專利名稱：高效led驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
高效LED驅(qū)動電路
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電路設(shè)計領(lǐng)域,特別是涉及一種高效LED(light-emittingDiode)驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
LED背光驅(qū)動電路廣泛應用于各種電子設(shè)備中，例如平板電腦和智能手機。而實驗發(fā)現(xiàn)在很多便攜電子系統(tǒng)中，LED屏的耗電能占到整個系統(tǒng)耗電的一半或甚至更多。所以提高LED屏的效率，對于節(jié)能、減小發(fā)熱、延長鋰電池充滿電后的使用時間很有意義?，F(xiàn)有技術(shù)中，LED背光驅(qū)動芯片通常將功率NM0SFET(N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)與控制電路集成`在同一塊晶片上。其原因在于LED背光驅(qū)動電路一般采用升壓電路，而升壓電路多采用脈沖寬度調(diào)制(PWM:Pulse Width Modulation)電路結(jié)構(gòu),此結(jié)構(gòu)在反饋環(huán)路控制中存在右半平面零點(RHPZ:Right Half-Plane Zero)，此類零點對反饋環(huán)路穩(wěn)定性影響極壞，其頻域響應的影響是使增益增加20dB/頻程，同時相位減小90度。現(xiàn)有技術(shù)中為了實現(xiàn)反饋環(huán)路穩(wěn)定性，通常采用電流模結(jié)構(gòu)，即采樣一部分功率NM0SFET的電流，并注入采樣電流到反饋環(huán)路中。為了精確采樣功率NM0SFET的電流，常規(guī)技術(shù)是采用一個與功率NM0SFET類型、結(jié)構(gòu)和版圖相同但尺寸較小的采樣晶體管，這樣就使得在同一晶片上集成該功率NM0SFET、采樣晶體管及控制電路的方案盛行。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的LED驅(qū)動電路的一種實現(xiàn)方式，其包括升壓輸出電路和升壓控制電路。所述升壓輸出電路包括依次串聯(lián)于輸入電壓VDD和地之間的電感L1、二極管Dl和電容Cl，以及串聯(lián)在電感LI和二極管Dl的中間節(jié)點和地之間的功率開關(guān)麗I (NM0SFET)，所述二極管Dl和電容Cl之間的節(jié)點為輸出節(jié)點Vout。一串或多串WLED (white light emitting diode)和電流反饋電阻Rs—起串聯(lián)在輸出節(jié)點Vout和地之間。所述升壓控制電路包括采樣開關(guān)麗SI (NM0SFET)、電流采樣電路和電流?？刂齐娐贰Ｋ霾蓸娱_關(guān)MNS I和電流采樣電路共同來采樣所述功率開關(guān)MNl上流過的電流并得到所述功率開關(guān)MNl的采樣電流。所述電流模控制電路根據(jù)功率開關(guān)的采樣電流以及電流反饋電阻Rs得到的電流反饋電壓輸出開關(guān)控制信號來控制所述功率開關(guān)MNl的導通和截止，其中該采樣開關(guān)MNSl的導通和截止也由該開關(guān)控制信號來控制。在現(xiàn)有技術(shù)中，電流采樣電路、采樣開關(guān)麗S1、功率開關(guān)麗I和電流?？刂齐娐吠ǔ＜稍谕黄希刺摼€框110所包圍的部分。另一方面，該功率開關(guān)MNl的導通電阻越大其能量損耗越大(麗I導通時的導通損耗為I2.R，其中I為麗I的導通電流，R為麗I的導通電阻)，這樣導致LED驅(qū)動電路的效率較低；同時該功率開關(guān)MNl的柵極電容越大，使得LED驅(qū)動電路的開關(guān)損耗越大(開關(guān)損耗為1/2.C.V2.f，其中C為功率開關(guān)MNl的柵極電容，V為麗I的柵極電壓擺幅，f為麗I的開關(guān)頻率)，也導致LED驅(qū)動電路的效率較低。在能將功率開關(guān)和控制電路的集成在一起的電路工藝中，目前最先進的技術(shù)是采用 BCD(Bipolar CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) DM0S)的平面工藝，米用DMOS (Diffused Metal-Oxide Semiconductor)來設(shè)計功率開關(guān)MNl以期達到較小的導通電阻和柵極電容。但是這樣設(shè)計出的功率開關(guān)MNl的導通電阻和柵極電容還是較大。因此，有必要提出一種改進的技術(shù)方案來解決上述問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的之一在于提供一種LED驅(qū)動電路，其具有成本低、效率高等優(yōu)點。為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本實用新型的一方面，本實用新型提出一種LED驅(qū)動電路，其包括:電感L1、二極管D1、電容Cl、功率開關(guān)、采樣開關(guān)、電流采樣電路和電流模控制電路。將電流采樣電路和電流模控制電路設(shè)置于第一晶片中，將功率開關(guān)和采樣開關(guān)設(shè)置于第二晶片中，第二晶片采用垂直溝槽柵工藝制造，第一晶片的制造工藝與第二晶片的不同。進一步的，電感L1、二極管Dl和電容Cl依次串聯(lián)于輸入電壓和地之間，功率開關(guān)串聯(lián)在電感LI和二極管Dl的中間節(jié)點和地之間，所述二極管Dl和電容Cl之間的節(jié)點為輸出節(jié)點。進一步的，所述采樣開關(guān)和電流采樣電路共同來采樣所述功率開關(guān)上流過的電流并得到所述功率開關(guān)的采樣電流，所述電流模控制電路根據(jù)功率開關(guān)的采樣電流以及電流反饋電壓輸出開關(guān)控制信號來控制所述功率開關(guān)和所述采樣開關(guān)的導通和截止。進一步的，所述采樣開關(guān)和所述功率開關(guān)均是NM0SEFT，所述采樣開關(guān)的漏極與所述功率開關(guān)的漏極相連，構(gòu)成第二晶片的一個壓焊區(qū)，并與電感LI和二極管Dl的中間節(jié)點相連；所述采樣開關(guān)的柵極與所述功率開關(guān)的柵極相連，構(gòu)成第二晶片的一個壓焊區(qū)，并與電流模控制電路的輸出端相連；所述功率開關(guān)的源極接地，構(gòu)成第二晶片的一個壓焊區(qū)；所述采樣開關(guān)的源極接所述電流采樣電路，構(gòu)成第二晶片的一個壓焊區(qū)。第一晶片與第二晶片封裝在一起。 更進一步的，所述功率開關(guān)和所述采樣開關(guān)的結(jié)構(gòu)相同。所述功率開關(guān)包括N+襯底，形成于N+襯底上方的N-層，形成于N-層上方的P-阱，自P-阱的上表面向下延伸至N-層內(nèi)的柵極，半圍繞所述柵極以將所述柵極隔離的柵氧層，自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內(nèi)的N+有源區(qū)和P+有源區(qū)，其中N+有源區(qū)形成功率開關(guān)的源極，P+有源區(qū)形成功率開關(guān)的襯體連接端，N+襯底形成功率開關(guān)的漏極，P+表示P型重摻雜，P-表示P型輕摻雜，N+表示N型重摻雜，N-表示N型輕摻雜。更進一步的，所述柵極的上表面暴露于所述柵氧層外，所述柵氧層為U形，P+有源區(qū)較N+有源區(qū)更遠離所述柵極，在所述柵極的兩側(cè)都設(shè)置有P+有源區(qū)和N+有源區(qū)，N+有源區(qū)和P+有源區(qū)相鄰接。更進一步的，所述功率開關(guān)的制造過程如下:在低摻雜的原始晶圓底部進行N+注入；經(jīng)過刻蝕形成的溝槽，氧化產(chǎn)生柵氧層，然后在溝槽淀積多晶硅形成柵極；進行摻雜注入，產(chǎn)生P-阱；進行N+注入，進行P+注入，以形成自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內(nèi)的N+有源區(qū)和P+有源區(qū)。更進一步的，所述電流采樣電路包括負電壓產(chǎn)生電路、第一 NMOS晶體管和第二NMOS晶體管、運算放大器，所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生一個較比地電位更低的偏置電壓，所述運算放大器的一個輸入端連接所述功率開關(guān)的源極，另一個輸入端連接所述采樣開關(guān)的源極，輸出端連接第一 NMOS晶體管的柵極和第二 NMOS晶體管的柵極，第一 NMOS晶體管的漏極接所述采樣開關(guān)的源極，第一 NMOS晶體管的源極接所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電壓，第二 NMOS晶體管的源極接所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電壓，第二 NMOS晶體管上流過的電流就是得到的所述功率開關(guān)的采樣電流。再進一步的，采樣開關(guān)的寬長比等于功率開關(guān)的寬長比的1/K，其中K為大于I的自然數(shù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型中的LED驅(qū)動電路，將控制電路設(shè)置于一塊晶片中，將功率開關(guān)和采樣開關(guān)設(shè)置于另一塊晶片中，并且將兩個晶片封裝在一起，采樣垂直溝槽柵工藝制造功率開關(guān)和采樣開關(guān)，這樣可以實現(xiàn)成本更低、導通電阻更低且柵極電容更小的功率開關(guān)和米樣開關(guān)。

為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的LED驅(qū)動電路的電路示意圖；圖2為本實用新型中的LED驅(qū)動電路在一個實施例中的電路示意圖；圖3為采用垂直溝槽柵工藝制造出的功率開關(guān)和采樣開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a_4d為采用垂直溝槽柵工藝制造出的功率開關(guān)和采樣開關(guān)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)變化示意圖5為本實用新型中的電流采樣電路在一個實施例中的結(jié)構(gòu)示意圖，其同時也示出了功率開關(guān)和米樣開關(guān)。
具體實施方式為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。本文中的“連接”、“相接”、“接至”等涉及到電性連接的詞均可以表示直接或間接電性連接。此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本實用新型至少一個實現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。本實用新型提出了一種低成本、高效的LED驅(qū)動電路。在該LED驅(qū)動電路中，將控制電路(包括電流采樣電路和電流模控制電路)設(shè)置于一塊晶片中，將功率開關(guān)和采樣開關(guān)設(shè)置于另一塊晶片中，并將兩個晶片封裝在一起。特別的，采樣垂直溝槽柵工藝來制造功率開關(guān)和采樣開關(guān)，這樣可以實現(xiàn)成本更低、導通電阻更低且柵極電容更小的功率開關(guān)和采樣開關(guān)。該LED驅(qū)動電路可以用于顯示屏背光系統(tǒng)中。圖2為本實用新型中的LED驅(qū)動電路在一個實施例中的電路示意圖。如圖2所示，所述LED驅(qū)動電路包括電感L1、二極管Dl、電容Cl、功率開關(guān)麗1、采樣開關(guān)電流采樣電路和電流?？刂齐娐?。其中，電感L1、二極管Dl和電容Cl依次串聯(lián)于輸入電壓VDD和地之間，功率開關(guān)麗I串聯(lián)在電感LI和二極管Dl的中間節(jié)點和地之間，所述二極管Dl和電容Cl之間的節(jié)點為輸出節(jié)點Vout。兩串WLED(white light emitting diode)串聯(lián),之后與電流反饋電阻Rs —起串聯(lián)在輸出節(jié)點Vout和地之間。在其它示例中，也可以只有一串WLED，或更多串WLED0所述采樣開關(guān)麗SI和電流采樣電路共同來采樣所述功率開關(guān)麗I上流過的電流并得到所述功率開關(guān)MNl的采樣電流。所述電流?？刂齐娐犯鶕?jù)功率開關(guān)的采樣電流以及電流反饋電阻Rs得到的電流反饋電壓輸出開關(guān)控制信號來控制所述功率開關(guān)MNl的導通和截止，其中該采樣開關(guān)MNSl的導通和截止也由該開關(guān)控制信號來控制。在圖2中的LED驅(qū)動電路中，將電流采樣電路和電流?？刂齐娐吩O(shè)置于第一晶片210中，將功率開關(guān)和采樣開關(guān)設(shè)置于第二晶片220中?？梢詫蓚€晶片封裝在一起，可以節(jié)省一個封裝成本。第一晶片210中采用合適的制造工藝(比如CMOS工藝，Bipolar CMOS工藝或其他現(xiàn)有的適合控制電路的工藝)制造，第二晶片220采用垂直溝槽柵工藝制造。也就是說，第一晶片210和第二晶片220所采用的半導體制造工藝不同。采樣開關(guān)麗SI和所述功率開關(guān)麗I均為NM0SFET (N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)。所述采樣開關(guān)麗S I的漏極與所述功率開關(guān)麗I的漏極相連，構(gòu)成第二晶片220的DN端(或稱DN壓焊區(qū))。所述采樣開關(guān)麗SI的柵極與所述功率開關(guān)麗I的柵極相連，并構(gòu)成第二晶片220的G端(或稱G壓焊區(qū))。所述功率開關(guān)MNl的源極接地，構(gòu)成第二晶片的S端(或稱S壓焊區(qū))，所述采樣開關(guān)麗SI的源極接所述電流采樣電路，構(gòu)成第二晶片的NS端(或稱NS壓焊區(qū))。這樣，第二晶片220就具有四個壓焊區(qū):S端、G端、DN端、NS端。由于功率開關(guān)麗I和采樣開關(guān)麗SI采用垂直溝槽柵工藝，這樣可以實現(xiàn)成本更低、導通電阻更低且柵極電容更小的功率開關(guān)和采樣開關(guān)。圖3為采用垂直溝槽柵工藝制造出的功率開關(guān)和采樣開關(guān)(即第二晶片220)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述功率開關(guān)MNl與所述采樣開關(guān)MNSl結(jié)構(gòu)完全相同。如圖3所示，所述功率開關(guān)麗I包括N+襯底，形成于N+襯底上方的N-層，形成于N-層上方的P-阱，自P-阱的上表面向下延伸至N-層內(nèi)的柵極，半圍繞所述柵極(斜線填充區(qū)域)以將所述柵極隔離的柵氧層，自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內(nèi)的N+有源區(qū)和P+有源區(qū)。所述柵極的上表面暴露于所述柵氧層外，所述柵氧層為U形，P+有源區(qū)較N+有源區(qū)更遠離所述柵極，在所述柵極的兩側(cè)都設(shè)置有P+有源區(qū)和N+有源區(qū)，N+有源區(qū)和P+有源區(qū)相鄰接。其中N+有源區(qū)形成功率開關(guān)麗I的源極，P+有源區(qū)形成功率開關(guān)MNl的襯體連接端，N+襯底形成功率開關(guān)MNl的漏極。P+表示P型重摻雜，P-表示P型輕摻雜，N+表示N型重摻雜，N-表示N型輕摻雜。由于所述采樣開關(guān)MNSl與功率開關(guān)MNl的結(jié)構(gòu)完全相同，因此不再重復介紹采樣開關(guān)MNSl的結(jié)構(gòu)，兩者的連接關(guān)系也在上文介紹過，此處不再贅述。圖4a_4d為采用垂直溝槽柵工藝制造出的功率開關(guān)和采樣開關(guān)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)變化示意圖，其示出了各個工藝步驟后得到的半成品以及最終成品。[0039]以下結(jié)合圖4a_4d具體介紹如圖3所示的第二晶片的制造過程。第一步，在低摻雜(N-)的原始晶圓底部進行N+注入，得到圖4a所示的結(jié)構(gòu)。第二步，經(jīng)過刻蝕形成的溝槽，氧化產(chǎn)生柵氧層，然后在溝槽淀積多晶硅形成柵極，得到如圖4b所示。第三步，進行摻雜注入，產(chǎn)生P-阱，如圖4c所示。第四步，先進行N+注入，然后進行P+注入，以形成自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內(nèi)的N+有源區(qū)和P+有源區(qū)，如圖4d所示。這樣就形成了圖3中的第二晶片。這里，也可以先進行P+注入，然后進行N+注入。到此為止，基本器件結(jié)構(gòu)已經(jīng)形成。為了簡化描述，與現(xiàn)有技術(shù)完全相同的工藝步驟被省略描述，例如通過刻蝕，濺射金屬產(chǎn)生接觸孔，以便使金屬連接各N+、P+電極或多晶硅柵極；淀積金屬層以便形成互聯(lián)；淀積鈍化層，并刻蝕產(chǎn)生壓焊區(qū)開口(PAD Opening)等。其他各種現(xiàn)有技術(shù)中改善器件特性，改善良率的常規(guī)工藝步驟也可以被加入來改善工藝性能，為了簡化描述，此處也省略，這些措施不影響本實用新型的適用范圍。圖5為本實用新型中的電流采樣電路在一個實施例中的結(jié)構(gòu)示意圖，其同時也示出了包括功率開關(guān)和采樣開關(guān)的第二晶片220。所述電流采樣電路包括負電壓產(chǎn)生電路、NMOS (N型金屬-氧化物-半導體)晶體管MNC2和MNCl、運算放大器OP。所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生一個比地電位更低的偏置電壓VN。各種負電壓產(chǎn)生電路可以用于實現(xiàn)該功能，例如基于開關(guān)電容的電荷泵電路，由于此次所消耗的電流很小，一般為微安級，所以可以采用較小的電容即可實現(xiàn)，這些電容可以在晶片中集成。所述運算放大器的一個輸入端連接所述功率開關(guān)MNl的源極S，另一個輸入端連接所述采樣開關(guān)MNSl的源極NS，輸出端連接NMOS晶體管MNCl的柵極和NMOS晶體管MNC2的柵極。所述NMOS晶體管MNCl的漏極接所述采樣開關(guān)MNSl的源極，所述NMOS晶體管MNCl的源極接所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電壓VN。所述NMOS晶體管MNC2的源極接所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電壓VN，所述NMOS晶體管MNC2上流過的電流就是所述功率開關(guān)麗I的采樣電流。采樣開關(guān)麗SI的柵極和功率開關(guān)麗I的柵極電壓相等，麗SI的漏極電壓和麗I的漏極電壓相等，同時通過運算放大器OP構(gòu)成負反饋將NS節(jié)點電壓調(diào)整等于節(jié)點S的電壓。當麗SI和麗I都工作在線性區(qū)時，兩者都表現(xiàn)如電阻，由于其源極、漏極、柵極的電壓都分別相等，所以其導通電阻之比等于其寬長比之比，這樣兩者的電流就構(gòu)成鏡像關(guān)系。如果麗SI的寬長比等于麗I的寬長比的1/K，則麗SI的電流等于麗I的電流的1/K，其中K為大于I的自然數(shù)，比如為1000。同樣的，MNCl和MNC2構(gòu)成電流鏡，其電流之比等于其寬長比之比。例如假設(shè)MNCl和MNC2的寬度和長度都相等，則MNCl的電流等于MNC2的電流。這樣MNC2的輸出電流就等于麗I電流的1/K，這樣得到麗I的采樣電流。上述說明已經(jīng)充分揭露了本實用新型的具體實施方式
。需要指出的是，熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對本實用新型的具體實施方式
所做的任何改動均不脫離本實用新型的權(quán)利要求書的范圍。相應地，本實用新型的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述具體實施方式
。
權(quán)利要求1.一種LED驅(qū)動電路，其特征在于，其包括:電感L1、二極管D1、電容Cl、功率開關(guān)、采樣開關(guān)、電流采樣電路和電流?？刂齐娐?， 將電流采樣電路和電流?？刂齐娐吩O(shè)置于第一晶片中，將功率開關(guān)和采樣開關(guān)設(shè)置于第二晶片中， 第二晶片采用垂直溝槽柵工藝制造，第一晶片的制造工藝與第二晶片的不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，電感L1、二極管Dl和電容Cl依次串聯(lián)于輸入電壓和地之間，功率開關(guān)串聯(lián)在電感LI和二極管Dl的中間節(jié)點和地之間，所述二極管Dl和電容Cl之間的節(jié)點為輸出節(jié)點。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述采樣開關(guān)和電流采樣電路共同來采樣所述功率開關(guān)上流過的電流并得到所述功率開關(guān)的采樣電流，所述電流?？刂齐娐犯鶕?jù)功率開關(guān)的采樣電流以及電流反饋電壓輸出開關(guān)控制信號來控制所述功率開關(guān)和所述采樣開關(guān)的導通和截止。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述采樣開關(guān)和所述功率開關(guān)均是NMOSEFT，所述采樣開關(guān)的漏極與所述功率開關(guān)的漏極相連，構(gòu)成第二晶片的一個壓焊區(qū)，并與電感LI和二極管Dl的中間節(jié)點相連；所述采樣開關(guān)的柵極與所述功率開關(guān)的柵極相連，構(gòu)成第二晶片的一個壓焊區(qū)，并與電流?？刂齐娐返妮敵龆讼噙B；所述功率開關(guān)的源極接地，構(gòu)成第二晶片的一個壓焊區(qū)；所述采樣開關(guān)的源極接所述電流采樣電路，構(gòu)成第二晶片的一個壓焊區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，第一晶片與第二晶片封裝在一起。
6.根據(jù)權(quán)利要求4 所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述功率開關(guān)和所述采樣開關(guān)的結(jié)構(gòu)相同， 所述功率開關(guān)包括N+襯底，形成于N+襯底上方的N-層，形成于N-層上方的P-阱，自P-阱的上表面向下延伸至N-層內(nèi)的柵極，半圍繞所述柵極以將所述柵極隔離的柵氧層，自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內(nèi)的N+有源區(qū)和P+有源區(qū)，其中N+有源區(qū)形成功率開關(guān)的源極，P+有源區(qū)形成功率開關(guān)的襯體連接端，N+襯底形成功率開關(guān)的漏極，P+表示P型重摻雜，P-表不P型輕摻雜，N+表不N型重摻雜，N-表不N型輕摻雜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述柵極的上表面暴露于所述柵氧層外，所述柵氧層為U形，P+有源區(qū)較N+有源區(qū)更遠離所述柵極，在所述柵極的兩側(cè)都設(shè)置有P+有源區(qū)和N+有源區(qū)，N+有源區(qū)和P+有源區(qū)相鄰接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述功率開關(guān)的制造過程如下: 在低摻雜的原始晶圓底部進行N+注入； 經(jīng)過刻蝕形成的溝槽，氧化產(chǎn)生柵氧層，然后在溝槽淀積多晶硅形成柵極； 進行摻雜注入，產(chǎn)生P-阱； 進行N+注入，進行P+注入，以形成自P-阱的上表面向下延伸至P-阱內(nèi)的N+有源區(qū)和P+有源區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，所述電流采樣電路包括負電壓產(chǎn)生電路、第一 NMOS晶體管和第二 NMOS晶體管、運算放大器， 所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生一個較比地電位更低的偏置電壓，所述運算放大器的一個輸入端連接所述功率開關(guān)的源極，另一個輸入端連接所述采樣開關(guān)的源極，輸出端連接第一 NMOS晶體管的柵極和第二 NMOS晶體管的柵極，第一 NMOS晶體管的漏極接所述采樣開關(guān)的源極，第一 NMOS晶體管的源極接所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電壓，第二 NMOS晶體管的源極接所述負電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電壓，第二 NMOS晶體管上流過的電流就是得到的所述功率開關(guān)的采樣電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED驅(qū)動電路，其特征在于，采樣開關(guān)的寬長比等于功率開關(guān)的寬長比的1/K，其中K為`大于I的自然數(shù)。
專利摘要本實用新型提供一種LED驅(qū)動電路，其包括電感L1、二極管D1、電容C1、功率開關(guān)、采樣開關(guān)、電流采樣電路和電流?？刂齐娐贰㈦娏鞑蓸与娐泛碗娏髂？刂齐娐吩O(shè)置于第一晶片中，將功率開關(guān)和采樣開關(guān)設(shè)置于第二晶片中。第二晶片采用垂直溝槽柵工藝制造，第一晶片的制造工藝與第二晶片的不同。這樣可以實現(xiàn)成本更低、導通電阻更低且柵極電容更小的功率開關(guān)和采樣開關(guān)。
文檔編號H05B37/02GK202931632SQ20122059426
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月12日
發(fā)明者王釗 申請人:無錫中星微電子有限公司