本實用新型涉及LED驅動電路領域，特別涉及驅動芯片和高壓功率MOS雙芯片封裝的LED驅動領域，具體是指一種恒流LED驅動電路。

背景技術：

在現(xiàn)有技術中LED驅動電路的應用范圍是非常廣泛的，其種類也非常繁多。其中，中國專利文獻1(CN201210540481.6，實用新型名稱：利用并聯(lián)高壓MOS管控制的LED驅動電路)公開了一種利用并聯(lián)高壓MOS管控制的LED驅動電路，主要解決現(xiàn)有驅動電路無法兼顧成本低，效率高，功率因數(shù)高的問題。如圖1所示，它包括整流橋，控制電路，N串負載Z₁～Z_n，N個高壓MOS管和N個電壓基準電路:整流橋用于對交流信號進行全波整流，N串負載單組串聯(lián)連接，并跨接于整流橋與第N個高壓MOS管的漏極:相鄰兩串負載的公共端分別連接到對應高壓MOS管的漏極；N個高壓MOS管的柵極分別連接N個電壓基準，其源極相連，并連接到控制電路:控制電路通過檢測負載電流調節(jié)高壓MOS管的源極電壓，以控制高壓MOS管的工作狀態(tài)，實現(xiàn)對接入電路負載的調節(jié)。該實用新型具有外圍器件少、壽命長、效率和功率因數(shù)高的優(yōu)點，可直接集成于載有LED串的訂板之上。

中國專利文獻2(CN201610307576.1，實用新型名稱：一種雙端恒流LED驅動芯片)公開了另一種雙端恒流LED驅動芯片，如圖2所示，包括電源供電模塊10、恒流模塊50、過溫調節(jié)模塊30、芯片輸入端口70和芯片輸出端口80；芯片輸入端口連接芯片外部LED燈組的負極，芯片輸出端口用于連接芯片外部電路的接地端。恒流模塊包括驅動電路模塊20、功率管60和電流控制模塊40，驅動電路模塊連接功率管和電流控制模塊，用于采樣功率管上的驅動電流大小，并根據(jù)驅動電流控制功率管的導通狀態(tài)。該實用新型能夠根據(jù)芯片的溫度對LED的電流進行實時、動態(tài)地調節(jié)，采用雙端結構，將限流電路集成在芯片內部，簡化了LED電流控制芯片的結構，降低了成本，方便電路連接。

然而，如何在電路內部結構簡單、成本低的前提下，進一步地解決恒流LED驅動電路產品適用范圍過小的問題成為本領域一個亟待解決的技術問題。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是克服了上述現(xiàn)有技術中的缺點，提供一種電路結構簡單、適用大功率場合、制造成本較低、工作性能穩(wěn)定可靠、適用范圍較為廣泛的恒流LED驅動電路。

為了實現(xiàn)上述的目的，本實用新型的恒流LED驅動電路具有如下構成：

所述的恒流LED驅動電路，包括一體封裝的低壓驅動芯片模塊和功率MOS芯片模塊，其主要特點是，所述的低壓驅動芯片模塊具有低壓供電端VDD、漏端Drain、接地端GND和柵端GD，所述的低壓供電端VDD通過穩(wěn)壓電容接地，所述的接地端GND通過電阻接地，所述的功率MOS芯片模塊的漏極、源極和柵極分別與所述的低壓驅動芯片模塊漏端Drain、接地端GND和柵端GD一一對應連接，所述的漏端Drain為所述的恒流LED驅動電路的輸出端。

所述的低壓驅動芯片模塊內置有高壓啟動電路單元，所述的高壓啟動電路單元包括JFET場效應管、第一高壓功率MOS管，所述的低壓驅動芯片模塊中還包括低壓控制電路單元，所述的JFET場效應管的柵極接地，所述的JFET場效應管與所述的第一高壓功率MOS管共漏極且接于所述的漏端Drain。所述的JFET場效應管的源極依次通過所述的低壓控制電路單元、低壓供電端VDD與所述的穩(wěn)壓電容相連接。所述的第一高壓功率MOS管的柵極和源極均與所述的低壓控制電路單元相連接，所述的第一高壓功率MOS管的柵極接于所述的柵端GD，且所述的第一高壓功率MOS管的源極接于所述的接地端GND。

所述的JFET場效應管為N溝道JFET場效應管。

所述的第一高壓功率MOS管為第一NMOS管。

所述的功率MOS芯片模塊中包括第二高壓功率MOS管。所述的第二高壓功率MOS管的漏極接于所述的低壓驅動芯片模塊的漏端Drain，所述的第二高壓功率MOS管的柵極接于所述的低壓驅動芯片模塊的柵端GD，且所述的第二高壓功率MOS管的源極接于所述的低壓驅動芯片模塊的接地端GND。

所述的功率MOS芯片模塊中包括的第二高壓功率MOS管為第二NMOS管。

采用了所述的實用新型的恒流LED驅動電路，由于其中使用了自帶高壓啟動電路的低壓驅動芯片，使得輸出電流更穩(wěn)定，可靠性更高，同時又使用低壓驅動芯片與功率MOS芯片進行雙芯片封裝，從而大大簡化了電路內部結構，節(jié)約了制造成本，并使得產品能夠適用于大功率場合，產品的適用范圍大大增加。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術中的低壓驅動芯片的供電電路原理圖。

圖2為現(xiàn)有技術中的另一種LED驅動電路的結構原理圖。

圖3為本實用新型的恒流LED驅動電路的整體電路原理示意圖。

附圖標記

AC 橋堆整流機

C1、C2 電容

JFET N溝道JFET場效應管

VDD 低壓供電端

Drain 漏端

MN1 第一高壓功率MOS管

MN2 第二高壓功率MOS管

GD 柵端

D 漏極

G 柵極

S 源極

具體實施方式

為了能夠更清楚地理解本實用新型的技術內容，特舉以下實施例詳細說明。

請參閱圖3所示，其為本實用新型的恒流LED驅動電路的整體原理示意圖，所述的恒流LED驅動電路包括低壓驅動芯片模塊和功率MOS芯片模塊，所述的低壓驅動芯片模塊用于為電路內部其他模塊供電；所述功率MOS芯片模塊用于與驅動芯片進行雙芯片封裝，增加產品的適用性。

低壓驅動芯片模塊包括高壓啟動電路單元、低壓供電端VDD、漏端Drain、接地端GND和柵端GD，所述的低壓供電端VDD通過穩(wěn)壓電容接地，所述的接地端GND通過電阻接地，所述的低壓驅動芯片模塊中還包括低壓控制電路單元。所述的高壓啟動電路單元包括JFET場效應管、第一高壓功率MOS管，所述的JFET場效應管的柵極接地，所述的JFET場效應管與所述的第一高壓功率MOS管共漏極且接于所述的漏端Drain，所述的JFET場效應管的源極依次通過所述的低壓控制電路單元、低壓供電端VDD與所述的穩(wěn)壓電容相連接，所述的第一高壓功率MOS管的柵極和源極均與所述的低壓控制電路單元相連接，所述的第一高壓功率MOS管的柵極接于所述的柵端GD，且所述的第一高壓功率MOS管的源極接于所述的接地端GND。所述的JFET場效應管為N溝道JFET場效應管。所述的第一高壓功率MOS管為第一NMOS管。

其中，所述的低壓控制電路單元的功能是控制JEFT給電容C2充放電，使得VDD電壓恒定，并且控制功率管MN1和MN2的導通和關斷，使得流過LED的電流恒定，該低壓控制電路單元中的各個元器件均工作在低壓狀態(tài)上，整個電路均處于低壓工作模式下。同時，該低壓控制電路單元為現(xiàn)有技術中實現(xiàn)LED驅動的常規(guī)功能電路，因而在此不再贅述。

同時，所述的功率MOS芯片模塊包括的漏極、源極和柵極，所述漏極、源極和柵極分別與所述的低壓驅動芯片模塊漏端Drain、接地端GND和柵端GD一一對應連接。所述的功率MOS芯片模塊還包括第二高壓功率MOS管，所述的第二高壓功率MOS管的漏極接于所述的低壓驅動芯片模塊的漏端Drain，所述的第二高壓功率MOS管的柵極接于所述的低壓驅動芯片模塊的柵端GD，且所述的第二高壓功率MOS管的源極接于所述的低壓驅動芯片模塊的接地端GND。所述的第二高壓功率MOS管為第二NMOS管。

所述的恒流LED驅動電路的具體工作過程具體如下：

(1)交流電壓輸入經橋堆整流機電容C1濾波后形成直流電壓；

(2)N溝道JFET場效應管通過芯片內低壓控制電路單元向VDD連接的電容C2充電，并通過內部控制將VDD電壓穩(wěn)定在一定值，從而產生一個精準的電壓值作為芯片的低壓電源；

(3)所述的驅動芯片可以單芯片封裝，適用于小功率場合，也可以和功率MOS芯片一起進行雙芯片封裝，功率MOS的漏極D、柵極G、源極S引腳分別和驅動芯片的漏端Drain、柵端GD和接地端GND，綁在一起，封裝后的電路有三個引腳漏端Drain、低壓供電端VDD和接地端GND，適用于大功率場合；由于N溝道JFET場效應管和功率MOS管的漏端相連，兩個器件的耐壓值都要求比較高，器件實現(xiàn)上用JEFT和高壓功率MOS管合成在一起的高壓器件，這樣兩個器件公用漏區(qū)面積，從而節(jié)省了版圖面積；

(4)適用于小功率時，系統(tǒng)正常工作時，第一NMOS管MN1導通，電感L儲能，電感電流升高，電流流過功率管MN1和Rcs，低壓控制電路單元通過檢測CS引腳電壓和MN1柵極電壓變化，實現(xiàn)功率管的開關控制。

(5)適用于大功率時，系統(tǒng)正常工作時，第一NMOS管MN1導通，電感L儲能，電感電流升高，電流同時流過功率管MN1和MN2，最后通過Rcs流向接地端GND，低壓控制電路單元通過檢測CS引腳電壓和柵端GD電壓變化，實現(xiàn)功率管的開關控制。

采用了所述的實用新型的恒流LED驅動電路，由于其中使用了自帶高壓啟動電路的低壓驅動芯片，使得輸出電流更穩(wěn)定，可靠性更高，同時又使用低壓驅動芯片與功率MOS芯片進行雙芯片封裝，從而大大簡化了電路內部結構，節(jié)約了制造成本，并使得產品能夠適用于大功率場合，產品的適用范圍大大增加。

在此說明書中，本實用新型已參照其特定的實施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出各種修改和變換而不背離本實用新型的精神和范圍。因此，說明書和附圖應被認為是說明性的而非限制性的。