所涉及的布線基板I如圖9所示，在層間連接導(dǎo)體12A的前端部分上涂布有導(dǎo)電性粘接劑13。導(dǎo)電性粘接劑13例如是納米銀或納米銅的低阻抗導(dǎo)電性糊料。此外，作為導(dǎo)電性粘接劑13，也可以是包含金屬粉末的樹脂組合物。
[0076]由于層間連接導(dǎo)體12A的前端部上涂布有導(dǎo)電性粘接劑13，因此，上側(cè)布線圖案 11和層間連接導(dǎo)體12A經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑13而導(dǎo)通。通過(guò)在層間連接導(dǎo)體12A上涂布導(dǎo)電性粘接劑13,能進(jìn)一步提高層間連接導(dǎo)體12A的連接可靠性。
[0077]關(guān)于實(shí)施方式2所涉及的布線基板I的制造方法，與實(shí)施方式I基本相同，在圖4 (c)中的第三工序時(shí)，通過(guò)在層間連接導(dǎo)體12A的前端上涂布導(dǎo)電性粘接劑13，能制造出實(shí)施方式2所涉及的布線基板I。
[0078]另外，在實(shí)施方式I中，將陷入量設(shè)為IOym以上，但在涂布導(dǎo)電性粘接劑13的情況下，可以將陷入量設(shè)為5 y m以上。圖10是表示對(duì)實(shí)施方式2所涉及的布線基板I進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)而得的結(jié)果的圖線。如圖10所示，在陷入量為5i!m以上時(shí)，無(wú)論熱循環(huán)數(shù)為多少，電阻變化率都幾乎不發(fā)生變化。因此，由于陷入量越小則連接可靠性越低，因此，優(yōu)選為是5 y m以上。
[0079](實(shí)施方式3)
[0080]接著，對(duì)實(shí)施方式3所 涉及的布線基板進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施方式3所涉及的布線基板 I與實(shí)施方式I的不同之處在于，絕緣層10為多層、且各層間形成有布線圖案。下面，只對(duì)該不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0081]圖11是實(shí)施方式3所涉及的布線基板I的示意性剖視圖。實(shí)施方式3所涉及的布線基板I的絕緣層10如圖11所示，具有以下結(jié)構(gòu):即，從絕緣層10的表面?zhèn)绕鹨来螌盈B有第一層101、第二層102、第三層103、以及第四層104。
[0082]在第一層101的上表面形成有上側(cè)布線圖案11，在下表面形成有下側(cè)布線圖案 121。下側(cè)布線圖案121與層間連接導(dǎo)體121A形成為一體，層間連接導(dǎo)體121A的前端部從第一層101向上側(cè)布線圖案11 一側(cè)突出，前端部陷入上側(cè)布線圖案11。
[0083]第二層102的下表面形成有下側(cè)布線圖案122。下側(cè)布線圖案122與層間連接導(dǎo)體122A形成為一體。層間連接導(dǎo)體122A的前端部從第二層102向下側(cè)布線圖案121 —側(cè)突出，陷入下側(cè)布線圖案121。[0084]第三層103的下表面形成有下側(cè)布線圖案123。下側(cè)布線圖案123與層間連接導(dǎo) 體123A形成為一體。層間連接導(dǎo)體123A的前端部從第三層103向下側(cè)布線圖案122 —側(cè) 突出，陷入下側(cè)布線圖案122。
[0085]第四層104的下表面形成有下側(cè)布線圖案124。下側(cè)布線圖案124與層間連接導(dǎo) 體124A形成為一體。層間連接導(dǎo)體124A的前端部從第四層104向下側(cè)布線圖案123 —側(cè) 突出，陷入下側(cè)布線圖案123。
[0086]如上所述，實(shí)施方式3所涉及的布線基板I具有多層化的布線圖案，且在各層的布 線圖案中埋設(shè)有與下一層的布線圖案形成為一體的層間連接導(dǎo)體的前端部。由此，與實(shí)施 方式I相同，能防止因膨脹率不同而產(chǎn)生的應(yīng)力所導(dǎo)致的各層間發(fā)生剝離、從而引起導(dǎo)通 不良，并防止產(chǎn)生裂紋等。
[0087]圖12是依次表示實(shí)施方式3所涉及的布線基板I的制造工序的示意圖。
[0088]如圖12 Ca)所示，將銅板204進(jìn)行蝕刻，以形成層間連接導(dǎo)體124A，將絕緣樹脂 234層疊配置于銅板204，以使得層間連接導(dǎo)體124A的前端突出0.05mm。絕緣樹脂234成 為圖11的第四層104。
[0089]在該絕緣樹脂234的上表面上配置厚度0.3mm的銅板203，在180°C、IOOkN下進(jìn)行 I小時(shí)的層疊成形。由此，使層間連接導(dǎo)體124A的前端部陷入銅板203。
[0090]接著，如圖12 (b)所示，在銅板203的上表面上粘貼厚度15 iim的干膜抗蝕劑(未 圖示)，對(duì)其上表面進(jìn)行蝕刻，以留下直徑為0.6_、長(zhǎng)度為0.2mm的圓筒形的層間連接導(dǎo)體 123A。
[0091]接著，如圖12 (C)所示，利用減成法在圖12 (b)中所獲得的層疊體的兩個(gè)表面上 形成圖案，從而使銅板204形成為下側(cè)布線圖案124，使銅板203形成為下側(cè)布線圖案123。
[0092]接著，如圖12 (d)所示，在厚度0.15mm的絕緣樹脂233中形成0.6mm的孔(未圖 示)，將絕緣樹脂233進(jìn)行層疊，使得圖12(c)中所形成的層間連接導(dǎo)體123A貫穿該孔。該 絕緣樹脂233成為圖11的第三層103。
[0093]依次重復(fù)圖12中所說(shuō)明的工序，從而能形成如圖11所示的、實(shí)施方式3所涉及的 布線基板I。這樣，在絕緣層10的內(nèi)層形成布線圖案，并進(jìn)行多層化，從而能進(jìn)一步使布線 基板I小型化。
[0094](實(shí)施方式4)
[0095]接著，對(duì)實(shí)施方式4所涉及的布線基板進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施方式4所涉及的布線基板 I在實(shí)施方式3所涉及的布線基板I的不同之處在于，在布線基板I的絕緣層10內(nèi)安裝有 電子元器件。下面，只對(duì)該不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0096]圖13是實(shí)施方式4所涉及的布線基板I的示意性剖視圖。實(shí)施方式4所涉及的 布線基板I的絕緣層10與實(shí)施方式3相同，具有以下結(jié)構(gòu):即，從絕緣層10的表面?zhèn)绕鹨?次層疊有第一層101、第二層102、第三層103、以及第四層104。
[0097]形成于第一層101、第二層102、第三層103、以及第四層104的下表面的下側(cè)布線 圖案121、122、123、124不僅與層間連接導(dǎo)體121A、122A、123A、124A形成為一體，還與連接 盤 121B、122B、123B、124B 形成為一體。
[0098]在各層的連接盤121B、122B、123B、124B上，安裝有電子元器件151、152、153、154。 該電子元器件151、152、153、154分別配置于第一層101、第二層102、第三層103、以及第四層104內(nèi)。因此，通過(guò)將電子元器件151、152、153、154內(nèi)置于絕緣樹脂中，能使布線基板I 小型化。
[0099]此外，對(duì)于電子元器件151、152、153、154，例如可以舉出硅半導(dǎo)體元件、砷化鎵半 導(dǎo)體元件等有源元件，或電容器、電感器等無(wú)源元件等。
[0100]圖14是依次表示實(shí)施方式4所涉及的布線基板I的制造工序的示意圖。
[0101]在最初的第一工序中(圖14 (a))，在厚度為0.3mm的銅板20的厚度方向上，在相 對(duì)的兩個(gè)表面上粘貼厚度為15 Pm的干膜抗蝕劑(未圖示)。然后，對(duì)粘貼有干膜抗蝕劑的 銅板204的一面進(jìn)行蝕刻，使得留下直徑為0.6_、長(zhǎng)度為0.19mm的圓筒形的層間連接導(dǎo)體 124A。
[0102]接著，在第二工序中(圖14 (b))，對(duì)圖14 Ca)中的經(jīng)蝕刻處理后的銅板204進(jìn)一 步進(jìn)行蝕刻，以形成厚度為0.0lmm的連接盤124B。形成該連接盤124B，從而使形成為具有
0.19mm的長(zhǎng)度的層間連接導(dǎo)體124A的長(zhǎng)度會(huì)成為0.2mm。
[0103]在第三工序中(圖14 (c))，將電子元器件154搭載于所形成的連接盤124B。之 后，在弟四工序中(圖14 (d))，在銅板204上層置絕緣樹脂234。在實(shí)施方式4中，絕緣樹 脂234呈液態(tài)，在將其涂布于銅板204上之后，進(jìn)行真空脫泡并進(jìn)行加熱，從而以半固化狀 態(tài)對(duì)電子元器件154進(jìn)行封裝。此時(shí)，絕緣樹脂234的厚度變?yōu)?.15mm。
[0104]之后，與實(shí)施方式3中所說(shuō)明的工序(參照?qǐng)D12)相同，將厚度0.3mm的銅板203置 于180°C、IOOkN下進(jìn)行I小時(shí)的層疊成形。之后，從圖14 Ca)的工序起重復(fù)進(jìn)行各工序， 從而形成圖13所示的布線基板I。這樣，將電子元器件內(nèi)置于絕緣樹脂中，從而能使布線基 板I實(shí)現(xiàn)小型化。
[0105]以上對(duì)本發(fā)明所涉及的布線基板進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但也可以對(duì)布線基板I的具體 結(jié)構(gòu)等進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)變更，且上述實(shí)施方式中所記載的作用和效果僅僅是所列舉的根據(jù) 本發(fā)明所產(chǎn)生的最優(yōu)選的作用和效果，本發(fā)明的作用和效果不限于上述實(shí)施方式所記載的 作用和效果。
[0106]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0107]I布線基板
[0108]10絕緣層
[0109]11上側(cè)布線圖案(第二導(dǎo)電圖案)
[0110]IlA接合面
[0111]12下側(cè)布線圖案(第一導(dǎo)電圖案)
[0112]12A層間連接導(dǎo)體
[0113]13導(dǎo)電性粘接劑
【權(quán)利要求】
1.一種布線基板，其特征在于，包括:絕緣層；夾著該絕緣層而進(jìn)行配置的第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案；以及沿厚度方向貫穿所述絕緣層并將所述第一導(dǎo)電圖案與所述第二導(dǎo)電圖案進(jìn)行導(dǎo)通的層間連接導(dǎo)體，所述層間連接導(dǎo)體與所述第一導(dǎo)體圖案形成為一體，并以比所述絕緣層與所述第二導(dǎo)電圖案的接合界面要更陷入所述第二導(dǎo)電圖案一側(cè)的狀態(tài)，來(lái)與所述第二導(dǎo)電圖案相接合。
2.如權(quán)利要求1所述的布線基板，其特征在于， 所述絕緣層由多層構(gòu)成，所述第二導(dǎo)電圖案形成于由多層構(gòu)成的所述絕緣層的最上層的表面。
3.如權(quán)利要求1或2所述的布線基板，其特征在于， 所述層間連接導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)電圖案的至少一部分經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑而導(dǎo)通。
4.如權(quán)利要求2或3所述的布線基板，其特征在于， 所述第一導(dǎo)電圖案具有與所述絕緣層側(cè)形成為一體的連接盤，所述布線基板還包括安裝于所述連接盤并配置于所述絕緣層內(nèi)的電子元器件。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于， 所述層間連接導(dǎo)體陷入所述第二導(dǎo)電圖案，其最深部分為ΙΟμπι以上。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于， 在所述層間連接導(dǎo)體與所述第二導(dǎo)電圖案的接合界面的至少一部分上形成有有機(jī)皮膜。
7.如權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的布線基板，其特征在于， 至少對(duì)所述層間連接導(dǎo)體進(jìn)行表面處理。
【文檔編號(hào)】H05K3/40GK103460819SQ201280014693
【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月24日
【發(fā)明者】伊藤悟志, 守屋要一, 金森哲雄, 八木幸弘, 山本祐樹 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所