專利名稱：多個(gè)組合式配線基板及其制造方法、以及配線基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造例如適用于半導(dǎo)體元件收納用封裝件的配線基板的多個(gè)組合式配線基板及其制造方法、以及配線基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在移動(dòng)體通信領(lǐng)域等內(nèi)使用的電子設(shè)備中，具備配線基板、金屬框體及蓋體，并使用用于在內(nèi)部收容半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體元件收納用封裝件。在制造半導(dǎo)體元件收納用封裝件時(shí)，首先，制作具有多個(gè)配線基板區(qū)域且最終被分割成各個(gè)配線基板區(qū)域的多個(gè)組合式配線基板。該多個(gè)組合式配線基板在陶瓷基體的內(nèi)部具備分別按照每個(gè)配線基板區(qū)域形成 的配線層及貫通導(dǎo)體。對(duì)于這種多個(gè)組合式配線基板而言，首先，向陶瓷粉末中加入有機(jī)粘合劑、增塑劑及溶劑等而制作料漿，并通過(guò)出粉刀等成形陶瓷生片。然后，印刷含有金屬粉末的導(dǎo)體膏劑等，從而在陶瓷生片上分別按照每個(gè)配線基板區(qū)域形成配線圖案。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)多片形成有配線圖案的陶瓷生片進(jìn)行層疊并加壓，從而獲得陶瓷生片層疊體，通過(guò)燒成該陶瓷生片層疊體而獲得多個(gè)組合式配線基板。一般，在所獲得的多個(gè)組合式配線基板的一方主面上形成劃分多個(gè)配線基板區(qū)域的V字狀的分割槽，從而能夠容易分割成各個(gè)配線基板區(qū)域。作為該分割槽的形成方法，已知向陶瓷基體的表面照射激光的方法(參照專利文獻(xiàn)I)。另一方面，還已知存在如下情況，S卩，為了在后續(xù)制作半導(dǎo)體元件收納用封裝件時(shí)通過(guò)釬焊將配線基板和金屬框體牢固地接合，在多個(gè)組合式配線基板的一方主面上的成為各個(gè)配線基板區(qū)域的周緣部的位置上形成有由金屬鍍膜包覆的導(dǎo)體。因此，為了在成為各個(gè)配線基板區(qū)域的周緣部的位置上形成有由金屬鍍膜包覆的導(dǎo)體的多個(gè)組合式配線基板上形成分割槽，可以想到如下方法，即，在形成有劃分多個(gè)配線基板區(qū)域的分割槽的交界線處不形成由金屬鍍膜包覆的導(dǎo)體而成為使絕緣基體露出的狀態(tài)，在陶瓷生片層疊體的燒成后通過(guò)沿著該交界線照射激光而形成分割槽。然而，隨著移動(dòng)體通信領(lǐng)域等中使用的電子設(shè)備的小型化，對(duì)于該電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體元件收納用封裝件也期望實(shí)現(xiàn)小型化。隨著這種小型化的進(jìn)程，在形成分割槽的區(qū)域不形成導(dǎo)體而使絕緣基體露出的情況變得困難。因此，作為形成有分割槽的區(qū)域被導(dǎo)體即金屬層覆蓋的狀態(tài)，可以想到對(duì)成為該交界線的部位照射激光的方法。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開平6-87085號(hào)公報(bào)發(fā)明的概要發(fā)明要解決的課題
然而，當(dāng)使用在分割槽的形成中一般采用的紅外線區(qū)域波長(zhǎng)的激光以可形成分割槽的輸出進(jìn)行加工時(shí)，存在分割槽的周囲的鍍膜的表面因激光的熱量而被燒損的情況。若鍍膜的表面被燒損，則鍍膜的表面狀態(tài)發(fā)生變化，從而存在鍍膜與釬料的接合強(qiáng)度降低的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供以良好的精度形成有由金屬鍍膜包覆的導(dǎo)體及分割槽的多個(gè)組合式配線基板及其制造方法、以及配線基板及其制造方法。用于解決課題的手段基于本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)的多個(gè)組合式配線基板具備陶瓷基體、導(dǎo)體、玻璃層，玻璃層在導(dǎo)體上具有向上方突出的凸部。陶瓷基體具有多個(gè)配線基板區(qū)域和設(shè)置在多個(gè)配線基板區(qū)域的交界處的分割槽。另外，導(dǎo)體設(shè)置于多個(gè)配線基板區(qū)域的各個(gè)周緣部。另外，玻璃層從陶瓷基體的分割槽的內(nèi)表面覆蓋到金屬鍍膜。 基于本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)的配線基板具備陶瓷基體、導(dǎo)體、玻璃層，在導(dǎo)體上具有向上方突出的凸部。導(dǎo)體設(shè)置于陶瓷基體的第一主面的周緣部。另外，玻璃層覆蓋陶瓷基體的側(cè)面及導(dǎo)體的側(cè)面?；诒景l(fā)明的一個(gè)形態(tài)的多個(gè)組合式配線基板的制造方法包括形成包括陶瓷基體和導(dǎo)體的復(fù)合體的工序；形成分割槽且形成玻璃層的工序。復(fù)合體包括具有多個(gè)配線基板區(qū)域的陶瓷基體和設(shè)置于所述多個(gè)配線基板的周緣部的導(dǎo)體。另外，通過(guò)對(duì)導(dǎo)體照射紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光，從而分割槽貫通導(dǎo)體地形成在所述陶瓷基體上。另外，形成為覆蓋陶瓷基體的分割槽的內(nèi)表面及導(dǎo)體的側(cè)面。本發(fā)明的配線基板的制造方法的特征在于，將通過(guò)上述構(gòu)成的多個(gè)組合式配線基板的制造方法制成的多個(gè)組合式配線基板沿著所述分割槽分割成多個(gè)配線基板。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)組合式配線基板，由于玻璃層在導(dǎo)體上具有向上方突出的凸部，所以在向周緣部安裝金屬制的蓋體和框體時(shí)，可由凸部來(lái)抑制所使用的釬料向分割槽的流入。


圖I是本發(fā)明的多個(gè)組合式配線基板的制造方法的一例的說(shuō)明圖，其示出照射激光前的狀態(tài)。圖2是表示向圖I所示的多個(gè)組合式配線基板照射激光的狀態(tài)的說(shuō)明圖。圖3是表示向圖I所示的多個(gè)組合式配線基板照射激光后的狀態(tài)的說(shuō)明圖，(a)是表示多個(gè)組合式配線基板的一部分的示意性俯視圖，(b)是要部放大剖視圖。圖4是使用了將本發(fā)明的多個(gè)組合式配線基板的一例分割而成的配線基板的半導(dǎo)體元件收納用封裝件的立體圖。圖5是表示在圖I所示的多個(gè)組合式配線基板的下表面也形成有分割槽的狀態(tài)的要部放大剖視圖。
圖6是表示在本發(fā)明的多個(gè)組合式配線基板的一例的金屬鍍膜上涂敷有釬料的狀態(tài)的要部放大剖視圖。圖7(a)是本發(fā)明的配線基板的一例的立體圖，(b)是(a)的A_A線剖視圖。圖8是本發(fā)明的配線基板的一例的放大剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖I是基于本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)的多個(gè)組合式配線基板的制造方法的說(shuō)明圖，其示出照射激光前的狀態(tài)。另外，圖2是表示向圖I所示的多個(gè)組合式配線基板照射激光的狀態(tài)的說(shuō)明圖。另外，圖3是表示向圖I所示的多個(gè)組合式配線基板照射激光后的狀態(tài)的說(shuō)明圖，圖3(a)是表示多個(gè)組合式配線基板的一部分的示意性俯視圖，圖3(b)是要部放大剖視圖。 如圖I 圖3所示的例子那樣，基于本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)的多個(gè)組合式配線基板具備陶瓷基體1，其具有多個(gè)配線基板區(qū)域11和設(shè)置在多個(gè)配線基板區(qū)域11的交界線12處的分割槽3 ;導(dǎo)體2，其由設(shè)置于多個(gè)配線基板區(qū)域11的各個(gè)周緣部111的導(dǎo)體敷鍍金屬22及設(shè)置在敷鍍金屬22上的金屬鍍膜21構(gòu)成；玻璃層31，其從陶瓷基體I的分割槽3的內(nèi)表面覆蓋到金屬鍍膜21，玻璃層31具有在金屬鍍膜21上向上方突出的凸部311。陶瓷基體I通過(guò)由燒結(jié)體形成的例如50 200 μ m厚度的陶瓷絕緣層層疊多層而形成為例如50 500μπι的厚度，所述燒結(jié)體例如以氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、碳化硅、多鋁紅柱石、鐵素體、玻璃陶瓷等為主成分。另外，作為用于提高激光的吸收率的成分，陶瓷基體I中可以含有由Mg、Mn、Co、Cr、Cu、Ni及Fe的組中選出的至少I種的金屬氧化物。例如，當(dāng)陶瓷基體I由以氧化鋁為主成分的燒結(jié)體形成時(shí)，可使用含有作為主成分的Al20392質(zhì)量％與作為燒結(jié)助劑成分的Si023質(zhì)量％、Mn2033. 5質(zhì)量％、MgO I質(zhì)量％及MoO3O. 5質(zhì)量％的材料，或者含有作為主成分的Al2O3 90. 5質(zhì)量％與作為燒結(jié)助劑成分的SiO2 I. 5質(zhì)量％、Mn2O3 2. 5質(zhì)量％、MgO I質(zhì)量％、TiO2 I質(zhì)量％及CrO 3. 5質(zhì)量％的材料，或者含有作為主成分的Al2O3 93質(zhì)量％與作為燒結(jié)助劑成分的SiO2 2質(zhì)量％、Μη203 3量％、Mg01質(zhì)量％及MoO3 I質(zhì)量％的材料等。各個(gè)配線基板區(qū)域11的一邊的長(zhǎng)度形成為例如O. 5 20mm左右，各個(gè)配線基板區(qū)域11的周緣部111如圖I所示與交界線12相接。如圖2及圖3所示，在陶瓷基體I的上表面的多個(gè)配線基板區(qū)域11的交界線12處形成有V字狀的分割槽3。另外，在與分割槽3相接的各個(gè)配線基板區(qū)域11的周緣部111，由金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22構(gòu)成的導(dǎo)體2形成為俯視下的環(huán)狀。V字狀的分割槽3為通過(guò)如后述那樣從由金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22的上方照射例如紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光，貫通金屬鍍膜21及敷鍍金屬22而形成的。具體而言，在陶瓷基體I的上表面的多個(gè)配線基板區(qū)域11的交界線12及與交界線12相接的各個(gè)配線基板區(qū)域11的周緣部111形成有由金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22的狀態(tài)下，通過(guò)從交界線12上的金屬鍍膜21的上方照射例如紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光，從而將金屬鍍膜21及敷鍍金屬22貫通而形成。由于敷鍍金屬22由以W、Mo、Cu、Ag、Pt等為主成分的導(dǎo)體膏劑燒成而形成，因此可適當(dāng)選擇能夠與陶瓷基體I同時(shí)燒成的導(dǎo)體。需要說(shuō)明的是，對(duì)于敷鍍金屬22而言，與陶瓷基體I同樣，作為提高激光的吸收率的成分，敷鍍金屬22可以含有從Mg、Mn、Co、Cr、Cu、Ni及Fe的組中選出的至少I種金屬氧化物。另外，由于形成包覆敷鍍金屬22的金屬鍍膜21的目的在于防止敷鍍金屬22的氧化腐蝕且同時(shí)實(shí)現(xiàn)釬焊等時(shí)潤(rùn)濕性的提高及接合力強(qiáng)化，因此，優(yōu)選例如在下側(cè)形成Ni鍍層且在上側(cè)形成Au鍍層而構(gòu)成雙層結(jié)構(gòu)。在此，從成本的角度考慮，優(yōu)選金屬鍍膜21形成得薄，Ni鍍層形成為2 10 ii m左右，Au鍍層形成為0. 2 I. 5 ii m左右。該金屬鍍膜21可以通過(guò)例如在鍍層液中向被鍍層部(敷鍍金屬22的表面)供給鍍層被覆用的電流從而實(shí)施電解鍍層而形成。需要說(shuō)明的是，為了形成后述的玻璃層31，敷鍍金屬22及金屬鍍膜21的厚度合計(jì)(導(dǎo)體2的厚度)為20至80 iim的范圍。由形成于各個(gè)配線基板區(qū)域11的周緣部111的金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22，其形成的目的在于利用釬焊等將蓋體、框體(未圖示)接合。 S卩，各個(gè)配線基板區(qū)域11例如成為半導(dǎo)體元件收納用封裝件的一個(gè)部件。具體而言，如圖4所示，在陶瓷基體I的各個(gè)配線基板區(qū)域11中，在周緣部111的內(nèi)側(cè)形成用于收納半導(dǎo)體元件5的凹部，在由形成于周緣部111的金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22上安裝有金屬制的蓋體4，從而制成半導(dǎo)體元件收納用封裝件。另外，雖然未圖示，但是在陶瓷基體I的各個(gè)配線基板區(qū)域11中，在周緣部111的內(nèi)側(cè)未形成用于收納半導(dǎo)體元件5的凹部，而是可以在由形成于周緣部111的金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22上安裝金屬制的框體(未圖示)，在框體的上表面安裝蓋體4而制成半導(dǎo)體元件收納用封裝件。形成于各個(gè)配線基板區(qū)域11的周緣部111的金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22，其形成目的在于利用釬焊等將這種蓋體4、框體(未圖示)接合。此外，形成玻璃層31以使得包覆分割槽3的內(nèi)表面。如后述那樣，玻璃層31以通過(guò)照射紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光使陶瓷基體I所含的玻璃成分揮發(fā)而被覆在分割槽3的內(nèi)表面上的物質(zhì)為主成分。另外，這種玻璃層31從分割槽3的內(nèi)表面(陶瓷基體I)直至金屬鍍膜21，且厚度為0.5 15 iim左右。例如在陶瓷基體I為包含作為主成分的Al2O3 92質(zhì)量％與作為燒結(jié)助劑成分等的SiO2 3質(zhì)量％、Mn203 3. 5質(zhì)量％、MgO I質(zhì)量％、Mo03 0.5質(zhì)量％的材料的情況下，形成的玻璃層31為含有Al、Si、Mn、Mg、Mo等的無(wú)定形狀的層。在陶瓷基體I由以上述的鋁為主成分的燒結(jié)體形成的情況下，玻璃層31雖然含有較多的源自燒結(jié)助劑成分等的成分(Si、Mn、Mg、Mo)，但也含有源自氧化鋁的成分(Al)，且進(jìn)一步含有敷鍍金屬22及金屬鍍膜21的成分。需要說(shuō)明的是，即使分割槽3的內(nèi)表面由玻璃層31覆蓋而其剖面成為V字狀，也能夠作為用于分割多個(gè)組合式配線基板的槽而充分發(fā)揮作用。因?yàn)椴Ａ?1含有如上述那樣與陶瓷基體I所含的玻璃成分同樣的玻璃成分，所以能夠提高玻璃層31與陶瓷基體I的接合強(qiáng)度。在此，玻璃層31的厚度根據(jù)敷鍍金屬22及金屬鍍膜21的合計(jì)厚度而有所不同，該合計(jì)厚度越厚則玻璃層31形成得越厚。這是因?yàn)椋c陶瓷基體I相比，由于敷鍍金屬22及金屬鍍膜21對(duì)激光的反射性高，因此，在將分割槽加工成規(guī)定深度時(shí)產(chǎn)生多余的熱負(fù)載，從而從陶瓷基體I容易析出玻璃層31。通過(guò)敷鍍金屬22及金屬鍍膜21的厚度合計(jì)量為20 80 ii m，從而能夠形成0. 5 15 ii m厚度的玻璃層31。需要說(shuō)明的是，若任意剖面上的玻璃層31的厚度小于O. 5 μ m，則可能在其他剖面等上不形成玻璃層31而產(chǎn)生敷鍍金屬22的側(cè)面露出的部分，從而無(wú)法防止敷鍍金屬22的腐蝕。另一方面，若任意剖面上的玻璃層的厚度超過(guò)15 μ m,則可能玻璃層31變厚而產(chǎn)生未形成V字狀的分割槽的部分，從而無(wú)法作為分割槽發(fā)揮作用。需要說(shuō)明的是，從分割槽3的分割容易性的方面考慮，玻璃層31的厚度優(yōu)選為10 μ m以下。另外，分割槽3的V字的角度形成為O. 5 15度左右，分割槽3的寬度(以剖面觀察時(shí)的開口部的寬度)形成為5 50 μ m左右。此外，如圖6所示，形成有玻璃層31在導(dǎo)體2上向上方突出而成的凸部311，其高度為O. I 32 μ m,更優(yōu)選為4. 5 32 μ m。另外，凸部311形成為在俯視下于周緣部111與分割槽3相接而包圍各個(gè)配線基板區(qū)域11。如圖4所示，雖然當(dāng)在由金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22上安裝金屬制的蓋體4或安裝框體(未圖示)時(shí)使用釬料，但是如圖6所示通過(guò)具備凸部311從而能夠抑制釬料6流入分割槽3內(nèi)。作為凸部311的高度，例如只要為O. I μ m以上就能夠獲得抑制釬料6的流動(dòng)的效果，但是尤其通過(guò)形成為4. 5μπι以上，即使在加壓而實(shí)施回流的情況下也能夠充分發(fā)揮抑制釬料6向分割槽3流動(dòng)的效果。另一方面，當(dāng)凸部311的高度超過(guò)32 μ m時(shí)， 可能因施加用于形成到這種高度的熱量而造成例如金屬鍍膜被燒損等的外觀不良，或者可能因凸部311的存在造成接合力下降。需要說(shuō)明的是，凸部311優(yōu)選形成為如下方式，即，與相對(duì)于俯視下相接的分割槽3為大致垂直地剖開的剖面的寬度相比其高度更大。通過(guò)形成為這種結(jié)構(gòu)，可有效降低俯視下用于配線基板區(qū)域11的凸部311的面積，且還可有效抑制釬料向分割槽3的流入。通過(guò)對(duì)上述的敷鍍金屬22及金屬鍍膜21的厚度進(jìn)行調(diào)整且對(duì)后述的利用例如紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的固體激光產(chǎn)生的激光的脈沖頻率等進(jìn)行調(diào)整，能夠在形成玻璃層31的同時(shí)形成凸部311。該凸部311的高度可以利用原子力顯微鏡、表面粗糙度計(jì)、激光顯微鏡等來(lái)測(cè)定。需要說(shuō)明的是，凸部311中含有較多的源自燒結(jié)助劑成分等的成分(Si、Mn、Mg、Mo)，但是也含有源自氧化鋁的成分(Al)，且進(jìn)一步含有源自敷鍍金屬22及金屬鍍層21的成分。然后，使用形成有通過(guò)使上述那樣的玻璃層31延伸到金屬鍍膜21的上表面的一部分而構(gòu)成的凸部311的多個(gè)組合式配線基板，在該多個(gè)組合式配線基板的各個(gè)配線基板區(qū)域的導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)的陶瓷基體上形成凹部，在各個(gè)配線基板區(qū)域的凹部收容半導(dǎo)體元件，從而能夠制成經(jīng)由釬料在包覆導(dǎo)體的金屬鍍膜的上表面安裝有蓋體的多個(gè)組合式電子部件。由此，能夠獲得可抑制釬料向分割槽流入的多個(gè)組合式電子部件。當(dāng)導(dǎo)體2設(shè)置于上述的玻璃層31的凸部311的下方而向上方突出時(shí)，其配置成金屬的凸部埋設(shè)于凸部311的金屬鍍膜21側(cè)。在這種情況下，由于凸部311利用導(dǎo)體2的凸部加強(qiáng)，在從橫向?qū)ν共?11施加力時(shí)，能夠有效抑制凸部311的破損。當(dāng)這種導(dǎo)體2的凸部在配線基板區(qū)域11的中央側(cè)露出時(shí)，若敷鍍金屬22利用釬料與蓋體4接合，則能夠在導(dǎo)體2和釬料所連接的區(qū)域牢固地接合，因此可有效提高接合強(qiáng)度。需要說(shuō)明的是，配置在導(dǎo)體2的凸部的上方的凸部311為玻璃層，因此能夠抑制釬料的潤(rùn)濕性劣化，從而抑制釬料越過(guò)凸部311而流向分割槽3。另一方面，在陶瓷基體I的上表面上形成的分割槽3的深度可以為5 16 μ m。分割槽3的深度為5 16 μ m，由此能夠獲得可抑制加工屑向金屬鍍膜21的表面附著的多個(gè)組合式配線基板。需要說(shuō)明的是，在此所述的分割槽3的深度是指，從陶瓷基體I的上表面(陶瓷基體I與敷鍍金屬22的界面)到最下點(diǎn)(陶瓷基體I與玻璃層31的界面)的距離，表示圖3(b)所示的距離X。分割槽3的深度為5μπι以上的理由在于，為了將分割槽3的內(nèi)表面同樣由玻璃層31覆蓋，若深度小于5 μ m則產(chǎn)生未被玻璃層31充分覆蓋的部分。另一方面，分割槽3的深度為16 μ m以下的理由在于，分割槽3形成為越深，分割槽3的寬度(通過(guò)剖面觀察時(shí)的開口部的寬度)也隨著變得越寬，因此若深度超過(guò)16 μ m，則因照射激光時(shí)的熱量產(chǎn)生的加工屑(熔融物)揮發(fā)，從而沒有在分割槽3的內(nèi)部被捕捉而向分割槽3的外側(cè)飛散，并且附著到金屬鍍膜21的表面上。像這樣，在形成在陶瓷基體I的上表面上分割槽3的深度形成地淺的情況下，如圖5所示，為了能夠容易地進(jìn)行分割，優(yōu)選以與形成于陶瓷基體I的上表面的分割槽3對(duì)置的 方式在陶瓷基體I的下表面上也形成V字狀的分割槽30。通過(guò)以與陶瓷基體I的上表面的分割槽3對(duì)置的方式在陶瓷基體I的下表面上也形成分割槽30，從而在分別分割成每個(gè)配線基板區(qū)域11時(shí)，能夠更有效地抑制容易在配線基板的側(cè)面廣生的毛刺 缺口·凹口等不良情形。在此，雖然根據(jù)陶瓷基體I的厚度、強(qiáng)度的不同而有所不同，但是形成于陶瓷基體I的上表面上的分割槽3的深度與形成于陶瓷基體I的下表面上的分割槽30的深度的合計(jì)量(圖5所示的距離X與距離Y的和)優(yōu)選為陶瓷基體I的厚度的30 62%。若形成于陶瓷基體I的上表面上的分割槽3的深度和形成于陶瓷基體I的下表面上的分割槽30的深度的合計(jì)量小于陶瓷基體I的厚度的30%，則可能容易產(chǎn)生毛刺 缺口·凹口等不良情形，若超過(guò)62%，則在激光加工之后的工序中，當(dāng)受到微小的碰撞或應(yīng)力時(shí)，可能自然分割而無(wú)法形成期望的分割面。如上所述，形成于陶瓷基體I的上表面上的分割槽3為貫通金屬鍍膜21及敷鍍金屬22而形成的，由于分割槽3并非以預(yù)先沿著多個(gè)配線基板區(qū)域11的交界線12而使陶瓷基體I露出的方式形成，因此能夠?qū)崿F(xiàn)以良好的精度形成有由金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22及分割槽3的多個(gè)組合式配線基板。另外，根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)組合式配線基板，分割槽3的內(nèi)表面從陶瓷基體I到金屬鍍膜21由玻璃層31覆蓋。由此，抑制面對(duì)分割槽3的敷鍍金屬22的側(cè)面的氧化腐蝕。此外，通過(guò)沿著分割槽3按照多個(gè)配線基板區(qū)域11中的每個(gè)分割上述的多個(gè)組合式配線基板，能夠獲得沿著分割槽3按照多個(gè)配線基板區(qū)域11中的每一個(gè)分割而成的配線基板，在本發(fā)明的多個(gè)組合式配線基板上，由于分割槽3的內(nèi)表面從陶瓷基體I到金屬鍍膜21被玻璃層31覆蓋，因此沿著分割槽3按照多個(gè)配線基板區(qū)域11中的每一個(gè)分割而成的配線基板能夠抑制面對(duì)分割槽3的敷鍍金屬22的側(cè)面的氧化腐蝕。如圖7所示的例子那樣，本發(fā)明的配線基板具備陶瓷基體I、設(shè)置在陶瓷基體I的第一主面的周緣部111上的敷鍍金屬22、設(shè)置在敷鍍金屬22上的金屬鍍膜21、覆蓋陶瓷基體I的側(cè)面及敷鍍金屬22的側(cè)面的玻璃層31，并且具有在金屬鍍膜21上向上方突出的凸部311。由于形成為這種結(jié)構(gòu)，所以能夠抑制面對(duì)側(cè)面的敷鍍金屬22的側(cè)面的氧化腐蝕。另外，如圖8所示，在向敷鍍金屬22上安裝金屬制的蓋體或框體時(shí)，通過(guò)凸部311能夠抑制所使用的釬料向配線基板的側(cè)面流出。另外，在配線基板上，當(dāng)導(dǎo)體2設(shè)置在玻璃層31的凸部311的下方且向上方突出時(shí)，由于凸部311通過(guò)導(dǎo)體2的凸部而被加強(qiáng)，所以當(dāng)從橫向?qū)ν共?11施加力時(shí)，能夠有效抑制凸部311發(fā)生破損。接下來(lái)，對(duì)上述多個(gè)組合式配線基板及配線基板的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，制作具有多個(gè)配線基板區(qū)域11的陶瓷基體1，并且，以覆蓋陶瓷基體I的上表面的多個(gè)配線基板區(qū)域11的交界線12及與交界線12鄰接的各個(gè)配線基板區(qū)域11的周緣部111的方式形成敷鍍金屬22。將氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、碳化硅、多鋁紅柱石、鐵素體、玻璃陶瓷等的原料粉末與有機(jī)溶劑及粘合劑一同混煉。將其成形為片狀而制作多個(gè)陶瓷生片。陶瓷生片的厚度形成為燒成后的陶瓷絕緣層的厚度例如為50 200 u m。 接下來(lái)，在陶瓷生片上形成貫通孔且向該貫通孔填充成為貫通導(dǎo)體的貫通導(dǎo)體用導(dǎo)體膏劑，在陶瓷生片的一方主面上被覆形成成為配線層的配線層用導(dǎo)體膏劑。另外，在層疊時(shí)配置在最上層的陶瓷生片的一方主面上被覆形成成為敷鍍金屬22的導(dǎo)體用導(dǎo)體膏齊U。在此，導(dǎo)體用導(dǎo)體膏劑的厚度形成為燒成后的敷鍍金屬22及金屬鍍膜21的合計(jì)厚度為20 80 ii m。例如，在合計(jì)厚度為30 ii m而金屬鍍膜21的厚度為5 u m的情況下，調(diào)整導(dǎo)體用導(dǎo)體膏劑的厚度以使得敷鍍金屬22為25pm。進(jìn)一步而言，為了根據(jù)需要在陶瓷基體I的上表面上形成用于收納半導(dǎo)體元件5的凹部，在多個(gè)陶瓷生片中的若干個(gè)陶瓷生片上形成貫通穴。通過(guò)層疊這種陶瓷生片而制作陶瓷生片層疊體。將所獲得的陶瓷生片層疊體在期望的燒成氣氛及燒成溫度下燒成。例如，在貫通導(dǎo)體用導(dǎo)體膏劑及配線層用導(dǎo)體膏劑以W、Mo材料為主成分且陶瓷生片包含氧化鋁材料的情況下，在還原氣氛下以1300 1600°C的燒成溫度進(jìn)行燒成。另外，在貫通導(dǎo)體用導(dǎo)體膏劑及配線層用導(dǎo)體膏劑以Cu材料為主成分且陶瓷生片包含玻璃陶瓷材料的情況下，在氮還原氣氛下以800 1000°C的燒成溫度進(jìn)行燒成，在貫通導(dǎo)體用導(dǎo)體膏劑及配線層用導(dǎo)體膏劑以Ag材料為主成分且陶瓷生片為玻璃陶瓷材料的情況下，在大氣氣氛下以800 1000°C的燒成溫度進(jìn)行燒成。需要說(shuō)明的是，為了方便起見，含有由配線層用導(dǎo)體膏劑燒結(jié)而成的配線層及由貫通導(dǎo)體用導(dǎo)體膏劑燒結(jié)而成的貫通導(dǎo)體而形成陶瓷基體1，但陶瓷基體I可含有它們，也可以不含有它們。另外，在以覆蓋陶瓷基體I的上表面的多個(gè)配線基板區(qū)域11的交界線12及與交界線12鄰接的各個(gè)配線基板區(qū)域11的周緣部111的方式形成敷鍍金屬22的工序中，優(yōu)選如上所述那樣與配線層用導(dǎo)體膏劑同樣地在陶瓷生片的一方主面上被覆形成成為敷鍍金屬22的導(dǎo)體膏劑，且導(dǎo)體膏劑與陶瓷生片同時(shí)燒成。接下來(lái)，以包覆敷鍍金屬22的方式在敷鍍金屬22上形成金屬鍍膜21。通過(guò)例如在鍍層液中向被鍍層部(敷鍍金屬22的表面)供給鍍層被覆用的電流而實(shí)施電解鍍層，從而形成金屬鍍膜21，優(yōu)選在下側(cè)形成Ni鍍層且在上側(cè)形成Au鍍層而構(gòu)成雙層結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，沿著多個(gè)配線基板區(qū)域11的交界線12照射例如由紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的固體激光(例如YAG激光)產(chǎn)生的激光而形成分割槽3，同時(shí)在分割槽3的內(nèi)表面以從陶瓷基體I到金屬鍍膜21的方式形成玻璃層31。在此，照射的紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光的基于固體激光的脈沖頻率為10 200kHz，脈沖寬度為5ns以上，加工點(diǎn)輸出為I 100W，優(yōu)選為I 40W左右。作為紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的固體激光，存在由YAG、YVO4, YLF等的結(jié)晶激發(fā)的激光，可根據(jù)各個(gè)脈沖特性及被加工物的加工性而選定最佳的激光。尤其是，從分割槽3的加工時(shí)間的方面考慮優(yōu)選使用脈沖頻率為10 100kHz、脈沖寬度為50 200ns、加工點(diǎn)輸出為I 30W左右的YAG激光且3倍波(波長(zhǎng)355nm)長(zhǎng)的激光。在固體激光為YAG激光的情況下，對(duì)于基本波長(zhǎng)或2倍波長(zhǎng)的激光而言，其對(duì)金屬鍍膜21的反射性高，在形成作為分割槽3發(fā)揮作用的V字狀的槽方面存在困難。另一方面，對(duì)于基于碳酸氣體激光的波長(zhǎng)10. 6 μ m的激光而言，其對(duì)陶瓷基體I的熱影響非常大，造成槽被熔融的陶瓷基體I (玻璃層31)填埋，從而未實(shí)質(zhì)性地形成分割槽3。相對(duì)于此，紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光對(duì)金屬鍍膜21的吸收性高而反射性低。另夕卜，對(duì)于陶瓷基體I也是吸收性高而帶來(lái)的熱影響少。因此，即使從包覆敷鍍金屬22的金 屬鍍膜21的上方進(jìn)行照射，也能夠形成V字狀的分割槽3。即，能夠獲得以良好的精度形成有由金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22及分割槽3的多個(gè)組合式配線基板。進(jìn)一步而言，在分割槽3的內(nèi)表面上以從陶瓷基體I到金屬鍍膜21的方式形成玻璃層31是至關(guān)重要的。換而言之，當(dāng)形成分割槽3時(shí)，在分割槽3的內(nèi)表面上以從陶瓷基體I到金屬鍍膜21的方式形成玻璃層31是至關(guān)重要的。玻璃層31通過(guò)使利用紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光而揮發(fā)的陶瓷基體I的成分及敷鍍金屬22的成分、以及金屬鍍層21的成分，附著在從分割槽3內(nèi)表面的陶瓷基體I直至金屬鍍膜21的區(qū)域而形成。若使用這種紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光，能夠通過(guò)消融加工形成分割槽，從而對(duì)陶瓷基體I的熱影響少。需要說(shuō)明的是，通過(guò)改變激光的脈沖頻率而脈沖能量發(fā)生變化，由此熱的增加發(fā)生變化。因此，通過(guò)調(diào)整脈沖頻率也能夠調(diào)整玻璃層31的厚度。通過(guò)以從分割槽3的內(nèi)表面的陶瓷基體I到金屬鍍膜21的方式形成玻璃層31，從而因固體激光的照射而露出的敷鍍金屬22的側(cè)面被玻璃層31覆蓋。由于形成為這種結(jié)構(gòu)，因此能夠抑制因敷鍍金屬22的側(cè)面的氧化造成的腐蝕。在此，優(yōu)選在形成玻璃層31的同時(shí)形成玻璃層31延伸到金屬鍍膜21的上表面的一部分的凸部311。通過(guò)對(duì)前述的敷鍍金屬22及金屬鍍膜21的厚度、基于紫外線區(qū)域波長(zhǎng)的固體激光產(chǎn)生的激光的脈沖頻率等進(jìn)行調(diào)整，能夠在形成玻璃層31的同時(shí)形成凸部311。需要說(shuō)明的是，若使用固體激光形成分割槽3時(shí)產(chǎn)生的加工屑附著并熔接到金屬鍍膜21的表面上，則難以將其去除。另外，若加工屑附著到金屬鍍膜21的表面上，則在使用釬料等安裝蓋體4進(jìn)行密封時(shí)，可能存在妨礙密封性的情況。因此，為了防止加工屑的熔接，在金屬鍍膜21的表面上形成能夠容易沖刷的有機(jī)性的保護(hù)膜(例如聚乙烯醇)，可以從保護(hù)膜的上方照射紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的固體激光，按照每個(gè)保護(hù)膜沖刷附著到保護(hù)膜上的加工屑。另外,通過(guò)以分割槽成為5 16 μ m的深度的方式控制固體激光而照射激光,從而即使不使用保護(hù)膜而能夠使加工屑不附著到金屬鍍膜21的表面上。此時(shí)，優(yōu)選以與形成于陶瓷基體I的上表面上的分割槽3對(duì)置的方式在陶瓷基體I的下表面上也形成V字狀的分割槽30，形成于陶瓷基體I的上表面上的分割槽3的深度與形成于陶瓷基體I的下表面上的分割槽30的深度的合計(jì)量為陶瓷基體I的厚度的30 62%。由此，在將分割槽分割時(shí)能夠抑制在配線基板的側(cè)面上容易產(chǎn)生毛刺 缺口 凹口等不良情形。需要說(shuō)明的是，陶瓷基體I的下表面與上表面同樣也形成有由金屬鍍膜21覆蓋的導(dǎo)體、電極墊或引出配線等，在從它們的上方照射激光的情況下，采用利用后述的固體激光激發(fā)的紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光，但是在向陶瓷基體露出的部分照射激光的情況下，采用通過(guò)例如固體激光激發(fā)的激光或通過(guò)碳酸氣體激光產(chǎn)生的激光等。另外，下表面的分割槽30與上表面的分割槽3的位置對(duì)齊優(yōu)選利用散布于多個(gè)組合式配線基板內(nèi)的城堡形孔(castellation hole)等進(jìn)行調(diào)整。除了城堡形孔以外，可以利用在多個(gè)組合式配線基板的外框或與陶瓷基板的收縮變形匹配的主要部位上通過(guò)導(dǎo)體印刷、模具沖壓等形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。根據(jù)以上的制造方法，能夠獲得以良好的精度形成有由金屬鍍膜21包覆的敷鍍金屬22及分割槽3的多個(gè)組合式配線基板。

此外，配線基板的制造方法具有如下工序，S卩，將通過(guò)上述的多個(gè)組合式配線基板的制造方法制作的多個(gè)組合式配線基板沿分割槽3分割成多個(gè)配線基板。需要說(shuō)明的是，作為分割方法，若使用例如3點(diǎn)彎曲式的割斷裝置，則能夠以良好精度進(jìn)行分割。由此，能夠獲得可抑制面對(duì)分割槽3的敷鍍金屬22的側(cè)面的氧化腐蝕的配線基板。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明不局限于上述的實(shí)施方式的例子，不言而喻的是，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍做出各種變更。實(shí)施例(實(shí)施例I)將Al2O3粉末92質(zhì)量％與SiO2粉末3質(zhì)量％、Mn2O3粉末3. 5質(zhì)量％、MgO粉末I質(zhì)量％及MoO3粉末0. 5質(zhì)量％混合而成的原料粉末與有機(jī)溶劑及粘合劑一同混煉，并成形為片狀而制成三片厚度為150 u m的陶瓷生片，并且將其層疊而制成陶瓷生片層疊體。接著，在陶瓷生片層疊體的上表面上被覆形成以Mo為主成分的導(dǎo)體膏劑。在此，分別準(zhǔn)備將導(dǎo)體膏劑涂敷成燒成后的導(dǎo)體的厚度與后述的Ni鍍層的厚度(4i!m)及Au鍍層的厚度(0. 4 u m)的合計(jì)量為28 u m>34 u m、41 u m>53 u m、59 u m、64 u m的結(jié)構(gòu)體。接下來(lái)，在合成氣體氣氛中以1350°C進(jìn)行18小時(shí)的燒成。然后，作為金屬鍍膜,將Ni鍍層形成m的厚度,將Au鍍層形成為0. 4 ii m的厚度，從而制成在上表面具備由金屬鍍膜包覆的導(dǎo)體的陶瓷基板。然后，從包括金屬鍍膜的導(dǎo)體的上方向得到的陶瓷基板照射激光而實(shí)施槽加工。需要說(shuō)明的是，以如下方式對(duì)激光照射的條件進(jìn)行了調(diào)整，S卩，使用搭載波長(zhǎng)為355nm的YAG激光且具有載置被加工物且沿單軸方向移動(dòng)的載置臺(tái)的激光劃線裝置，在脈沖頻率為IOkHz時(shí)使加工點(diǎn)輸出為7. 4W，在脈沖頻率為30kHz時(shí)是加工點(diǎn)輸出為6. 1W，在脈沖頻率為50kHz時(shí)使加工點(diǎn)輸出為4. 9W。利用這三個(gè)條件，對(duì)包含金屬鍍膜的導(dǎo)體的厚度不同的陶瓷基板分別實(shí)施槽加工，以所有陶瓷基板上的V字狀的槽的深度約為70 ii m的方式調(diào)整加工速度及行程次數(shù)。接下來(lái)，在從陶瓷基板的側(cè)面垂直于槽的長(zhǎng)度方向地進(jìn)行研磨且使用截面拋光儀對(duì)表面進(jìn)行切入等后，利用電子顯微鏡觀察V字狀的槽的剖面，從而求出V字狀的槽的寬度及在V字狀的槽的內(nèi)表面上形成的玻璃層的厚度。需要說(shuō)明的是，關(guān)于玻璃層的厚度，求出從V字狀的槽的與導(dǎo)體相接的部分到玻璃層的表面的垂直距離，將其作為玻璃層的厚度。進(jìn)一步而言，利用顯微鏡簡(jiǎn)單測(cè)定凸部的高度，對(duì)于其高度為O. Ιμπι以上且小于3 μ m的凸部，進(jìn)一步利用原子力顯微鏡測(cè)定正確的高度，對(duì)于其高度為3 μ m以上的凸部，使用激光顯微鏡測(cè)定正確的高度。這些結(jié)果在表I中示出。[表I]
試樣輸出脈沖頻率槽寬玻璃層厚度突條部 度 No,(W) (kHz) ("m) ("m)(μ m)
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30 90— I 7.4 ..........10 I—_21.3— 一10.6~_根據(jù)表I可知，通過(guò)本發(fā)明能夠獲得分割槽的內(nèi)表面從陶瓷基體到金屬鍍膜的區(qū)域由O. 5 15 μ m左右的厚度的玻璃層覆蓋的多個(gè)組合式配線基板。需要說(shuō)明的是，可知在導(dǎo)體與金屬鍍膜的合計(jì)厚度小于20 μ m的情況下，基于輸出及脈沖頻率在測(cè)定的任意剖面上玻璃層的厚度小于O. 5 μ m。此外，可知在該玻璃層的厚度小于O. 5 μ m的情況下,會(huì)導(dǎo)致在分割槽的內(nèi)表面產(chǎn)生導(dǎo)體露出的部分,從而利用玻璃層對(duì)導(dǎo)體產(chǎn)生的腐蝕防止效果不充分。
另外，可知在導(dǎo)體與金屬鍍膜的合計(jì)厚度超過(guò)80 iim的情況下，基于輸出及脈沖頻率在測(cè)定到的任意剖面上玻璃層的厚度超過(guò)15. 0 y m。此外，可知在該玻璃層的厚度超過(guò)15.0um的情況下，會(huì)導(dǎo)致分割槽被玻璃層埋入而無(wú)法形成為V字狀，從而無(wú)法充分發(fā)揮作為分割槽的作用。此外，確認(rèn)出在形成玻璃層的同時(shí)形成了玻璃層延伸到金屬鍍膜的上表面的一部分而構(gòu)成的凸部。進(jìn)一步而言，對(duì)于試樣No. 3、7 15、22 27,在由金屬鍍膜包覆的導(dǎo)體上涂敷釬料，進(jìn)而在釬料上搭載蓋體而實(shí)施回流，然后通過(guò)光學(xué)顯微鏡使用20倍的透鏡對(duì)分割槽的內(nèi)部進(jìn)行確認(rèn)，此時(shí)確認(rèn)出所有的試樣都可抑制釬料向分割槽的流入。(實(shí)施例2)將包含Al2O3粉末92質(zhì)量％與SiO2粉末3質(zhì)量％、Mn2O3粉末3. 5質(zhì)量％、MgO粉末I質(zhì)量％及MoO3粉末0. 5質(zhì)量％混合而成的原料粉末與有機(jī)溶劑及粘合劑一起混煉，并成形為片狀而制作三片厚度150 的陶瓷生片，并且進(jìn)行層疊而制成陶瓷生片層疊體。 接著，在陶瓷生片層疊體的上表面上被覆形成以Mo為主成分的導(dǎo)體膏劑。在此，分別準(zhǔn)備將導(dǎo)體膏劑涂敷成燒成后的導(dǎo)體的厚度與后述的Ni鍍層的厚度(4i!m)及Au鍍層的厚度(0. 4 um)的合計(jì)量為64 ii m的厚度的材料。接下來(lái)，在合成氣體氣氛中以1350°C燒成18小時(shí)。隨后，作為金屬鍍膜，將Ni鍍層形成為4 ii m的厚度，將Au鍍層形成為0. 4 ii m的厚度，從而制成具備上表面由金屬鍍膜包覆的導(dǎo)體的陶瓷基板。隨后，從包括金屬鍍膜的導(dǎo)體的上方對(duì)所獲得的陶瓷基板照射激光，從而實(shí)施槽加工。以如下方式對(duì)激光照射的條件進(jìn)行調(diào)整，即，使用搭載波長(zhǎng)為355nm的YAG激光且具有載置被加工物沿單軸方向移動(dòng)的載置臺(tái)的激光劃線裝置，在脈沖頻率為50kHz時(shí)以加工點(diǎn)輸出為4. 9W的條件調(diào)整加工速度，從而以V字狀的槽的深度分別成為I y m、5 ii m、10 ii m、16 u m>20 u m的方式實(shí)施槽加工。隨后，取得金屬鍍膜表面的SEM像，對(duì)是否附著有加工屑進(jìn)行觀察。進(jìn)一步，從陶瓷基板的側(cè)面沿著槽的長(zhǎng)度方向垂直地進(jìn)行研磨，另外在使用截面拋光儀對(duì)研磨后的表面進(jìn)行切入等后，利用電子顯微鏡觀察V字狀的槽的剖面，從而求出在V字狀的槽的寬度及V字狀的槽的內(nèi)表面上形成的玻璃層的厚度。需要說(shuō)明的是，關(guān)于玻璃層的厚度，求出從V字狀的槽的與導(dǎo)體相接的部分到玻璃層的表面的垂直距離，將其作為玻璃層的厚度。其結(jié)果在表2中示出。[表2]
權(quán)利要求
1.ー種多個(gè)組合式配線基板，其特征在于，具備 陶瓷基體，其具有多個(gè)配線基板區(qū)域和設(shè)置在該多個(gè)配線基板區(qū)域的交界處的分割槽； 導(dǎo)體，其設(shè)置在所述多個(gè)配線基板區(qū)域的各個(gè)周緣部； 玻璃層，其從所述陶瓷基體的所述分割槽的內(nèi)表面覆蓋至所述導(dǎo)體， 所述玻璃層具有在所述導(dǎo)體上向上方突出的凸部。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多個(gè)組合式配線基板，其特征在干， 所述導(dǎo)體設(shè)置在所述玻璃層的所述凸部的下方且向上方突出。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多個(gè)組合式配線基板，其特征在干， 所述導(dǎo)體的厚度包含在20 μ m到80 μ m的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多個(gè)組合式配線基板，其特征在干， 所述分割槽的深度包含在5 μ m到16 μ m的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多個(gè)組合式配線基板，其特征在干， 所述分割槽的深度包含在所述陶瓷基體的厚度的30%到62%的范圍內(nèi)。
6.一種配線基板，其特征在于，具備 陶瓷基體； 導(dǎo)體，其設(shè)置于該陶瓷基體的第一主面的周緣部；以及 玻璃層，其覆蓋所述陶瓷基體的側(cè)面及所述導(dǎo)體的側(cè)面， 所述玻璃層具有在所述導(dǎo)體上向上方突出的凸部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的配線基板，其特征在干， 所述導(dǎo)體設(shè)置在所述玻璃層的所述凸部的下方且向上方突出。
8.—種多個(gè)組合式配線基板的制造方法，其特征在于，包括 形成包括具有多個(gè)配線基板區(qū)域的陶瓷基體和設(shè)置于所述多個(gè)配線基板的周緣部的導(dǎo)體的復(fù)合體的エ序； 通過(guò)向所述導(dǎo)體照射紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光，貫通所述導(dǎo)體而在所述陶瓷基體上形成分割槽，并且以覆蓋所述陶瓷基體的所述分割槽的內(nèi)表面及所述導(dǎo)體的側(cè)面的方式形成玻璃層的エ序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多個(gè)組合式配線基板的制造方法，其特征在干， 在形成所述復(fù)合體的エ序中，以所述導(dǎo)體的厚度包含在20μπι到80 μ m的范圍內(nèi)的方式形成所述導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多個(gè)組合式配線基板的制造方法，其特征在干， 在通過(guò)向所述導(dǎo)體照射紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光而形成所述分割槽且形成所述玻璃層的エ序中，以所述分割槽的深度包含在5μπι到16 μ m的范圍內(nèi)的方式形成所述分割槽。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多個(gè)組合式配線基板的制造方法，其特征在干， 在通過(guò)向所述導(dǎo)體照射紫外線區(qū)域的波長(zhǎng)的激光而形成所述分割槽且形成所述玻璃層的エ序中，以所述分割槽的深度包含在所述陶瓷基體的厚度的30%到62%的范圍內(nèi)的方式形成所述分割槽。
12.一種配線基板的制造方法，其特征在干， 將通過(guò)權(quán)利要求8至權(quán)利要求11中的任意一項(xiàng)所述的多個(gè)組合式配線基板的制造方法制成的多個(gè)組合式配線基板沿著所述分 割槽分割成多個(gè)配線基板。
全文摘要
多個(gè)組合式配線基板具備陶瓷基體、導(dǎo)體、金屬鍍膜、玻璃層，玻璃層在金屬鍍膜上具有向上方突出的凸部。陶瓷基體具有多個(gè)配線基板區(qū)域和設(shè)置在多個(gè)配線基板區(qū)域的交界處的分割槽。另外，導(dǎo)體設(shè)置于多個(gè)配線基板區(qū)域的各個(gè)周緣部。另外，金屬鍍膜設(shè)置在導(dǎo)體上。另外，玻璃層從陶瓷基體的分割槽的內(nèi)表面覆蓋到金屬鍍膜。
文檔編號(hào)H05K1/02GK102687599SQ201180005122
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2011年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月28日
發(fā)明者新納范高, 越智雅也 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社