專利名稱：用于在鍵合之前檢查芯片的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于自動化技術(shù)領(lǐng)域。根據(jù)獨立權(quán)利要求的前序部分，本發(fā)明涉及用于處理芯片尤其是半導(dǎo)體管芯的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝中最大的挑戰(zhàn)之一是極薄半導(dǎo)體芯片的拾取、處理和加工。半導(dǎo)體芯片通常放置在輸送帶上，輸送帶通常包含已經(jīng)被切成小芯片的完整半導(dǎo)體晶片，該過程常被稱為切割。因此半導(dǎo)體芯片通常被稱為管芯。輸送帶通常是在切割期間支撐晶片的同一個輸送帶，其常被稱為切割帶?，F(xiàn)如今，管芯厚度一般低至25 μ m,并且厚度還有進一步減小的趨勢。管芯鍵合機從輸送帶拾取單個管芯并將所拾取管芯放置且基本附接至基板或另一個管芯上。在大多數(shù)情形下，管芯都是永久附接的，但也存在管芯僅臨時附接的情況。常常，臨時附接通過額外的加熱和/或按壓過程而隨后轉(zhuǎn)為永久附接。通常，薄管芯與晶片背面層壓結(jié)構(gòu)(WBL)或者膜或引線上流體(FOW)層壓結(jié)構(gòu)(即施加至晶片或管芯的無結(jié)構(gòu)側(cè)的粘附膜)一起提供。薄化晶片、將粘附膜施加至晶片、將晶片安放至輸送帶和框架、將它們切割成單個芯片的過程通常被稱為晶片制備。允許管芯因其粘附性質(zhì)而被附接的層壓結(jié)構(gòu)可設(shè)置在輸送帶與晶片之間，或設(shè)置在晶片遠離輸送帶的表面上。拾取和放置可通過管芯鍵合機中的單個芯片處理單元進行。然而，在現(xiàn)代的管芯鍵合機中，可以存在多個芯片處理單元通常，拾取從所謂的晶片臺開始，并且由第一芯片處理單元輔助，第一芯片處理單元又稱為管芯發(fā)出器。管芯發(fā)出器有助于從輸送帶上移除管芯，例如，通過抵靠第二芯片處理單元從輸送帶下方推動管芯，第二芯片處理單元又稱為拾取單元。拾取單元隨后在拾取過程中從輸送帶上拾取管芯并將其交付給第三芯片處理單元，第三芯片處理單元又稱為放置單元。放置單元將管芯放置在被附接的目標位置上。在某些情況下，至少一個第四芯片處理單元(又稱為轉(zhuǎn)移單元)被設(shè)置為將管芯從拾取單元轉(zhuǎn)交至放置單元。WO 07118511A1中給出了一個示例，該專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。通過這種方法，管芯可附接至基板，例如導(dǎo)線框架、印刷電路板、多層電路板等，或連接至自身可能已經(jīng)通過相同方式附接的另一個管芯。相比于不具有層壓結(jié)構(gòu)的標準厚度的晶片，極薄晶片和相應(yīng)管芯的制造非常昂貴。極薄管芯的切割、拾取以及處理具有顯著的產(chǎn)量損失。大多數(shù)產(chǎn)量損失于晶片制備、管芯拾取、或后續(xù)處理期間，導(dǎo)致因例如破碎管芯、破裂管芯、切損管芯等典型缺陷而產(chǎn)生損壞的管芯。相比之下，放置和附接過程更加可靠，僅帶來微不足道的損失。在管芯鍵合機上檢測破碎、破裂或切損管芯的已知檢查方法在拾取過程之前進行，其自身具有有限的產(chǎn)量，并且通?；谠诒砻嬲彰飨聦苄颈砻孢M行成像并隨后進行圖像處理。這些檢查技術(shù)具有有限的可靠性，這是由于低裂縫對比度和裂縫寬度、管芯翹曲 (又稱為土豆片效應(yīng))，還由于在管芯表面上具有其它類似可見圖案的裂縫特征的干擾。特別是對于將兩個或更多個管芯附接至彼此之上的堆疊管芯鍵合加工，破碎管芯的附接可具有戲劇性結(jié)果如果損壞的管芯被附接至堆上，先前在該堆(又稱為封裝)中所附接的所有管芯均損失。在極限情形下，例如，由15個堆疊管芯組成的封裝會因為在其頂部附接破裂的第16個管芯而損失。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是允許在拾取管芯之后而不是在拾取管芯前進行檢查，或者除了在拾取管芯前還允許在拾取管芯之后進行檢查，例如在管芯發(fā)出器上，從而保證僅未損壞的管芯通過管芯鍵合機被附接至基板或先前附接的管芯。此外，本發(fā)明應(yīng)允許在附接之前識別已損壞的管芯，從而允許省略將該已損壞的管芯放置于基板或先前附接的管芯的堆之上的步驟。理想地，管芯的檢查應(yīng)在其被放置并隨后附接至基板或已經(jīng)附接的管芯之前立即進行。本發(fā)明的另一個目的是使信噪比和碎裂檢測的成功率最大化。本發(fā)明的又一個目的是允許附加的檢查(尤其是對管芯圖案或結(jié)構(gòu)完整性的檢查、對芯片ID的檢測、在轉(zhuǎn)移之前的準確對準等)被有效地執(zhí)行。上述目的通過根據(jù)獨立權(quán)利要求的芯片處理工具和處理芯片的方法實現(xiàn)。上述目的具體可通過生成管芯的背部照射圖像(又稱為吸收圖像)來實現(xiàn)，在該圖像中，裂縫、缺失部分、圖案等被識別為穿過管芯傳播的光強度基本變化的區(qū)域。例如，如果可見光源被用來進行照射，則裂縫在實際沒有光透射的全暗背景上表現(xiàn)為亮線，而沒有固有的管芯表面圖案可見或干擾后續(xù)信號處理。因此當與基于表面照射的已知檢查方法相比時，能夠獲得更好的信噪比。在本發(fā)明的示例性實施方式中，呈現(xiàn)了一種芯片處理工具，尤其用于半導(dǎo)體管芯鍵合機。芯片處理工具被配置為在接管位置處接收芯片(尤其是半導(dǎo)體管芯)，并將芯片移交至交付位置，并且芯片處理工具包括工作表面，該工作表面被配置為與位于芯片的第一側(cè)上的第一表面連接。芯片處理工具還包括照射裝置，用于當芯片的所述第一側(cè)與工作表面連接時(優(yōu)選地通過工作表面)從芯片的第一側(cè)照射芯片。在本發(fā)明的另一個示例性實施方式中，呈現(xiàn)了一種芯片處理方法，尤其管芯鍵合方法，其中芯片處理工具在接管位置處接收芯片，尤其是半導(dǎo)體管芯，并通過芯片處理工具轉(zhuǎn)交至交付位置。在接管位置處，芯片處理工具的工作表面與芯片的第一側(cè)上的第一表面連接。隨后當芯片與芯片處理工具的工作表面連接時優(yōu)選穿過共工作表面從第一側(cè)照射芯片，并且檢測并分析已穿過芯片的光，以確定芯片的損壞。前述目的和進一步的目的、優(yōu)點和特征本發(fā)明的將在下面結(jié)合附圖在優(yōu)選實施方式的描述中詳細說明。


當結(jié)合附圖閱讀時，本發(fā)明通過下面的詳細描述最佳地理解。應(yīng)強調(diào)，根據(jù)一般實踐，附圖的各種特征沒有按比例繪制。相反地，為了清楚起見，各種特征的尺寸被任意擴展或縮小。在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的芯片處理工具；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施方式的芯片處理工具；
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的管芯鍵合機；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的管芯發(fā)出器；圖5示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的示出芯片處理方法的流程圖。
具體實施例方式圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的芯片處理工具10。在由剛性材料 (優(yōu)選金屬)制成的工具本體101上設(shè)置有至少部分透明層2，其包括表面子層201，表面子層201包括彈性材料(例如，硅橡膠)并具有工作表面21，工作表面21可與位于芯片(尤其是待由芯片處理工具10處理的管芯5)的第一側(cè)的第一表面接觸；反之亦然。管芯5可設(shè)置有WBL或FOW層壓結(jié)構(gòu)，也可以不設(shè)置WBL或FOW層壓結(jié)構(gòu)。工具本體101包括充當集成光源的多個發(fā)光二極管31。可替換地，一個或多個光源可設(shè)置在工具本體101的表面中或表面上。層2包括基層202，基層202也由對來自發(fā)光二極管31的照射至少部分透明的材料組成。優(yōu)選地，子層201和/或基層202展現(xiàn)出一些散射，以向由芯片處理工具10 處理的管芯5提供更加均勻的照射。因此，在管芯5的第一表面與層2的工作表面21緊密接觸時，可穿過所述工作表面21對管芯5的第一表面進行照射。芯片處理工具10中的薄真空通道102允許施加真空，以將管芯5臨時固定至工作表面21，從而在通過芯片處理工具10將管芯從第一位置運輸至不同于第一位置的第二位置時保持住管芯?？梢栽O(shè)置用于將管芯5臨時固定至工作表面21的其他裝置。具體地，例如可以采用靜電裝置或粘性工作表面21。在如圖加-d所示的本發(fā)明的第二示例性實施方式中，芯片處理工具10本身不包括任何光源。然而，設(shè)置有用于重新引導(dǎo)光的裝置，使得來自外部光源33的光可用于照射由芯片處理工具10的工作表面21保持的管芯5，來自外部光源33的光優(yōu)選穿過工作表面 21。這可以通過形成至少部分透明層2來實現(xiàn)，該至少部分透明層2由散射、衍射或反射來自光源33的光的材料制成，例如由于如圖加所示設(shè)置在層2'的體積內(nèi)的散射中心221、 或如圖2b所示設(shè)置在層2〃的后表面和/或前表面上或工具本體101的前表面上的散射中心222;或它們的組合。這還可以這樣來實現(xiàn)，即，通過如圖2c所示在層2"‘內(nèi)設(shè)置至少部分反射區(qū)域223，或通過如圖2d所示設(shè)置具有與工作表面21成角度的反射表面104的工具本體101，或通過所示不同變形的一個或多個的任意組合。優(yōu)選地，層2'、2"、2"‘由彈性材料制成或包括由彈性材料制成的區(qū)域。第二和第一實施方式的組合也是可能的。如果光敏元件4設(shè)置在與管芯5的第二表面相對的位置處，則由于破碎、破裂、切損或相似地損壞的管芯5相比未損壞的管芯5將允許更大量的光到達光敏元件4的事實， 故管芯5的缺陷可被檢測到。優(yōu)選地，圖像獲取工具，例如CXD元件或CMOS光傳感器陣列， 被用作光敏元件4。隨后可以采用圖像處理方法來區(qū)分未損壞管芯5和已損壞管芯5。例如，圖像處理算法可用于在未損壞管芯的預(yù)期為暗的區(qū)域中檢測亮點。然而，當充分校準時，一個或多個光檢測器(例如測量峰值或總透射率的區(qū)域光檢測器)也滿足檢測管芯損壞的目的。隨后，可在光檢測器本身中實施、或在與檢測器相連的控制系統(tǒng)中實施的閾值操作可區(qū)分未損壞管芯5和已損壞管芯5。這可以允許更快、更簡單且潛在地成本更低的區(qū)分過程，因為沒有圖像處理，從而不需要圖像處理軟件。優(yōu)選地，芯片處理工具10被配置為依靠相關(guān)聯(lián)的芯片處理單元在由線性坐標X、y、z和角坐標θχ、0y> θζ表示的六個自由度中的至少兩個中運動。這允許芯片處理工具 10靈活地抓取待接納的管芯5?？商鎿Q地，芯片處理工具10還可以僅具有一個自由度。在這種情況下，通常需要將管芯5交付給芯片處理工具10。具體地，芯片處理工具10可以被形成為轉(zhuǎn)盤或傳送帶，使得多個管芯5可同時接觸工作表面21，并從第一位置并行地輸送
至第二位置。在上述和下述的所有實施方式中，可替換地，可以使用非接觸式管芯處理，其具有優(yōu)點。不是通過如上所述使工作表面21和管芯5的第一表面接觸，并通過將管芯5臨時固定至工作表面21來建立管芯5與工作表面21之間的連接，而是可借助于作用在管芯5上的吸引力和排斥力的平衡使管芯5保持在合適位置并且其第一表面與工作表面21之間具有小間隙。對于晶片來說，這種方式如何實現(xiàn)的示例在US 5 080 549中給出，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的管芯5鍵合機的示例性實施方式的示意圖。管芯鍵合機包括多個芯片處理單元第一芯片處理單元91 (所謂的管芯發(fā)出器)從輸送帶發(fā)出管芯5， 該管芯5可以與WBL或FOW層壓結(jié)構(gòu)層壓。在管芯5被發(fā)出之后，其被第二芯片處理單元 92 (又稱為拾取單元)接管。拾取單元能夠圍繞第一軸線旋轉(zhuǎn)，并被配置為將管芯5轉(zhuǎn)交至第三芯片處理單元93。所述第三芯片處理單元93 (又稱為轉(zhuǎn)移單元)能夠圍繞第二軸線旋轉(zhuǎn)，并因此可將管芯5轉(zhuǎn)交至第四芯片處理單元94 (又稱為放置單元)，第四芯片處理單元94隨后將從轉(zhuǎn)移單元93接管管芯5并將其輸送并放置在基板6的目標位置上。如上面通過示例所述，轉(zhuǎn)移單元93包括根據(jù)本發(fā)明的芯片處理工具10。當轉(zhuǎn)移單元處于如圖4 中的實線所代表的交付位置，且管芯5通過設(shè)置在芯片處理工具10中的照射裝置進行照射時，來自芯片處理工具10的集成光源或來自外部光源33的光(優(yōu)選已經(jīng)穿過工作表面21 并穿過管芯5)可以被轉(zhuǎn)移相機41檢測到。管芯鍵合機還包括控制系統(tǒng)(圖3中未示出) 以控制各種芯片處理單元等的運動。在轉(zhuǎn)移相機41當管芯5被照射裝置照射時所獲得的圖像中，裂縫、破碎或切損區(qū)域和類似損壞呈現(xiàn)為亮點，而完整區(qū)域呈現(xiàn)為暗區(qū)。為了獲得足夠好的對比度，需要選擇被管芯5的半導(dǎo)體材料足夠好地吸收的合適照射波長?？梢姽庹丈渫ǔＪ呛线m的?；谌缟纤龅膶σ褤p壞和未損壞管芯的區(qū)分，異常處理控制隨后可以允許避免破碎管芯的附接并允許將它們從轉(zhuǎn)移單元93上移除。在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，管芯5還可以被不可見光(尤其是處于紅外波長范圍內(nèi)的光)照射，其中半導(dǎo)體材料是至少部分透明的。1.2μπι至1.7μπι的波長特別適合， 尤其是對于硅管芯來說，這是因為它們允許管芯5的集成電路圖案的檢查。此外，操作中不具有冷卻或殘留光放大的簡單相機也能夠容易地應(yīng)用于這些波長。例如由毀壞的電路圖案等導(dǎo)致的缺損的管芯5因此可以被檢測并且還可以被視為損壞的并作為損壞的處理。此外，管芯ID標記可以是可見的。可以采用允許通過不同波長進行照射的照射裝置來獲得更好的效果。對于永久附接至基板或另一個管芯，常常需要對管芯5進行加熱。芯片處理工具 10中可設(shè)置有加熱元件，尤其是電阻式加熱元件。該至少部分透明層2、2'、2"、2"‘、或至少子層201，優(yōu)選應(yīng)由既表現(xiàn)出充分的耐熱性又優(yōu)選地表現(xiàn)出良好的導(dǎo)熱性的材料制成。 為了避免管芯5由于靜電放電而損壞，該至少部分透明層2、2'、2"、2"丨或至少子層201還應(yīng)優(yōu)選地展現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性?？商鎿Q地，傳導(dǎo)透明材料(例如氧化銦錫(ITO))的薄層可設(shè)置在工作表面21上。這種薄層還可用于加熱。優(yōu)選地，轉(zhuǎn)移相機41還可用于管芯鍵合機中的其它檢查或測量目的，尤其是確定由轉(zhuǎn)移單元91所保持的管芯5的準確轉(zhuǎn)移位置。對于放置單元94接管管芯5并將其精確放置在由放置相機42所確定的基板6上的目標位置，轉(zhuǎn)移位置的準確識別是必要的。對于該目的(稱為管芯對準)，可設(shè)置轉(zhuǎn)移位置燈，從而在被轉(zhuǎn)移單元93保持在轉(zhuǎn)移位置處時對管芯5進行照射。優(yōu)選地，當檢查管芯5是否損壞時，轉(zhuǎn)移位置燈被調(diào)暗或關(guān)閉。可替換地，當使用位于紅外波長范圍內(nèi)的不可見光時，可部署單個光源以用于管芯缺陷的檢測和/ 或管芯對準圖案在管芯表面上的成像。在如上所述的具有創(chuàng)造性的管芯鍵合機中，根據(jù)本發(fā)明的芯片處理工具10還可用作其他芯片處理單元91、92、93、94的一部分，或者可代替轉(zhuǎn)移單元93的芯片處理工具10 或者可與轉(zhuǎn)移單元93的芯片處理工具10結(jié)合。在這方面，將根據(jù)本發(fā)明的芯片處理工具 10設(shè)置為放置單元94的一部分是特別有利的。這將允許檢測在將管芯5附接至基板之前可能出現(xiàn)的所有管芯損壞，特別是將管芯5移交至放置單元94而導(dǎo)致的損壞。隨后當放置相機44被用作光敏元件并用于確定由放置單元所處理的管芯5的準確位置和/或旋轉(zhuǎn)時， 可以獲得優(yōu)良的放置精度。將根據(jù)本發(fā)明的芯片處理工具10'用作管芯發(fā)出器單元91的一部分也是特別有益的。在這種情況下，可以事先避免從輸送帶59上移除損壞的管芯5，從而將有缺陷的部分留在輸送帶上并避免在管芯鍵合機上對這些管芯5進行任何處理。后一種實施使管芯鍵合機具有更高的產(chǎn)量并減少操作員的干涉。圖如示出了包括發(fā)出銷111的芯片處理工具 10'的示例，如圖4b所示，發(fā)出銷111可從芯片處理工具10'突出，以將管芯5從輸送帶 59上發(fā)出。然而，將管芯5從輸送帶上發(fā)出或移除的其它裝置可包含在工具10'中，例如， 如TO 2005/117072A1中所述。例如可通過拾取相機40分析已通過管芯5的光。在到目前為止所述的管芯鍵合機中，管芯5被輸送帶支撐的方向與管芯5附接至基板6的方向相同。然而，在常稱為倒裝芯片應(yīng)用的某些應(yīng)用中，管芯5在附接至基板6之前將被翻轉(zhuǎn)。在上述管芯鍵合機中，這可以通過提供從轉(zhuǎn)移單元93接收管芯5并將其轉(zhuǎn)交至放置單元94的倒裝單元來實現(xiàn)?？商鎿Q地，其可以通過遠離轉(zhuǎn)移單元93以使拾取單元 92可將管芯5直接轉(zhuǎn)交至放置單元94來實現(xiàn)。當然，在后一種情況中，具有創(chuàng)造性的芯片處理工具10必須設(shè)置在芯片處理單元處而不是轉(zhuǎn)移單元處，尤其必須設(shè)置在拾取單元92 或放置單元94處。因為對于倒裝芯片應(yīng)用來說，管芯5通常與面向基板6的結(jié)構(gòu)表面或已經(jīng)附接的管芯附接，故放置精度非常重要。因此，放置相機44通常被設(shè)置為允許在管芯5 被放置工具94保持的同時獲取管芯5的結(jié)構(gòu)表面的圖像，并且放置相機44可用于區(qū)分已損壞的管芯5和未損壞的管芯5。在根據(jù)本發(fā)明的管芯鍵合機的可選實施方式中，可沿著芯片處理工具10的運動路徑按以下方式設(shè)置一個或多個光敏元件49，尤其是一個或多個行掃描相機，該方式即，當具有管芯5的芯片處理工具10經(jīng)過時，已穿過管芯5 (優(yōu)選也已穿過工作表面21)的照明裝置的光到達一個或多個光敏元件49。類似地，如果如圖2所示的芯片處理工具10被部署，則也可沿著光敏元件49附近的路徑設(shè)置一個或多個外部光源39，從而當具有管芯5的芯片處理工具10經(jīng)過時，管芯5的第一側(cè)被照射，優(yōu)選穿過工作表面21。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的某些示例性實施方式的流程圖。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，可以省略該流程圖中所包含的某些步驟，可以增加某些附加步驟，并且可以將這些步驟的順序改變?yōu)榕c所示順序不同。雖然文中參照具體實施方式
圖示和描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不打算被限制為所示細節(jié)。相反，在不背離本發(fā)明且在權(quán)利要求的等同的范圍和范疇內(nèi)，可以對細節(jié)進行各種修改。具體地，雖然本發(fā)明參照半導(dǎo)體管芯進行描述，但其可用于任何類型的芯片，包括由一種或多種材料組成的從任何類型的供給輸送器(尤其是膠帶或皮帶)上拾取并放置在目標位置上(尤其是芯片、基板、膠帶、皮帶或儲存裝置上)的任何基本的平板。
權(quán)利要求
1.一種芯片處理工具(10)，尤其用于半導(dǎo)體管芯鍵合機中，所述芯片處理工具(10) 被配置為在接管位置處接收芯片(5)，尤其是半導(dǎo)體管芯，并將所述芯片(5)移交至交付位置，所述芯片處理工具(10)包括a)工作表面(21)，被配置為與位于所述芯片(5)的第一側(cè)上的第一表面連接，其特征在于所述芯片處理工具(10)還包括b)照射裝置(31，104，221，222，223)，用于當所述芯片(5)的所述第一側(cè)與所述工作表面連接時從所述芯片(5)的第一側(cè)照射所述芯片(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片處理工具(10)，還包括用于將所述芯片(5)臨時固定至所述工作表面的裝置(101)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的芯片處理工具(10)，其中所述工具(10)包括至少部分透明的區(qū)域0，2'，2〃，2〃 ‘，201，202)，并且所述工作表面形成于所述至少部分透明的區(qū)域0，2'，2〃，2〃 ‘，201，202)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片處理工具(10)，其中用于尤其通過散射、衍射或反射，將光重新引導(dǎo)至所述工作表面上的裝置(104，221，222，22 設(shè)置在所述至少部分透明的區(qū)域0，2'，2〃，2〃 ‘ ,201,202)中，或設(shè)置在其后表面處。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片處理工具(10)，其中所述至少部分透明的區(qū)域以,2’， 2"，2〃 ‘，201，202)包括彈性材料子區(qū)域0，2'，2〃，2〃 ‘，201，202)，尤其是橡膠層 (201)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片處理工具(10)，其中所述工作表面形成于所述彈性材料子區(qū)域0，2'，2〃，2〃 ‘，201，202)上。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的芯片處理工具(10)，其中所述芯片處理工具 (10)包括加熱裝置，用于在連接或靠近所述工作表面時對所述芯片(5)進行加熱。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的芯片處理工具(10)，其中至少一個光源(31)設(shè)置在所述芯片處理工具(10)的剛性工具本體(101)之中或之上，以通過所述至少部分透明的區(qū)域(2,2'，2〃，2〃 ‘ ,201,202)和所述工作表面(21)照射所述芯片(5)。
9.一種芯片處理方法，尤其用于管芯鍵合的方法，其中a)由芯片處理工具(10)在接管位置處接收芯片(5)，尤其是半導(dǎo)體管芯，并通過所述芯片處理工具(10)將所述芯片(5)轉(zhuǎn)交至交付位置；b)在所述接管位置處，使所述芯片處理工具(10)的工作表面與位于所述芯片 (5)的第一側(cè)上的第一表面連接，其特征在于c)當所述芯片(5)與所述芯片處理工具(10)的所述工作表面連接時從所述第一側(cè)照射所述芯片(5)；以及d)檢測并分析已穿過所述芯片(5)的光，以確定所述芯片(5)的損壞。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片處理方法，其中在步驟a)中，所述芯片(5)在其從所述接管位置運輸至所述交付位置時臨時固定至所述芯片處理工具(10)的所述工作表面 01)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片處理方法，其中在所述芯片(5)被運輸時檢測已穿過所述芯片(5)的光。
12.根據(jù)權(quán)利要求9，10或11所述的芯片處理方法，其中在步驟d)中，獲取所述芯片(5)的圖像，并且隨后根據(jù)所獲得的圖像確定所述芯片(5)的位置和/或旋轉(zhuǎn)。
13.—種芯片處理設(shè)備，尤其是半導(dǎo)體管芯鍵合機，所述芯片處理設(shè)備包括a)根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的芯片處理工具(10)；b)至少一個光源(33，39)，用于結(jié)合所述照明裝置(31，104，221，222，223)照射與所述芯片處理工具(10)的工作表面連接的芯片(5)；以及c)光敏元件0，40，41，44)，被配置為當被所述至少一個光源(33，39)結(jié)合所述照明裝置(31，104，221，222，223)照射時檢測穿過由所述芯片處理工具(10)處理的芯片(5)傳輸?shù)墓?；以及d)區(qū)分裝置，被配置為基于所檢測到的穿過所述芯片(5)傳輸?shù)墓獾男再|(zhì)確定所述芯片(5)是否被損壞。
14.一種芯片處理設(shè)備，尤其是半導(dǎo)體管芯鍵合機，所述芯片處理設(shè)備包括a)根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片處理工具(10)；b)光敏元件(4，40，41，44)，被配置為當由包含在所述芯片處理工具(10)中的所述至少一個光源照射時檢測穿過所述芯片(5)傳輸?shù)墓?；以及c)區(qū)分裝置，被配置為基于所檢測到的穿過所述芯片(5)傳輸?shù)墓獾男再|(zhì)確定所述芯片(5)是否被損壞。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的芯片處理設(shè)備，其中所述光敏元件0，40，41，44)能夠獲取與所述工作表面相關(guān)的所述芯片( 的圖像，并且所述區(qū)分裝置包括能夠確定所述芯片( 的位置和/或旋轉(zhuǎn)的圖像處理裝置。
全文摘要
本發(fā)明屬于自動化技術(shù)領(lǐng)域并涉及用于處理芯片尤其是半導(dǎo)體管芯的設(shè)備和方法。芯片處理工具被配置為在接管位置處接收芯片，尤其是半導(dǎo)體管芯，并將芯片移交至交付位置，并且包括工作表面，工作表面被配置為與芯片的第一側(cè)上的第一表面連接。芯片處理工具還包括照射裝置，用于當芯片的所述第一側(cè)與工作表面連接時從芯片的第一側(cè)照射芯片。還呈現(xiàn)了一種芯片處理方法。
文檔編號H05K13/04GK102549712SQ201080035984
公開日2012年7月4日 申請日期2010年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月11日
發(fā)明者約翰尼斯·斯庫斯特 申請人:K&S芯片鍵合設(shè)備有限公司