專利名稱：多層薄膜元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有第一組件的多層薄膜元件，特別是形為多層薄膜元件的RFID天線，以及一種用于將第二組件固定在該類多層薄膜元件上的方法(RFID=射頻識(shí)別)。
背景技術(shù)：
RFID應(yīng)答器包括至少一個(gè)天線和一個(gè)電子微芯片，簡稱“芯片“，其置于支撐體上。在熟知的用于生產(chǎn)RFID應(yīng)答器的方法中首先會(huì)準(zhǔn)備好天線基底，即多層薄膜元件包括支撐基底和至少一個(gè)導(dǎo)電層用作RFID天線，并且然后天線和應(yīng)答器芯片電連接。一種傳播很廣的將芯片置于天線基底上的安裝方法為倒裝焊接。其中芯片在其主動(dòng)接觸面(“芯片焊盤”)上配備有接觸突起(所謂的“Bumps”)、被翻轉(zhuǎn)(因此具有倒裝的名稱)、被對(duì)準(zhǔn)然后通過其接觸面設(shè)置于相應(yīng)芯片接觸面(“基底焊盤“)上，使得芯片和天線間產(chǎn)生導(dǎo)電接觸。在另一種可選的實(shí)施形式中，芯片被機(jī)械式地固定在例如被稱為“Strap “的接線元件上并且電連接，其中接線元件在其一側(cè)具有設(shè)置在天線基底的相應(yīng)芯片接觸面(“基底焊盤“)上的接觸元件，以此芯片和天線間建立了導(dǎo)電連接。例如是可加熱的沖頭(熱電極)的加熱裝置可以和一個(gè)或者多個(gè)組件相接觸，從而讓天線和芯片或天線和其上具有安裝好的芯片的接線元件互相間以機(jī)械的方式持久相連。在這里可以采用合適的粘合劑或者焊料作為“連接介質(zhì)”。例如在芯片接觸面區(qū)域中預(yù)先設(shè)置的粘合劑可以在將倒裝芯片或者其上具有安裝好的芯片的接線元件放置于天線基底上后通過熱電極被激活，例如硬化。通過所述方式在倒裝芯片安裝或者在安裝其上具有安裝好的芯片的接線元件時(shí)以唯一一個(gè)過程步驟實(shí)現(xiàn)了機(jī)械固定和電接通。此外電觸點(diǎn)通過被內(nèi)嵌在粘合劑內(nèi)被保護(hù)不受環(huán)境影響。DE 10 2004 059 281B3和DE 10 2007 058 802B3描述了倒裝芯片安裝。在組件和所述多層薄膜元件連接的連接過程中，例如在應(yīng)答器芯片或者其上具有安裝好的芯片的接線元件被置于特別是形為多層薄膜元件的RFID天線的該類多層薄膜元件上的芯片連接中，目前可以見到在使用由例如為PVC-ABS的易熔材料制成的基底作為RFID天線的支撐體時(shí),會(huì)出現(xiàn)該材料粘附在熱電極上(PVC=聚氯乙烯；ABS=丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物)。熱電極上的材料粘附阻止了熱電極和基底間均勻的和全面的接觸，其會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是，給出改進(jìn)的多層薄膜元件和改進(jìn)的方法，在該多層薄膜元件上或者通過該方法阻止了熱電極上的干擾性的材料粘附。該任務(wù)通過具有絕緣層的多層薄膜元件解決，所述絕緣層包括正面和與正面對(duì)置的背面，其中薄膜元件包括構(gòu)成第一組件的層和設(shè)置于正面的、與第一組件連接的至少一個(gè)組件接觸面，用于放置第二組件，其中薄膜元件包括設(shè)置于絕緣層上的至少一個(gè)熱電極接觸層，從與絕緣層垂直的方向看，所述至少一個(gè)熱電極接觸層設(shè)置于所述至少一個(gè)組件接觸面的區(qū)域中并且在所述至少一個(gè)熱電極接觸層的背離絕緣層的一側(cè)上具有構(gòu)成薄膜元件外表面的熱電極接觸面。該任務(wù)還通過用于將第二組件固定于根據(jù)權(quán)利要求1至21之一的多層薄膜元件上的方法解決，其中該方法包括步驟為第二組件具有接觸面的一側(cè)和/或所述至少一個(gè)組件接觸面涂上可熱激活的連接介質(zhì)，優(yōu)選為可熱激活的、特別是導(dǎo)電的粘合劑；將第二組件具有接觸面的一側(cè)置于所述至少一個(gè)組件接觸面上；將所述至少一個(gè)熱電極接觸面和熱電極接觸以激活連接介質(zhì)；以及在激活連接介質(zhì)后將熱電極和所述至少一個(gè)熱電極接觸面分離。根據(jù)本發(fā)明的方法展示了一個(gè)也被稱為結(jié)合過程的用于將第二組件和多層薄膜元件相連的連接過程。
優(yōu)選第一組件或第二組件或兩個(gè)組件被構(gòu)造成電氣或電子組件。該類電氣或電子組件例如為天線結(jié)構(gòu)、帶狀導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、簡稱為“芯片”的電子微芯片、電池、特別是用于芯片或者其他組件能量供給或者能量緩沖的柔性薄膜電池、例如為揚(yáng)聲器的信號(hào)輸出裝置、壓電元件、例如為發(fā)光二極管的顯示元件、液晶顯示或者處理尤其由天線結(jié)構(gòu)接收的電信號(hào)的其他處理信號(hào)或整理信號(hào)的組件。在下面的敘述中，“芯片”的概念既包括芯片也包括接線元件或者其上具有安裝好的芯片的接觸元件。該類其上具有安裝好的芯片的接觸元件或者接線元件例如為所謂的“帶上芯片”或者所謂的“自適應(yīng)核”，其中接線元件或者接觸元件除芯片外還可以包括天線。其中“安裝好”特別意味著機(jī)械式固定和/或?qū)щ姷暮?或?qū)岬倪B接。“可以熱激活”可以表示連接介質(zhì)通過熱量的作用被完全或部分硬化，這意味著其為可熱硬化的連接介質(zhì)?！翱蔁峒せ睢币部梢员硎境藷崃康淖饔猛庥蓄~外的能量輸入進(jìn)入連接介質(zhì)或者其他類型的外部影響作用于連接介質(zhì)上以推動(dòng)連接介質(zhì)中的化學(xué)反應(yīng)，特別是通過電場和/或磁場或者通過可見的或者不可見的光、紫外線、紅外線或者通過濕度的作用(UV=紫外；11 =紅外)?？蔁峒せ畹倪B接介質(zhì)為雙硬化的連接介質(zhì)也是可以的，這意味著可以通過下面的組合之一硬化光引發(fā)+熱量或者熱量+濕度。絕緣層可以由唯一的一層組成或者包括多層，其中至少有一層具有絕緣特征。所述一層或多層可以被制成薄膜或者薄膜積層。絕緣層形成了基底，其上被涂敷另外的多個(gè)層，其中至少有一層優(yōu)選為導(dǎo)電層。以這種方式在絕緣層上制成至少一個(gè)例如為天線結(jié)構(gòu)的第一組件和至少一個(gè)例如為芯片接觸面的組件接觸面。絕緣層有兩面絕緣層的第一面構(gòu)成了具有至少一個(gè)組件接觸面的正面或者前面，其上直接或者間接通過接線元件配有優(yōu)選為芯片的第二組件；絕緣層另一個(gè)對(duì)置的面構(gòu)成了背面或者下面。在絕緣層的正面和/或背面可以設(shè)置除了第一組件和第二組件外的其他尤其為電氣或者電子的組件，其優(yōu)選與第一組件和第二組件一起構(gòu)成功能單元或者構(gòu)成與之分離的電氣功能單元?！罢妗?、“前面”、“背面”和“下面”的概念是指任意的定義，其中絕緣層的那個(gè)其上設(shè)有至少一個(gè)組件接觸面和接著設(shè)有第二組件的面被稱為“正面”或者“前面”，而絕緣層的對(duì)置的面被稱為“背面”或者“下面”。該定義并不限制絕緣層在制造方法或者之后的薄膜元件使用中的實(shí)際定向。用“第一面”或者“組件面”的概念替代“正面”以及用“第二面”的概念替代“背面”也同樣是可供選擇的。在提到的“從和絕緣層相垂直的方向看”中絕緣層被視為近似等厚的具有兩個(gè)平行平面的分界面、尤其是正面和背面的層。從垂直于絕緣層的方向看組件的視角在所述近似下對(duì)應(yīng)于將組件投影到絕緣層的正面或者背面，其中投影垂直于平行平面的分界面。所述至少一個(gè)熱電極接觸層為平整的空間元件，包括朝向絕緣層的內(nèi)端面一通過該內(nèi)端面它與絕緣層相連，背離絕緣層的形成熱電極接觸面的外端面以及一個(gè)或者多個(gè)連接兩個(gè)端面的、優(yōu)選為基本上垂直于絕緣層配置的側(cè)面。所述至少一個(gè)熱電極接觸面可以相對(duì)于絕緣層被配置在和構(gòu)成第一組件的層相同的平面內(nèi)或者可以相對(duì)于絕緣層被配置在構(gòu)成第一組件的層所在平面的上面或者下面。本發(fā)明建議薄膜元件配備包括熱電極接觸面的所述至少一個(gè)熱電極接觸層，其中所述至少一個(gè)熱電極接觸層從和薄膜元件絕緣層相垂直的方向看設(shè)置在所述至少一個(gè)組件接觸面區(qū)域中。其中熱電極接觸面構(gòu)成了薄膜元件的外表面，這意味著它位于多層薄膜元件的表面上，并且因此可以通過從外部引向薄膜元件的熱電極直接接觸，這意味著熱電極可以短暫設(shè)置于熱電極接觸面上并且然后重新和熱電極接觸面隔離開。熱電極接觸面直接和熱電極相接觸用于激活位于所述至少一個(gè)組件接觸面和第二組件間的可熱激活的連接介質(zhì)。熱量會(huì)從熱電極通過熱電極接觸面被傳遞至連接介質(zhì)，在那里它導(dǎo)致了連接介質(zhì)的激活。當(dāng)絕緣層包含易熔材料時(shí)，熱電極的熱量會(huì)導(dǎo)致該材料(=基底材料)的熔化。因?yàn)闊犭姌O根據(jù)本發(fā)明不直接和絕緣層接觸，而是位于抗熱的熱電極接觸面上，就可以避免在將熱電極從熱電極接觸面上分離時(shí)熔化的基底材料粘附在熱電極上并且因此可能帶來的設(shè)置于絕緣層上、優(yōu)選為電氣組件、特別是例如天線結(jié)構(gòu)或者類似的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的損壞。通過本發(fā)明以這樣的方式在其上通過熱電極固定例如芯片的組件的薄膜元件生產(chǎn)會(huì)被大幅改進(jìn)。熱電極接觸層還導(dǎo)致了在例如芯片結(jié)合過程的用于連接第二組件和多層薄膜元件的連接過程中，使基底中的溫度分布均勻化。通過溫度分布的均勻化避免了基底中的局部高溫，即不被期望的溫度峰值。因此在根據(jù)本發(fā)明的方法中，熱電極甚至可以具有高于例如傳統(tǒng)芯片結(jié)合過程的傳統(tǒng)連接過程的最大溫度(例如溫度可以升高30° C)而不會(huì)導(dǎo)致不被期望的支撐基底的熔化。熱電極更高的溫度導(dǎo)致了組件接觸面區(qū)域更高的溫度，這樣可熱激活的連接介質(zhì)的激活時(shí)間、例如可熱硬化的導(dǎo)電粘合劑的硬化時(shí)間，會(huì)被顯著縮短。以此更高的機(jī)器吞吐量和過程成本的減少可以實(shí)現(xiàn)。此外通過組件接觸面區(qū)域的更高的溫度可以去除對(duì)于在較低溫度硬化的特殊粘合劑的限制，這樣就也可以采用需要更高溫度激活的價(jià)格便宜的粘合劑和材料。相對(duì)于另一種可供選擇的在下熱電極和絕緣層之間引入硅紙用于避免有危害的材料粘附的方法，根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)點(diǎn)為，不需要昂貴的生產(chǎn)設(shè)備改裝用于引入硅紙。通過本發(fā)明，昂貴的和可能有危害的引入硅紙之類至熱電極和絕緣層之間就多余了。這里要指出的是，在目前可供使用的芯片結(jié)合機(jī)器中因?yàn)闃?gòu)造原因只能以高成本在天線基底和下電極間引入硅紙之類，以避免所述粘附。從屬權(quán)利要求描述了本發(fā)明的有益的其他構(gòu)造。形成第一組件的層可以是導(dǎo)電的。形成第一組件的層可以構(gòu)成天線結(jié)構(gòu)，這意味著第一組件為天線結(jié)構(gòu)。所述至少一個(gè)組件接觸面和第一組件可以電連接。所述至少一個(gè)組件接觸面可以是用于安置電子微芯片的芯片接觸面。多層薄膜元件可以具有絕緣層，該絕緣層包括正面以及和正面對(duì)置的背面，其中多層薄膜元件包括構(gòu)成天線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層和設(shè)置于正面、和天線結(jié)構(gòu)電連接的至少一個(gè)芯片接觸面，其中薄膜元件包括設(shè)置在絕緣層上的至少一個(gè)熱電極接觸層，從與絕緣層垂直的方向看，所述至少一個(gè)熱電極接觸層設(shè)置于所述至少一個(gè)芯片接觸面的區(qū)域中并且在所述至少一個(gè)熱電極接觸層的背離絕緣層的一側(cè)上具有構(gòu)成薄膜元件外表面的熱電極接觸面。其中優(yōu)選多層薄膜元件構(gòu)成RFID天線。第二組件設(shè)置在多層薄膜元件上，其方式為第二組件的接觸面設(shè)置在所述至少一個(gè)組件接觸面上。第二組件的接觸面可以構(gòu)成實(shí)現(xiàn)第二組件和第一組件之間熱連接的熱接觸點(diǎn)。第二組件的接觸面同樣也可以構(gòu)成實(shí)現(xiàn)第二組件和第一組件之間電連接的例如為金屬化區(qū)域的電接觸點(diǎn)。該方法可以為用于將芯片固定在根據(jù)權(quán)利要求1至21之一的多層薄膜元件上的方法，其中在該方法中芯片和/或所述至少一個(gè)芯片接觸面的具有電接觸點(diǎn)的一側(cè)被涂上優(yōu)選為可熱激活的粘合劑的可熱激活的連接介質(zhì)，芯片具有電接觸點(diǎn)的一側(cè)被置于所述至少一個(gè)芯片接觸面上，為了激活連接介質(zhì)所述至少一個(gè)熱電極接觸面和熱電極接觸，并且在激活連接介質(zhì)后熱電極被從所述至少一個(gè)熱電極接觸面分離?？赡艿氖?，所述至少一個(gè)熱電極接觸層僅設(shè)置在絕緣層的正面，這意味著其被構(gòu)造成至少局部地包圍所述至少一個(gè)組件接觸面的位于正面的正面熱電極接觸層。其中優(yōu)選所述至少一個(gè)熱電極接觸層從和絕緣層相垂直的方向上看與所述至少一個(gè)組件接觸面相隔一段距離。當(dāng)用于所述連接過程的例如為芯片結(jié)合設(shè)備的裝置具有和絕緣層的正面相接觸的上熱電極時(shí)，正面熱電極接觸層的實(shí)施特別有優(yōu)勢。以這種方式可以避免基底材料在上熱電極上的粘附。在使用“上熱電極”和“下熱電極”的概念時(shí)涉及任意的定義，其中被配給絕緣層正面的熱電極被稱為“上熱電極”，而被配給絕緣層背面的熱電極被稱為“下熱電極“。但該定義并不限制熱電極在生產(chǎn)過程中的實(shí)際朝向。也可能的是，所述至少一個(gè)熱電極接觸層僅設(shè)置在絕緣層的背面，這意味著其被構(gòu)造成從和絕緣層相垂直的方向上看至少部分搭接和/或者包圍所述至少一個(gè)組件接觸面的位于背面的背面熱電極接觸層。當(dāng)用于所述連接過程的例如為芯片結(jié)合設(shè)備的裝置具有和絕緣層的背面相接觸的下熱電極時(shí)，該實(shí)施特別有優(yōu)勢。以這種方式可以避免基底材料在下熱電極上的粘附。所述至少一個(gè)熱電極接觸層也可以既設(shè)置在絕緣層的正面也設(shè)置在絕緣層的背面，這意味著其被構(gòu)造成至少局部地包圍所述至少一個(gè)組件接觸面的位于正面上的至少一個(gè)正面熱電極接觸層，以及被構(gòu)造成從和絕緣層相垂直的方向上看至少局部地搭接和/或包圍所述至少一個(gè)組件接觸面的位于背面上的至少一個(gè)背面熱電極接觸層。當(dāng)例如為芯片結(jié)合設(shè)備的所述連接過程裝置包括和絕緣層正面接觸的上熱電極以及和絕緣層背面相接觸的下熱電極時(shí)，所述實(shí)施形式就特別有益。通過至少一個(gè)正面熱電極接觸面和至少一個(gè)背面熱電極接觸面的構(gòu)造可以避免基底材料在上和下熱電極上的粘附。除此之外通過兩面熱電極接觸面的構(gòu)造，結(jié)合過程中的溫度分布和熱量傳導(dǎo)都可以被正面的影響，過程時(shí)間會(huì)被縮短以及整體成本會(huì)減小。因此，當(dāng)僅將下熱電極置于絕緣層的背面而上熱電極或者未加熱的作為支座起作用的沖頭或者優(yōu)選的平面平行的板被置于例如為芯片的第二組件背離薄膜元件的一側(cè)(上面)時(shí)，也就是說，即便當(dāng)存在很小的基底材料在上熱電極或者沖頭上粘附的危險(xiǎn)時(shí)，既在絕緣層正面也在絕緣層背面上放有熱電極接觸層的構(gòu)造可以特別有優(yōu)勢。一個(gè)被證明的實(shí)施形式為正面的熱電極接觸層至少局部地和背面的熱電極接觸層重疊。以此也可以積極影響結(jié)合過程中的溫度分布和熱量傳導(dǎo)。在優(yōu)選的實(shí)施形式中被置于正面和背面的至少兩個(gè)熱電極接觸層由不同的材料和/或以不同的層厚成形。當(dāng)希望組件截面上有溫度梯度時(shí)，這可以特別有優(yōu)勢。一個(gè)被證明的實(shí)施形式為，背面熱電極接觸層從和絕緣層相垂直的方向看完全遮蓋或者覆蓋所述至少一個(gè)組件接觸面，這意味著其具有相同的大小和形狀或者完全超過。以這種方式可以達(dá)到基本均勻的組件接觸面的加熱，即組件接觸面區(qū)域的溫度分布的均勻化，特別是在熱電極接觸層由導(dǎo)熱良好的材料構(gòu)成和/或熱電極接觸層基本以其整個(gè)熱電極接觸面位于熱電極附近時(shí)。從和絕緣層相垂直的方向看，背面熱電極接觸層從側(cè)邊超過所述至少一個(gè)組件接觸面越多，組件接觸面的溫度調(diào)節(jié)就越均勻。所述至少一個(gè)正面熱電極接觸層和至少一個(gè)背面熱電極接觸層通過導(dǎo)熱組件互相間熱連通也是可以的。一個(gè)被證明的實(shí)施形式為該導(dǎo)熱元件由相對(duì)柔軟的材料構(gòu)成，這樣負(fù)擔(dān)在正面和/或背面熱電極接觸層上的熱電極的熱電極壓力通過導(dǎo)熱元件不會(huì)變的不均勻。一個(gè)被證明的實(shí)施形式為該導(dǎo)熱元件具有大于10W/U K)范圍內(nèi)的熱導(dǎo)率。適合的材料為有良好導(dǎo)熱性的金屬以及填充有納米管(例如納米條)和/或納米粒的樹脂系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述至少一個(gè)熱電極接觸層由熱導(dǎo)率在大于50W/ Cm K)范圍內(nèi)的導(dǎo)熱材料、特別是由一個(gè)或者多個(gè)金屬銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鋅(Zn)和/或合金和/或所述金屬的層系統(tǒng)構(gòu)成。一個(gè)被證明的實(shí)施形式為所述至少一個(gè)熱電極接觸層被制成也可以由金屬合金或者金屬多層結(jié)構(gòu)組成的金屬層。所述至少一個(gè)熱電極接觸層構(gòu)造成金屬敷鍍的形式也是可以的。其中金屬敷鍍可以通過一種方法被完成，在該方法中位于基底上的金屬敷鍍層中通過遮蓋光照和隨后的被照射或者未被照射的區(qū)域的去除(例如酸洗)會(huì)產(chǎn)生形為所述至少一個(gè)熱電極接觸面的模板種子層(所謂的“Seed Layer “)。模板種子層通過印刷技術(shù)在使用導(dǎo)電印刷油墨的情況下生成也是可以的。在兩種情況下模板種子層都可以通過電鍍材料沉積方式被加強(qiáng)，直到熱電極接觸層具有所期望的層厚。熱電極接觸面也可以通過采用一個(gè)或者多個(gè)下述方法或者過程被制造電鍍過程、結(jié)構(gòu)化、LDS(=激光直接成形)、燒蝕、粘合、層疊、壓印、印刷、氣化(也是通過遮蓋物)、噴霧。所述至少一個(gè)熱電極接觸層具有納米管、特別是碳納米管和/或納米顆粒、特別是碳納米粒和/或其混合物也是可以的。優(yōu)選所述至少一個(gè)熱電極接觸層由溫度穩(wěn)定的、在25至300° C的溫度區(qū)域之間、特別是25至200° C間穩(wěn)定的材料制成。一個(gè)除此之外被證明的實(shí)施形式為所述至少一個(gè)熱電極接觸面具有圓形或者矩形的輪廓。優(yōu)選所述至少一個(gè)熱電極接觸面被構(gòu)造成直徑為5至20mm的圓面。另外優(yōu)選的是所述至少一個(gè)熱電極接觸面被構(gòu)造成邊長為5至20_的矩形。所述至少一個(gè)熱電極接觸面優(yōu)選具有2至50mm、特別是5至25mm范圍內(nèi)的最大延展。另外優(yōu)選的是所述至少一個(gè)熱電極接觸面在大小和形狀上適合于和它相配的熱電極，例如熱電極具有與熱電極接觸面非常相似的或者相同的大小和/或形狀。所述至少一個(gè)熱電極接觸面，在在絕緣層的平面內(nèi)測量的情況下，具有2至50mm、特別是5至25mm范圍內(nèi)的最大延展是可以的。所述至少一個(gè)熱電極接觸層具有2至50 μ m、特別是6至14 μ m范圍內(nèi)的最大層厚是可以的。所述至少一個(gè)熱電極接觸層在和絕緣層垂直的方向上測量具有不均勻的層厚也是可以的。其中可以預(yù)設(shè)，所述至少一個(gè)熱電極接觸層內(nèi)的層厚梯度被構(gòu)造成能對(duì)導(dǎo)熱性產(chǎn)生期望的影響。 所述至少一個(gè)熱電極接觸層從和絕緣層相垂直的方向看包括兩個(gè)或者更多個(gè)互相隔離的部分區(qū)域(=單個(gè)區(qū)域)是可以的。其中至少兩個(gè)部分區(qū)域可以由不同的材料和/或以不同的大小和/或形狀構(gòu)成。在背面熱電極接觸層的情況下，優(yōu)選該熱電極接觸層具有無留空的圓形內(nèi)區(qū)域和與內(nèi)區(qū)域相連的有留空的環(huán)形外區(qū)域。其中留空可以從內(nèi)部區(qū)域沿徑向向外和/或弧形式包裹內(nèi)部區(qū)域延伸。優(yōu)選圓形內(nèi)區(qū)域具有I至5_范圍內(nèi)的外直徑以及環(huán)形外區(qū)域具有5至20mm范圍內(nèi)的外直徑。在正面熱電極接觸層的情況下，優(yōu)選該熱電極接觸層由至少兩個(gè)互相連接、包圍著例如為芯片結(jié)合區(qū)域的結(jié)合過程區(qū)域延展的并且和其相隔一定距離的圓形面部分構(gòu)成。這里還優(yōu)選所述部分之間的徑向距離選擇為100 μ π!至5mm、特別是150 μ m至500 μ m范圍內(nèi)。還優(yōu)選的是所述至少兩個(gè)熱電極接觸面部分具有在2至50mm、特別是5至25mm范圍內(nèi)的最大延展。一個(gè)除此之外被證明的實(shí)施形式為構(gòu)成第一組件的層包括設(shè)置于正面上的第一層、設(shè)置于背面上的第二層以及一個(gè)或者多個(gè)穿過絕緣層的將第一層和第二層互相以導(dǎo)電和導(dǎo)熱方式連接的通孔連接，其中所述至少一個(gè)熱電極接觸層和一個(gè)或者多個(gè)的通孔連接從和絕緣層相垂直的方向看被配置為沒有相互重疊?！皼]有相互重疊”意味著一個(gè)或者多個(gè)的通孔連接或者直接和熱電極接觸層相鄰接或者和其有一定距離。所述至少一個(gè)熱電極接觸層和一個(gè)或者多個(gè)的通孔連接的距離從和絕緣層相垂直的方向看優(yōu)選至少為200 μ m。第一組件具有雙面構(gòu)造是可以的，該雙面構(gòu)造包括設(shè)置于絕緣層正面的第一層(=第一組件的第一部分)和設(shè)置于絕緣層背面的第二層(=第一組件的第二部分)的。在絕緣層的正面上可以設(shè)置第一導(dǎo)電層，例如為如天線部分的第一帶狀導(dǎo)線部分，在絕緣層的背面上可以配置第二導(dǎo)電層，例如為如天線部分的第二帶狀導(dǎo)線部分亦或僅設(shè)置用于正面的帶狀導(dǎo)線部分兩端的連接部分。優(yōu)選第一和第二組件帶狀導(dǎo)線部分被制成有一個(gè)或者多個(gè)彎角的線圈形式。第一組件為雙面構(gòu)造時(shí)，絕緣層正面和背面間的一個(gè)或者多個(gè)的通孔連接將例如為第一帶狀導(dǎo)線部分的第一層和例如為第二帶狀導(dǎo)線部分的第二層互相電連接。通孔連接包括在正面和背面的各一個(gè)接觸點(diǎn)以及穿過絕緣層行進(jìn)的將兩個(gè)接觸點(diǎn)電連接的連接元件。所述至少一個(gè)熱電極接觸層從和絕緣層相垂直的方向看優(yōu)選既不超過一個(gè)或者多個(gè)通孔連接的接觸點(diǎn)也不超過一個(gè)或者多個(gè)通孔連接的連接元件。通過將通孔連接放置在熱電極接觸層的區(qū)域之外并且由此被放置在熱電極的區(qū)域之外可以避免不均勻的熱電極壓力。在這種關(guān)系下被證明的是額外的壓力被施加在通孔連接上并且有可能將其損壞的情況也是可以由此被避免的。
此外所述至少一個(gè)熱電極接觸面從和絕緣層相垂直的方向看可以具有一個(gè)或者多個(gè)完全穿透所述至少一個(gè)熱電極接觸層的例如為孔、沖孔、穿孔的留空。其中一個(gè)或者多個(gè)的留空和/或包圍留空的熱電極接觸面可以提供例如為包括文字?jǐn)?shù)字的記號(hào)、符號(hào)、圖形、圖案的光學(xué)信息。所述圖案例如為同心延伸的圓環(huán)、輻射狀的扇形、波浪結(jié)構(gòu)、平行條、菱形結(jié)構(gòu)等等或者其混合體。以這種方式通過所述至少一個(gè)熱電極接觸層可以提供安全元件、裝飾元件或者標(biāo)記。所述至少一個(gè)熱電極接觸層至少部分被上色和/或本身具有顏色也是可以的，這也可以被作為安全特征或者用于光學(xué)辨別系統(tǒng)的對(duì)比度改善或者被用作裝飾。首先生產(chǎn)完整面的熱電極接觸層并且留空在之后例如通過激光腐蝕被構(gòu)造在完整面的熱電極接觸層中是可以的。留空在所有的熱電極接觸層加工階段中存在也是可以的。優(yōu)選所述一個(gè)或者多個(gè)的留空和熱電極接觸面的面積關(guān)系位于從5:1至1:5的范圍內(nèi)。熱電極接觸面中的留空使設(shè)置于熱電極接觸面上方的層和設(shè)置于熱電極接觸面下方的層通過留空互相粘附成為可能，這樣兩個(gè)層間被稱為中間層粘附的機(jī)械連接在熱電極接觸層區(qū)域會(huì)被改善。例如為遮蓋層的被置于熱電極接觸面上方的層和例如為絕緣層的被置于熱電極下方的層之間的中間層粘附特別是在卡片式層疊中，即在將遮蓋熱電極接觸層的層置于天線基底上時(shí)有重要意義。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例所述至少一個(gè)熱電極接觸面具有表面浮雕，例如卡槽、線形槽、彎曲結(jié)構(gòu)。為了構(gòu)造表面浮雕，沖頭可以被壓入還能夠變形的所述至少一個(gè)熱電極接觸層，這樣所述至少一個(gè)熱電極接觸層就被構(gòu)造出表面浮雕。其中表面浮雕可以引起例如衍射效應(yīng)的光學(xué)效應(yīng)。以這種方式通過所述至少一個(gè)熱電極接觸層可以提供安全元件或者裝飾元件。所述至少一個(gè)熱電極接觸層與構(gòu)成第一組件的層和/或所述至少一個(gè)組件接觸面可以導(dǎo)電連接，或者其可以與構(gòu)成第一組件的層和/或所述至少一個(gè)組件接觸面電絕緣。其中可以預(yù)設(shè)所述至少一個(gè)熱電極接觸層被設(shè)置為在例如為芯片結(jié)合過程的結(jié)合過程前與例如為如天線的一個(gè)或者多個(gè)帶狀導(dǎo)線部分的第一組件和/或所述至少一個(gè)組件接觸面導(dǎo)電連接，但是在結(jié)合過程之后與其分離，即電絕緣。在這種關(guān)系下可以預(yù)設(shè)根據(jù)本發(fā)明的方法還包括以下步驟切斷所述至少一個(gè)熱電極接觸層與構(gòu)成第一組件的層和/或所述至少一個(gè)組件接觸面之間的導(dǎo)電連接。這可以例如通過在結(jié)合過程中熱力切斷或者機(jī)械切斷優(yōu)選的薄接觸橋而實(shí)現(xiàn)。為此熱電極可以具有切割連接或者通過熱電極的熱能可以熔化或者另一方面熱損壞接觸橋。采用激光切斷接觸橋也是可以的。生產(chǎn)過程中的電絕緣以如下的方式也是有利的在生產(chǎn)薄膜元件時(shí)熱電極接觸層與例如為一個(gè)或者多個(gè)帶狀導(dǎo)線部分的第一組件和/或一個(gè)或者多個(gè)組件接觸面和/或多層薄膜元件的一個(gè)或者多個(gè)的電接觸點(diǎn)導(dǎo)電連接，以在此通過電鍍、即通過電鍍式層構(gòu)造生產(chǎn)改進(jìn)的均勻?qū)雍?，特別是改進(jìn)用于薄膜元件的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電鍍式層強(qiáng)化的電鍍方法。相對(duì)的，在結(jié)合過程后電絕緣的熱電極接觸層也可以是有益的，例如避免通過熱電極接觸層的導(dǎo)電面和特別為天線的組件間的電磁干擾效應(yīng)。此外在之后的過程中例如通過激光燒蝕可以根據(jù)電容精細(xì)調(diào)整熱電極接觸層的頻率。所述至少一個(gè)熱電極接觸層構(gòu)成薄膜元件的電氣組件的一部分也是可以的。其中可以規(guī)定，所述至少一個(gè)熱電極接觸層在結(jié)合過程前為電氣組件的一部分，但其中該部分在結(jié)合過程后會(huì)例如會(huì)通過和剩下的帶狀導(dǎo)線分開而被分離并且因此不再具有電效應(yīng)。另外被證明的是所述至少一個(gè)熱電極接觸層構(gòu)成了薄膜元件的電氣組件的一部分。這樣在該關(guān)系下所述至少一個(gè)熱電極接觸層可以為電容面、電阻或者類似物的一部分，由此可以影響組件的功能和表現(xiàn)。還可以想像的是，熱電極接觸層自身構(gòu)造成可與其余組件串聯(lián)或者并聯(lián)的具有特定電感的線圈或者線圈元件的形式。所述至少一個(gè)熱電極接觸層由在熱導(dǎo)率方面各向異性的材料制成也是可以的。其中熱電極接觸層中的熱傳導(dǎo)可以優(yōu)選在一個(gè)方向上。這一方面例如可以這樣實(shí)現(xiàn)，即由由導(dǎo)熱材料構(gòu)成的平行結(jié)構(gòu)制成熱電極接觸層。在熱量輸入熱電極接觸層的外側(cè)時(shí)，熱傳導(dǎo)優(yōu)先會(huì)在該平行結(jié)構(gòu)的方向上更快，而相反在與其垂直的方向熱傳導(dǎo)減弱。另一方面通過導(dǎo)熱材料層厚的變化也可以獲得對(duì)熱傳導(dǎo)的針對(duì)性影響。熱電極接觸層在結(jié)合過程之后在一個(gè)或者多個(gè)接著的過程步驟中部分或者完全再從絕緣層上去除也是可以的。


接著參考下面的附圖通過多個(gè)實(shí)施例示例性地說明本發(fā)明。為了簡化描述，附圖為示意性的而非與實(shí)際尺寸一致。其中圖1示出了配置于絕緣層正面的第一導(dǎo)電層；圖2示出了共同配置于絕緣層背面的第二導(dǎo)電層和熱電極接觸層；圖2A示出了根據(jù)圖2的背面熱電極接觸層的放大視圖；圖3示出了根據(jù)圖1和圖2的層的重疊；圖4示出了圖3示出的層的IV-1V剖面圖；圖5示出了如圖4的IV-1V剖面圖，額外示出了芯片和兩個(gè)熱電極；圖6、9、12、15和18分別不出了根據(jù)圖1的第一導(dǎo)電層；圖7、10、13、16和19分別示出了根據(jù)圖2的第二導(dǎo)電層和各個(gè)不相同的熱電極接觸層的其他實(shí)施例；圖7A、10A、13A、16A和19A分別示出了根據(jù)圖7、10、13、16和19的背面熱電極接觸層的放大視圖；圖8、11、14、17和20分別示出了根據(jù)圖1 (對(duì)應(yīng)圖6、9、12、15和18)的第一導(dǎo)電層和根據(jù)圖7、10、13、16和19的第二導(dǎo)電層與熱電極接觸層的重疊；圖21示出了配置于絕緣層正面的具有內(nèi)置芯片結(jié)合區(qū)域的第一導(dǎo)電層的另一個(gè)實(shí)施形式；圖22示出了共同配置于絕緣層背面的形式為接觸區(qū)域的第二導(dǎo)電層和熱電極接觸層；圖23示出了根據(jù)圖21和圖22的層的重疊；圖24示出了配置于絕緣層正面的第一導(dǎo)電層的另一個(gè)實(shí)施形式；圖25示出了共同配置于絕緣層背面的形式為接觸區(qū)域的第二導(dǎo)電層和熱電極接觸層；圖26示出了根據(jù)圖24和圖25的層的重疊；
圖27示出了配置于絕緣層背面的具有實(shí)現(xiàn)的熱電極接觸面的第二導(dǎo)電層的另一個(gè)實(shí)施形式；圖28示出了形式為共同被配置于絕緣層正面的連接板和接觸區(qū)域的第一導(dǎo)電層；圖29示出了根據(jù)圖27和圖28的層的重疊；圖30示出了配置于絕緣層正面的、具有由熱電極接觸面區(qū)域構(gòu)成的正面熱電極接觸面和芯片結(jié)合區(qū)域的第一導(dǎo)電層的另一個(gè)實(shí)施形式；圖31示出了根據(jù)圖25的第二導(dǎo)電層；以及圖32示出了根據(jù)圖30和圖31的層的重疊。
具體實(shí)施例方式圖1示出了配置于絕緣層正面的構(gòu)成第一組件的第一層，其被制成第一導(dǎo)電層11。第一導(dǎo)電層構(gòu)成了兩個(gè)芯片接觸面23和24，其中第一芯片接觸面23和對(duì)應(yīng)第一通孔連接13的正面連接面13’相連并且通過帶狀導(dǎo)線20的線圈或者螺旋形的帶狀導(dǎo)線部分21和對(duì)應(yīng)第三通孔連接15的正面連接面15’相連。第二芯片接觸面24通過對(duì)應(yīng)第二通孔連接14的正面連接面14’和線圈或者螺旋形的帶狀導(dǎo)線部分21的線形剩余段連接。圖2示出了構(gòu)成第一組件的被制成第二導(dǎo)電層12的第二層，以及共同被配置于絕緣層背面的熱電極接觸層30。第二導(dǎo)電層12具有帶狀導(dǎo)線20的弧形帶狀導(dǎo)線部分22，其連接了對(duì)應(yīng)第三通孔連接15的背面連接面15”和對(duì)應(yīng)第二通孔連接14的背面連接面14”。除此之外第二導(dǎo)電層12包括對(duì)應(yīng)第一通孔連接13的背面連接面13”以及連接背面連接面14”和熱電極接觸層30的電連接元件。如圖2A放大示出的，熱電極接觸層30具有不同構(gòu)造的局部區(qū)域并且有壁厚為d的輻條輪的形狀，其由直徑為Di的內(nèi)部盤(“輪轂”)，外徑為Da、壁厚為b以及高度為d的外環(huán)(“輪圈”)，以及連接內(nèi)部盤和外環(huán)的環(huán)形區(qū)域(“輻條環(huán)“)組成，具有k個(gè)(在該實(shí)施例中k=24)長度為1/2 (Da-D1-2b)、寬度為π Di/k并且高度為d的徑向延伸的矩形元件?？晒┨鎿Q的是熱電極接觸層30被構(gòu)造成厚度為d以及外徑為Da的圓盤，其在內(nèi)徑為Di和外徑為Da-2d的空心圓柱體區(qū)域中具有總共k個(gè)(在該實(shí)施例中k=24)楔形的、在徑向上均勻配置的留空36，其中楔子的尖端朝向圓盤軸并且和圓盤軸平行延伸。在表的第2列中列出了所述熱電極接觸層30實(shí)施例的層厚d、外徑Da、內(nèi)徑Di和寬度b的典型數(shù)值和特別有利的數(shù)值(在表中用“優(yōu)選”表示)。圖3示出了根據(jù)圖1和圖2的層的重疊投影，其中從和絕緣層相垂直的方向上看可以辨認(rèn)出帶狀導(dǎo)線20的帶狀導(dǎo)線部分21和22的一部分對(duì)應(yīng)構(gòu)造，以及從和絕緣層相垂直的方向上看可以辨認(rèn)出通孔連接13至15的正面和背面接觸面13’至15’以及13”至15”的相同的覆蓋配置。帶狀導(dǎo)線20在這里構(gòu)成了螺旋形的天線結(jié)構(gòu)。在圖3中可以辨認(rèn)出，熱電極接觸層30從和絕緣層相垂直的方向上看完全覆蓋了芯片接觸面23、24。帶狀導(dǎo)線部分21、22在圖3和接著的圖中用略有區(qū)別的寬度表示，為了從繪圖上讓兩個(gè)帶狀導(dǎo)線部分21、22的重疊更好辨認(rèn)。但帶狀導(dǎo)線部分21、22的寬度并不應(yīng)該受該實(shí)施形式的局限，這意味著帶狀導(dǎo)線部分21、22可以具有相同的或者互相不同的寬度并且可以基本上完全或者僅僅部分重疊。在這種關(guān)系下需要指出的是為了簡化視圖，帶狀導(dǎo)線部分21、22在圖3和下面的圖中也被畫成直線。但整體形狀不應(yīng)該受該構(gòu)造的局限。所述帶狀導(dǎo)線部分同樣可以被構(gòu)造成鋸齒形，例如為正弦曲線的連續(xù)震蕩形、或者由其混合而成，或者其他形狀。此外帶狀導(dǎo)線的不同部分一涉及正面和背面一可以被配置在相同位置或者也可以相互錯(cuò)開。圖4示意性地示出了和實(shí)際尺寸不符的多層薄膜元件I的剖面圖，其具有絕緣層10、配置于絕緣層10正面IOV上的根據(jù)圖1的第一導(dǎo)電層11和配置于絕緣層10背面IOR上的根據(jù)圖2的第二導(dǎo)電層12。薄膜元件I的剖面圖沿著圖3中給出的剖面線IV-1V延伸。第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12、如圖4中表明的、被預(yù)設(shè)在絕緣層10的外表面。在剖面圖中穿過絕緣層10的通孔連接13至15以及相應(yīng)的正面和背面接觸面13’至15’和13”至15”為了更好的區(qū)別用陰影表示。絕緣層10背面IOR上配置有層厚為d并且在外端面上具有熱電極接觸面32的熱電極接觸層30，其具有穿過整個(gè)層厚d的留空36。圖5示意性地示出了和實(shí)際尺寸不符的多層薄膜元件I的剖面圖，其基本上對(duì)應(yīng)在圖4中示出的剖面圖。在圖5中還附加地在一個(gè)位置示出了芯片50和兩個(gè)對(duì)置的熱電 極60和61，它們?cè)谟糜趯⑿酒?0固定于多層薄膜元件I上的方法中被固定在該位置。其中下熱電極60設(shè)置在背面熱電極接觸層30，并且可以構(gòu)造為加熱的或者非加熱的沖頭的上熱電極61相對(duì)于下熱電極60構(gòu)成了機(jī)械支座同時(shí)設(shè)置在芯片50上。在芯片50和熱電極61之間可以配置未示出的中間帶，其例如為硅涂層或者具有其他阻止粘附的涂層以避免熱電極61被連接介質(zhì)弄臟或者污染以及因此帶來的熱電極61和芯片50的粘合。為了簡化視圖放棄了給所有組件用其附圖標(biāo)記去標(biāo)注；對(duì)此可以參考圖4中給出的相應(yīng)的附圖標(biāo)記。如圖5中標(biāo)明的，熱電極接觸層30的背離絕緣層10的端面32作為熱電極接觸面具有給(下)熱電極60作接觸面的功能。優(yōu)選不僅上熱電極61而且下熱電極60被加熱到200° C范圍內(nèi)的溫度。上熱電極61即薄膜元件I的芯片側(cè)上的熱電極的溫度普遍要高于下熱電極60上的溫度。通過溫度傳播實(shí)現(xiàn)連接介質(zhì)的特殊硬化效應(yīng)。通過由下熱電極60帶給熱電極接觸層30的以及由絕緣層10傳導(dǎo)給芯片接觸面23、24的熱量，被加入芯片50和芯片接觸面23、24間的連接介質(zhì)會(huì)被熱激活。通過連接介質(zhì)的熱激活在芯片50和芯片接觸面23、24之間以及因此在芯片50和多層薄膜元件I之間產(chǎn)生了持久的機(jī)械連接。芯片50的端面小于上熱電極61的平坦端面，并且可選地也小于下熱電極60的平坦端面，以此熱電極60、61圍繞芯片50也有效地硬化了在芯片50和芯片接觸面23、24間可能溢出的連接介質(zhì)。作為連接介質(zhì)可以采用可熱激活的、例如為可熱硬化的粘合劑或者焊料。連接介質(zhì)在芯片50被放在芯片接觸面23、24上前可以被涂敷在芯片50朝向芯片接觸面23、24的一面上和/或被涂敷在芯片接觸面23、24朝向芯片50的一面上?？蔁嵊不恼澈蟿┛梢岳鐬闊嵊不?、導(dǎo)電的、單一成分的環(huán)氧化物粘合劑，其具有金屬化的、優(yōu)選為球形的、非平面的顆粒或者例如為金屬化的球、薄片或小板的全金屬顆粒，該環(huán)氧化物粘合劑在約為190° C的溫度區(qū)域中在約8秒內(nèi)硬化的。在這種關(guān)系下有優(yōu)勢的為被內(nèi)嵌在塑料矩陣中的由銀或者銅制成的金屬顆粒。除此之外也可以采用其顆粒由石墨和/或具有可構(gòu)成單一或多成分系統(tǒng)的其他連接成分的系統(tǒng)。例如鉛、錫或者鈀可以用作焊料。絕緣層10為用作第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12支撐基底的、厚度為4至250 μ m的塑料薄膜。優(yōu)選用PVC、PVC/ABS、PET、聚碳酸酯、聚烯烴、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乙烯或者由BOPP制成的厚度為36至150 μ m的薄膜作為絕緣層10(PET=聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，BOPP=雙軸取向聚丙烯)。此外絕緣層10包括一個(gè)或者多個(gè)層和/或除了絕緣層10外還有一個(gè)或者多個(gè)其他層被預(yù)設(shè)在第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12之間和/或絕緣層由其他之前未提到的、例如為復(fù)合紙的非導(dǎo)電材料制成也是可以的。導(dǎo)電層或者第一和第二導(dǎo)電層11、12優(yōu)選各為厚度為I μ m至50 μ m、優(yōu)選5至15 μ m的金屬層。金屬層例如由鐵、銅、鋁、鎳、銀、金、白金、錫、鋅或者所述金屬的合金和/或者多層系統(tǒng)。此外導(dǎo)電層11和12可以通過至少一次的電鍍強(qiáng)化生成并且因此可以包括一個(gè)或者多個(gè)例如由導(dǎo)電印刷材料制成的層。在這種關(guān)系下用于產(chǎn)生金屬層的不同技術(shù)的組合也是可以的——例如電鍍強(qiáng)化和有目的去金屬化的組合。通孔連接13、14和15優(yōu)選也由加入絕緣層10相應(yīng)的凹槽中的導(dǎo)電的、特別為金屬的材料制成，并且優(yōu)選通過至少一次的電鍍過程與導(dǎo)電層11和12 —起生成。但是通孔連接通過鉚接、卷邊連接、焊接或類似方法生成也是可以的。 帶狀導(dǎo)線部分21—如圖1中示出的一具有形式為具有N個(gè)彎角、彎角間距為O. 05至5mm以及帶狀導(dǎo)線寬度為O. 05至5mm的平面線圈。彎角數(shù)N優(yōu)選位于2至10的范圍間。最外圈優(yōu)選包裹寬為40mm至100mm、長為20mm至80mm的矩形面。帶狀導(dǎo)線部分22優(yōu)選具有大于帶狀導(dǎo)線部分21最內(nèi)圈1/4的長度并且如圖2中標(biāo)明的優(yōu)選被制成一半至整個(gè)彎角的形狀。此外薄膜元件I除了根據(jù)圖1至圖4描述的層外有一個(gè)或者多個(gè)其他層并且例如形成貼合膜、轉(zhuǎn)印膜或者轉(zhuǎn)印膜的傳輸層(IJbertragungslage)的區(qū)域也是可以的。此外薄膜元件I也可以并不是單獨(dú)的形式，而是優(yōu)選為薄膜面(Folienbahn)的一部分，該薄膜面優(yōu)選具有多個(gè)鄰接配置的、相同類型的薄膜元件I。熱電極接觸層30可以以和導(dǎo)電層11、12相同的方法生成。其中導(dǎo)電的熱電極接觸層30可以制成金屬敷鍍，例如由鋁、鐵、銅、鎳、鉬、銀、金、錫、鋅或者所述材料的合金制成。此外熱電極接觸層30在所述情況下還可以額外實(shí)現(xiàn)電磁組件的功能。此外熱電極接觸層30在制成導(dǎo)電層11、12后被用在絕緣基底10上也是可以的，例如作為成品組件暫時(shí)或者持續(xù)性地被施加，例如粘合或者用連接元件固定。在圖4和圖5示出的剖面圖中可以辨認(rèn)出留空36從熱電極接觸面32穿過熱電極接觸層30直至熱電極接觸層30的對(duì)置的端面。熱電極接觸層30的觀察者在和絕緣層10相垂直的視線方向上穿過留空36辨認(rèn)出絕緣層10。通過給熱電極接觸層30或熱電極接觸面32和絕緣層10上色和/或給留空36造型，可以為觀察者或者辨認(rèn)系統(tǒng)提供例如為圖案、圖形、例如為符號(hào)、字母、數(shù)字的標(biāo)志的光學(xué)信息。也可能的是通過熱電極60給熱電極接觸層30和鄰接的絕緣層10的熱能輸出，絕緣層的材料熔化并且以液體狀態(tài)至少部分流入留空36。以這種方式可以實(shí)現(xiàn)熱電極接觸層30和絕緣層10間改良的連接。同樣可能的是在之后的涂層方法中被涂敷在多層薄膜元件上I的、例如為由清漆制成的表面保護(hù)層或者貼合膜的層，至少部分伸入留空36內(nèi)和/或通過一個(gè)或者多個(gè)留空36和絕緣層10連接。以此可以實(shí)現(xiàn)中間層粘附。為了更好的在圖紙頁上說明實(shí)施例，圖6再次示出了根據(jù)圖1的被設(shè)置在絕緣層正面的第一導(dǎo)電層。圖7示出了根據(jù)圖2的第二導(dǎo)電層和熱電極接觸層的另一個(gè)實(shí)施例。如圖7A中放大示出的，熱電極接觸層30被制成具有厚度d和外徑Da的圓盤，其在內(nèi)徑為Di和外徑為Da的環(huán)形區(qū)域中具有形式為90°弧形的寬度為b的留空36，該留空和盤狀熱電極接觸層30的中軸距離恒定地延伸。在0°、90°、180°、270°的角度位置有從內(nèi)直徑Di延伸至外直徑Da的連續(xù)的隔板，弧形留空36各終止于隔板。通過留空36和隔板熱電極接觸層30在環(huán)形區(qū)域構(gòu)造了同心延伸的寬度為b的圓環(huán)。表的第3列給出了典型的和特別有益的(在表中用“優(yōu)選”標(biāo)明)用于前述熱電極接觸層30實(shí)施例的層寬d、外徑Da、內(nèi)徑Di和寬度b。圖8示出了從和絕緣層相垂直的方向上看的根據(jù)圖6和圖7的層的重疊投影。視圖對(duì)應(yīng)圖3中的視圖，可以參考其描述。為了更好的在圖紙頁上說明實(shí)施例，圖9再次示出了根據(jù)圖1的被設(shè)置在絕緣層正面的第一導(dǎo)電層。圖10示出了根據(jù)圖2的第二導(dǎo)電層和熱電極接觸層30的另一個(gè)實(shí)施例。圖1OA示出了包括熱電極接觸層30視圖的圖10 —部分的放大圖。熱電極接觸層30的實(shí)施例在很大程度上對(duì)應(yīng)圖7和圖7A中的實(shí)施例，其可以供參考，只是尺寸有偏差。表的第4列給出了典型的和尤其有益的(在表中用“優(yōu)選”標(biāo)明)用于前述熱電極接觸層30實(shí)施例的層寬d、外徑Da、內(nèi)徑Di和寬度b。圖11示出了從和絕緣層相垂直的方向上看的根據(jù)圖9和圖10的層的重疊投影。視圖對(duì)應(yīng)圖3中的視圖，可以參考其描述。為了更好的在圖紙頁上說明實(shí)施例，圖12再次示出了根據(jù)圖1的被設(shè)置在絕緣層正面的第一導(dǎo)電層。圖13示出了根據(jù)圖2的第二導(dǎo)電層和熱電極接觸層30的另一個(gè)實(shí)施例。圖13A示出了包括熱電極接觸層30視圖的圖13 —部分的放大圖。熱電極接觸層30的實(shí)施例在很大程度上對(duì)應(yīng)圖7和圖7A中的實(shí)施例，其可以供參考，只是尺寸有偏差。表的第5列給出了典型的和特別有益的(在表中用“優(yōu)選”標(biāo)明)用于前述熱電極接觸層30實(shí)施例的層寬d、外徑Da、內(nèi)徑Di和寬度b。圖14示出了從和絕緣層相垂直的方向上看的根據(jù)圖12和圖13的層的重疊投影。視圖對(duì)應(yīng)圖3中的視圖，可以參考其描述。為了更好的在圖紙頁上說明實(shí)施例，圖15再次示出了根據(jù)圖1的被設(shè)置在絕緣層正面的第一導(dǎo)電層。圖16示出了根據(jù)圖2的第二導(dǎo)電層和熱電極接觸層30的另一個(gè)實(shí)施例。如圖16A中放大示出的，熱電極接觸層30被制成具有厚度d和外徑Da的圓盤，其在內(nèi)徑為Di和外徑為Da-2b的空心圓柱區(qū)域中具有二十四個(gè)楔形的、在徑向上配置的留空36，其中楔子的尖端朝向圓盤軸并且和圓盤軸平行。表的第6列給出了典型的和特別有益的(在表中用“優(yōu)選”標(biāo)明)用于前述熱電極接觸層30實(shí)施例的層寬d、外徑Da、內(nèi)徑Di和寬度b。圖17示出了從和絕緣層相垂直的方向上看的根據(jù)圖15和圖16的層的重疊投影。視圖對(duì)應(yīng)圖3中的視圖，可以參考其描述。為了更好的在圖紙頁上說明實(shí)施例，圖18再次示出了根據(jù)圖1的被設(shè)置在絕緣層正面的第一導(dǎo)電層。表
權(quán)利要求
1.一種具有絕緣層(10)的多層薄膜元件(I)，所述絕緣層包括正面(10V)和與正面(IOV)對(duì)置的背面(10R)，其中薄膜元件(I)包括構(gòu)成第一組件的層(11、12)和設(shè)置于正面(IOV)與第一組件連接的至少一個(gè)組件接觸面(23、24)，用于放置第二組件(50)，其中薄膜元件(I)包括設(shè)置于絕緣層(10)上的至少一個(gè)熱電極接觸層(30)，從與絕緣層(10)垂直的方向看，所述至少一個(gè)熱電極接觸層設(shè)置于所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)的區(qū)域中并且在所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)的背離絕緣層(10)的一側(cè)上具有構(gòu)成薄膜元件(I)外表面的熱電極接觸面(32 )。
2.如權(quán)利要求1所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，所述構(gòu)成第一組件的層(11、12)可導(dǎo)電。
3.如權(quán)利要求1或2之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，第一組件是天線結(jié)構(gòu)。
4.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)與第一組件電連接。
5.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)是用于放置電子微芯片(50)的芯片接觸面。
6.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)構(gòu)造成設(shè)置在正面(IOV)的正面熱電極接觸層，該正面熱電極接觸層至少局部地包圍所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)，和/或所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)構(gòu)造成設(shè)置在背面(10R)的背面熱電極接觸層，該背面熱電極接觸層從與絕緣層(10)垂直的方向上看至少局部地搭接和/或包圍所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)。
7.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，背面熱電極接觸層從與絕緣層(10)垂直的方向上看完全覆蓋所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)。
8.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，正面熱電極接觸層和背面熱電極接觸層通過導(dǎo)熱組件相互熱連接。
9.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)由熱導(dǎo)率大于50W/ (mK)的材料制成。
10.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)構(gòu)造成金屬層。
11.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸面(32)具有圓形或矩形的輪廓(34)。
12.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸面(32)，在絕緣層的平面內(nèi)被測量時(shí)，具有在2至50mm范圍內(nèi)的、特別是5至25mm范圍內(nèi)的最大延展。
13.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)具有I至50 μ m范圍內(nèi)的、特別是6至14 μ m范圍內(nèi)的最大層厚(d)。
14.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)從與絕緣層(10)垂直的方向上看具有兩個(gè)或者更多個(gè)部分區(qū)域(30a、30b)。
15.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，所述構(gòu)成第一組件的層(11、12)具有設(shè)置于正面(IOV)的第一層(11)、設(shè)置于背面(IOR)的第二層(12)和穿過絕緣層(10)的一個(gè)或者多個(gè)通孔連接(13、14、15)，借助于通孔連接第一層(11)和第二層(12)彼此優(yōu)選地導(dǎo)電連接，其中所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)和所述一個(gè)或者多個(gè)通孔連接(13、14、15)從與絕緣層(10)垂直的方向上看被設(shè)置為不相互重疊，優(yōu)選具有至少200 μ m的距離。
16.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，熱電極接觸面(32)從與絕緣層(10)垂直的方向上看具有一個(gè)或多個(gè)完全穿過所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)的留空(36)，其中優(yōu)選所述留空和/或包圍所述留空的熱電極接觸面(32)提供光學(xué)信息。
17.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，熱電極接觸面(32)具有優(yōu)選引起光學(xué)效應(yīng)的表面浮雕。
18.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)與所述構(gòu)成第一組件的層(11、12)和/或所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)優(yōu)選導(dǎo)電連接，或者與所述構(gòu)成第一組件的層(11、12)和/或所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)優(yōu)選電絕緣。
19.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)構(gòu)成薄膜元件(I)的電氣組件的一部分。
20.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(1)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)由熱導(dǎo)率各向異性的材料制成。
21.如前述權(quán)利要求之一所述的多層薄膜元件(I)，其特征在于，所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30)具有納米顆粒和/或納米管和/或納米顆粒及納米管的混合物。
22.一種用于將第二組件(50)固定于如權(quán)利要求1至21之一所述多層薄膜元件(I)上的方法，其中該方法包括以下步驟 為第二組件(50)具有接觸面的一側(cè)和/或所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)涂上可熱激活的連接介質(zhì)，優(yōu)選為可熱激活的、特別是導(dǎo)電的粘合劑； 將第二組件(50)具有接觸面的一側(cè)置于所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)上； 將所述至少一個(gè)熱電極接觸面(32 )和熱電極(60 )接觸以激活連接介質(zhì)；以及 在激活連接介質(zhì)后將熱電極(60)從所述至少一個(gè)熱電極接觸面(32)分離。
23.權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，第二組件(50)的接觸面構(gòu)成為電接觸。
24.權(quán)利要求22或23之一所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟切斷所述至少一個(gè)熱電極接觸層(30 )與所述構(gòu)成第一組件的層(11、12 )和/或所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)之間的導(dǎo)電連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有第一組件的多層薄膜元件(1)，特別是形為多層薄膜元件的RFID天線，以及一種用于將第二組件固定在該類薄膜元件(1)上的方法。薄膜元件(1)具有絕緣層(10)，所述絕緣層包括正面(10V)和背面(10R)。薄膜元件(1)具有構(gòu)成第一組件的層(11、12)和設(shè)置于正面(10V)上、和第一組件相連的至少一個(gè)組件接觸面(23、24)。薄膜元件(1)包括設(shè)置于絕緣層(10)上的至少一個(gè)熱電極接觸層(30)，從和絕緣層(10)相垂直的方向看，所述至少一個(gè)熱電極接觸層設(shè)置于所述至少一個(gè)組件接觸面(23、24)的區(qū)域中。熱電極接觸層(30)在背離絕緣層(10)的一側(cè)上具有構(gòu)成薄膜元件(1)外表面的熱電極接觸面(32)。
文檔編號(hào)H05K1/02GK103004293SQ201180030588
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2011年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月21日
發(fā)明者U·申德勒, C·舒馬赫, S·米斯林格 申請(qǐng)人:雷恩哈德庫茲基金兩合公司