專利名稱：電路布線形成方法、電路基板及布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在電路基板形成電路布線的電路布線形成方法、采用該電路布線形成方法形成的電路基板及采用該電路布線形成方法形成的布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜。
背景技術(shù)：
一直以來，在電路基板安裝使用半導(dǎo)體裝置。近年，隨著半導(dǎo)體裝置的高性能化及小型化的發(fā)展，安裝半導(dǎo)體裝置的電路基板也要求小型化及高性能化。為了使電路基板小型化，要求在電路基板形成的電路布線的微細化及高密度化。為了使電路基板高性能化，要求低阻抗的電路布線(截面積大、無缺陷)。專利文獻1公開了圖形形成方法、裝置及裝置的制造方法、電光裝置、電子設(shè)備以及有源矩陣基板的制造方法。作為圖形形成方法，公開了配置含有金屬的功能液并使該功能液固化而形成電路布線的方法，該方法通過在形成電路布線的區(qū)域部分地形成寬幅部分，從寬幅部分導(dǎo)入功能液，使功能液易于進入電路布線形成區(qū)域。專利文獻2公開了通過形成電路圖形，形成覆蓋該電路圖形的絕緣樹脂層，在絕緣樹脂層形成使電路圖形露出的溝槽，并在溝槽配置金屬而形成圖形厚度厚的電路圖形的電路形成方法。專利文獻1 日本特開2005-12181號公報專利文獻2 日本特開2009-117415號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，專利文獻1公開的方法中，含有金屬的功能液流入后，由于顯著發(fā)生流動分布不均，導(dǎo)致功能液不能充分填充形成電路布線的區(qū)域的寬度狹小部分的可能性，存在構(gòu)成電路布線的電路布線膜的膜厚容易變得不均勻的問題。專利文獻2公開的方法中，由于無法使電路布線的寬度比最初形成的電路圖形中的電路圖形的布線的寬度小，因此存在電路布線的寬度無法比一定的寬度小的問題。例如， 若采用權(quán)利要求3所述的噴墨方式，則無法形成比排出并滴著的液滴的滴著徑小的寬度的圖形，因此存在微細化有限的問題。本發(fā)明為了解決上述課題的至少一部分而提出，可以以下的形態(tài)或適用例實現(xiàn)。[適用例1]本適用例的電路布線形成方法，是形成電路基板中的電路布線的電路布線形成方法，其特征在于，包括溝槽形成步驟，其在形成上述電路布線的布線基體材料上形成與上述電路布線的形狀對應(yīng)的溝槽；疏液處理步驟，其至少將上述布線基體材料的基體材料面和上述溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性； 催化劑配設(shè)步驟，其在上述溝槽配設(shè)包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體；以及膜形成步驟，其通過在包含上述溝槽的范圍配設(shè)鍍敷液，利用上述導(dǎo)電層形成用催化劑將導(dǎo)電性材料從上述鍍敷液析出，形成構(gòu)成上述電路布線的導(dǎo)電性電路布線膜。根據(jù)本適用例的電路布線形成方法，由于利用導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出金屬膜，因此可以僅僅在催化劑的配設(shè)部分選擇地形成金屬膜。由于導(dǎo)電層形成用催化劑在溝槽形成成為鍍敷的核的金屬催化劑，因此不會影響電路布線膜的膜厚。另外，由于例如通過無電鍍敷(化學(xué)鍍)等的鍍敷析出導(dǎo)電材料，因此可使形成電路布線的電路布線膜實質(zhì)上不會變得不均勻，從而可形成均勻電路布線。導(dǎo)電層形成用催化劑可選擇粘度低流動性佳的液狀體，即使是微細溝也可以容易地配設(shè)。溝槽可通過在布線基體材料蝕刻(雕刻)溝而形成，因此可容易地形成微細且深的溝槽。通過在微細且深的溝槽配置導(dǎo)電層形成用催化劑，利用該導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出金屬膜，可以容易地形成具有與微細且深的溝槽的形狀近似同樣的形狀且布線基體材料的平面方向的寬度微細的電路布線膜。即使是布線基體材料的平面方向的寬度微細，且與布線基體材料的平面方向近似正交的方向的厚度例如比寬度厚的電路布線膜， 也可以容易地形成。通過將基體材料面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性，可以抑制在基板面上配設(shè)導(dǎo)電層形成用催化劑。通過抑制導(dǎo)電層形成用催化劑配設(shè)在形成溝槽的基板面，可以抑制在基板面上形成導(dǎo)電層并由該導(dǎo)電層引起與溝槽內(nèi)形成的導(dǎo)電層間短路的情況。通過將溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性，可以抑制在溝槽的側(cè)壁面配設(shè)導(dǎo)電層形成用催化劑。從而，通過利用導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出導(dǎo)電性材料而形成電路布線膜時，導(dǎo)電性材料主要從溝槽的底面進行層疊而形成電路布線膜，因此，可以形成從一個方向?qū)盈B的具有一樣截面的電路布線膜。[適用例2]上述適用例的電路布線形成方法，優(yōu)選的是，上述溝槽形成步驟中，通過激光加工形成上述溝槽。根據(jù)該電路布線形成方法，激光加工可通過縮小激光值徑進行微加工，采用激光加工作為形成溝槽的加工方法，可形成線寬微細的溝槽，并且可精確形成溝槽的形狀。即使是微細且深度比寬度深的溝槽也可以容易地形成。[適用例3]上述適用例的電路布線形成方法，優(yōu)選的是，還包括去污處理步驟。根據(jù)該電路布線形成方法，可通過去污處理步驟，除去污物。通過除去污物來除去溝槽內(nèi)及側(cè)壁等的污物，可以使包含導(dǎo)電層形成用催化劑的功能液容易流入，抑制由無法填充包含導(dǎo)電層形成用催化劑的功能液的情況在電路布線膜產(chǎn)生缺陷。[適用例4]上述適用例的電路布線形成方法，優(yōu)選的是，上述催化劑配設(shè)步驟包括采用噴墨方式的排出裝置將包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體在上述溝槽的一部分滴著而配設(shè)的步驟。根據(jù)該電路布線形成方法，采用噴墨方式的排出裝置在溝槽配置包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體。噴墨方式的排出裝置可以在任意的位置以任意量精確配置液狀體。因而，可以在微細溝槽中的適切位置精確配置液狀體。另外，可以使應(yīng)該配置的適切配置量的液狀體不會配置過量或不足。[適用例5]上述適用例的電路布線形成方法，優(yōu)選的是，上述催化劑配設(shè)步驟包括在上述溝槽的寬幅部分配置包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體，使配置的上述
5液狀體通過毛細管現(xiàn)象配設(shè)在上述寬幅部分以外的部分的步驟。根據(jù)該電路布線形成方法，通過利用毛細管現(xiàn)象，即使在微細部分也可以配置液狀體。即使是如下的細微溝槽，也可以實質(zhì)上不會從溝槽溢出液狀體地進行配置，該細微溝槽是由于應(yīng)該配置的溝槽小，在直接配置液狀體的場合，液狀體也配置在溝槽的周圍的微細溝槽。[適用例6]上述適用例的電路布線形成方法，優(yōu)選的是，上述膜形成步驟具有通過無電鍍敷形成上述電路布線膜的步驟。根據(jù)該電路布線形成方法，可以通過無電鍍敷在配設(shè)了導(dǎo)電層形成用催化劑的溝槽的部分選擇地形成電路布線膜。[適用例7]上述適用例的電路布線形成方法，優(yōu)選的是，上述膜形成步驟具有通過無電鍍敷形成上述電路布線膜的步驟和通過電解鍍敷形成上述電路布線膜的步驟。根據(jù)該電路布線形成方法，可以通過無電鍍敷在配設(shè)了導(dǎo)電層形成用催化劑的溝槽的部分選擇地形成電路布線膜。通過并用無電鍍敷和電解鍍敷，與僅僅通過無電鍍敷形成電路布線膜的場合相比，可以縮短形成所要的時間。[適用例8]本適用例的電路基板，其特征在于，具備采用電路布線形成方法形成的電路布線，上述電路布線形成方法包括溝槽形成步驟，其在形成電路布線的布線基體材料上形成與上述電路布線的形狀對應(yīng)的溝槽；疏液處理步驟，其至少將上述布線基體材料的基體材料面和上述溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性；催化劑配設(shè)步驟，其在上述溝槽配設(shè)包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體； 以及膜形成步驟，其通過在包含上述溝槽的范圍配設(shè)鍍敷液，利用上述導(dǎo)電層形成用催化劑將導(dǎo)電性材料從上述鍍敷液析出，形成構(gòu)成上述電路布線的導(dǎo)電性電路布線膜。根據(jù)本適用例的電路基板，由于形成電路基板具備的電路布線的電路布線形成方法利用導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出金屬膜，因此可以僅僅在催化劑的配設(shè)部分選擇地形成金屬膜。導(dǎo)電層形成用催化劑在溝槽形成成為鍍敷的核的金屬催化劑，因此不影響電路布線膜的膜厚，另外，由于通過無電鍍敷等的鍍敷析出導(dǎo)電材料，可以使形成電路布線的電路布線膜實質(zhì)上不會變得不均勻。從而，可形成均勻的電路布線。導(dǎo)電層形成用催化劑可選擇粘度低流動性佳的液狀體，即使是微細溝也可以容易地配設(shè)。溝槽可通過在布線基體材料蝕刻溝而形成，因此可容易地形成微細且深的溝槽。通過在微細且深的溝槽配置導(dǎo)電層形成用催化劑，利用該導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出金屬膜，可以容易地形成具有與微細且深的溝槽的形狀近似同樣的形狀且布線基體材料的平面方向的寬度微細的電路布線膜。通過將溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性，可以抑制在溝槽的側(cè)壁面配設(shè)導(dǎo)電層形成用催化劑。從而，通過利用導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出導(dǎo)電性材料而形成電路布線膜時，導(dǎo)電性材料主要從溝槽的底面進行層疊而形成電路布線膜，因此，可以形成從一個方向?qū)盈B的具有一樣截面的電路布線膜。從而，可以形成具有均勻且電路基板的平面方向的寬度微細的電路布線膜的微細電路布線，因此，可以實現(xiàn)抑制了電路布線無法微細化而變大的情況的電路基板。[適用例9]上述適用例的電路基板，優(yōu)選的是，上述催化劑配設(shè)步驟包括在上述溝槽的寬幅部分配置包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體，使配置的上述液狀體通過毛細管現(xiàn)象配設(shè)在上述寬幅部分以外的部分的步驟。根據(jù)該電路基板，形成電路基板具備的電路布線時，通過利用毛細管現(xiàn)象，即使在微細部分也可以配置液狀體。即使是如下的細微溝槽，也可以實質(zhì)上不會從溝槽溢出液狀體地進行配置，該細微溝槽是由于應(yīng)該配置的溝槽小，在直接配置液狀體的場合，液狀體也配置在溝槽的周圍的微細溝槽。[適用例10]本適用例的布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜，其特征在于，采用電路布線膜形成方法形成，上述電路布線形成方法包括溝槽形成步驟，其在形成電路布線膜的布線基體材料上形成與上述電路布線膜的形狀對應(yīng)的溝槽；疏液處理步驟，其至少將上述布線基體材料的基體材料面和上述溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性；催化劑配設(shè)步驟，其在上述溝槽配設(shè)包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體；以及膜形成步驟，其通過在包含上述溝槽的范圍配設(shè)鍍敷液，由上述導(dǎo)電層形成用催化劑將導(dǎo)電性材料從上述鍍敷液析出，形成導(dǎo)電性電路布線膜。根據(jù)本適用例的布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜，由于形成電路布線膜的電路布線膜形成方法利用導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出金屬膜，因此可以僅僅在催化劑的配設(shè)部分選擇地形成金屬膜。導(dǎo)電層形成用催化劑在溝槽形成成為鍍敷的核的金屬催化劑，因此不影響電路布線膜的膜厚，另外，由于通過無電鍍敷等的鍍敷析出導(dǎo)電材料，可以使形成電路布線的電路布線膜實質(zhì)上不會變得不均勻。從而，可形成均勻的電路布線膜。導(dǎo)電層形成用催化劑可選擇粘度低流動性佳的液狀體，即使是微細溝也可以容易地配設(shè)。溝槽可通過在布線基體材料蝕刻溝而形成，因此可容易地形成微細且深的溝槽。通過在微細且深的溝槽配置導(dǎo)電層形成用催化劑，由該導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出金屬膜，可以容易地形成具有與微細且深的溝槽的形狀近似同樣的形狀且布線基體材料的平面方向的寬度微細的電路布線膜。通過將溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性，可以抑制在溝槽的側(cè)壁面配設(shè)導(dǎo)電層形成用催化劑。從而，通過由導(dǎo)電層形成用催化劑從鍍敷液析出導(dǎo)電性材料而形成電路布線膜時，導(dǎo)電性材料主要從溝槽的底面進行層疊而形成電路布線膜，因此，可以形成從一個方向?qū)盈B的具有一樣截面的電路布線膜。從而，可容易地形成均勻且布線基體材料的平面方向的寬度微細的電路布線膜， 因此可以容易形成布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜。[適用例11]上述適用例的布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜，優(yōu)選的是，上述催化劑配設(shè)步驟包括在上述溝槽的寬幅部分配置包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體，使配置的上述液狀體通過毛細管現(xiàn)象配設(shè)在上述寬幅部分以外的部分的步馬聚ο根據(jù)該布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜，形成電路布線膜時，通過利用毛細管現(xiàn)象，即使在微細部分也可以配置液狀體。即使是如下的細微溝槽，也可以實質(zhì)上不會從溝槽溢出液狀體地進行配置，該細微溝槽是由于應(yīng)該配置的溝槽小，在直接配置液狀體的場合，液狀體也配置在溝槽的周圍的微細溝槽。


圖1的(a)是電路基板的概要的平面圖，(b)是電路基板具備的連接布線的截面形狀的截面圖。圖2是電路布線形成步驟的流程圖。圖3的(a)是電路布線形成前的基體材料體的截面的說明圖，(b)是溝槽的截面的說明圖，(c)是溝槽的放大截面的說明圖，(d)是去污(desmear，清潔)處理的情形的說明圖，(e)是去污處理后的溝槽的放大截面的說明圖。圖4的(f)是配置催化劑功能液的狀態(tài)的說明圖，(g)是形成過孔(via)的附近的溝槽的平面形狀的說明圖，(h)是供給無電鍍敷液的狀態(tài)的說明圖，⑴是通過無電鍍敷部分地形成連接布線的狀態(tài)的說明圖，(j)是形成了連接布線的電路基板的截面的說明圖。圖5的(a)是去污處理后形成連接布線的溝槽的截面的說明圖，(b)是疏液性處理后的區(qū)域和形成了導(dǎo)電層形成用催化劑的膜的區(qū)域的關(guān)系的說明圖，(c)是形成的布線薄膜的截面形狀的說明圖，(d)是形成了連接布線的電路基板的截面的說明圖，(e)是疏液性處理后的區(qū)域和形成了導(dǎo)電層形成用催化劑的膜的區(qū)域的關(guān)系的其他例的說明圖，(f)是形成的布線薄膜的截面形狀的說明圖，(g)是形成了連接布線的電路基板的截面的說明圖。標(biāo)號說明10...電路基板，11...基體材料體，12...芯片區(qū)域，14...芯片襯墊(di印ad)， 15...連接布線，16...電路布線，17...電路布線膜，17a...布線薄膜，17b...布線膜體，17c...布線薄膜，17d...布線膜體，17e...間隙，17f...電路布線膜，19...預(yù)浸材料(prepreg),21. · ·溝槽(trench)，21A. · ·溝槽，22. · ·污物(smear)，23. · ·接觸區(qū)溝槽 (land trench), 30...去污處理液，31...催化劑功能液，33...無電鍍敷液，41...排出頭， 51...表面，52...側(cè)壁面，54...底面，55...導(dǎo)電層形成用催化劑層。
具體實施例方式以下，參照

電路布線形成方法、電路基板及布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜。本實施例以用于安裝半導(dǎo)體裝置的電路基板及在電路基板形成電路布線的步驟為例進行說明。另外，以下的說明中參照的附圖為了便于圖示，有部件或部分的縱橫的比例尺以不同于實物進行表現(xiàn)的情況。<電路基板>首先，參照圖1說明電路基板10。圖1是電路基板的概要的說明圖。圖1 (a)是電路基板的概要的平面圖，圖1(b)是電路基板具備的連接布線的截面形狀的截面圖。電路基板10是安裝半導(dǎo)體裝置并在基板上密封安裝的半導(dǎo)體裝置的封裝基板。 如圖1(a)所示，電路基板10在大致近似中央部分設(shè)定設(shè)置半導(dǎo)體芯片的芯片區(qū)域12，在芯片區(qū)域12的周圍形成芯片襯墊14。電路基板10具有銅等的良導(dǎo)體組成的電路布線16。 電路布線16由芯片襯墊14等的端子、連接端子間的連接布線15、通孔和/或通孔的接觸區(qū)等的電路布線膜17連接而形成。如圖1(b)所示，連接布線15是具有厚度大于寬度的截面的電路布線膜17。厚度與寬度之比為例如5到10左右。通過采用這樣的截面形狀，可提高電路基板10的基體材料即基體材料體11的面中的連接布線15的配設(shè)密度，并確保連接布線15的截面積。
<電路布線形成步驟>接著，參照圖2、圖3、及圖4說明形成電路布線的步驟(工序)。圖2是電路布線形成步驟的流程圖。圖3及圖4是電路布線形成步驟的各步驟中的電路基板的狀態(tài)的說明圖。圖3(a)是電路布線形成前的基體材料體的截面的說明圖，圖3(b)是溝槽的截面的說明圖，圖3(c)是溝槽的放大截面的說明圖，圖3(d)是去污處理的情形的說明圖，圖3(e)是去污處理后的溝槽的放大截面的說明圖。圖4(f)是配置催化劑功能液的狀態(tài)的說明圖，圖 4(g)是形成過孔的附近的溝槽的平面形狀的說明圖，圖4(h)是供給無電鍍敷液的狀態(tài)的說明圖，圖4(i)是通過無電鍍敷部分地形成連接布線的狀態(tài)的說明圖，圖4(j)是形成了連接布線的電路基板的截面的說明圖。如圖3 (a)所示，基體材料體11通過例如層疊預(yù)浸材料(pr印reg) 19而形成。圖 3(a)所示的電路布線膜17形成前的狀態(tài)、圖4(j)所示的形成了電路布線膜17的狀態(tài)、電路布線膜17形成中途的狀態(tài)都表示為基體材料體11。電路布線膜17形成前的狀態(tài)的基體材料體11與布線基體材料相當(dāng)。首先，圖2的步驟Sl中，如圖3(b)所示，形成溝槽21等的溝槽21A。圖3 (b)所示的溝槽21是在形成電路布線膜17(電路布線16)中的連接布線15的位置形成的溝槽。 溝槽21是深度為寬度的例如5倍以上的溝。溝槽21等的溝槽21A例如通過激光加工蝕刻(雕刻)預(yù)浸材料19而形成。激光加工的光源可采用準(zhǔn)分子激光、C02激光、YAG (釔鋁石榴石)激光等。接著，在圖2的步驟S2中，實施去污處理。如圖3(c)所示，存在伴隨激光加工而熔融的樹脂等形成的污物22殘留在溝槽 21(21A)的壁或者一旦分離的污物22落下而殘留在溝槽21 (21A)的底部的可能性。污物 22的部分無法用構(gòu)成電路布線膜17的金屬(本實施例中用銅)填充，有成為電路布線膜 17的缺陷的情況。去污處理步驟具有清洗步驟、污物除去步驟、中和步驟、清洗步驟。污物除去步驟如圖3(d)所示，是用去污處理液30溶解污物22的步驟。去污處理液30是可溶解污物的刻蝕液。污物除去步驟前實施的清洗步驟是在污物除去步驟之前清洗溝槽21等，使去污處理液30容易浸入溝槽21的步驟。中和步驟是中和去污處理液30的步驟，中和步驟后實施的清洗步驟是清洗中和的去污處理液30的步驟。實施去污處理，如圖3(e)所示，除去溝槽21 (21A)的污物22。接著，圖2的步驟S3中，對基體材料體11的表面及溝槽21A的側(cè)壁面實施對催化劑功能液31 (參照圖4(f)及(g))具有疏液性的疏液化處理。該疏液化處理最好是對無電鍍敷液33(參照圖4(h))也具有疏液性的處理。疏液性處理例如采用以四氟化碳為處理氣體的CF4等離子體處理實施。由等離子體形成的四氟化碳基團作用于基體材料體U的表面及溝槽21A的側(cè)壁面的樹脂表面，生成具有疏液性的官能團。通過生成官能團，基體材料體U的表面及溝槽21A的側(cè)壁面改質(zhì)為疏液性。處理溝槽21A的側(cè)壁時，四氟化碳基團也作用于與側(cè)壁相連的溝槽21A的底面的可能性高，但是例如通過調(diào)節(jié)處理時間，可以抑制底面改質(zhì)為疏液性。溝槽21A的底面與基體材料體11的表面及溝槽21A的側(cè)壁相比，位于離發(fā)生等離子體的等離子體單元較遠的位置，因此，發(fā)生的等離子體所生成的四氟化碳基團難以到達。從而，通過調(diào)節(jié)處理時間，可以抑制底面改質(zhì)為疏液性。對于實際的電路布線，最好通過實驗等求出可使基體材料體11的表面及溝槽21A 的側(cè)壁面改質(zhì)為疏液性而抑制底面改質(zhì)為疏液性或使底面不會改質(zhì)為疏液性的適當(dāng)處理時間。另外，通過調(diào)節(jié)處理時間，難以使改質(zhì)為疏液性的部分和未改質(zhì)的部分以形成明確邊界的狀態(tài)分離。因而，處理時間最好設(shè)定成例如使側(cè)壁中存在改質(zhì)部分和未改質(zhì)部分，而底面全部為未改質(zhì)的處理時間。步驟S3的將基體材料體11的表面及溝槽21A的側(cè)壁面處理為對催化劑功能液31 具有疏液性的步驟與疏液處理步驟相當(dāng)。接著，圖2的步驟S4中，在溝槽21A配置催化劑功能液31。催化劑功能液31對溝槽21A的配置步驟具有催化劑液滴配設(shè)步驟和催化劑液浸入步驟。催化劑液滴配設(shè)步驟通過采用例如噴墨方式的液滴排出裝置在溝槽21A中的寬度寬的部分滴著液滴而實施。噴墨方式的液滴排出裝置通過使具備排出液滴的排出噴嘴的排出頭41和液滴滴著的工件相對移動，使工件的液滴配置部精確位于與排出噴嘴對向的位置，可對工件的任意的位置精確地滴著液滴。液滴的大小可精確地設(shè)為一定的大小。 通過采用噴墨方式的液滴排出裝置，可以在溝槽21A的期望部分配置期望量的催化劑液。 催化劑液滴配設(shè)步驟中，如圖4(f)所示，為了形成與過孔(via hole)的端連接的接觸區(qū) (land)，對在過孔的下孔M的開口端形成的接觸區(qū)溝槽23等排出催化劑功能液31的液滴，配置催化劑功能液31。接觸區(qū)溝槽23是溝槽21A中的寬度寬的部分。溝槽21A中，如溝槽21，對于寬度比催化劑功能液31的液滴徑小的部分，通過催化劑液浸入步驟來滲透催化劑功能液31。如圖4(g)所示，例如使在接觸區(qū)溝槽23那樣的寬幅部分配設(shè)的催化劑功能液31通過毛細管現(xiàn)象吸入而浸入溝槽21那樣的窄幅部分。為了使催化劑功能液31容易通過毛細管現(xiàn)象吸入，最好選擇粘度低的液體。多數(shù)的半導(dǎo)體裝置的封裝基板即使大，外形尺寸也為3cm左右。確認(rèn)在該封裝基板中的溝槽21中，可充分實現(xiàn)3cm左右的浸入距離。催化劑功能液31是包含鈀離子的液狀體，以從催化劑功能液 31析出的金屬鈀的核為開端，進行銅鍍敷。因而，催化劑功能液31只要配設(shè)為能夠以析出金屬可析出的密度嵌入鈀的核的程度就足夠了，不必具有導(dǎo)電層的功能。溝槽21A的底面的各部中，只要配置為析出速率沒有問題的程度即可，也不必均勻配置。接著，圖2的步驟S5中，焙燒催化劑功能液31。焙燒例如以70°C到250°C左右的焙燒溫度實施30分鐘到1小時，使功能液的溶劑脫離。通過焙燒催化劑功能液31，催化劑功能液31所包含的鈀離子成為金屬鈀，在溝槽21A的底面形成導(dǎo)電層形成用催化劑的層。 催化劑功能液31與包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體相當(dāng)。接著，步驟S6中，實施鍍敷步驟，形成電路布線膜17。鍍敷步驟具有無電鍍敷步驟和電解鍍敷步驟。無電鍍敷步驟中，如圖4(h)所示，在包含形成催化劑膜的溝槽21A的區(qū)域配置無電鍍敷液33?？梢圆捎糜纱呋瘎臒o電鍍敷液33的銅離子析出金屬銅，以銅等金屬作為還原劑的氧化還原系的中性無電鍍敷液。該鍍敷液具有析出速率快的特征和對基體材料(基體材料體11)、導(dǎo)電層形成用催化劑層無損壞的優(yōu)點，作為無電鍍敷液是優(yōu)選的。另外，也可以采用一般的堿性的鍍敷液。電解鍍敷步驟通過采用布線薄膜17a作為導(dǎo)電層并在布線薄膜17a上層疊金屬銅，形成電路布線膜17。這里，參照圖5說明疏液性處理后的區(qū)域和形成的電路布線膜17的截面形狀的關(guān)系。圖5是層疊銅而形成電路布線膜的步驟中的電路基板的連接布線部分的截面形狀的說明圖。圖5(a)是去污處理后的形成連接布線的溝槽的截面的說明圖，圖5(b)是疏液性處理后的區(qū)域和形成了導(dǎo)電層形成用催化劑的膜的區(qū)域的關(guān)系的說明圖，圖5(c)是形成的布線薄膜的截面形狀的說明圖，圖5(d)是形成了連接布線的電路基板的截面的說明圖。 圖5(e)是疏液性處理后的區(qū)域和形成了導(dǎo)電層形成用催化劑的膜的區(qū)域的關(guān)系的其他例的說明圖，圖5(f)是形成的布線薄膜的截面形狀的說明圖，圖5(g)是形成了連接布線的電路基板的截面的說明圖。圖5(a)所示的溝槽21(21A)是與上述圖3(e)所示的除去了污物22的溝槽 21(21A)同樣的溝槽21。首先，如上所述，說明將基體材料體11的表面51及溝槽21A(溝槽21)的側(cè)壁面 52處理為對催化劑功能液31具有疏液性的情況。如圖5(b)所示，在表面51及側(cè)壁面52處理為對催化劑功能液31具有疏液性的場合，僅僅在溝槽21的底面M形成導(dǎo)電層形成用催化劑層55。接著，如圖5 (c)所示，通過實施無電鍍敷處理，布線薄膜17a形成與導(dǎo)電層形成用催化劑層55層疊的狀態(tài)。導(dǎo)電層形成用催化劑層55僅僅在底面M形成，因此布線薄膜 17a在溝槽21的底面M形成。接著，通過實施電解鍍敷處理，如圖5(d)所示，布線膜體17b形成與布線薄膜17a 層疊的狀態(tài)。布線薄膜17a在溝槽21的底面M形成平面狀，因此，布線膜體17b的平面層疊而變厚，截面形成近似長方形形狀。由布線薄膜17a和布線膜體17b形成具有近似長方形形狀的截面的電路布線膜17。接著，說明僅僅將基體材料體11的表面51處理為對催化劑功能液31具有疏液性的情況。如圖5(e)所示，僅僅將表面51處理為對催化劑功能液31具有疏液性的場合，除了溝槽21A的底面M，催化劑功能液31還附著在溝槽21A的側(cè)壁面52，在底面M和側(cè)壁面52形成導(dǎo)電層形成用催化劑層55。接著，通過實施無電鍍敷處理，如圖5 (f)所示，布線薄膜17c形成與導(dǎo)電層形成用催化劑層55層疊的狀態(tài)。導(dǎo)電層形成用催化劑層55在底面M和側(cè)壁面52形成，因此，布線薄膜17c在溝槽21的底面M和側(cè)壁面52形成，具有近似U字形狀的截面形狀。接著，通過實施電解鍍敷處理，如圖5(g)所示，布線膜體17d形成與布線薄膜17c 層疊的狀態(tài)。布線薄膜17c在溝槽21的底面M和側(cè)壁面52形成，具有近似U字形狀的截面形狀，因此，布線膜體17d形成從3個方向填埋近似U字形狀的內(nèi)側(cè)空間的狀態(tài)。隨著布線膜體17d的形成，近似U字形狀的內(nèi)側(cè)空間變窄，難以進行鍍敷液的供給，因此，近似U字形狀的內(nèi)側(cè)空間不會被埋盡，留下間隙17e的可能性高。由于間隙17e的殘留，形成的電路布線膜17f成為在近似長方形截面中包含間隙17e的膜的可能性高。由于電路布線膜17f 在近似長方形截面中包含間隙17e，與具有截面的全體狀態(tài)為近似一樣的近似長方形形狀的截面的電路布線膜17比，導(dǎo)電特性劣化的可能性高。接著，圖2的步驟S7中，除去在步驟S3形成的基體材料體11的表面的表面處理
11層(疏液層)。表面處理層的除去是為了防止進一步加工形成了電路布線16的基體材料體 11時表面處理層的存在造成影響。當(dāng)然，在進一步加工時若沒有影響或者不必進一步加工的場合，也可以不進行除去。實施步驟S7，在基體材料體11形成電路布線膜17后，形成電路布線16的電路布線形成步驟結(jié)束。以下，記載了實施例的效果。根據(jù)本實施例，可獲得以下的效果。(1)連接布線15是具有厚度大于寬度的截面的電路布線膜17。從而，可以抑制連接布線15的線寬的減少所伴隨的連接布線15的截面積的減少，因此，可以抑制連接布線15 的線寬變小起因的連接布線15的導(dǎo)電能力的劣化，可以減小連接布線15的線寬及配設(shè)間距。(2)將基體材料體11的表面處理為對催化劑功能液31具有疏液性。從而，可抑制催化劑功能液31在基體材料體11的表面附著。催化劑功能液31在基體材料體11的表面附著后，由于在基體材料體11的表面形成導(dǎo)電性膜，有通過該導(dǎo)電性膜使相鄰的連接布線15等短路的可能性。通過將基體材料體11的表面處理為疏液性，可以減小這樣的短路的可能性。(3)將溝槽21A(溝槽21)的側(cè)壁面52處理為對催化劑功能液31具有疏液性。從而，可形成具有截面的全體狀態(tài)為近似一樣的近似長方形形狀的截面的電路布線膜17。可抑制像未將側(cè)壁面52處理為對催化劑功能液31具有疏液性的場合那樣因在截面中包含間隙17e而導(dǎo)致導(dǎo)電特性劣化的情況。(4)溝槽21A通過激光加工蝕刻預(yù)浸材料19而形成。通過采用激光加工，可迅速形成精確形狀的溝槽21A。即使是深度比溝槽21的寬度深的溝槽也可以容易地形成。(5)催化劑液滴配設(shè)步驟中，向接觸區(qū)溝槽23等排出催化劑功能液31的液滴，配置催化劑功能液31。通過將接觸區(qū)溝槽23這樣的比溝槽21A的其他部分寬的部分設(shè)為催化劑功能液31的液滴的滴著位置，可以抑制將催化劑功能液31的液滴滴著到溝槽21A外的部分。(6)對于溝槽21這樣的寬度比催化劑功能液31的液滴徑小的部分，可以通過使在接觸區(qū)溝槽23這樣的寬幅部分配設(shè)的催化劑功能液31通過毛細管現(xiàn)象吸入而浸入溝槽 21這樣的窄幅部分的催化劑液浸入步驟來滲透催化劑功能液31。從而，可在溝槽21這樣的微細部分配置催化劑功能液31。另外，配置催化劑功能液31時，可抑制催化劑功能液31 附著到溝槽21A外的部分。(7)鍍敷步驟具有無電鍍敷步驟和電解鍍敷步驟。通過實施電解鍍敷步驟，與無電鍍敷步驟相比，可以短時間形成電路布線膜17。以上，參照

了優(yōu)選實施例，但是優(yōu)選實施例不限于上述實施例。實施例可以在不脫離要旨的范圍內(nèi)進行各種變更，也可以實施如下。(變形例1)上述實施例中，電路布線形成步驟的鍍敷步驟具有無電鍍敷步驟和電解鍍敷步驟，但是，除了無電鍍敷步驟，不一定必須實施電解鍍敷步驟。電路布線形成方法也可以是僅僅由無電鍍敷形成電路布線膜的方法。(變形例2)
上述實施例中，采用噴墨方式的液滴排出裝置在溝槽21A配置催化劑功能液31， 但是，為了配設(shè)包含導(dǎo)電層形成用催化劑的功能液，不一定必須采用噴墨方式的液滴排出裝置。可以采用與噴墨方式不同方式的液滴排出裝置，也可以采用與液滴排出裝置不同的裝置，來配置功能液。(變形例3)上述實施例中，形成電路布線的步驟中，實施了具有清洗步驟、污物除去步驟、中和步驟、清洗步驟的去污處理步驟。但是，實施去污處理步驟不是必須的。溝槽形成時若可以抑制污物的發(fā)生，則形成電路布線的步驟也可以是不具有去污處理步驟的步驟。(變形例4)上述實施例中，在形成電路布線的步驟中，實施具有清洗步驟、污物除去步驟、中和步驟、清洗步驟的去污處理步驟。污物除去步驟中，隨著污物22被去污處理液30溶解，溝槽21A的壁面也被溶解。 溝槽21A的壁面被溶解的話，有溝槽21A的形狀改變的情況和溝槽21A的壁面被微小溶解而形成微細孔的情況。溝槽21A的形狀改變意味著最好不實施去污處理的污物除去步驟。 在溝槽21A的壁面形成微細孔意味著壁面的微細孔在促進催化劑功能液31的吸附的同時具有提高從無電鍍敷液33析出的銅的附著力的效果，因此最好實施污物除去步驟。污物除去步驟最好考慮這些條件來確定實施或不實施，或確定實施條件。(變形例5)上述實施例中，疏液性處理采用CF4等離子體處理進行實施，但是，將基體材料面處理為疏液性的處理方法不限于CF4等離子體處理。疏液性膜可以通過涂敷改質(zhì)為疏液性的改質(zhì)液來實施，也可以通過涂敷包含疏液性膜的材料的液狀體使疏液性膜析出來實施。 也可以在薄膜等的薄片預(yù)先涂敷疏液性的液狀體，將該薄膜層壓到基體材料，使薄片上的疏液性的液狀體轉(zhuǎn)印到基體材料面來實施。
權(quán)利要求
1.一種電路布線形成方法，用以形成電路基板中的電路布線，其特征在于，包括溝槽形成步驟，其在形成上述電路布線的布線基體材料上形成與上述電路布線的形狀對應(yīng)的溝槽；疏液處理步驟，其至少將上述布線基體材料的基體材料面和上述溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性；催化劑配設(shè)步驟，其在上述溝槽配設(shè)包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體；以及膜形成步驟，其通過在包含上述溝槽的范圍配設(shè)鍍敷液，利用上述導(dǎo)電層形成用催化劑將導(dǎo)電性材料從上述鍍敷液析出，形成構(gòu)成上述電路布線的導(dǎo)電性電路布線膜。
2.權(quán)利要求1所述的電路布線形成方法，其特征在于， 上述溝槽形成步驟中，通過激光加工形成上述溝槽。
3.權(quán)利要求1或2所述的電路布線形成方法，其特征在于，還包括 去污處理步驟。
4.權(quán)利要求1至3的任一項所述的電路布線形成方法，其特征在于，上述催化劑配設(shè)步驟包括采用噴墨方式的排出裝置將包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體在上述溝槽的一部分滴著而配設(shè)的步驟。
5.權(quán)利要求1至4的任一項所述的電路布線形成方法，其特征在于，上述催化劑配設(shè)步驟包括在上述溝槽的寬幅部分配置包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體，使配置的上述液狀體通過毛細管現(xiàn)象配設(shè)在上述寬幅部分以外的部分的步馬聚ο
6.權(quán)利要求1至5的任一項所述的電路布線形成方法，其特征在于， 上述膜形成步驟包括通過無電鍍敷形成上述電路布線膜的步驟。
7.權(quán)利要求1至5的任一項所述的電路布線形成方法，其特征在于，上述膜形成步驟包括通過無電鍍敷形成上述電路布線膜的步驟和通過電解鍍敷形成上述電路布線膜的步驟。
8.一種電路基板，其特征在于，具備采用電路布線形成方法形成的電路布線，上述電路布線形成方法包括溝槽形成步驟，其在形成電路布線的布線基體材料上形成與上述電路布線的形狀對應(yīng)的溝槽；疏液處理步驟，其至少將上述布線基體材料的基體材料面和上述溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性；催化劑配設(shè)步驟， 其在上述溝槽配設(shè)包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體；以及膜形成步驟，其通過在包含上述溝槽的范圍配設(shè)鍍敷液，利用上述導(dǎo)電層形成用催化劑將導(dǎo)電性材料從上述鍍敷液析出，形成構(gòu)成上述電路布線的導(dǎo)電性電路布線膜。
9.權(quán)利要求8所述的電路基板，其特征在于，上述催化劑配設(shè)步驟包括在上述溝槽的寬幅部分配置包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體，使配置的上述液狀體通過毛細管現(xiàn)象配設(shè)在上述寬幅部分以外的部分的步馬聚ο
10.一種布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜，其特征在于，采用電路布線膜形成方法形成，上述電路布線形成方法包括溝槽形成步驟，其在形成電路布線膜的布線基體材料上形成與上述電路布線膜的形狀對應(yīng)的溝槽；疏液處理步驟，其至少將上述布線基體材料的基體材料面和上述溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性；催化劑配設(shè)步驟，其在上述溝槽配設(shè)包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體；以及膜形成步驟，其通過在包含上述溝槽的范圍配設(shè)鍍敷液，利用上述導(dǎo)電層形成用催化劑將導(dǎo)電性材料從上述鍍敷液析出，形成導(dǎo)電性電路布線膜。
11.權(quán)利要求10所述的布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜，其特征在于， 上述催化劑配設(shè)步驟包括在上述溝槽的寬幅部分配置包含上述導(dǎo)電層形成用催化劑的上述液狀體，使配置的上述液狀體通過毛細管現(xiàn)象配設(shè)在上述寬幅部分以外的部分的步馬聚O
全文摘要
本發(fā)明提供可形成構(gòu)成電路布線的電路布線膜的線寬微細且膜厚均勻的電路布線的電路布線形成方法、具備該電路布線的電路基板以及線寬微細且膜厚均勻的布線膜的膜厚大于布線膜的寬度的電路布線膜。形成電路基板中的電路布線的電路布線形成方法，其特征在于，具備溝槽形成步驟，其在形成電路布線的布線基體材料上形成與電路布線的形狀對應(yīng)的溝槽；疏液處理步驟，其至少將布線基體材料的基體材料面和溝槽的側(cè)壁面處理為對包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體具有疏液性；催化劑配設(shè)步驟，其在溝槽配設(shè)包含導(dǎo)電層形成用催化劑的液狀體；以及膜形成步驟，其通過在包含溝槽的范圍配設(shè)鍍敷液，利用導(dǎo)電層形成用催化劑將導(dǎo)電性材料從鍍敷液析出，形成構(gòu)成電路布線的導(dǎo)電性電路布線膜。
文檔編號H05K3/18GK102170757SQ20111002956
公開日2011年8月31日 申請日期2011年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月26日
發(fā)明者鐮倉知之 申請人:精工愛普生株式會社