專利名稱：電路板以及電路板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種在芯基板的兩側分別交替地層疊兩層以上的導體層和兩層以上的絕緣層而成的電路板及其制造方法。
背景技術：
在專利文獻I中公開了ー種電路板，該電路板具有在通孔內(nèi)填充鍍層而成的通孔導體以及在通路孔內(nèi)填充鍍層而成的通路導體。這些通孔導體和通路導體在正上方(Z方向)進行堆疊。 專利文獻I :日本特開2001-210952號公報

發(fā)明內(nèi)容
_4] 發(fā)明要解決的問題在專利文獻I所記載的電路板中，認為硬導體(金屬)不均勻分布，對于落下沖擊等從外部瞬間施加的應カ的承受カ差。本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，目的在于容易地制造具有良好的電特性的電路板。
_7] 用于解決問題的方案本發(fā)明的第一觀點所涉及的電路板是在芯基板兩側分別交替地層疊兩層以上的導體層和兩層以上的絕緣層而成，上述芯基板和上述層疊的絕緣層分別具有孔內(nèi)填充鍍層而成的連接導體；上述芯基板的上述連接導體和上述層疊的絕緣層的上述連接導體進行堆疊；對于上述層疊的絕緣層的ー側的外層的上述連接導體的位置和另ー側的外層的上述連接導體的位置，從上述芯基板的上述連接導體的位置起大致在同一方向上移位。本發(fā)明的第二觀點所涉及的電路板的制造方法包括以下步驟準備具有連接導體的芯基板，該連接導體是在孔內(nèi)填充鍍層而成的；在上述芯基板的兩側形成絕緣層；在上述芯基板兩側，在上述絕緣層中形成孔；在上述芯基板兩側，在上述絕緣層的上述孔內(nèi)填充鍍層來形成連接導體；以及在上述芯基板兩側，在上述絕緣層上形成導體層，其中，通過反復進行上述絕緣層的形成、上述連接導體的形成以及上述導體層的形成，來在上述芯基板的兩側交替地層疊兩層以上的上述導體層和兩層以上的上述絕緣層，堆疊上述芯基板的上述連接導體以及上述層疊的絕緣層的上述連接導體，并且使上述層疊的絕緣層的一側的外層的上述連接導體的位置和另ー側的外層的上述連接導體的位置與上述芯基板的上述連接導體的位置相比沿大致同一方向上移位。此外，準備除了購買材料、部件來自己制造之外，還包括購買成品來使用等。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠容易地制造具有良好的電特性的電路板。


圖I是本發(fā)明的實施方式所涉及的電路板的截面圖。圖2是本發(fā)明的實施方式所涉及的電路板的俯視圖。圖3A是表示填充堆疊體的填充導體沿傾斜方向(XY方向)移位的例子的圖。圖3B是表示填充堆疊體的填充導體沿Y方向移位的例子的圖。圖4是放大表示填充堆疊體的圖。圖5A是放大表示圖4中的局部的圖，詳細地說是放大顯示芯基板的填充導體以及堆疊在其第二面上的填充導體的圖。
圖5B是放大表示圖4的局部的圖，詳細地說是放大顯示芯基板的填充導體以及堆疊在其第一面上的填充導體的圖。圖6是表示填充堆疊體的填充導體的移位量的圖。圖7是表示施加到六層、八層以及十層的電路板的應カ的模擬結果的曲線圖。圖8是表示施加到六層、八層以及十層的電路板的應カ的模擬結果的圖表。圖9是表示八層產(chǎn)品和十層產(chǎn)品中各層的裂紋占有率的模擬結果的圖表。圖10是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的電路板的制造方法的流程圖。圖IlA是用于說明準備芯基板的第一エ序的圖。圖IlB是用于說明圖IlA的エ序之后的第二エ序的圖。圖IlC是用于說明圖IlB的エ序之后的第三エ序的圖。圖IlD是用于說明圖IlC的エ序之后的第四エ序的圖。圖12A是用于說明在芯基板的兩側形成絕緣層的エ序的圖。圖12B是用于說明在圖12A的エ序之后形成通路孔的エ序的圖。圖12C是用于說明圖12B的エ序之后的鍍處理工序的圖。圖12D是用于說明圖12C的エ序之后的圖案形成エ序的圖。圖13是用于說明在圖12D的エ序之后在芯基板的兩側進行積層的エ序的圖。圖14是用于說明在圖13的エ序之后在芯基板的兩側形成絕緣層的エ序的圖。圖15A是用于說明在圖14的エ序之后形成通路孔和通孔的エ序的圖。圖15B是用于說明圖15A的エ序之后的鍍處理工序的圖。圖16是表示填充堆疊體中的填充導體的移位角度不固定的例子的圖。圖17是表示填充堆疊體中的芯基板的填充導體與堆疊在其第二面上的填充導體的位置關系的第一其它例的圖。圖18是表示填充堆疊體中的芯基板的填充導體與堆疊在其第二面上的填充導體的位置關系的第二其它例的圖。圖19是表示填充堆疊體中的芯基板的填充導體與堆疊在其第一面上的填充導體的位置關系的第一其它例的圖。圖20是表示填充堆疊體中的芯基板的填充導體與堆疊在其第一面上的填充導體的位置關系的第二其它例的圖。圖21是表示填充堆疊體中的填充導體的移位量不固定的例子的圖。圖22A是表示填充堆疊體的各填充導體被配置成鋸齒狀的第一例子的圖。圖22B是表示填充堆疊體的各填充導體被配置成鋸齒狀的第二例子的圖。圖23是表示填充堆疊體的移位方向不是大致固定而是ー側外層的連接導體的位置和另ー側外層上的連接導體的位置從芯基板的連接導體的位置起大致在同一方向上移位、內(nèi)層的連接導體位于芯基板的連接導體與外層的連接導體之間的電路板的例子的截面圖。圖24是圖23示出的電路板的俯視圖。圖25是表示填充堆疊體的移位方向不固定而是ー側外層的連接導體的位置和另一側外層的連接導體的位置從芯基板的連接導體的位置起大致在同一方向上移位、內(nèi)層的連接導體不位于芯基板的連接導體與外層的連接導體之間的電路板的例子的截面圖。圖26是圖25示出的電路板的俯視圖。
圖27A是表示通路孔和通孔的橫截面形狀的第一其它例的圖。圖27B是表示通路孔和通孔的橫截面形狀的第二其它例的圖。圖27C是表示通路孔和通孔的橫截面形狀的第三其它例的圖。圖28是表示用于形成填充堆疊體的通路孔的組合非相似的圖形的例子的圖。圖29A是表示通路孔和通孔的縱截面形狀的第一其它例的圖。圖29B是表示通路孔和通孔的縱截面形狀的第二其它例的圖。圖30A是表示在填充堆疊體附近配置通孔的例子的圖。圖30B是表不僅具有一個通孔的電路板的一例的圖。圖31A是表示導體層和通路導體的第一結構的圖。圖31B是表示導體層和通路導體的第二結構的圖。圖31C是表示導體層和通路導體的第三結構的圖。圖32是表示芯基板的填充導體為通孔導體的例子的圖。圖33是表示代替通孔而使用切ロ的例子的截面圖。圖34是表示代替通孔而使用切ロ的例子的俯視圖。圖35是表示同時使用通孔和切ロ的例子的圖。圖36是表示切ロ的形成方法的一例的圖。圖37A是表示具有向相反的方向移位的兩個填充堆疊體的電路板的一例的圖。圖37B是圖37A的截面圖。圖38是表示內(nèi)置電子部件的電路板的一例的圖。圖39是表示表面安裝了電子部件的電路板的一例的圖。圖40是表示六層電路板的一例的圖。
具體實施例方式下面，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。此外，在圖中，箭頭Zl、Z2分別指與電路板的主面(表面和背面)的法線方向(或者芯基板的厚度方向)相當?shù)碾娐钒宓膶盈B方向。另ー方面，箭頭X1、X2和Y1、Y2分別指與層疊方向正交的方向(與電路板的主面平行的方向)。電路板的主面成為X-Y平面。另外，電路板的側面成為X-Z平面或者Y-Z平面。關于填充導體或者其孔，將與Z方向正交的截面(X-Y平面)稱為橫截面。另外，將與Z方向平行的截面(X-Z平面或者Y-Z平面)稱為縱截面。關于填充導體，將與Z方向平行且經(jīng)過橫截面的中心(圓以外時為各橫截面的重心)的線設為軸。即，Z方向大致相當于軸方向。在本實施方式中，將朝向相反的法線方向的兩個主面稱為第一面(Zl側的面)、第ニ面(Z2側的面)。即，第一面的相反側的主面是第二面，第二面的相反側的主面是第一面。在層疊方向上，將接近芯ー側稱為下層(或者內(nèi)層側)，將遠離芯ー側稱為上層(或者外層側)。另外，將最外層稱為外層，將比外層靠下的層稱為內(nèi)層。除了包含能夠作為電路等的布線(也包括接地線)而發(fā)揮功能的導體圖案的層以夕卜，也將僅由滿圖案構成的層稱為導體層。另外，將形成于貫通絕緣層的孔內(nèi)的導體稱為連接導體?？装ㄍ房缀屯?。通路孔例如是指通過在絕緣層ー側存在導體層(主要是下層側的導體層)的狀態(tài)下開孔而形成并從絕緣層另ー側到達該導體層的孔。通路孔內(nèi)形成 的導體(以下稱為通路導體)是在絕緣層的ー側存在導體層的狀態(tài)下形成的，因此通路導體與絕緣層的至少ー側的導體層非連續(xù)，在兩者之間形成界面。另ー方面，通孔是指在絕緣層的ー側或者兩側存在導體層的情況下以貫通包括該導體層在內(nèi)的絕緣層的方式形成的孔。通孔內(nèi)形成的導體(以下稱為通孔導體)通常通過鍍處理等與絕緣層兩側的導體層一起形成，因此通孔導體和絕緣層兩側的導體層至少一部分連續(xù)。將孔內(nèi)或者切口內(nèi)形成的導體(通路導體、通孔導體等)中的、形成于孔或者切ロ的壁面(側面和底面)的導體膜稱為保形導體，將填充到孔或者切ロ的導體稱為填充導體。導體層除了上述導體圖案以外，還包括填充導體的連接盤等。鍍處理是指在金屬、樹脂等的表面上使導體(例如金屬)層狀地析出，鍍層是指析出的導體層(例如金屬層)。鍍處理除了電解鍍、無電解鍍等濕式鍍以外，還包括PVD (Physical Vapor Deposition :物理氣相沉積)、CVD (Chemical Vapor Deposition :化學氣相沉積)等干式鍍。對于孔或者柱體(突起)的“寬度”，若沒有特別的指定，則在圓形的情況下意味
著直徑，在圓形以外的情況下意味著截面ネ只/π)。在孔或者柱體(突起)呈錐形的情
況下，鑒于作用和效果，期望將對應部位的值、平均值或者最大值等中的最適當?shù)闹颠M行比較，來判斷兩個以上的孔或者突起的“寬度”的一致或者不一致(哪ー個大等)。但是，在記載清楚了要比較的值的情況下，沒有此限制。本實施方式的電路板100是印刷電路板。如圖I和圖2所示，電路板100具有芯基板 10、絕緣層 20a、30a、40a、50a、60a、70a、導體層 21、31、41、51、61、71 以及填充導體 22、32、42、52、62、72。S卩，芯基板10的第一面?zhèn)壬辖惶娴貙盈B三層絕緣層20a、40a、60a和三層導體層21、41、61。另外，在芯基板10的第二面?zhèn)壬辖惶娴貙盈B三層絕緣層30a、50a、70a和三層導體層31、51、71。在此，芯基板10相當于芯部。另外，與芯部相比位于上層的絕緣層20a 70a等相當于積層部。芯基板10具有絕緣層10a、導體層IlaUlb以及填充導體12。在絕緣層IOa中形成有貫通絕緣層IOa的通路孔12a。填充導體12是在通路孔12a內(nèi)填充鍍層而成的。填充導體12相當于連接導體。在本實施方式中，填充導體12為通路導體。通路導體比通孔導體更容易形成，因此這種結構有利于降低成本等。但是，并不限定于此，填充導體12也可以是通孔導體(參照后述的圖32)。絕緣層IOa例如由環(huán)氧樹脂構成。環(huán)氧樹脂優(yōu)選例如通過樹脂浸潰處理而含有玻璃纖維(例如玻璃布或者玻璃無紡布)、芳香族聚酰胺纖維(例如芳香族聚酰胺無紡布)等加強材料。加強材料是熱膨脹率小于主材料(在本實施方式中環(huán)氧樹脂)的熱膨脹率的材料。但是，并不限定于此，絕緣層IOa的材料是任意的。導體層IlaUlb例如由銅箔以及銅鍍層構成。另外，填充導體12例如由銅鍍層構成。填充導體12的形狀例如是以從第一面?zhèn)认虻诙鎮(zhèn)葦U大的方式形成錐形的錐圓柱(圓錐臺)，填充導體12的橫截面(X-Y平面)形狀例如是圓。但是，并不限定于此，填充導體12的形狀是任意的(參照后述的圖21k 圖29B)。在本實施方式中，導體層IlaUlb具有銅箔、無電解鍍膜以及電解鍍膜這三層結構(參照后述的圖31A)。但是，導體層IlaUlb的結構并不限定于此，而是任意的(參照后述的圖31B和圖31C)。在芯基板10的第一面?zhèn)葘盈B絕緣層20a，在芯基板10的第二面?zhèn)葘盈B絕緣層30a。并且，在絕緣層20a的第一面上形成導體層21，在絕緣層30a的第二面上形成導體層
31。另外，絕緣層20a的第一面?zhèn)葘盈B絕緣層40a，在絕緣層30a的第二面?zhèn)葘盈B絕緣層50a。并且，在絕緣層40a的第一面上形成導體層41，在絕緣層50a的第二面上形成導體層
51。進ー步，在絕緣層40a的第一面?zhèn)葘盈B絕緣層60a，絕緣層50a的第二面?zhèn)葘盈B絕緣層70a。并且，在絕緣層60a的第一面上形成導體層61，在絕緣層70a的第二面上形成導體層71。導體層21、31、41、51、61、71例如由銅箔和銅鍍層構成。在本實施方式中，導體層21、31、41、51、61、71具有銅箔、無電解鍍膜以及電解鍍膜這三層結構(參照后述的圖31A)。但是，導體層21、31、41、51、61、71的結構并不限定于此，是任意的(參照后述的圖31B和圖31C)。絕緣層20a、30a、40a、50a、60a、70a相當于層間絕緣層。絕緣層 20a、30a、40a、50a、60a、70a分別是將芯材料浸潰到樹脂而成的。作為芯材料，例如能夠使用玻璃纖維或者芳香族聚酰胺纖維等無機材料。作為樹脂，例如能夠使用環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂、雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂(BT樹脂)、酰亞胺樹脂(聚酰亞胺)、酚醛樹脂或者烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)等。絕緣層20a、30a、40a、50a、60a、70a 分別具有在通路孔 22a、32a、42a、52a、62a、72a內(nèi)填充鍍層而成的填充導體22、32、42、52、62、72(均為通路導體)。填充導體22、32、42、
52、62、72分別相當于連接導體。填充導體22、32、42、52、62、72例如由銅鍍層構成。填充導體22、42、62的形狀例如是以從第二面?zhèn)认虻谝幻鎮(zhèn)葦U大的方式形成錐形的錐圓柱(圓錐臺)，填充導體22、42、62的橫截面(X-Y平面)的形狀例如是圓。另外，填充導體32、52、 72的形狀例如是以從第一面?zhèn)认虻诙鎮(zhèn)葦U大的方式形成錐形的錐圓柱(圓錐臺)，填充導體32、52、72的橫截面(X-Y平面)形狀例如是圓。但是并不限定于此，填充導體22等的形狀是任意的(參照后述的圖21k 圖29B)。在電路板100中，對于芯部(芯基板10)的填充導體12和積層部的填充導體22、
32、42、52、62、72，在芯基板10的兩側(第一面?zhèn)群偷诙鎮(zhèn)?分別以從芯基板10向上層側沿大致固定方向(例如X2側)移位的方式進行堆疊，由此沿Z方向延伸設置填充堆疊體S。相鄰的填充導體之間緊密接合(接觸)且相互導通。填充堆疊體S將電路板100兩面的導體層、即第一面上的導體層61與第二面上的導體層71相互電連接。
填充堆疊體S構成為所有層的填充導體堆疊的結構，即所謂的全棧結構。因此，容易確保布線空間，布線圖案的設計自由度提高。另外，能夠省略X方向或者Y方向的布線，因此能夠縮短層間連接的布線長度。填充堆疊體S的配置、數(shù)量是任意的。例如填充堆疊體S也可以是多個(參照后述的圖37A和37B)。如圖2所示，在本實施方式中，填充堆疊體S的填充導體在X方向上移位，但是并不限定于此，移位方向是任意的。例如，移位方向可以如圖3A所示那樣是傾斜方向(XY方向)，也可以如圖3B所示那樣是Y方向。在本實施方式中，芯基板10—側(第一面?zhèn)?的移位方向與芯基板10另ー側(第ニ面?zhèn)?的移位方向均為X方向(詳細地說為X2側)，相互大致相同。但是并不限定于此，例如也可以是第一面?zhèn)鹊囊莆环较驗閄方向而第二面?zhèn)鹊囊莆环较驗閄Y方向或者Y方向。另外，填充堆疊體S的各填充導體并不必須在X-Y平面中配置在直線上，例如也可以配置成鋸齒狀(參照后述的圖22k和圖22B)。 在電路板100上形成貫通所有層的通孔102a，在通孔102a的壁面形成例如由鍍層構成的保形導體102(通孔導體)。S卩，通孔102a在Z方向(層疊方向)上貫通電路板100。在本實施方式中，保形導體102將導體層61與導體層71電連接。但是，保形導體102并不必須將電路板100兩面的導體層(導體層61、71)相互電連接。例如，保形導體102可以與電路板100的接地線等電連接，或者也可以與其它所有導體絕緣而在電氣上孤立。在本實施方式中，保形導體102的結構例如是無電解鍍膜和電解鍍膜的雙層結構。但是，保形導體102的結構并不限定于此，是任意的。例如也可以是僅由無電解鍍膜或者僅由電解鍍膜構成的保形導體102。保形導體102與在通孔102a內(nèi)填充導體的填充導體不同，僅在通孔102a的壁面具有導體，因此在通孔102a內(nèi)形成空心，容易緩和電路板100的變形。但是，并不限定于此，也可以代替保形導體102而使用填充導體。通孔102a的形狀例如是圓柱，通孔102a的開ロ例如是橢圓。通孔102a的開ロ形狀是橢圓，由此認為能夠有效地提高X-Y平面上的大區(qū)域的強度。通孔102a例如配置在電路板100的周緣部。但是，通孔102a的數(shù)量、開ロ形狀以及配置等是任意的(參照后述的圖27A 圖27C、圖30A以及圖30B)。在圖4中放大示出填充堆疊體S。如圖4所示，在本實施方式中，填充堆疊體S以芯基板10的填充導體12為拐點形成V字狀。填充堆疊體S的移位角度(相對于Z方向的傾斜)從芯至第一面?zhèn)鹊淖钔鈱訛橹故谴笾鹿潭ǖ慕嵌圈?1，從芯至第二面?zhèn)鹊淖钔鈱訛橹故谴笾鹿潭ǖ慕嵌圈?2。芯基板10的ー側(第一面?zhèn)?的移位角度(角度Θ I)和芯基板10的另ー側(第二面?zhèn)?的移位角度(角度Θ 2)大致相同。角度Θ I和Θ 2例如大約為10°。但是，并不限定于此，移位角度是任意的。另外，移位角度也可以不是大致固定(參照后述的圖16)。在圖5A和圖5B中放大示出圖4的一部分。在圖5A、圖5B中，范圍Rll是通路孔12a的第一面?zhèn)鹊拈_ロ范圍，范圍R12是通路孔12a的第二面?zhèn)鹊拈_ロ范圍。在本實施方式中，在堆疊相同錐方向的填充導體時，例如在填充導體12的第二面?zhèn)榷询B填充導體32時，如5A所示，填充導體32的下層側(第一面?zhèn)?的端面32b的一端(內(nèi)側端)配置在范圍Rll內(nèi)，另一端(外側端)配置在范圍Rll外的范圍R12內(nèi)。此外，在填充導體32的第二面?zhèn)榷询B填充導體52時、在填充導體52的第二面?zhèn)榷询B填充導體72時、在填充導體12的第一面?zhèn)榷询B填充導體22時、在填充導體22的第一面?zhèn)榷询B填充導體42時或者在填充導體42的第一面?zhèn)榷询B填充導體62時也滿足相同的位置關系。另外，當堆疊錐方向相反的填充導體時，例如在填充導體12的第一面?zhèn)榷询B填充導體22時，如圖5B所示，填充導體22的下層側(第二面?zhèn)?的端面22b的一端(內(nèi)側端)配置在范圍Rll內(nèi)，另一端(外側端)配置在范圍Rll外且范圍R12內(nèi)。但是，并不限定于這種位置關系，至少各填充導體進行堆疊即可。在此，進行堆疊是指填充導體的下層側端面的至少一端(內(nèi)側端)位于形成在其下層的孔的至少ー側的開ロ范圍內(nèi)(參照后述的圖17 圖20)。如圖6所示，在本實施方式中，填充堆疊體S的移位量(詳細地說是向X方向的移 位量)從芯起至第一面?zhèn)鹊淖钔鈱訛橹故谴笾鹿潭ǖ?。芯基?0的ー側(第一面?zhèn)?的移位量和芯基板10的另ー側(第二面?zhèn)?的移位量相互大致相同。在圖6中，填充導體12的軸Pl與填充導體22或者32的軸P2之間的在X方向上的距離表示為移位量dl，填充導體22或者32的軸P2與填充導體42或者52的軸P3之間的在X方向上的距離表示為移位量d2，填充導體42或者52的軸P3與填充導體62或者72的軸P4之間的在X方向上的距離表示為移位量d3。優(yōu)選移位量dl、d2、d3分別在大約I μ ηΓ30 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在大約1μπΓ25μπι的范圍內(nèi)。但是，并不限定于此，移位量是任意的。另外，移位量也可以不是大致固定的(參照后述的圖21)。如上所述，在本實施方式的電路板100中，填充導體12、22、32、42、52、62、72在芯基板10的兩側分別以從芯基板10向上層側大致沿固定方向(例如Χ2側)移位的方式進行堆疊。以下，將該結構稱為移位堆疊結構。在移位堆疊結構中，硬填充導體12、22、32、42、52、62、72在X方向或者Y方向上擴大，完全不存在硬導體的區(qū)域減少，進而在電路板100的X-Y平面上強度低的區(qū)域減少。因此，認為對于落下沖擊等從外部瞬間施加的應力、通過熱循環(huán)來以疊加方式施加的熱應カ的承受カ變強。另外，在移位堆疊結構中，構成填充堆疊體S的各填充導體以芯基板10的填充導體12為拐點進行堆疊。根據(jù)這種結構，在夾持芯基板10的填充導體12而堆疊在兩側的各填充導體沒有排列在直線上(Ζ軸上)，因此認為能夠緩和通過熱循環(huán)以疊加的方式施加的熱應力。此外，認為由熱循環(huán)引起的熱應カ主要是由絕緣層(樹脂)與通路導體(金屬)的熱膨脹率之差而產(chǎn)生。另外，在本實施方式的電路板100中形成通孔102a，在通孔102a的壁面上形成有鍍層(保形導體102)。以下，將該結構稱為通孔結構。在移位堆疊結構中，由于填充堆疊體S折彎，由此擔心對Z方向應カ的強度降低。對此，在通孔結構中，保形導體102沿Z方向筆直地延伸，因此認為提高了對Z方向應カ的強度。因此，根據(jù)通孔結構，認為能夠加強由移位堆疊結構引起的強度降低。另外，由于通孔102a的開ロ形狀是橢圓，因此認為能夠有效地提高X-Y平面上的大區(qū)域的強度。電路板的層數(shù)(導體層的數(shù)量)越多，上述移位堆疊結構、通孔結構越有用，應用于在芯基板的兩側分別交替地層疊兩層以上的導體層和兩層以上的絕緣層的六層(導體層的數(shù)量)以上的電路板特別有效。下面，參照圖疒圖9對其進行說明。在圖7和圖8中示出施加到六層、八層以及十層的電路板(六層產(chǎn)品、八層產(chǎn)品、十層產(chǎn)品)的應カ(特別是由熱循環(huán)引起的熱應力)的模擬結果。六層產(chǎn)品、八層產(chǎn)品、十層產(chǎn)品均具有全棧結構。在圖7中，線LI是六層產(chǎn)品所涉及的數(shù)據(jù)，線L2是八層產(chǎn)品所涉及的數(shù)據(jù)，線L3是十層產(chǎn)品所涉及的數(shù)據(jù)。如圖7和圖8所示，在六層產(chǎn)品、八層產(chǎn)品以及十層產(chǎn)品中的任一個中均是施加到芯的應カ最大，越遠離芯則應カ越小。另外，當對施加到六層產(chǎn)品、八層產(chǎn)品以及十層產(chǎn)品各自的應カ進行比較時，十層產(chǎn)品中的應カ最大，其次是八層產(chǎn)品中的應力，六層產(chǎn)品的應力最小。由此，推測出層數(shù)越多則電路板中的應カ越大。
在圖9中示出八層產(chǎn)品和十層產(chǎn)品各層的裂紋占有率的模擬結果。如圖9所示，認為裂紋的大半集中于芯(芯基板)。由此，擔心芯的連接可靠性降低。另外，如圖9所示，在第一層(芯基板上的絕緣層)中也產(chǎn)生裂紋。因而，僅加強芯基板的通路導體，這次擔心在其上(第一層)的通路導體中集中產(chǎn)生裂紋。另外，如上所述，考慮到層數(shù)越多則電路板中的應カ越大，因此認為電路板的層數(shù)越多則芯周邊的裂紋的產(chǎn)生越嚴重。對于這一點，根據(jù)本實施方式的電路板100所涉及的上述移位堆疊結構，如上所述，強度低的區(qū)域減少，因此認為芯周邊的裂紋的產(chǎn)生得到抑制。另外，根據(jù)本實施方式的電路板100所涉及的上述通孔結構，如上所述，認為能夠加強移位堆疊結構引起的強度降低，因此認為芯周邊的裂紋的產(chǎn)生得到抑制。并且，根據(jù)通孔結構，能夠平均地加強電路板100所有層，因此認為與局部加強芯基板10相比，產(chǎn)生新的應カ集中部位的情形減少。因此，認為不僅芯基板10的裂紋的產(chǎn)生得到抑制，芯基板10的上層(絕緣層20a 70a)的裂紋的產(chǎn)生也得到抑制。另外，當為六層以上或者八層以上時裂紋的產(chǎn)生率變得特別高，因此認為上述移位堆疊結構應用于六層以上、特別是八層以上的電路板特別有效。此外，本實施方式的電路板100是八層(導體層lla、llb、21、31、41、51、61、71)的電路板。但是并不限定于此，也可以是7層以下的電路板、9層以上的電路板(例如六層或者十層的電路板等)(參照圖40)。如上所述，根據(jù)本實施方式的電路板100所涉及的上述移位堆疊結構和上述通孔結構，認為得到了具有高散熱性、低導通電阻以及高密度布線的印刷電路板。例如通過圖10示出的過程來制造上述電路板100。在步驟S 10中，準備芯基板10。在圖IIA 圖IlD中示出芯基板10的制造方法。首先，如圖IlA所示，準備雙面覆銅層疊板1000(初始材料)。雙面覆銅層疊板1000具有絕緣層10a、銅箔1001和1002。在絕緣層IOa的第一面形成銅箔1001，在絕緣層IOa的第二面形成銅箔1002。絕緣層IOa的材料如上所述例如為添加了加強材料的環(huán)氧樹脂。
接著，如圖IlB所示，例如通過激光器在絕緣層IOa中形成通路孔12a。通路孔12a貫通銅箔1002和絕緣層10a，但是并未貫通銅箔1001。由此，從絕緣層IOa的第二面?zhèn)绕鹬零~箔1001為止形成通路孔12a。之后，根據(jù)需要進行去沾污、軟蝕刻。接著，如圖IlC所示，例如通過銅的版面鍍(對通路孔12a的鍍處理以及整面鍍處理)，在銅箔1001的第一面上形成鍍層1003，在銅箔1002的第二面上以及通路孔12a內(nèi)形成鍍層1004。由此，在通路孔12a內(nèi)填充鍍層1004。其結果是形成填充導體12。例如首先進行無電解鍍，接著以無電解鍍膜為陰極來進行電解鍍，由此形成鍍層1003、1004(參照后述的圖31A)。作為無電解鍍層的鍍液，例如可以使用添加了還原劑等的硫酸銅溶液等。另夕卜，作為電解鍍的鍍液，例如能夠使用硫酸銅溶液、焦磷酸銅溶液、氰(cyaan)化銅溶液或者四氟硼酸銅溶液等。接著，如圖IlD所示，例如通過光刻技術對絕緣層IOa兩面的導體層進行圖案形成。由此，在絕緣層IOa的第一面上形成導體層11a，在絕緣層IOa的第二面上形成導體層lib。其結果是完成芯基板10。 接著，在圖10的步驟Sll中，在芯基板10的兩側形成絕緣層。具體地說,例如圖12A所示，從第一面?zhèn)绕鹨来闻渲勉~箔1005、絕緣層20a、芯基板10、絕緣層30a以及銅箔1006。由此，形成層疊體。在該層疊體中，芯基板10被絕緣層20a和30a夾持，并且其層疊體被銅箔1005和銅箔1006夾持。在該階段中，絕緣層20a和30a為預浸料(半固化狀態(tài)的粘接片)。但是，代替預浸料，也可以使用RCF (Resin Coatedcopper Foil :涂樹脂銅箔)等。接著，在Z方向上對上述層疊體進行加熱加壓。即同時進行加壓和加熱處理。通過加壓和加熱，預浸料(絕緣層20a、30a)固化，部件之間相互附著。其結果是層疊體一體化。此外，加壓和加熱處理也可以分多次進行。另外，加熱處理和加壓也可以分開進行，但是同時進行效率高。也可以在加熱加壓之后另外進行用于一體化的加熱處理。接著，在圖10的步驟S12中，在芯基板10兩側的絕緣層中形成通路孔。具體地說，如圖12B所示，例如通過激光器，在絕緣層20a中形成通路孔22a，在絕緣層30a中形成通路孔32a。此時，用于形成填充堆疊體S的通路孔22a和32a形成為與下層(芯基板10)的填充導體12(通路導體)相比向規(guī)定方向(例如X2側)偏離。由此，構成填充堆疊體S的填充導體22和32的軸P2與填充導體12的軸Pl相比向X2側移位了移位量dl。此外，根據(jù)需要，優(yōu)選在開孔(激光照射)之前實施黑化處理。接著，在圖10的步驟S13中進行鍍處理。具體地說，如圖12C所示，例如通過銅的版面鍍，在銅箔1005的第一面上和通路孔22a內(nèi)形成鍍層1007，在銅箔1006的第二面上和通路孔32a內(nèi)形成鍍層1008。由此，在通路孔22a、32a內(nèi)分別填充鍍層1007、1008。其結果是形成填充導體22和32。例如與圖IlC的エ序同樣地，首先進行無電解鍍，接著以無電解鍍膜為陰極進行電解鍍來形成鍍層1007、1008(參照后述的圖31A)。接著，在圖10的步驟S14中對導體層進行圖案形成。具體地說，如圖12D所示，例如通過光刻技術，對兩面的導體層進行圖案形成。由此，在絕緣層20a的第一面上形成導體層21，在絕緣層30a的第二面上形成導體層31。接著，在圖10的步驟S15中，通過反復執(zhí)行步驟SIf S14，如圖13所示那樣形成絕緣層40a和50a、通路孔42a和52a、填充導體42和52以及導體層41和51。關于構成填充堆疊體S的填充導體42和52的位置，填充導體42的軸P3與填充導體22的軸P2相比向X2側移位了移位量d2，填充導體52的軸P3與填充導體32的軸P2相比向X2側移位了移位量d2。接著，在圖10的步驟S16中，在芯基板10的兩側形成絕緣層。具體地說，例如圖14所示，在芯基板10的第一面?zhèn)葘盈B絕緣層60a和銅箔1009，在芯基板10的第二面?zhèn)葘盈B絕緣層70a和銅箔1010。然后，在Z方向上對該層疊體進行加熱加壓。由此，預浸料(絕緣層60a、70a)固化，部件之間相互附著。其結果是層疊體一體化。此外，加壓和加熱處理也可以分多次進行。另外，加熱處理和加壓也可以分開進行，但是同時進行效率高。也可以在加熱加壓之后另外進行用于一體化的加熱處理。接著，在圖10的步驟S17中，在芯基板10兩側的絕緣層上形成通路孔，并且形成貫通所有層的通孔。 具體地說，如圖15A所示，例如通過激光器，形成貫通絕緣層60a的通路孔62a、貫通絕緣層70a的通路孔72a以及貫通所有層的通孔102a。之后，根據(jù)需要進行去沾污、軟蝕亥IJ。在激光照射過程中，例如在設置了遮光掩膜的狀態(tài)下對被照射體整面照射激光。但是，并不限定于此，也可以不使用遮光掩膜，在非照射部分停止激光照射而僅對要照射的部位照射激光。另外，在激光的掃描過程中，與形成通路孔62a和72a的部位相比，增強對形成通孔102a的部位照射的激光的強度(光量)，由此能夠通過一次掃描形成通路孔62a和72a以及通孔102a。此時，優(yōu)選通過脈沖控制來調(diào)整激光強度(光量)。具體地說，例如在變更激光強度的情況下，每發(fā)射一次(一次照射)的激光強度不變，變更發(fā)射次數(shù)(照射次數(shù))。即，在一次發(fā)射得不到期望的激光強度的情況下，對同一照射位置再次照射激光。根據(jù)這種控制方法，能夠省略改變照射條件的時間，因此認為呑吐量得到提高。但是，并不限定于此，激光強度的調(diào)整方法是任意的。例如，也可以針對每個照射位置決定照射條件，而將照射次數(shù)設為固定(例如對每ー個照射位置進行一次發(fā)射)。以與下層(絕緣層40a、50a)的填充導體42、52 (通路導體)相比向規(guī)定的方向(例如X2側)偏移的方式形成用于形成填充堆疊體S的通路孔62a和72a。由此，關于構成填充堆疊體S的填充導體62和72的位置，填充導體62的軸P4與填充導體42的軸P3相比向X2側移位了移位量d3，填充導體72的軸P4與填充導體52的軸P3相比向X2側移位了移位量d3。接著，在圖10的步驟S18中進行鍍處理。具體地說，如圖15B所示，例如通過銅的版面鍍，在銅箔1009的第一面上、通路孔62a內(nèi)、銅箔1010的第二面上、通路孔72a內(nèi)以及通孔102a內(nèi)形成鍍層1011。由此，在通路孔62a、72a中分別填充鍍層1011，在通孔102a的壁面上也形成鍍層1011。其結果是形成填充導體62和72以及保形導體102。例如與圖IlC的エ序同樣地，首先進行無電解鍍，接著以無電解鍍膜為陰極進行電解鍍來形成鍍層1011 (參照后述的圖31A)。在本實施方式中，向通孔102a的壁面的鍍層1011的形成以及向最外層的通路孔(通路孔62a和72a)的鍍層1011的形成同時進行。因此，認為能夠削減工數(shù)，進而削減成本。接著，在圖10的步驟S19中，例如通過光刻技術來對兩面的導體層進行圖案形成。由此，如前面的圖I所示，在絕緣層60a的第一面上形成導體層61，在絕緣層70a的第二面上形成導體層71。其結果是完成電路板100。之后，例如在最外層形成外部連接端子，經(jīng)過該外部連接端子，能夠將電路板100與其它電路板連接或者在電路板100上安裝電子部件(參照后述的圖39)。此外，導體圖案的形成方法是任意的。例如也可以通過使用抗鍍層來選擇性地僅對圖案部進行鍍處理的方法，即通過圖案鍍法來形成各導體層。以上，說明了本發(fā)明的實施方式所涉及的電路板及其制造方法，但是本發(fā)明并不限定于上述實施方式。填充堆疊體S的移位角度并不必須是大致為固定的，例如，如圖16所示，可以使從填充導體42向填充導體62的移位角度(角度Θ 12)大于從填充導體22向填充導體42的移位角度(角度Θ 11)，從填充導體52向填充導體72的移位角度(角度Θ 22)大于從填充導體32向填充導體52的移位角度(角度Θ 21)。
填充堆疊體S中的鄰接填充導體的位置關系并不限定于前面的圖5A和圖5B示出的位置關系?？傊灰辽俑魈畛鋵w進行堆疊即可。具體地說，當堆疊相同錐方向的填充導體時，例如在填充導體12的第二面?zhèn)榷询B填充導體32時，代替圖5A的位置關系，可以如圖17所示那樣填充導體32的下層側(第一面?zhèn)?的端面32b的一端(內(nèi)側端)配置在范圍Rll內(nèi)而另一端(外側端)配置在范圍R12外。或者，也可以如圖18所示那樣填充導體32的下層側(第一面?zhèn)?的端面32b的一端(內(nèi)側端)配置在范圍Rll外且范圍R12內(nèi)而另一端(外側端)配置在范圍R12外。此夕卜，在填充導體32的第二面?zhèn)榷询B填充導體52時、在填充導體52的第二面?zhèn)榷询B填充導體72時、在填充導體12的第一面?zhèn)榷询B填充導體22時、在填充導體22的第一面?zhèn)榷询B填充導體42時或者在填充導體42的第一面?zhèn)榷询B填充導體62時也相同。另外，在堆疊錐方向相反的填充導體時，例如在填充導體12的第一面?zhèn)榷询B填充導體22時，代替圖5B的位置關系，也可以如圖19所示那樣填充導體22的下層側(第二面?zhèn)?的端面22b的一端(內(nèi)側端)配置在范圍Rll內(nèi)而另一端(外側端)配置在范圍R12夕卜。或者，也可以如圖20所示那樣填充導體22的下層側(第二面?zhèn)?的端面22b的一端(內(nèi)側端)配置在范圍Rll外且范圍R12內(nèi)而另一端(外側端)配置在范圍R12外。填充堆疊體S的移位量并不必須是大致固定是，例如，如圖21所示，也可以將上述的移位量dl、d2、d3設定為移位量d3最大、移位量d2第二大、移位量dl最小。填充堆疊體S的填充導體12、22、32、42、52、62、72在X-Y平面上并不必須配置在直線上。例如使填充堆疊體S的各填充導體在傾斜方向(XY方向)上移位的情況下，也可以如圖22A或者圖22B所示那樣，芯基板10的第一面?zhèn)鹊奶畛鋵w22、42、62和芯基板10的第二面?zhèn)鹊奶畛鋵w32、52、72在X-Y平面上被分別配置成鋸齒狀?？傊绻畛涠询B體S的各填充導體(連接導體)在芯基板10的兩側分別從芯基板10向上層側以沿大致固定的方向移位的方式進行配置，則認為可得到上述那樣的抑制芯周邊產(chǎn)生裂紋等效果。在上述實施方式中，填充堆疊體S的填充導體12、22、32、42、52、62、72在芯基板10的兩側分別以從芯基板10向上層側沿大致固定的方向(例如X2側)移位的方式進行配置(參照圖2和圖4)。但是，并不限定于此，即使填充堆疊體S的各填充導體不沿大致固定的方向移位，如果填充導體62、72(外層的連接導體)的位置與填充導體12 (芯基板10的連接導體)的位置相比在芯基板10的兩側沿大致同一方向移位，則認為能夠得到與填充堆疊體S的各填充導體沿大致固定的方向移位的情況下得到的效果相同的效果。例如，在圖23(與圖4對應的圖)和圖24(與圖2對應的圖)示出的例子中，第一面?zhèn)鹊奶畛鋵w62的位置和第二面?zhèn)鹊奶畛鋵w72的位置與填充導體12的位置相比均向X2側移位。即，填充導體62的位置和填充導體72的位置沿同一方向移位。即使是這種結構，認為也能夠期待抑制芯周邊產(chǎn)生裂紋等效果。另外，在本例中，填充導體22、42(第一面?zhèn)鹊膬?nèi)層的連接導體)在填充導體62的移位方向(X方向)上配置在填充導體12 (芯基板10的連接導體)與填充導體62 (第一面?zhèn)鹊耐鈱拥倪B接導體)之間(范圍R21)。并且，填充導體32、52(第二面?zhèn)鹊膬?nèi)層的連接導體)在填充導體72的移位方向(X方向)上配置在填充導體12 (芯基板10的連接導體)與填充導體72 (第二面?zhèn)鹊耐鈱拥倪B接導體)之間(范圍R22)。通過這種配置，認為提高上述那樣抑制芯周邊產(chǎn)生裂紋等效果。但是，這種配置不是必須的結構。例如圖25(與圖4對應的圖)和圖26 (與圖2對應的圖)所示，也可以將填充導體42、52分別配置在范圍 R2UR22 外。各層的通路孔12a等、通孔102a的橫截面(X_Y平面)的形狀是任意的。例如，這些面的形狀除了圓以外，例如可以圖27Α所示那樣是正方形，并且也可以是正六邊形、正八邊形等其它正多邊形。此外，多邊形的角的形狀是任意的，例如可以是直角、銳角、鈍角，也可以帶有圓角。但是，在防止熱應カ的集中方面，優(yōu)選角帶有圓角。另外，上述橫截面的形狀可以是橢圓形，也可以是長方形、三角形等形狀。并且，如圖27Β或者圖27C所示那樣，十字形或者正多角星形等從中心起放射狀地引出直線的形狀(放射狀地配置多個葉片的形狀)作為上述橫斷面的形狀也有效。作為用于形成填充堆疊體S的通路孔12a等的形狀，也可以將上述形狀任意地進行組合來采用。例如，也可以如圖28所示那樣組合非相似的圖形。各層的通路孔12a等、通孔102a的縱截面的形狀也是任意的。例如，可以如圖29A所示那樣，將芯部的通路孔12a的形狀設為圓柱形狀。另外，也可以將積層部的通路孔22a等的形狀設為圓柱形狀。如圖29B所示，還可以將通路孔32a的形狀設為鼓形。在該形狀中，位于第一面和第二面的開ロ 32c、32e之間的窄幅部32d的寬度小于開ロ部32c、32e的寬度，因此認為提高了鍍層的填充性。另外，其結果是認為表面的平坦性提高。另外，填充導體32的側面是斜面，因此認為兩者的粘接強度提高。此外，也可以將通路孔12a、22a、42a、52a、62a、72a和通孔102a的形狀設為鼓形。通孔102a的位置并不限定于電路板100的周緣部。例如圖30A所示，也可以在填充堆疊體S附近配置通孔102a。通孔102a的數(shù)量是任意的。例如，如圖30B所示，通孔102a的數(shù)量也可以是ー個。導體層lla、llb、21、31、41、51、61、71 和填充導體 22、32、42、52、62、72 的結構是任意的。例如，在上述實施方式中，將導體層Ila的結構設為圖31A示出的導體層2004那樣在絕緣層2001上依次層疊金屬箔2002 (例如銅箔)、無電解鍍膜2003a以及電解鍍2003b的三層結構。另外，如圖31A示出的填充導體2005那樣，將填充導體22等的結構設為無電解鍍膜2003a和電解鍍膜2003b的雙層結構。但是，并不限定于此，例如也可以圖31B示出的導體層2004那樣，將上述導體層Ila等的結構設為省略了無電解鍍膜2003a的雙層結構。另外，上述填充導體22等的結構也可以是僅由電解鍍膜2003b構成的結構?；蛘撸缫部梢匀鐖D31C示出的導體層2004那樣，上述導體層Ila等的結構是省略了金屬箔2002的雙層結構。在圖31A 圖31C中，圖示了通路導體，但是保形導體102 (通孔導體)也能夠采用相同的結構。此外，省略了無電解鍍膜2003a等，由此擔心導體層的緊密接合性降低，因此優(yōu)選根據(jù)需要對絕緣層2001 (絕緣層IOa等)施加用于提高緊密接合性的表面處理。填充導體12并不限定于通路導體。例如圖32所示，填充導體12也可以是通孔導體。在圖32的例子中，在通孔12b中填充鍍層而構成填充導體12。S卩，填充導體12與絕緣 層IOa兩側的導體層11a、Ilb至少一部分連續(xù)。如圖33和圖34(圖33的截面圖)所示，代替通孔102a，也可以使用在Z方向(層疊方向)上貫通電路板100的切ロ 102b。在電路板100的側面形成切ロ 102b。在切ロ 102b的壁面形成保形導體102。另外，如圖35所示，也可以同時使用通孔102a和切ロ 102b。例如圖36所示，在形成通孔102a之后，利用線LlO來分割(切斷)通孔102a，由此能夠形成切ロ 102b。但是，并不限定于此，切ロ 102b的形成方法是任意的。填充堆疊體S的數(shù)量并不限定于ー個而是任意的。例如，如圖37A和圖37B(圖37A的截面圖)所示，電路板100也可以具有沿相反的方向移位的兩個填充堆疊體S。電路板100也可以具有電子部件而成為電子裝置。例如圖38所示，也可以在電路板100中內(nèi)置電子部件3001。在圖38的例子中，內(nèi)置有兩個電子部件3001，但是電子部件的數(shù)量是任意的。例如，也可以在電路板100中僅內(nèi)置一個電子部件。根據(jù)內(nèi)置電子部件的電路板100，能夠實現(xiàn)電子設備的高功能化。另外，例如圖39所示，也可以在電路板100的表面安裝電子部件3002。在圖39的例子中，在電路板100的兩面安裝有電子部件3002，但是也可以僅在電路板100的單面安裝電子部件3002。另外，電子部件的數(shù)量是任意的。例如，也可以僅將一個電子部件安裝到電路板100。對于其它點，電路板100的結構及其結構要素的種類、性能、尺寸、材質(zhì)、形狀、層數(shù)或者配置等在不脫離本發(fā)明的宗g的范圍內(nèi)也能夠任意地變更。電路板100的層數(shù)是任意的。例如圖40所示，即使是比八層少的六層的電路板100，如果至少填充導體42、52(外層的連接導體)的位置與填充導體12 (芯基板10的連接導體)的位置相比在芯基板10的兩側沿同一方向(例如X2側)移位，則認為也能夠期待上述那樣抑制芯周邊產(chǎn)生裂紋等效果。另外，相反，例如為了實現(xiàn)高功能化，例如也可以在圖I示出的結構完成之后，再繼續(xù)進行層疊而設為比八層更多的多層電路板。各導體層的材料并不限定于上述材料，能夠根據(jù)用途等進行變更。例如作為導體層的材料，也可以使用銅以外的金屬。另外，各絕緣層的材料也是任意的。但是，作為構成絕緣層的樹脂，優(yōu)選熱固性樹脂或者熱塑性樹脂。作為熱固性樹脂，除了上述的環(huán)氧樹脂以夕卜，例如還能夠使用酰亞胺樹脂(聚酰亞胺)、BT樹脂、烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)以及芳香族聚酰胺樹脂等。另外，作為熱塑性樹脂，例如能夠使用液晶聚合物(LCP)、PEEK樹月旨、PTFE樹脂(氟樹脂)等。期望從例如絕緣性、介電特性、耐熱性或者機械特性等觀點出發(fā)，根據(jù)必要性來選擇這些材料。另外，在上述樹脂中，作為添加剤，能夠含有固化劑、穩(wěn)定劑以及填料等。另外，各導體層和各絕緣層還可以由多個層構成，上述多個層由異種材料構成。上述實施方式的エ序并不限定于圖10的流程圖示出的順序、內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明的宗g的范圍內(nèi)能夠任意地變更順序、內(nèi)容。另外，根據(jù)用途等也可以省略不需要的エ序。能夠任意地組合上述實施方式、變形例等。以上，說明了本發(fā)明的實施方式，但是應該理解為設計上的方便、其它原因所需要的各種修改、組合包括在與“權利要求”所記載的發(fā)明、“具體實施方式
”所記載的具體例對應的發(fā)明的范圍內(nèi)。
產(chǎn)業(yè)卜.的可利用件本發(fā)明所涉及的電路板適用于電子設備的電路基板。另外，本發(fā)明所涉及的電路板的制造方法適用于電子設備的電路基板的制造。附圖標記說明10 :芯基板；IOa :絕緣層；lla、llb :導體層；12 :填充導體(連接導體);12a:通路孑し；12b :通孑し;20a、30a、40a、50a、60a、70a :絕緣層;21、31、41、51、61、71 :導體層；22、32、42、52、62、72 :填充導體(連接導體);22a、32a、42a、52a、62a、72a :通路孔；100 電路板；102 :保形導體；102a :通孔；102b :切 ロ ；1000 :雙面覆銅層疊板;1001、1002、1005、1006 銅箔;1003、1004、1007、1008、1011 :鍍層;1009、1010 :銅箔；2001 :絕緣層；2002 :金屬箔；2003a :無電解鍍膜;2003b :電解鍍膜；2004 :導體層；2005 :填充導體;3001、3002 :電子部件；S :填充堆疊體。
權利要求
1.一種電路板，在芯基板兩側分別交替地層疊有兩層以上的導體層和兩層以上的絕緣層，該電路板的特征在干， 上述芯基板和層疊的上述絕緣層分別具有在孔內(nèi)填充鍍層而成的連接導體； 上述芯基板的上述連接導體和層疊的上述絕緣層的上述連接導體堆疊； 層疊的上述絕緣層中的ー側的外層的上述連接導體的位置和另ー側的外層的上述連接導體的位置與上述芯基板的上述連接導體的位置相比沿大致同一方向移位。
2.根據(jù)權利要求I所述的電路板，其特征在干， 層疊的上述絕緣層中的內(nèi)層的上述連接導體在上述芯基板的兩側分別配置在上述芯基板的上述連接導體與上述外層的上述連接導體之間。
3.根據(jù)權利要求2所述的電路板，其特征在干， 上述芯基板的上述連接導體和層疊的上述絕緣層的上述連接導體在上述芯基板的兩側分別以從上述芯基板起向上層側沿大致固定的方向移位的方式進行配置。
4.根據(jù)權利要求3所述的電路板，其特征在干， 沿上述大致固定的方向移位的角度大致固定。
5.根據(jù)權利要求3或者4所述的電路板，其特征在干， 沿上述大致固定的方向移位的量大致固定。
6.根據(jù)權利要求:Γ5中的任一項所述的電路板，其特征在干， 上述芯基板ー側的上述移位的方向與上述芯基板另ー側的上述移位的方向相互相同。
7.根據(jù)權利要求:Te中的任一項所述的電路板，其特征在干， 各層間的上述移位的量分別處于大約I μ πΓ25 μ m的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權利要求廣7中的任一項所述的電路板，其特征在干， 在上述電路板中形成有在層疊方向上貫通該電路板的通孔或者切ロ， 上述通孔或者上述切ロ的壁面上形成有鍍層。
9.根據(jù)權利要求8所述的電路板，其特征在干， 上述通孔的開ロ形狀是橢圓。
10.根據(jù)權利要求廣9中的任一項所述的電路板，其特征在干， 上述絕緣層是對芯材料進行樹脂浸潰而成的。
11.根據(jù)權利要求f10中的任一項所述的電路板，其特征在干， 在上述芯基板的兩側分別交替地層疊三層以上的導體層和三層以上的絕緣層。
12.—種電路板的制造方法，包括以下步驟 準備具有連接導體的芯基板，該連接導體是在孔內(nèi)填充鍍層而成的； 在上述芯基板的兩側形成絕緣層； 在上述芯基板的兩側，在上述絕緣層中形成孔； 在上述芯基板的兩側，在上述絕緣層的上述孔內(nèi)填充鍍層而形成連接導體；以及 在上述芯基板的兩側，在上述絕緣層上形成導體層， 其中，通過反復進行上述絕緣層的形成、上述連接導體的形成以及上述導體層的形成，在上述芯基板的兩側交替地層疊兩層以上的上述導體層和兩層以上的上述絕緣層，將上述芯基板的上述連接導體和層疊的上述絕緣層的上述連接導體堆疊，并且使層疊的上述絕緣層中的ー側的外層的上述連接導體的位置和另ー側的外層的上述連接導體的位置與上述芯基板的上述連接導體的位置相比沿大致同一方向移位。
13.根據(jù)權利要求12所述的電路板的制造方法，其特征在干， 將層疊的上述絕緣層中的內(nèi)層的上述連接導體在上述芯基板的兩側分別配置在上述芯基板的上述連接導體與上述外層的上述連接導體之間。
14.根據(jù)權利要求13所述的電路板的制造方法，其特征在干， 將上述芯基板的上述連接導體和層疊的上述絕緣層的上述連接導體在上述芯基板的兩側分別以從上述芯基板起向上層側沿大致固定方向移位的方式進行配置。
15.根據(jù)權利要求12 14中的任一項所述的電路板的制造方法，其特征在干， 在上述芯基板的兩側分別交替地層疊三層以上的導體層和三層以上的絕緣層。
16.根據(jù)權利要求12 15中的任一項所述的電路板的制造方法，其特征在于，還包括以下步驟 在上述電路板中形成通孔；以及 在上述通孔的壁面上形成鍍層。
17.根據(jù)權利要求16所述的電路板的制造方法，其特征在干， 同時形成上述通孔的壁面的鍍層以及最外層的上述孔的鍍層。
全文摘要
電路板(100)在芯基板(10)兩側分別交替地層疊有兩層以上的導體層(21、31、41、51、61、71)和兩層以上的絕緣層(20a、30a、40a、50a、60a、70a)，其中，芯基板(10)和層疊的絕緣層(20a、30a、40a、50a、60a、70a)分別具有在孔(12a、22a、32a、42a、52a、62a、72a)內(nèi)填充鍍層而成的連接導體(12、22、32、42、52、62、72)。另外，芯基板的連接導體(12)和層疊的絕緣層的連接導體(22、32、42、52、62、72)堆疊。并且，層疊的絕緣層中的一側的外層的連接導體(62)的位置和另一側的外層上的連接導體(72)的位置與芯基板的連接導體(12)的位置相比沿大致同一方向移位。
文檔編號H05K3/46GK102845141SQ201180018030
公開日2012年12月26日 申請日期2011年3月4日 優(yōu)先權日2010年3月31日
發(fā)明者脅田英之, 川口章秀 申請人:揖斐電株式會社