專(zhuān)利名稱(chēng)：配線(xiàn)基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此公開(kāi)的實(shí)施方式的某一方面涉及配線(xiàn)基板和該配線(xiàn)基板的制造方法，在該配線(xiàn)基板中，用于覆蓋配線(xiàn)層的絕緣層具有將該配線(xiàn)層的一部分暴露至外部的開(kāi)口部分。
背景技術(shù)：
日本特開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)No. 2008-140886公開(kāi)了一種通過(guò)以下方法來(lái)制造配線(xiàn)基板的技術(shù)，其中，形成用于覆蓋包括具有比其它部分厚的一部分的配線(xiàn)的最上側(cè)配線(xiàn)層的絕緣樹(shù)脂層，并且去除該絕緣樹(shù)脂層的一部分，直到去除該最上側(cè)配線(xiàn)層中厚度大的部分的上部為止，從而使該部分暴露。日本特開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)No. 2000-286362公開(kāi)了這樣一種技術(shù)，其中，利用厚度為 0. 04mm至0. 15mm的雙面印刷配線(xiàn)板作為半導(dǎo)體塑料封裝的基板來(lái)形成電路板，在該電路板的每一側(cè)上層壓相同厚度的、由基于玻璃布的熱固性樹(shù)脂成分制成的預(yù)浸料坯 (prepreg) 0通過(guò)噴砂(sand blasting)方法去除接合焊盤(pán)和球形焊盤(pán)，并且用貴金屬鍍覆該電路板，以用作印刷配線(xiàn)板。因此，實(shí)施例的一個(gè)方面的目的是，提供一種可以改進(jìn)與諸如母板的安裝板和諸如半導(dǎo)體芯片的電子組件的連接可靠性的配線(xiàn)基板，和該配線(xiàn)基板的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)實(shí)施例的一個(gè)方面，一種配線(xiàn)基板，包括交替地層壓的多個(gè)絕緣層和多個(gè)配線(xiàn)層，其中，在最外側(cè)絕緣層中形成有開(kāi)口部分，以將最外側(cè)配線(xiàn)層的一部分暴露至外部； 所述開(kāi)口部分的側(cè)壁的截面形狀是凹入的且彎曲的，并且所述最外側(cè)配線(xiàn)層在暴露至外部的一側(cè)上具有凹部。根據(jù)所公開(kāi)的技術(shù)，可以提供一種可以改進(jìn)與諸如母板的安裝板和諸如半導(dǎo)體芯片的電子組件的連接可靠性的配線(xiàn)基板，和該配線(xiàn)基板的制造方法。


圖1是示例配線(xiàn)基板的截面圖；圖2是示意性地例示引腳被插入到開(kāi)口部分中的狀態(tài)的截面圖；圖3是實(shí)施例1的示例配線(xiàn)基板的截面圖；圖4是例示圖13的開(kāi)口部分(凹部)和該開(kāi)口部分附近的部分的放大截面圖；圖5是例示通過(guò)激光處理方法形成的開(kāi)口部分(凹部)和該開(kāi)口部分附近的部分的放大截面圖；圖6例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第一步驟；圖7例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第二步驟；圖8例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第三步驟；圖9例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第四步驟；
圖10例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第五步驟；圖11例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第六步驟；圖12例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第七步驟；圖13例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第八步驟；圖14例示了實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的示例制造處理的第九步驟；圖15是實(shí)施例1的修改例1的配線(xiàn)基板的截面圖；圖16是實(shí)施例1的修改例2的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分和該開(kāi)口部分附近的部分的放大截面圖；圖17是實(shí)施例1的修改例2的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分和該開(kāi)口部分附近的部分的截面圖；圖18是實(shí)施例1的修改例3的配線(xiàn)基板中的開(kāi)口部分和該開(kāi)口部分附近的部分的平面圖；圖19是實(shí)施例1的修改例3的配線(xiàn)基板的截面圖；圖20是實(shí)施例2的示例配線(xiàn)基板的截面圖；圖21是例示圖20的開(kāi)口部分(凹部)和該開(kāi)口部分附近的部分的截面圖；圖22是示例玻璃布的截面圖；圖23是例示通過(guò)激光處理方法形成的玻璃布的開(kāi)口部分(凹部)和該開(kāi)口部分附近的部分的放大截面圖；圖M是實(shí)施例3的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖25是實(shí)施例4的半導(dǎo)體封裝的截面圖；圖沈是通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝的實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分及其附近的部分的電子顯微鏡照片；以及圖27是通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝的比較例1的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分及其附近的部分的電子顯微鏡照片。
具體實(shí)施例方式圖1是示例配線(xiàn)基板的截面圖。參照?qǐng)D1和圖2，示例配線(xiàn)基板100具有其中順序地層壓第一絕緣層110、配線(xiàn)層120以及第二絕緣層130的結(jié)構(gòu)。第一絕緣層110是用于形成配線(xiàn)層120的層并且由非光敏絕緣樹(shù)脂等形成。配線(xiàn)層120由銅(Cu)等形成。第二絕緣層130形成在第一絕緣層110上以覆蓋配線(xiàn)層120。第二絕緣層130具有開(kāi)口部分130x，并且在開(kāi)口部分130x內(nèi)部暴露配線(xiàn)層120的一部分。第二絕緣層130通常由光敏樹(shù)脂制成，而該開(kāi)口部分130x通常通過(guò)光刻方法形成。存在其中配線(xiàn)層和絕緣層還層壓在第一絕緣層110之下的情況。僅最上側(cè)的第二絕緣層130通常由光敏絕緣樹(shù)脂制成，而除了最上側(cè)上的第二絕緣層130以外的其它絕緣層(包括第一絕緣層)通?？梢杂煞枪饷艚^緣樹(shù)脂制成。圖2是示意性地例示引腳被插入到開(kāi)口部分中的狀態(tài)的截面圖。參照?qǐng)D2，將插座的引腳190插入到其中配線(xiàn)層120暴露至外部的開(kāi)口部分130x中，作為所謂的連接盤(pán)格柵陣列(Land Grid Array) (LGA)的連接盤(pán)(land)。參照?qǐng)D2，由光刻方法形成的開(kāi)口部分 130x的側(cè)壁的截面具有大致垂直于配線(xiàn)層120的上表面的直線(xiàn)形狀。因此，難以將引腳190插入到開(kāi)口部分130x中，并且引腳190幾乎不能到達(dá)暴露至開(kāi)口部分130x內(nèi)部的配線(xiàn)層 120。因此，存在引腳190無(wú)法充分地插入到開(kāi)口部分130x中并且無(wú)法接觸配線(xiàn)層120的問(wèn)題。而且，存在配線(xiàn)層120無(wú)法很好地接觸第二絕緣層130并且接觸面A因施加至配線(xiàn)層120與第二絕緣層130之間的接觸面的力而破損的問(wèn)題。如上所述，當(dāng)通過(guò)光刻方法形成該開(kāi)口部分時(shí)，可能出現(xiàn)引腳插入到該開(kāi)口部分中的故障、引腳的接觸故障、開(kāi)口部分附近的配線(xiàn)層與覆蓋配線(xiàn)層的絕緣層之間的接觸故障等。在這些情況下，配線(xiàn)板(安裝板)與引腳之間的連接可靠性可能劣化。將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例1實(shí)施例1描述了針對(duì)通過(guò)安裝半導(dǎo)體芯片而成為半導(dǎo)體封裝的配線(xiàn)基板的應(yīng)用。[實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的結(jié)構(gòu)]首先，對(duì)實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。圖3是實(shí)施例1的示例配線(xiàn)基板的截面圖。參照?qǐng)D3，實(shí)施例1的配線(xiàn)基板10具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中，順序地層壓了第一配線(xiàn)層11、第一絕緣層12、第二配線(xiàn)層13、第二絕緣層14、第三配線(xiàn)層15以及第三絕緣層16。第一配線(xiàn)層11是配線(xiàn)基板10的最下側(cè)層。第一配線(xiàn)層11包括第一層Ila和第二層lib。第一層Ila可以是依次順序地層壓金(Au)膜、鈀(Pd)膜以及鎳(Ni)膜同時(shí)將金(Au)層暴露至外部而形成的導(dǎo)電層。第二層lib是包括銅(Cu)等的導(dǎo)電層。作為第一配線(xiàn)層11的一部分的第一層Ila從第一絕緣層12暴露并且用作連接至半導(dǎo)體芯片(未例示)等的電極焊盤(pán)。第一配線(xiàn)層11的、從第一絕緣層12暴露的一部分的平面圖可以采用圓形形狀，并且該圓形的直徑可以大約為40 μ m至120 μ m。第一配線(xiàn)層 11的、從第一絕緣層12暴露的部分的節(jié)距可以大約為IOOym到200 μ m。第一配線(xiàn)層11 的厚度可以大約為ΙΟμπι至20μπι。第一絕緣層12覆蓋第一配線(xiàn)層11的上表面(連接至第二配線(xiàn)層13的通路配線(xiàn) (via wiring)的面)和側(cè)表面。第一配線(xiàn)層11的下表面(與連接至該通路配線(xiàn)的表面相對(duì)的表面)暴露至外部。第一絕緣層12的材料可以是主要包含環(huán)氧樹(shù)脂的非光敏絕緣樹(shù)脂。 該非光敏絕緣樹(shù)脂可以是熱固性樹(shù)脂。第一絕緣層12的厚度可以大約為15μπι到35 μ m。第一絕緣層12包含諸如氧化硅(SiO2)的填充物。該填充物的含量可以大約為 20vol %到70vol %。優(yōu)選的是，該填充物的最小顆粒直徑為0. 1 μ m，該填充物的最大顆粒直徑為5. 0 μ m，而該填充物的平均顆粒直徑為0. 5 μ m到2. 0 μ m。通過(guò)調(diào)節(jié)填充物的含量， 可以調(diào)節(jié)第一絕緣層12的熱膨脹系數(shù)。例如，通過(guò)增加填充物的含量，可以減小熱膨脹系數(shù)。通過(guò)調(diào)節(jié)填充物的含量，使第一絕緣層12的熱膨脹系數(shù)接近于銅(Cu)(其中，第二配線(xiàn)層13等由銅制成)的熱膨脹系數(shù)(大約17ppm/°C)，可以減少配線(xiàn)基板10的翹曲。除了具體描述的情況以外，本說(shuō)明書(shū)中描述的熱膨脹系數(shù)針對(duì)25°C到150°C的范圍。第二配線(xiàn)層13形成在第一絕緣層12上。第二配線(xiàn)層13包括通路配線(xiàn)和形成在第一絕緣層12上的配線(xiàn)圖案，所述通路配線(xiàn)貫穿第一絕緣層12并且設(shè)置在暴露第一配線(xiàn)層11的部分的上表面的第一通孔12x內(nèi)部。第二配線(xiàn)層13電連接至向第一通孔12x內(nèi)部暴露的第一配線(xiàn)層11。第二配線(xiàn)層13的材料可以是銅(Cu)等。第二配線(xiàn)層13的配線(xiàn)圖案的厚度可以大約為IOym至20μπι。
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第二絕緣層14被形成為覆蓋第一絕緣層12上的第二配線(xiàn)層13。第二絕緣層14 的材料優(yōu)選為具有和第一絕緣層12相同的結(jié)構(gòu)的非光敏絕緣樹(shù)脂。第二絕緣層14優(yōu)選地包含具有和第一絕緣層12中所包含填充物相同的成分、大致相同量的填充物。這是為了減少配線(xiàn)基板10中造成的翹曲。第二絕緣層14的厚度可以大約為15 μ m到35 μ m。第三配線(xiàn)層15設(shè)置為形成在第二絕緣層14上的最上側(cè)配線(xiàn)層或最外側(cè)配線(xiàn)層。 第三配線(xiàn)層15包括通路配線(xiàn)和形成在第二絕緣層14上的配線(xiàn)圖案，所述通路配線(xiàn)貫穿第二絕緣層14并且設(shè)置在暴露第二配線(xiàn)層13的上表面的第二通孔14x內(nèi)部。第三配線(xiàn)層15 電連接至向第二通孔14x暴露的第二配線(xiàn)層13。第三配線(xiàn)層15的材料可以是銅(Cu)等。 第三配線(xiàn)層15的厚度可以大約為10 μ m至20 μ m。第三絕緣層16是被形成為覆蓋第二絕緣層14上的第三配線(xiàn)層15的最上側(cè)絕緣層或最外側(cè)絕緣層。第三絕緣層16的材料為具有和第一絕緣層12與第二絕緣層14相同的成分的非光敏絕緣樹(shù)脂。第三絕緣層16優(yōu)選地包含具有和第一絕緣層12與第二絕緣層 14中所包含填充物相同的成分、大致相同量的填充物。這是為了減少配線(xiàn)基板10中造成的翹曲。第三絕緣層16的厚度可以大約為15μπι到35 μ m。第三絕緣層16包括開(kāi)口部分16x，并且第三配線(xiàn)層15的凹部1 暴露至開(kāi)口部分 16x的底部。該凹部1 用作電連接至諸如母板的安裝板(未例示)的電極焊盤(pán)。在需要時(shí)，可以將金屬層等形成在凹部1 上。該金屬層的一個(gè)示例是Au層、作為通過(guò)依次層壓 Ni層和Au層而形成的金屬層的Ni/Au層、作為通過(guò)依次層壓Ni層、Pd層以及Au層而形成的金屬層的Ni/Pd/Au層等。當(dāng)在凹部1 上形成金屬層等時(shí)，可以在該金屬層上進(jìn)一步形成諸如焊料球和導(dǎo)線(xiàn)引腳的外部連接端子。然而，可以在需要時(shí)形成外部連接端子。形成在絕緣層12和14中的通孔1 和Hx朝第三絕緣層16 (最上側(cè)絕緣層)開(kāi)口。通孔1 和14x的底面由其它配線(xiàn)層11和13的表面形成。因而，該開(kāi)口部分的面積變得大于所述底面的面積，由此以截頭圓錐形狀形成凹部。在該凹部?jī)?nèi)形成相應(yīng)的通路配線(xiàn)。圖4是例示圖3的開(kāi)口部分16x和該開(kāi)口部分附近的部分的放大截面圖。參照?qǐng)D4，開(kāi)口部分16x朝該開(kāi)口部分16x的開(kāi)口端加寬，并且側(cè)壁的截面圖采用凹入且彎曲的形狀。該開(kāi)口部分16x可以如半球那樣形成。開(kāi)口部分16x在它們的平面圖中采用圓形形狀，并且開(kāi)口部分16x的開(kāi)口部分直徑可以大約為220 μ m到1100 μ m。該開(kāi)口部分被形成為從最外側(cè)配線(xiàn)層向最外側(cè)絕緣層的上表面加寬。凹部15x從底面向該凹部15x的開(kāi)口端加寬，并且側(cè)壁的截面圖采用凹入且彎曲的形狀。凹部15x的外邊緣部分未侵入到第三絕緣層16的下部。凹部15x的側(cè)壁的最外側(cè)邊緣部分從開(kāi)口部分16x的側(cè)壁的最內(nèi)側(cè)邊緣部分連續(xù)形成。凹部15x的平面圖可以類(lèi)似于具有大約200μπι到IOOOym直徑的圓形。凹部15χ的節(jié)距可以大約為500 μ m到 1200 μ m。凹部15x的、基于第三配線(xiàn)層15的上表面的深度可以大約為0. 5 μ m到4 μ m。開(kāi)口部分16x的側(cè)壁的截面形狀如上所述采用凹入且彎曲形狀，這是因?yàn)殚_(kāi)口部分16x通過(guò)噴射處理(blasting process)形成。當(dāng)形成開(kāi)口部分16x時(shí)，隨后通過(guò)噴射處理磨蝕(abrade)第三配線(xiàn)層15的上表面。由此，凹部1 從開(kāi)口部分16x連續(xù)形成。盡管可以使用激光處理方法來(lái)形成開(kāi)口部分，但其不是優(yōu)選的。下面，對(duì)其理由進(jìn)行說(shuō)明。圖5是例示通過(guò)激光處理方法形成的開(kāi)口部分(凹部)和該開(kāi)口部分附近的部分的放大截面圖。參照?qǐng)D5，開(kāi)口部分16w的側(cè)壁的截面圖為直線(xiàn)性的并且大致垂直于第三配線(xiàn)層15的上表面設(shè)置。凹部15w形成在第三配線(xiàn)層15的、在開(kāi)口部分16w內(nèi)部暴露的部分處。凹部15w的外邊緣部分侵入到第三絕緣層16的下部，如圖5所示區(qū)域B的一部分， 其不同于圖4所示凹部15x。區(qū)域B是所謂的中空區(qū)。在第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16 之間的接觸面中存在接觸故障。該中空由以下處理造成。換言之，當(dāng)通過(guò)激光處理方法形成開(kāi)口部分16w時(shí)，第三絕緣層16的殘留材料保留在第三配線(xiàn)層15的、向開(kāi)口部分16w內(nèi)部暴露的表面上。為了去除該殘留物，可以提供去污(desmer)處理。然而，用于去污處理的蝕刻溶液溶解第三配線(xiàn)層15的一部分，由此形成凹部15w。該蝕刻溶液滲入第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16之間的、處于區(qū)域B中的接觸面中。接著，將第三絕緣層16之下的第三配線(xiàn)層15溶解，由此造成中空。當(dāng)造成中空時(shí)，在第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16之間在區(qū)域B中出現(xiàn)接觸故障。 接著，第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16之間的接觸面可能被剝離。如果該接觸面剝離，則可能劣化配線(xiàn)基板10與安裝板、電子部件等的連接的連接可靠性。針對(duì)實(shí)施例1，開(kāi)口部分16x通過(guò)噴射處理形成。在該噴射處理中，因沒(méi)有使用在去污處理中所使用的蝕刻溶液，而未造成中空。因?yàn)殚_(kāi)口部分16x和凹部1 通過(guò)噴射處理連續(xù)形成，所以凹部15x的外邊緣部分沒(méi)有侵入第三絕緣層16下，并且凹部15x的側(cè)壁的最外側(cè)邊緣部分從凹部15x的開(kāi)口部分16x的側(cè)壁的最內(nèi)側(cè)邊緣部分連續(xù)形成。換言之， 在其截面形狀中，凹部15x的側(cè)壁的最外側(cè)邊緣部分從開(kāi)口部分16x的側(cè)壁的最內(nèi)側(cè)邊緣部分連續(xù)彎曲。接下來(lái)，對(duì)開(kāi)口部分16x和凹部15x的上述形狀的效果進(jìn)行描述。與圖2、圖4以及圖5相比，當(dāng)暴露在開(kāi)口部分內(nèi)部的配線(xiàn)層的面積相同時(shí)，與在側(cè)壁具有直線(xiàn)形狀的開(kāi)口部分130x和16w中相比，可通過(guò)絕緣層的上表面(開(kāi)口端)接入的開(kāi)口部分的有效面積在側(cè)壁具有截面凹入且彎曲形狀的開(kāi)口部分16x中變得更大。因此， 與插入到開(kāi)口部分130x和開(kāi)口部分16w中相比，更容易將用于LGA插座的引腳插入到開(kāi)口部分16x中。因而，可以減少引腳插入故障和引腳接觸故障的發(fā)生。在開(kāi)口部分16x中，在第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16之間的接觸面中不會(huì)造成圖5所示的中空。因此，可以防止第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16之間的接觸故障。凹部15x的底面與接觸面未處于同一平面中。凹部15x的底面定位得低于第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16之間的接觸面。因此，可以通過(guò)防止從用于LGA插座的引腳向第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16之間的接觸面施加直接力來(lái)減少接觸面的剝離。凹部15w的底面和接觸面不在同一平面中。凹部15w的底面定位得低于第三配線(xiàn)層15與第三絕緣層16之間的接觸面。因?yàn)樵趫D5中造成了因中空而造成的接觸故障，所以不能減少凹部15w中接觸面的剝離。針對(duì)實(shí)施例1，開(kāi)口部分的側(cè)壁截面形狀是凹入且彎曲的，并且將該凹部形成在配線(xiàn)層上、暴露至絕緣層的開(kāi)口部分的一部分處。因此，不容易造成引腳插入到該開(kāi)口部分中的插入故障和接觸故障以及配線(xiàn)層與覆蓋該配線(xiàn)層的絕緣層之間的接觸故障。結(jié)果，可以改進(jìn)在將配線(xiàn)基板連接到安裝板、電子部件等時(shí)的連接可靠性。[實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的制造方法]
接下來(lái)，對(duì)實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的制造方法進(jìn)行描述。圖6至圖14例示了實(shí)施例 1的配線(xiàn)基板的示例制造步驟。參照?qǐng)D6，準(zhǔn)備支承主體21。該支承主體21是硅板、玻璃板、金屬板、金屬箔等。在實(shí)施例1中，使用銅箔作為支承主體21。這是因?yàn)樵谙旅婷枋龅膱D8所示的步驟中將支承主體21用作用于電鍍的電源層。支承主體21在下面描述的圖14所示的步驟之后可以容易地去除。支承主體21的厚度可以大約為35μπι至ΙΟΟμπι。在圖7所示步驟中，在支承主體21的表面上形成具有與第一配線(xiàn)層11相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部分22χ的抗蝕劑層22。具體來(lái)說(shuō)，在支承主體21的表面上涂覆由包含環(huán)氧樹(shù)脂、酰亞胺樹(shù)脂等的光敏樹(shù)脂成分制成的液體狀或膏狀抗蝕劑。另選的是，在支承主體21的表面上層壓由包含環(huán)氧樹(shù)脂、酰亞胺樹(shù)脂等的光敏成分制成的、諸如干膜抗蝕劑的膜狀抗蝕劑。 通過(guò)利用光照射所涂覆或?qū)訅旱目刮g劑并顯影所涂覆或?qū)訅旱目刮g劑，形成開(kāi)口部分22χ。 這樣，形成具有開(kāi)口部分2 的抗蝕劑層22?？梢栽谥С兄黧w21的表面上層壓預(yù)先具有開(kāi)口部分22x的膜狀抗蝕劑。開(kāi)口部分2 形成在與要在圖8中例示的步驟中形成的第一配線(xiàn)層11相對(duì)應(yīng)的位置處。然而，設(shè)置開(kāi)口部分22x的節(jié)距可以大約為ΙΟΟμπι到200μπι。開(kāi)口部分2 在其平面圖中采用圓形形狀，并且該開(kāi)口部分22x的直徑可以大約為40 μ m到120 μ m。在圖8所示的步驟中，通過(guò)利用支承主體21作為電源層進(jìn)行電鍍等，將包括第一層Ila和第二層lib的第一配線(xiàn)層11形成在支承主體21的表面上的開(kāi)口部分22x內(nèi)部。第一層Ila具有通過(guò)依次順序地層壓金(Au)膜、鈀(Pd)膜以及鎳(Ni)膜而形成的結(jié)構(gòu)。為了形成第一配線(xiàn)層11，通過(guò)利用支承主體21作為電源層進(jìn)行電鍍等而依次順序地鍍覆金(Au)膜、鈀(Pd)膜以及鎳(Ni)膜來(lái)形成第一層11a，然后通過(guò)利用支承主體21 作為電源層進(jìn)行電鍍而在第一層Ila上形成由銅(Cu)等制成的第二層lib。參照?qǐng)D9，在去除圖8所示的抗蝕劑層22之后，在支承主體21的表面上形成第一絕緣層12，以覆蓋第一配線(xiàn)層11。第一絕緣層12的材料可以是主要包含環(huán)氧樹(shù)脂的非光敏絕緣樹(shù)脂。第一絕緣層12的厚度可以大約為15μπι到35μπι。第一絕緣層12包含諸如氧化硅(SiO2)的填充物。該填充物的目的及其含量如下所述。當(dāng)將主要成分為膜狀的熱固性環(huán)氧樹(shù)脂的非光敏絕緣樹(shù)脂用作第一絕緣層12的材料時(shí)，可以將膜狀的第一絕緣層12層壓在支承主體21的表面上，以覆蓋第一配線(xiàn)層11。 在按壓層壓的第一絕緣層12之后，在固化溫度以上加熱第一絕緣層12，并使其固化或硬化。可以通過(guò)在真空氣氛下層壓第一絕緣層12防止形成空隙。當(dāng)將主要成分為液體狀或膏狀熱固性環(huán)氧樹(shù)脂的非光敏絕緣樹(shù)脂用作第一絕緣層12的材料時(shí)，可以將該液體狀或膏狀的第一絕緣層12涂覆在支承主體21的表面上，以覆蓋第一配線(xiàn)層11。所涂覆的第一絕緣層12在固化溫度以上加熱以硬化第一絕緣層12。參照?qǐng)D10，形成第一通孔12χ，其穿透第一絕緣層12并且暴露第一配線(xiàn)層11的表面。第一通孔1 可以通過(guò)例如利用(X)2激光器的激光處理方法來(lái)形成。當(dāng)通過(guò)激光處理方法形成第一通孔12x時(shí)，執(zhí)行去污處理，以去除第一絕緣層12的、粘附至第一配線(xiàn)層11 向第一通孔12x的內(nèi)部暴露的上表面的樹(shù)脂殘留物。參照?qǐng)D11，在第一絕緣層12上形成第二配線(xiàn)層13。第二配線(xiàn)層13包括設(shè)置在第一通孔12x內(nèi)部的通路配線(xiàn)和形成在第一絕緣層12上的配線(xiàn)圖案。第二配線(xiàn)層13電連接至向第一通孔1 暴露的第一配線(xiàn)層11。第二配線(xiàn)層13的材料可以為銅(Cu)等。第二配線(xiàn)層13可以通過(guò)各種配線(xiàn)形成方法(如半添加法和減法)來(lái)形成。作為示例，接下來(lái)，對(duì)利用半添加法來(lái)形成第二配線(xiàn)層13的方法進(jìn)行描述。首先，通過(guò)無(wú)電鍍覆或?yàn)R射方法，在第一配線(xiàn)層11的、暴露在第一通孔1 內(nèi)部的上表面上以及包括第一通孔12x的側(cè)壁的第一絕緣層12上形成由銅(Cu)等制成的種子層 (未例示)。此外，在該種子層上形成具有與第二配線(xiàn)層13相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部分的抗蝕劑層 (未例示)。通過(guò)電鍍?cè)谠摽刮g劑層的開(kāi)口部分上形成由銅(Cu)制成的配線(xiàn)層(未例示)， 其中在電鍍中將種子層用作電源層。隨后，在去除該抗蝕劑層之后，通過(guò)利用配線(xiàn)層作為掩模進(jìn)行蝕刻來(lái)去除種子層的、沒(méi)有被配線(xiàn)層覆蓋的一部分。這樣，第二配線(xiàn)層13包括設(shè)置在第一絕緣層12中的第一通孔12x內(nèi)部的通路配線(xiàn)，以及形成在第一絕緣層12上的配線(xiàn)圖案。參照?qǐng)D12，通過(guò)重復(fù)上述處理，在第一絕緣層12上層壓第二絕緣層14、第三配線(xiàn)層15以及第三絕緣層16。換言之，在第一絕緣層12上形成覆蓋第二配線(xiàn)層13的第二絕緣層14之后，在設(shè)置在第二配線(xiàn)層13上的第二絕緣層14中形成第二通孔14x。此外，經(jīng)由第二通孔14x，在第二絕緣層14上形成要連接至第二配線(xiàn)層13的第三配線(xiàn)層15。第三配線(xiàn)層15的材料可以是銅(Cu)等。第三配線(xiàn)層15可以通過(guò)半添加法來(lái)形成。此外，在第二絕緣層14上形成覆蓋第三配線(xiàn)層15的第三絕緣層16。第二和第三絕緣層14和16的材料是具有和第一絕緣層12相同的成分的非光敏絕緣樹(shù)脂。第二和第三絕緣層14和16優(yōu)選地包含具有和第一絕緣層12中所包含填充物相同的成分、大致相同量的填充物。這是要減少在配線(xiàn)基板10中造成的翹曲。第二和第三絕緣層14和16的厚度可以大約為15μπι到;35μπι。如上所述，在支承主體21的一個(gè)表面上形成預(yù)定累積配線(xiàn)層。針對(duì)這個(gè)實(shí)施例， 形成包括第二配線(xiàn)層13和第三配線(xiàn)層15的雙層累積配線(xiàn)層，并且可以形成η層累積配線(xiàn)層(η是1以上的整數(shù))。參照?qǐng)D13，在第三絕緣層16上形成具有開(kāi)口部分23χ的抗蝕劑層23。具體來(lái)說(shuō)， 在第三絕緣層16上涂覆由包含環(huán)氧樹(shù)脂、酰亞胺樹(shù)脂等的光敏樹(shù)脂成分制成的液體狀或膏狀抗蝕劑。另選的是，在第三絕緣層16上層壓由包含環(huán)氧樹(shù)脂、酰亞胺樹(shù)脂等的光敏成分制成的、諸如干膜抗蝕劑的膜狀抗蝕劑。通過(guò)利用光照射所涂覆或?qū)訅旱目刮g劑，并對(duì)所涂覆或?qū)訅旱目刮g劑進(jìn)行顯影，形成開(kāi)口部分23χ。這樣，形成具有開(kāi)口部分23χ的抗蝕劑層23?？梢栽诘谌^緣層16上層壓預(yù)先具有開(kāi)口部分23χ的膜狀抗蝕劑。開(kāi)口部分23χ形成在與要在圖14中例示的步驟中形成的開(kāi)口部分16χ相對(duì)應(yīng)的位置處。然而，設(shè)置開(kāi)口部分23χ的節(jié)距可以大約為500μπι到1200μπι。該開(kāi)口部分23χ 在其平面圖中采用圓形形狀，并且該開(kāi)口部分23χ的直徑可以大約為220μπι到1100 μ m?？刮g劑層23用作下述圖14中所示處理中的噴射處理的掩模?？刮g劑層23的表面的一部分可以通過(guò)噴射處理來(lái)去除?？梢詫⒖刮g劑層23的厚度確定為使得能夠在通過(guò)噴射處理去除抗蝕劑層23的表面的一部分時(shí)用作掩模。抗蝕劑層23的厚度可以大約為 50 μ m0在圖14所示的處理中，使抗蝕劑層23沿箭頭方向經(jīng)受?chē)娚涮幚怼㈤_(kāi)口部分16x形成在第三絕緣層16中，以使得第三配線(xiàn)層15的上表面的部分暴露至外部。此外，繼續(xù)該噴射處理，并且在朝向第三配線(xiàn)層15的開(kāi)口部分16x的內(nèi)部的暴露部分處形成凹部15x。在使第三配線(xiàn)層15的上表面的部分暴露至外部之后，進(jìn)一步繼續(xù)噴射處理，以形成凹部15x。 由此，可以防止第三絕緣層16的材料的殘留物保留在開(kāi)口部分16x內(nèi)部。如果在第三配線(xiàn)層15上、形成開(kāi)口部分16x的部分處形成具有比該開(kāi)口部分16x 的底部直徑大的直徑的焊盤(pán)，則該焊盤(pán)在通過(guò)噴射處理形成開(kāi)口部分16x時(shí)接納磨蝕劑。 因而，優(yōu)選地，防止第二絕緣層14被噴射處理磨蝕。通過(guò)噴射處理形成的開(kāi)口部分16x和凹部1 具有圖4所示的形狀。這樣，形成具有開(kāi)口部分16x的第三絕緣層16。第三配線(xiàn)層15的、向開(kāi)口部分16x的內(nèi)部暴露的凹部 1 用作電連接至諸如母板的安裝板(未例示)的電極焊盤(pán)。噴射處理通過(guò)利用高壓向處理的材料吹送磨蝕劑而機(jī)械地調(diào)節(jié)處理的材料的表面粗糙度。該噴射處理包括氣噴處理(air blast process)、噴丸處理(shot blast process)、濕法噴射處理(wet blast process)等。優(yōu)選的是，使用濕法噴射處理。濕法噴射處理通過(guò)擴(kuò)散諸如氧化鋁磨粒和球形氧化硅磨粒的磨蝕劑來(lái)執(zhí)行，以使該磨蝕劑撞入要處理的目標(biāo)，由此磨蝕微小區(qū)域。利用該濕法噴射處理，與氣噴處理和噴丸處理相比，可以在不造成損壞的情況下非常精密地執(zhí)行磨蝕。而且，因?yàn)槟ノg劑被擴(kuò)散到諸如水的溶液中，所以該磨蝕劑不會(huì)作為微粒在空氣中飛散，然而磨蝕劑在氣噴處理和噴丸處理中作為微粒而在空氣中飛散。用于濕法噴射處理的諸如氧化鋁磨?；蚯蛐窝趸枘チ５哪ノg劑的粒徑大約為 5 μ m到20 μ m。在諸如水的溶劑中，諸如氧化鋁磨?；蚯蛐窝趸枘チ５哪ノg劑的濃度可以大約為14ν01%。將其中擴(kuò)散有磨蝕劑的諸如水的溶劑噴射到處理材料表面上的噴射壓力可以為0. 25MPa。開(kāi)口部分16x的側(cè)壁的表面粗糙度Ra可以大約為150nm到600nm。第三絕緣層 16的除了開(kāi)口部分16x以外的上表面的表面粗糙度Ra可以大約為150nm或更小。這是因?yàn)榈谌^緣層16的上表面通過(guò)抗蝕劑層23遮蔽，以防止磨蝕劑直接撞擊到第三絕緣層16 的上表面上。如上所述，僅使開(kāi)口部分16x的側(cè)壁變粗糙，而未使第三絕緣層16的除了開(kāi)口部分16x以外的上表面變粗糙。當(dāng)通過(guò)激光處理方法形成開(kāi)口部分16x時(shí)，將開(kāi)口部分 16x的側(cè)壁和第三絕緣層16的上表面蝕刻成具有大約500nm的表面粗糙度Ra。在需要時(shí)，可以通過(guò)電鍍?cè)诘谌渚€(xiàn)層15的、在開(kāi)口部分16x內(nèi)部暴露的凹部15x 上形成金屬層等。金屬層的示例為Au層、作為通過(guò)依次層壓Ni層和Au層而形成的金屬層的Ni/Au層、作為通過(guò)依次層壓Ni層、Pd層以及Au層而形成的金屬層的Ni/Pd/Au層等。 然而，可以在去除抗蝕劑層23之后形成金屬層等。如同通過(guò)激光處理方法和去污處理形成開(kāi)口部分16x的情況，當(dāng)?shù)谌^緣層16的上表面的表面粗糙度大(Ra大約為500nm)時(shí)，金屬層可能粘附至第三絕緣層16的上表面 (異常淀積)。當(dāng)通過(guò)噴射處理形成開(kāi)口部分時(shí)，可以省略去污處理。因此，可以將第三絕緣層16的上表面的表面粗糙度Ra減小至大約150nm。于是，可避免上述粘附問(wèn)題(異常淀積)。而且，因?yàn)殚_(kāi)口部分16x的側(cè)壁的表面粗糙度大到大約150nm到600nm的程度，所以當(dāng)在開(kāi)口部分16x內(nèi)部形成用于電連接至第三配線(xiàn)層15的焊料(例如，焊料球，或焊料突起)時(shí)，可以增強(qiáng)開(kāi)口部分16x的側(cè)壁與焊料之間的接觸。在圖14所示的處理之后，去除圖14所示的抗蝕劑層23，并且進(jìn)一步去除圖14所示的支承主體21。由此，完成圖3和圖4所示的配線(xiàn)基板10。由銅箔制成的支承主體21 可以通過(guò)利用氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液、過(guò)硫酸氨水溶液等的濕法蝕刻來(lái)去除。這時(shí)， 第一配線(xiàn)層11的從第一絕緣層12暴露的最外側(cè)層Ila是金(Au)膜。因此，可以?xún)H選擇性地蝕刻由銅箔制成的支承主體21。當(dāng)?shù)谌饘賹?5由銅(Cu)制成時(shí)，可以將第三配線(xiàn)層 15遮蔽，以防止第三配線(xiàn)層15與支承主體21 —起被蝕刻。參照?qǐng)D6至圖14，在支承主體21上形成了配線(xiàn)基板10。然而，還可以在支承主體 21上形成具有多個(gè)配線(xiàn)基板10的部件，并且通過(guò)單獨(dú)地分離配線(xiàn)基板10和所述部件來(lái)獲取多個(gè)配線(xiàn)基板10。在去除支承主體21之后，可以將作為外部連接端子的焊料球、導(dǎo)線(xiàn)引腳等連接至凹部15x。根據(jù)實(shí)施例1，可以提供一種能夠改進(jìn)與諸如母板的安裝板和諸如半導(dǎo)體芯片的電子組件的連接可靠性的配線(xiàn)基板，和該配線(xiàn)基板的制造方法。換言之，因?yàn)橥ㄟ^(guò)噴射處理形成最上側(cè)絕緣層的開(kāi)口部分，所以該最上側(cè)絕緣層的開(kāi)口部分從配線(xiàn)層側(cè)向開(kāi)口端(絕緣層的上表面)加寬，并且側(cè)壁的截面形狀是凹入且彎曲的。因此，如果配線(xiàn)層的、在開(kāi)口部分內(nèi)部暴露的上表面的面積相同，則在絕緣層16的上表面上具有凹入且彎曲的截面形狀的側(cè)壁的開(kāi)口部分的面積變得大于絕緣層16的上表面上具有直線(xiàn)截面形狀的側(cè)壁的開(kāi)口部分的面積。換言之，可接入面積不同。結(jié)果，與在日本特開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)No. 2000186362 或No. 2008-140886中描述的配線(xiàn)基板相比，可以容易地插入用于LGA插座的引腳，并且可以減少插入故障和接觸故障。此外，因?yàn)橥ㄟ^(guò)噴射處理形成絕緣層的開(kāi)口部分，所以可以省略去污處理，并且不會(huì)出現(xiàn)中空。結(jié)果，可以防止開(kāi)口部分16x附近的配線(xiàn)層15和覆蓋配線(xiàn)層15的絕緣層16 造成接觸故障。同時(shí)，凹部1 通過(guò)噴射處理形成在最上側(cè)配線(xiàn)層15的、在最上側(cè)絕緣層16的開(kāi)口部分16x內(nèi)部暴露的部分上，并且凹部1 的底面處于開(kāi)口部分附近的配線(xiàn)層15與覆蓋配線(xiàn)層15的絕緣層16之間的接觸面之下的一個(gè)臺(tái)階。因此，直接力難于施加至配線(xiàn)層15 與覆蓋該配線(xiàn)層15的絕緣層16之間的接觸面，由此，防止接觸面剝離。同時(shí)，可以使用具有和絕緣層12、14以及16的材料相同成分的非光敏絕緣樹(shù)脂。 此外，當(dāng)絕緣層包含具有大致相同量的、相同成分的填充物時(shí)，可以將絕緣層的熱膨脹系數(shù)調(diào)節(jié)成大致相同的值。因而，可以防止配線(xiàn)基板彎曲。此外，通過(guò)使絕緣層12、14以及16的熱膨脹系數(shù)更接近于配線(xiàn)層11、13或15的熱膨脹系數(shù)，可以進(jìn)一步減少配線(xiàn)基板的翹曲。對(duì)于將光敏絕緣樹(shù)脂用于最上側(cè)絕緣層的情況來(lái)說(shuō)，這種效果是不可獲得的。當(dāng)增加光敏絕緣樹(shù)脂中所包含的填充物的量時(shí)，不能執(zhí)行曝光。因此，對(duì)于可以在光敏絕緣樹(shù)脂中包含的填充物的量存在限制。難以自由地調(diào)節(jié)填充物的含量以獲得希望熱膨脹系數(shù)并且使該熱膨脹系數(shù)大約為60ppm/°C或更小。因此，不能使絕緣層12、14以及16的熱膨脹系數(shù)更接近于配線(xiàn)層熱膨脹系數(shù)(例如，大約17ppm/°C的銅(Cu)的熱膨脹系數(shù))。另一方面， 與光敏絕緣樹(shù)脂相比，非光敏絕緣樹(shù)脂在調(diào)節(jié)填充物的量的方面具有自由度。非光敏絕緣樹(shù)脂的熱膨脹系數(shù)可以在大約20ppm/°C到70ppm/°C的范圍中調(diào)節(jié)。因此，可以使絕緣層的熱膨脹系數(shù)更接近配線(xiàn)層的熱膨脹系數(shù)(例如，大約17ppm/°C的銅(Cu)的熱膨脹系數(shù))。
此外，可以利用預(yù)定掩模通過(guò)噴射處理僅使開(kāi)口部分的側(cè)壁變粗糙。當(dāng)在開(kāi)口部分內(nèi)部形成焊料、焊料球、焊料突起等時(shí)，可以通過(guò)固著效果(anchor effect)改進(jìn)開(kāi)口部分的側(cè)壁與焊料之間的接觸。而且，因?yàn)闆](méi)有使在噴射處理中被掩模覆蓋的最上側(cè)絕緣層變粗糙，所以當(dāng)通過(guò)在最上側(cè)絕緣層的開(kāi)口部分內(nèi)部暴露的配線(xiàn)層上進(jìn)行非電鍍覆來(lái)形成金屬層等時(shí)，可以防止金屬層粘附至最上側(cè)絕緣層的除開(kāi)口部分的上表面。實(shí)施例1的修改例對(duì)于實(shí)施例1，開(kāi)口部分內(nèi)部暴露的最上側(cè)絕緣層16的凹部用作要電連接至諸如母板的安裝板的電極焊盤(pán)，并且最下側(cè)配線(xiàn)層11用作從最下側(cè)絕緣層12暴露并且電連接至半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)。對(duì)于實(shí)施例1的修改例1，在開(kāi)口部分16y內(nèi)部暴露的、最上側(cè)絕緣層16的凹部用作要電連接至半導(dǎo)體芯片等的電極焊盤(pán)，而最下側(cè)配線(xiàn)層11用作從最下側(cè)絕緣層12暴露并且電連接至諸如母板的安裝板的電極焊盤(pán)。換言之，在最上側(cè)配線(xiàn)層中的、向最上側(cè)絕緣層的開(kāi)口部分暴露的凹部的節(jié)距比在修改例1中最下側(cè)配線(xiàn)層11的、從最下側(cè)絕緣層12 暴露的部分更窄。下面，省略了對(duì)和在實(shí)施例1中所描述的部分相同的部分的描述，而主要描述不同的部分。圖15是實(shí)施例1的修改例1的示例配線(xiàn)基板的截面圖。參照?qǐng)D15，實(shí)施例1的修改例1的配線(xiàn)基板IOA與配線(xiàn)基板10 (參見(jiàn)圖3)的不同之處在于第一配線(xiàn)層11用第一配線(xiàn)層IlA代替，凹槽15x用凹槽15y代替，并且開(kāi)口部分16x用開(kāi)口部分16y代替。在配線(xiàn)基板IOA中，第一配線(xiàn)層IlA位于配線(xiàn)基板IOA的最下側(cè)層中。第一配線(xiàn)層IlA包括第一層Ilc和第二層lid。第一層Ilc可以是通過(guò)依次順序?qū)訅航?Au)膜、鈀 (Pd)膜以及鎳(Ni)膜，同時(shí)將金(Au)層暴露至配線(xiàn)基板IOA的外部而形成的導(dǎo)電層。第二層Ild是包括銅(Cu)等的導(dǎo)電層。作為第一配線(xiàn)層IlA的一部分的第一層Ilc具有從第一絕緣層12暴露的部分，該部分用作連接至諸如母板的安裝板(未例示)的電極焊盤(pán)。第一配線(xiàn)層IlA的層Ilc的從第一絕緣層12暴露的部分的平面圖可以采用圓形形狀，并且該圓形形狀的直徑可以大約為200μπι到1000 μ m。從第一絕緣層11暴露的第一配線(xiàn)層IlA的層Ilc的節(jié)距可以大約為500 μ m到1200 μ m。第一配線(xiàn)層IlA的厚度可以大約為10 μ m至20 μ m。第三絕緣層16包括開(kāi)口部分16y。該開(kāi)口部分16y向開(kāi)口部分16y的開(kāi)口端加寬，并且側(cè)壁的截面圖采用凹入且彎曲的形狀。該開(kāi)口部分16y在其平面圖中采用圓形形狀，并且開(kāi)口部分16y的直徑可以大約為50μπι到130 μ m。開(kāi)口部分16y可以被形成為像半球形。在相應(yīng)開(kāi)口部分16y內(nèi)部暴露第三配線(xiàn)層15的凹部15y。該凹部15y從該凹部 15y的底面向開(kāi)口端加寬，并且側(cè)壁的截面圖采用凹入且彎曲的形狀。凹部15y的外邊緣部分未侵入到第三絕緣層16的下部中。凹部15y的側(cè)壁的最外側(cè)邊緣部分從開(kāi)口部分16y 的側(cè)壁的最內(nèi)側(cè)邊緣部分連續(xù)形成。換言之，在其截面形狀中，凹部15y的側(cè)壁的最外側(cè)邊緣部分從開(kāi)口部分16y的側(cè)壁的最內(nèi)側(cè)邊緣部分連續(xù)彎曲。凹部15y的平面圖可以類(lèi)似具有大約40 μ m到120 μ m的直徑的圓形。凹部15y的節(jié)距可以大約為100 μ m到200 μ m。凹部15y的、基于第三配線(xiàn)層15的上表面的深度可以大約為0. 5 μ m到4 μ m。凹部15y用作連接至半導(dǎo)體芯片(未例示)等的電極焊盤(pán)。在需要時(shí)，可以在凹部15y上形成金屬層等。該金屬層的示例為Au層、作為通過(guò)依次層壓Ni層和Au層而形成的金屬層的Ni/Au層、作為通過(guò)依次層壓Ni層、Pd層以及Au層而形成的金屬層的Ni/Pd/ Au層等?？梢栽诎疾?5y上形成諸如焊料球和焊料突起的外部連接端子。當(dāng)在凹部15y上形成金屬層等時(shí)，可以在該金屬層上進(jìn)一步形成諸如焊料球和焊料突起的外部連接端子。 然而，外部連接端子可以在需要時(shí)形成。開(kāi)口部分16y和凹部15y可以以和開(kāi)口部分16x與凹部1 相似的方式通過(guò)噴射處理形成。因?yàn)榕渚€(xiàn)基板IOA的制造處理類(lèi)似于配線(xiàn)基板10的制造處理，所以省略了對(duì)該制造處理的描述。通過(guò)實(shí)施例1的修改例1，可獲得與實(shí)施例1相似的效果。此外，可獲得下面的效果。與第一配線(xiàn)層11的、從第一絕緣層12暴露的部分的節(jié)距相比，通過(guò)將在最上側(cè)絕緣層 16的開(kāi)口部分16y內(nèi)部暴露的凹部15y的節(jié)距變窄，可以在凹部15y的一側(cè)上安裝半導(dǎo)體芯片等。實(shí)施例1的修改例2對(duì)于實(shí)施例1，開(kāi)口部分16x通過(guò)噴射處理形成。對(duì)于實(shí)施例1的修改例2，在通過(guò)噴射處理(即，第一噴射處理)形成開(kāi)口部分16x之后，在開(kāi)口部分16x附近提供第二噴射處理。下面，省略了對(duì)和實(shí)施例1相同的部分的描述，而主要描述不同的部分。圖16是實(shí)施例1的修改例2的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分16x和該開(kāi)口部分16x附近的部分的放大截面圖。參照?qǐng)D16，修改例2的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分16x的角部C和凹部1 的截面圖采用突出且彎曲的形狀。該突出且彎曲的形狀通過(guò)在圖14所示的第一噴射處理之后去除抗蝕劑層23并提供第二噴射處理形成。提供第二噴射處理以在非常短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行微量磨蝕。因此，如果第二噴射處理在沒(méi)有設(shè)置抗蝕劑層作為掩模的情況下執(zhí)行，可以保持第三絕緣層16的、除了開(kāi)口部分 16x以外的上表面的表面粗糙度Ra為150nm或更小。然而，可以設(shè)置具有比第三絕緣層16 上的開(kāi)口部分16x大的開(kāi)口部分的抗蝕劑層并經(jīng)由該抗蝕劑層執(zhí)行噴射處理，使得角部C 從該抗蝕劑層的開(kāi)口部分暴露，以將該角部C整形成突出且彎曲的形狀。圖17是實(shí)施例1的修改例2的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分和該開(kāi)口部分附近的部分的截面圖。參照?qǐng)D17，因?yàn)樵谠摻孛鎴D中，開(kāi)口部分16x的角部C采用突出且彎曲的形狀，所以即使通過(guò)粗略地定位諸如焊料球的導(dǎo)電球31也可以穩(wěn)定地設(shè)置該導(dǎo)電球31。這種穩(wěn)定的設(shè)置還可以在粗略地定位導(dǎo)線(xiàn)引腳等(代替導(dǎo)電球31)時(shí)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)實(shí)施例2的修改例2，可獲得與實(shí)施例1類(lèi)似的效果。此外，可獲得下面的效果。通過(guò)在截面圖中將開(kāi)口部分的角部形成為突出且彎曲的形狀，可以容易地設(shè)置諸如導(dǎo)電球和導(dǎo)線(xiàn)引腳的連接端子。實(shí)施例1的修改例3對(duì)于實(shí)施例1，通過(guò)噴射處理在最上側(cè)絕緣層16中形成在其平面圖中具有大致圓形形狀的開(kāi)口部分16x。對(duì)于實(shí)施例1的修改例3，通過(guò)噴射處理形成在其平面圖中具有大致矩形形狀的開(kāi)口部分16z。下面，省略了對(duì)和實(shí)施例1相同的部分的描述，而主要描述不同的部分。圖18是實(shí)施例1的修改例3的配線(xiàn)基板中的開(kāi)口部分16z和該開(kāi)口部分16z附
14近的部分的放大平面圖。圖19是實(shí)施例1的修改例3的具有安裝在配線(xiàn)基板中的芯片電容器的配線(xiàn)基板的截面圖。參照?qǐng)D18和圖19，開(kāi)口部分16z的截面形狀從第三配線(xiàn)層15 向開(kāi)口端加寬，并且側(cè)壁的截面形狀采用凹入且彎曲的形狀。該開(kāi)口部分被形成為從最外側(cè)配線(xiàn)層向最外側(cè)絕緣層的上表面加寬。開(kāi)口部分16z的平面圖可以大致為具有彎曲角部的矩形。開(kāi)口部分16z的尺寸可以為650μπι(Χ方向)和140(^111化方向)。在平面圖中，開(kāi)口部分16ζ的凹部15ζ可以大致為具有彎曲角部的矩形。凹部15ζ 的尺寸可以為550μπι(Χ方向)和130(^!11化方向)。相鄰凹部15ζ的節(jié)距可以根據(jù)安裝的部件的節(jié)距適當(dāng)?shù)卮_定。凹部15ζ的、基于第三配線(xiàn)層15的上表面的深度可以大約為 0. 5 μ m 至Ij 4 μ m0在相鄰凹部15z中通過(guò)焊料41安裝電容器42。然而，安裝的部件不限于電容器， 并且可以安裝諸如電阻器、電感器以及晶體管的各種電子部件。開(kāi)口部分16z和凹部15z 的尺寸和節(jié)距可以根據(jù)安裝的電子部件的尺寸和節(jié)距適當(dāng)?shù)卮_定。利用噴射處理，可以在極短的時(shí)間內(nèi)形成較大的開(kāi)口部分16z。同時(shí)，當(dāng)通過(guò)激光處理形成較大的開(kāi)口部分16z時(shí)，提供若干次照射，由此增加處理時(shí)間。因?yàn)樵谄矫鎴D中具有大致矩形形狀的開(kāi)口部分16z用于各種電子部件，所以開(kāi)口部分16z可以設(shè)置在在平面圖中具有大致圓形形狀的開(kāi)口部分16x旁邊。換言之，開(kāi)口部分16x和開(kāi)口部分16z都可以存在于同一配線(xiàn)基板上。然而，電極焊盤(pán)和電極焊盤(pán)的開(kāi)口部分可以大致成形為類(lèi)似于矩形。例如，根據(jù)要插入到開(kāi)口部分中的插座引腳的形狀，可以通過(guò)設(shè)置大致為矩形的電極焊盤(pán)、形成用于電極焊盤(pán)的大致矩形的開(kāi)口部分，以及在沿引腳的縱向設(shè)置開(kāi)口部分的縱向的同時(shí)將引腳插入到開(kāi)口部分中獲得插入引腳時(shí)的可使用性改進(jìn)的效果。對(duì)于實(shí)施例1的修改例3，可獲得和實(shí)施例1相似的效果。而且，可獲得下面的效果。與激光處理方法相比，利用噴射處理，不僅在平面圖中具有大致圓形形狀的開(kāi)口部分 16x而且在平面圖中具有大致矩形形狀的開(kāi)口部分16z在相對(duì)較短處理時(shí)間中形成。結(jié)果， 可以容易地形成用于安裝諸如電容器的各種電子部件的相對(duì)較大的開(kāi)口部分。實(shí)施例2對(duì)于實(shí)施例1的示例，最上側(cè)絕緣層由非光敏絕緣樹(shù)脂制成。對(duì)于實(shí)施例2的示例，最上側(cè)絕緣層由通過(guò)用非光敏絕緣樹(shù)脂注入玻璃布所形成的材料制成。下面，省略對(duì)和實(shí)施例1相同的部分的描述，而主要描述不同的部分。圖20是實(shí)施例2的示例配線(xiàn)基板的截面圖。圖21是例示圖20的開(kāi)口部分56x 和該開(kāi)口部分附近的部分的放大截面圖。參照?qǐng)D20和圖21，實(shí)施例2的配線(xiàn)基板50通過(guò)用第三絕緣層56替換實(shí)施例1的圖3所示的配線(xiàn)基板10的第三絕緣層16而形成。第三絕緣層56可以通過(guò)用其中環(huán)氧樹(shù)脂為主要成分的非光敏絕緣樹(shù)脂注入玻璃布來(lái)形成。第三絕緣層56的材料為具有和第一絕緣層12和第二絕緣層14的相同成分的非光敏絕緣樹(shù)脂。第三絕緣層56優(yōu)選地包含具有和第一絕緣層12和第二絕緣層14中所包含填充物相同的成分且和該填充物大致相同的量的填充物。這是為了減少在配線(xiàn)基板50 中造成的翹曲。第三絕緣層56的厚度可以大約為25 μ m到75 μ m。參照?qǐng)D22，玻璃布51通過(guò)平坦地編織彼此平行的沿X方向排列的玻璃纖維束和彼此平行的沿Y方向排列的玻璃纖維束來(lái)形成。玻璃布51是格柵狀網(wǎng)。玻璃布51是通過(guò)編織格柵狀網(wǎng)的玻璃纖維束所形成的加強(qiáng)部件的代表性示例。玻璃纖維束51a和51b中的每一個(gè)都通過(guò)包扎具有大約幾μ m寬度的玻璃纖維來(lái)形成，從而具有大約幾百μ m的寬度。 玻璃纖維束51a和51b的厚度大約為10 μ m到15 μ m。該加強(qiáng)部件不限于上述玻璃纖維束(簇)而可以是諸如碳纖維束、聚酯纖維束、季酮類(lèi)(tetronic)纖維束、尼龍纖維束、芳族聚酰胺纖維束等的纖維束。該纖維束可以不是平織的，而可以是緞織的、斜織的等。除了成品織物以外，還可以使用非編織物。作為形成配線(xiàn)基板50的絕緣層的材料，可以使用具有相同成分的非光敏絕緣樹(shù)脂。當(dāng)所有絕緣層包含具有大致相同量的相同成分的填充物時(shí)，可以減少在配線(xiàn)層50中造成的翹曲。然而，通常用作電極焊盤(pán)的配線(xiàn)層(實(shí)施例2中的第三配線(xiàn)層15)具有比其它配線(xiàn)層更低的銅面積比率(例如，占用面積相對(duì)于整個(gè)銅箔區(qū)域的比率)。配線(xiàn)基板易于因銅面積比率的差異而彎曲。因此，通過(guò)在第三絕緣層56內(nèi)部靠近第三配線(xiàn)層15設(shè)置玻璃布51，可以獲得與其中第三配線(xiàn)層15的銅面積比率增加的情況相似的效果，由此進(jìn)一步減少配線(xiàn)基板中造成的翹曲。同時(shí)，參照?qǐng)D23，當(dāng)通過(guò)激光處理方法在其中設(shè)置有玻璃布51的第三絕緣層56中形成開(kāi)口部分56x時(shí)，玻璃布51的邊緣部分從開(kāi)口部分56x的側(cè)壁突出。當(dāng)玻璃布51的邊緣部分從開(kāi)口部分56x的側(cè)壁突出并且通過(guò)非電鍍覆方法在第三配線(xiàn)層15上形成諸如 Au層的金屬層時(shí)，造成了第三配線(xiàn)層15上的鍍覆膜的厚度變小的問(wèn)題。而且，可能造成使得連接引腳難以插入或無(wú)法插入的問(wèn)題。而且，可能造成使得作為外部連接端子的焊料球、 導(dǎo)線(xiàn)引腳等難以在開(kāi)口部分56x中設(shè)置的問(wèn)題。同時(shí)，參照實(shí)施例2的圖21，玻璃布51的邊緣部分被磨蝕劑磨蝕，并且不從開(kāi)口部分56x的側(cè)壁突出。結(jié)果，不出現(xiàn)上述問(wèn)題。對(duì)于實(shí)施例2，可獲得和實(shí)施例1相似的效果。此外，可獲得下面的效果。通過(guò)利用玻璃布被注入的絕緣樹(shù)脂，可以使最上側(cè)絕緣層的熱膨脹系數(shù)達(dá)到銅的熱膨脹系數(shù)。因此，可以進(jìn)一步減少配線(xiàn)基板的翹曲。可以利用諸如玻璃布的加強(qiáng)部件使配線(xiàn)基板的強(qiáng)度變高。通過(guò)噴射處理，玻璃布的端部不從側(cè)壁突出。因此，容易在開(kāi)口部分內(nèi)部暴露的配線(xiàn)層上提供鍍覆，并且在開(kāi)口部分內(nèi)部布置連接引腳、連接焊料球、連接導(dǎo)線(xiàn)引腳等?？梢砸院蛯?shí)施例1的修改例1到3相似的方式來(lái)修改實(shí)施例2。實(shí)施例3對(duì)于實(shí)施例3，對(duì)其中在實(shí)施例1的圖3所示的配線(xiàn)基板10中安裝半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝的示例進(jìn)行描述。下面，省略對(duì)和實(shí)施例1相同的部分的描述，而主要描述不同的部分。圖M是實(shí)施例3的半導(dǎo)體封裝的截面圖。參照?qǐng)DM，半導(dǎo)體封裝70包括圖3所示的配線(xiàn)基板10、半導(dǎo)體芯片71、焊料突起74，以及底部填充(underfill)樹(shù)脂75。圖M 是通過(guò)將圖3所示的配線(xiàn)基板10顛倒過(guò)來(lái)而例示的配線(xiàn)基板10的截面圖。半導(dǎo)體芯片71包括主體72和電極焊盤(pán)73。主體72通過(guò)在薄化且由硅等制成的半導(dǎo)體基板(未例示)上設(shè)置半導(dǎo)體集成電路(未例示)來(lái)形成。電極焊盤(pán)73形成在主體72上。電極焊盤(pán)73電連接至半導(dǎo)體集成電路(未例示)。電極焊盤(pán)73的材料可以是 Au等。
突起74將半導(dǎo)體芯片71的電極焊盤(pán)73電連接至第一配線(xiàn)層11的、從配線(xiàn)基板 10的第一絕緣層12暴露的第一層11a。突起74可以是焊料突起。焊料突起的材料可以是含1 的合金、含Sn和Cu的合金、含Sn和Ag的合金、含Sn、Ag以及Cu的合金等。底部填充樹(shù)脂75設(shè)置在配線(xiàn)基板10的表面與半導(dǎo)體芯片71之間。如上所述，可以實(shí)現(xiàn)其中在實(shí)施例1的配線(xiàn)基板上安裝半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝。實(shí)施例4對(duì)于實(shí)施例4，對(duì)其中在實(shí)施例1的修改例1的圖15中所示的配線(xiàn)基板IOA中安裝半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝的示例進(jìn)行描述。下面，省略對(duì)和實(shí)施例1相同的部分的描述， 而主要描述不同的部分。圖25是實(shí)施例4的半導(dǎo)體封裝的截面圖。參照?qǐng)D25，半導(dǎo)體封裝80包括圖15所示的配線(xiàn)基板10A、半導(dǎo)體芯片81、突起84，以及底部填充樹(shù)脂85。半導(dǎo)體芯片81包括主體82和電極焊盤(pán)83。主體82通過(guò)在薄化且由硅等制成的半導(dǎo)體基板(未例示)上設(shè)置半導(dǎo)體集成電路(未例示)來(lái)形成。電極焊盤(pán)83形成在主體82上。電極焊盤(pán)83電連接至半導(dǎo)體集成電路(未例示)。電極焊盤(pán)83的材料可以是 Au等。突起84將半導(dǎo)體芯片81的電極焊盤(pán)83電連接至配線(xiàn)基板IOA的第三配線(xiàn)層15 的、從第三絕緣層16的開(kāi)口部分16y暴露的凹部15y。突起84可以是焊料突起。焊料突起的材料可以是含1 的合金、含Sn和Cu的合金、含Sn和Ag的合金、含Sn、Ag以及Cu的合金等。底部填充樹(shù)脂85設(shè)置在配線(xiàn)基板IOA的表面與半導(dǎo)體芯片81之間。如上所述，可以實(shí)現(xiàn)其中在實(shí)施例1的修改例1的配線(xiàn)基板上安裝半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝。比較例1圖沈是通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝的實(shí)施例1的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分和該開(kāi)口部分附近的部分的電子顯微鏡照片。實(shí)施例1的配線(xiàn)基板通過(guò)圖6到14所示的方法來(lái)制造。第三配線(xiàn)層15由銅(Cu)制成。第三絕緣層16由非光敏環(huán)氧樹(shù)脂形成。開(kāi)口部分16x和凹部15x通過(guò)濕法噴射處理形成，其中，磨蝕劑的微粒直徑大約為5μπι到20 μ m， 磨蝕劑的濃度大約為14V01%，并且噴射壓力大約為0. 25MPa。參照?qǐng)D沈，通過(guò)濕法噴射處理形成的開(kāi)口部分16向開(kāi)口部分16x的開(kāi)口端加寬， 并且側(cè)壁的截面圖采用凹入且彎曲的形狀，如虛線(xiàn)所示。而且，可以確認(rèn)，如虛線(xiàn)所示，凹部 1 形成在開(kāi)口部分16x內(nèi)部。第三配線(xiàn)層15的上表面用實(shí)線(xiàn)表示。圖27是通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝的比較例1的配線(xiàn)基板的開(kāi)口部分和該開(kāi)口部分附近的部分的電子顯微鏡照片。比較例1的配線(xiàn)基板的配線(xiàn)層120由銅(Cu)制成。而且，第二絕緣層130由光敏環(huán)氧樹(shù)脂形成，并且開(kāi)口部分130x通過(guò)光刻方法來(lái)形成。 參照?qǐng)D27，開(kāi)口部分130x側(cè)壁的截面圖采用用虛線(xiàn)表示的直線(xiàn)形狀，并且在開(kāi)口部分130x 內(nèi)部沒(méi)有形成凹部。配線(xiàn)層120的上表面用實(shí)線(xiàn)表示。如上所述，通過(guò)噴射處理形成的開(kāi)口部分不同于通過(guò)光刻方法形成的開(kāi)口部分。 可以確認(rèn)通過(guò)噴射處理形成的開(kāi)口部分側(cè)壁的截面圖采用凹入且彎曲的形狀，并且在開(kāi)口部分內(nèi)部暴露的最上側(cè)配線(xiàn)層具有凹部。
在上述實(shí)施例和修改例中，“最上側(cè)配線(xiàn)層”還可以稱(chēng)為最外側(cè)配線(xiàn)層，而“最下側(cè)絕緣層”還可以稱(chēng)為最內(nèi)側(cè)絕緣層。換言之，實(shí)施例和修改例的開(kāi)口部分形成在覆蓋配線(xiàn)基板的最外側(cè)絕緣層中的一個(gè)的最外側(cè)絕緣層上。對(duì)于這些實(shí)施例和修改例，可以通過(guò)累積制造方法來(lái)制造無(wú)內(nèi)核配線(xiàn)基板。然而， 本發(fā)明不限于此，而是可應(yīng)用至各種配線(xiàn)基板。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以應(yīng)用至具有內(nèi)核并且通過(guò)累積制造處理制造的配線(xiàn)基板、通過(guò)通路連接配線(xiàn)層的貫通型多層配線(xiàn)基板、或使用間隙通孔(IVH)連接特定配線(xiàn)層的間隙通孔IVH多層配線(xiàn)基板等。對(duì)于這些實(shí)施例和修改例，通過(guò)累積制造處理將配線(xiàn)層和絕緣層層壓在支承主體的表面(側(cè)面)上，并且去除該支承主體以制造無(wú)內(nèi)核配線(xiàn)基板。然而，可以通過(guò)累積制造方法將配線(xiàn)層和絕緣層層壓在支承主體的兩個(gè)表面上，并且最終去除支承主體，由此制造無(wú)內(nèi)核配線(xiàn)基板。本文記載的所有的示例和條件性語(yǔ)言旨在為了幫助讀者理解本發(fā)明和發(fā)明人相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)作出貢獻(xiàn)的構(gòu)思的教導(dǎo)目的，并且將被解釋為不限于記載的這些具體的示例和條件，而且，本說(shuō)明書(shū)中的這些示例的組織與顯示本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)無(wú)關(guān)。雖然已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改變、替換和變更。
權(quán)利要求
1.一種配線(xiàn)基板，包括 多個(gè)絕緣層；和多個(gè)配線(xiàn)層，所述多個(gè)絕緣層和多個(gè)配線(xiàn)層交替地層壓，其中，在最外側(cè)絕緣層中形成有開(kāi)口部分，以將最外側(cè)配線(xiàn)層的一部分暴露至外部； 所述開(kāi)口部分的側(cè)壁的截面形狀是凹入且彎曲的，并且所述最外側(cè)配線(xiàn)層在暴露至外部的一側(cè)上具有凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線(xiàn)基板，其中，在其截面形狀中，所述凹部的側(cè)壁的最外側(cè)邊緣部分從所述開(kāi)口部分的側(cè)壁的最內(nèi)側(cè)邊緣部分連續(xù)彎曲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線(xiàn)基板，其中，所述多個(gè)層壓絕緣層由具有相同成分的絕緣樹(shù)脂制成，并且包含具有相同成分的填充物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線(xiàn)基板，其中，所述開(kāi)口部分的側(cè)壁的表面粗糙度大于所述最外側(cè)絕緣層的上表面的表面粗糙度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線(xiàn)基板，其中，所述最外側(cè)絕緣層除了絕緣樹(shù)脂以外還包括加強(qiáng)部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線(xiàn)基板，其中，所述開(kāi)口部分從所述最外側(cè)配線(xiàn)層向所述最外側(cè)絕緣層的上表面加寬。
7.—種配線(xiàn)基板的制造方法，包括 交替地層壓多個(gè)絕緣層和多個(gè)配線(xiàn)層，通過(guò)第一噴射處理在最外側(cè)絕緣層中形成開(kāi)口部分，以將最外側(cè)配線(xiàn)層的一部分暴露至外部，通過(guò)第二噴射處理在所述最外側(cè)配線(xiàn)層中、通過(guò)所述開(kāi)口部分暴露至外部的一側(cè)上形成凹部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)基板的制造方法，其中，在層壓中，將所述多個(gè)配線(xiàn)層和所述多個(gè)絕緣層交替地層壓在支承主體上， 在通過(guò)所述第二噴射處理形成所述凹部之后，去除所述支承主體。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)基板的制造方法，還包括在所述第一噴射處理之前，設(shè)置掩模，所述掩模暴露在所述最外側(cè)絕緣層的上表面上形成所述開(kāi)口部分的部分，其中，所述第一噴射處理經(jīng)由所述掩模在所述最外側(cè)絕緣層的上表面上執(zhí)行，以形成所述開(kāi)口部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)基板的制造方法，還包括在通過(guò)所述第二噴射處理在所述開(kāi)口部分上形成所述凹部之后，執(zhí)行第三噴射處理， 以形成所述開(kāi)口部分和所述凹部的角部，以使其具有突出且彎曲的形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要7所述的配線(xiàn)基板的制造方法，其中，所述最外側(cè)絕緣層除了絕緣樹(shù)脂以外還包括加強(qiáng)部件，并且通過(guò)所述第一噴射處理形成所述開(kāi)口部分來(lái)防止所述加強(qiáng)部件的端部在所述開(kāi)口部分中凸出。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)基板的制造方法，其中，所述第一噴射處理、所述第二噴射處理或所述第一與第二噴射處理中的一種是濕法噴射處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)基板的制造方法，其中，所述開(kāi)口部分的側(cè)壁的截面形狀被形成為凹入且彎曲的。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)基板的制造方法，其中，所述開(kāi)口部分被形成為從所述最外側(cè)配線(xiàn)層向所述最外側(cè)絕緣層的上表面加
全文摘要
本發(fā)明涉及配線(xiàn)基板及其制造方法，配線(xiàn)基板包括交替地層壓的多個(gè)絕緣層和多個(gè)配線(xiàn)層，其中，在最外側(cè)絕緣層中形成有開(kāi)口部分，以將最外側(cè)配線(xiàn)層的一部分暴露至外部；所述開(kāi)口部分的側(cè)壁的截面形狀是凹入且彎曲的，并且所述最外側(cè)配線(xiàn)層在暴露至外部的一側(cè)上具有凹部。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102270624SQ201110143968
公開(kāi)日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者下平朋幸, 中村順一, 田邊勝利, 近藤人資 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社