專(zhuān)利名稱(chēng)：切片及芯片鍵合帶以及帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于得到帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片，且用于對(duì)該帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行芯片鍵合的切片及芯片鍵合帶、以及使用該切片及芯片鍵合帶的帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
背景技術(shù)：
從半導(dǎo)體晶片切出半導(dǎo)體芯片時(shí)，使用被稱(chēng)為先切片法的切片法。例如，下述專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了先切片法的一例。在先切片法中，首先，在半導(dǎo)體晶片的表面形成切痕。接著，在形成有切痕的半導(dǎo)體晶片的表面貼合保護(hù)片。然后，對(duì)半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削，直到切痕部分，減薄半導(dǎo) 體晶片的厚度，并分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。在分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片的分割后半導(dǎo)體晶片的表面貼合有保護(hù)片。另外，為了將通過(guò)上述先切片法得到的一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片容易地安裝在基板上，多在半導(dǎo)體芯片的背面貼合芯片鍵合層。為了得到該帶芯片鍵合層的半導(dǎo)體芯片，使用了具備芯片鍵合層和切片層的切片及芯片鍵合帶。作為切片及芯片鍵合帶的一例，下述專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了一種切片及芯片鍵合帶，其在剝離片上疊層有芯片鍵合層，并以被覆該芯片鍵合層的方式，在剝離片及芯片鍵合層上疊層有切片層。芯片鍵合層是在切片后與半導(dǎo)體芯片一同取出，用于半導(dǎo)體芯片的芯片鍵合的層。為了容易將切片層從剝離片剝離，在切片層的外周緣設(shè)有突出部。專(zhuān)利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2006-245467號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2005-116790號(hào)公報(bào)使用專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的切片及芯片鍵合帶得到帶芯片鍵合層的半導(dǎo)體芯片時(shí)，將切片層的突出部作為剝離起點(diǎn)，將芯片鍵合層和切片層從剝離片剝離，使芯片鍵合層和切片層的外周部分露出。接著，將露出的芯片鍵合層貼合于分割后半導(dǎo)體晶片，且將露出的切片層的外周部分貼合于切片環(huán)。接著，剝離貼合于分割后半導(dǎo)體晶片的表面上的保護(hù)片。然后，沿著分割后半導(dǎo)體晶片的切斷部分，將芯片鍵合層切片。切片后，將帶芯片鍵合層的半導(dǎo)體芯片從切片層剝離后取出。取出的帶芯片鍵合層的半導(dǎo)體芯片從芯片鍵合層側(cè)安裝于基板上。在專(zhuān)利文獻(xiàn)I所述的切片及芯片鍵合帶中，有時(shí)該帶以局部變形的狀態(tài)貼合于切片環(huán)。該情況下，將切片層貼合于切片環(huán)后，通常，緩和貼合時(shí)的拉伸應(yīng)力的收縮力會(huì)作用于切片層，使得有時(shí)切片層的收縮力在各部分有所不同。因此，分割后半導(dǎo)體晶片的切斷部分，即切片線可能彎曲(被稱(chēng)為劃痕偏離的現(xiàn)象)。特別是，加熱保護(hù)片進(jìn)行剝離的情況下，通過(guò)加熱，切片層在貼合時(shí)的拉伸應(yīng)力容易緩和，切片線容易彎曲。因此，可能出現(xiàn)以下情況不能將芯片鍵合層高精度地進(jìn)行切片，或芯片間不均等伸展，帶芯片鍵合層的半導(dǎo)體芯片的拾取性低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供得到帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片時(shí)，能夠在向切片環(huán)貼合時(shí)抑制局部變形，能夠提高切片的精度，另外，能夠通過(guò)芯片間均等地伸展來(lái)提高帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的拾取性的切片及芯片鍵合帶、以及使用該切片及芯片鍵合帶的半導(dǎo)體芯片制造方法。根據(jù)本發(fā)明的廣義方面，提供一種切片及芯片鍵合帶，其具備粘接劑層、和疊層于該粘接劑層的一面的基體材料層，在進(jìn)行切片時(shí)，切片環(huán)貼合在所述基體材料層的外周部分，所述基體材料層在外周部分具有貼合起點(diǎn)，該貼合起點(diǎn)在貼合開(kāi)始時(shí)貼合于切片環(huán)，將除了所述貼合起點(diǎn)以外的部分的所述基體材料層的貼合于所述切片環(huán)的部分的寬度設(shè)為W(mm)，將除了所述貼合起點(diǎn)以外的部分的所述基體材料層的外徑設(shè)為D(mm)時(shí)，從所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端起算，位于朝向內(nèi)側(cè)O. 3W距離的位置上的所述貼合起點(diǎn)的長(zhǎng)度L(mm)在O. 30D O. 44D(mm)的范圍內(nèi)。 在本發(fā)明的切片及芯片鍵合帶的某一特定方面中，所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端的曲率比所述基體材料層的除了所述貼合起點(diǎn)以外的部分的外周端的曲率大。在本發(fā)明的切片及芯片鍵合帶的其它特定方面中，所述基體材料層在所述貼合起點(diǎn)側(cè)的外周端具有凸部，所述基體材料層的貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端為所述凸部的頂點(diǎn)。在本發(fā)明的切片及芯片鍵合帶的另外其它特定方面中，所述基體材料層在所述貼合起點(diǎn)側(cè)的外周端具有多個(gè)凸部，且該多個(gè)凸部以曲線連接。本發(fā)明的帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法包括使用下述疊層體以及按照本發(fā)明構(gòu)成的切片及芯片鍵合帶，所述疊層體具有保護(hù)片及疊層于該保護(hù)片的一面上且被分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片的分割后半導(dǎo)體晶片，將所述切片及芯片鍵合帶的所述粘接劑層貼合于所述疊層體的所述分割后半導(dǎo)體晶片上的工序；將所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)貼合于圓環(huán)狀的切片環(huán)上，接著將除了所述貼合起點(diǎn)以外的所述基體材料層的外周部分貼合于所述切片環(huán)的工序；將所述保護(hù)片從所述分割后半導(dǎo)體晶片上剝離的工序；沿所述分割后半導(dǎo)體晶片的切斷部分對(duì)所述粘接劑層進(jìn)行切片的工序；切片后將貼合有所述半導(dǎo)體芯片的所述粘接劑層從所述基體材料層剝離，將半導(dǎo)體芯片與所述粘接劑層一同取出的工序。另外，將所述切片及芯片鍵合帶的所述粘接劑層貼合于所述疊層體的所述分割后半導(dǎo)體晶片的工序和將所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)貼合于圓環(huán)狀的切片環(huán)上，接著將除所述貼合起點(diǎn)外的所述基體材料層的外周部分貼合于所述切片環(huán)的工序也可以同時(shí)進(jìn)行。在本發(fā)明的帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法的某一特定方面中，還具備在半導(dǎo)體晶片的表面形成用于將該半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片的切痕的工序；在形成有切痕的所述半導(dǎo)體晶片的表面貼合保護(hù)片的工序；以及對(duì)貼合有所述保護(hù)片的所述半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削，將所述半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片，得到所述置層體的工序。本發(fā)明的帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的其它制造方法包括使用半導(dǎo)體晶片和根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的切片及芯片鍵合帶，將所述切片及芯片鍵合帶的所述粘接劑層貼合于所述半導(dǎo)體晶片的工序；將所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)貼合于圓環(huán)狀的切片環(huán)上，接著，將除了所述貼合起點(diǎn)以外的所述基體材料層的外周部分貼合于所述切片環(huán)的工序；將所述半導(dǎo)體晶片和所述粘接劑層進(jìn)行切片的工序；以及，在切片后，將貼合有所述半導(dǎo)體芯片的所述粘接劑層從所述基體材料層剝離，將半導(dǎo)體芯片與所述粘接劑層一同取出的工序。另外，貼合于所述疊層體的所述分割后半導(dǎo)體晶片的工序和將所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)貼合于圓環(huán)狀的切片環(huán)，接著將除所述貼合起點(diǎn)外的所述基體材料層的外周部分貼合于所述切片環(huán)的工序也可以同時(shí)進(jìn)行。發(fā)明的效果就本發(fā)明的切片及芯片鍵合帶而言，將基體材料層除貼合起點(diǎn)外的部分的貼合于切片環(huán)的部分的寬度設(shè)為W(mm)，將基體材料層除貼合起點(diǎn)外的部分的外徑設(shè)為D(mm)時(shí)， 從基體材料層的貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端起算，位于朝向內(nèi)側(cè)O. 3ff(mm)距離的位置上的貼合起點(diǎn)的長(zhǎng)度L(mm)在O. 30D^0. 44D(mm)的范圍內(nèi)，因此，能夠通過(guò)將基體材料層的貼合起點(diǎn)貼合于圓環(huán)狀的切片環(huán)，接著將除貼合起點(diǎn)外的基體材料層的外周部分貼合于切片環(huán)，由此將切片及芯片鍵合帶以抑制局部變形的方式貼合于切片環(huán)。因此，切片后的切片線不易彎曲。因此，能夠提高帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的拾取性。另外，使用保護(hù)片和分割后半導(dǎo)體晶片的疊層體得到帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的情況下，即使將切片及芯片鍵合帶的粘接劑層貼合于疊層體的分割后半導(dǎo)體晶片后，將保護(hù)片從分割后半導(dǎo)體晶片剝離，分割后半導(dǎo)體晶片的切斷部分，即切片線也不易彎曲。因此，能夠?qū)⒄辰觿痈呔鹊剡M(jìn)行切片，能夠提高拾取性。


圖I (a)及(b)是示意性表示本發(fā)明一實(shí)施方式的切片及芯片鍵合帶的局部切除俯視圖及局部切除正面剖面圖；圖2是只放大并示意性表示圖I所示的切片及芯片鍵合帶的基體材料層的局部切除俯視圖；圖3是示意性表示切片及芯片鍵合帶的基體材料層的變形例的局部切除俯視圖；圖4是示意性表示切片及芯片鍵合帶的基體材料層的其它變形例的局部切除俯視圖；圖5(ar(d)是局部切除正面剖面圖，用于說(shuō)明得到制造帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片時(shí)使用的疊層體的各工序的一例；圖6(ar(b)是局部切除正面剖面圖，用于說(shuō)明使用本發(fā)明一實(shí)施方式的切片及芯片鍵合帶制造帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的方法的一例；圖7(ar(b)是局部切除正面剖面圖，用于說(shuō)明使用本發(fā)明一實(shí)施方式的切片及芯片鍵合帶制造帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的方法的一例；圖8(a)是表示將切片及芯片鍵合帶貼合于切片環(huán)時(shí)的狀態(tài)的正面剖面圖，圖8(b)是表示將切片及芯片鍵合帶貼合于切片環(huán)后的狀態(tài)的俯視圖9(a)及(b)是局部切除正面剖面圖，用于說(shuō)明使用本發(fā)明一實(shí)施方式的切片及芯片鍵合帶制造帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的其它方法；圖10是示意性表示比較例I的基體材料層的形狀的局部切除俯視圖；圖11是示意性表示比較例2的基體材料層的形狀的局部切除俯視圖；圖12是示意性表示比較例3的基體材料層的形狀的局部切除俯視圖；圖13是示意性表示比較例4的基體材料層的形狀的局部切除俯視圖；圖14是示意性表示比較例5的基體材料層的形狀局部切除俯視圖；圖15是示意性表示圖I所示的切片及芯片鍵合帶的變形例的局部切除俯視圖。
標(biāo)記說(shuō)明I…切片及芯片鍵合帶2…脫模層2a…上面3…粘接劑層3a----面3b…另一面3c…外周側(cè)面3d…切斷部分4…基體材料層4A…非粘接部4B…粘接部40·貼合起點(diǎn)4a 4c…凸部5…切片層11、12…基體材料層11A、12A…非粘接部11B、12B …粘接部11C、12C…貼合起點(diǎn)Ila lld、12a 12d...凸部21···疊層體22…保護(hù)片22a----面23…分割后半導(dǎo)體晶片23A…半導(dǎo)體晶片23a…表面23b…背面23c…切痕25…載物臺(tái)26…切片環(huán)27…載物臺(tái)
31 …棍32…剝離刀41…半導(dǎo)體晶片41a…表面41b…背面41c…切斷部分51…切片及芯片鍵合帶52…基體材料層
52c…貼合起點(diǎn)53…切片層
具體實(shí)施例方式下面，通過(guò)參照

本發(fā)明的具體實(shí)施方式
及實(shí)施例，來(lái)明確說(shuō)明本發(fā)明。(切片及芯片鍵合帶)圖I (a)及(b)是示意性表示本發(fā)明一實(shí)施方式的切片及芯片鍵合帶的圖。圖I (a)為局部切除俯視圖，圖1(b)為沿圖1(a)中的I-I線的局部切除正面剖面圖。另外，在圖I及下述圖中，為了便于圖示，尺寸及大小根據(jù)實(shí)際的尺寸及大小適當(dāng)變化。如圖1(a)及(b)所示，切片及芯片鍵合帶I具有長(zhǎng)條狀的脫模層2。在脫模層2的上面2a依次疊層有粘接劑層3、基體材料層4、切片層5。粘接劑層3的一面3a (第一面)上疊層有基體材料層4。粘接劑層3的另一面3b (第二面)上疊層有脫模層2。在長(zhǎng)條狀的脫模層2的上面2a等間隔地配置有多個(gè)具有粘接劑層3、基體材料層4及切片層5的疊層物。也可以在該疊層物的側(cè)向，在脫模層2的上面2a設(shè)置保護(hù)片。脫模層2為例如脫模膜。脫模層2用于保護(hù)粘接劑層3的貼合半導(dǎo)體晶片的另一面3b。另外，脫模層2也可以不使用。作為構(gòu)成脫模層2的材料，可以舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂等聚酯類(lèi)樹(shù)脂、聚四氟乙烯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、聚甲基戊烯樹(shù)脂、聚醋酸乙烯酯樹(shù)脂等聚烯烴類(lèi)樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、及聚酰亞胺樹(shù)脂等塑料樹(shù)脂等。脫模層2的表面可以進(jìn)行脫模處理。脫模層可以為單層，也可以為多層。脫模層為多層的情況下，各層可以由不同的樹(shù)脂形成。從進(jìn)一步提高脫模層2的操作性或剝離性的觀點(diǎn)來(lái)看，脫模層2的厚度優(yōu)選I(Γ100 μ m的范圍內(nèi)。粘接劑層3是用于半導(dǎo)體芯片的芯片鍵合的層。粘接劑層3用于將半導(dǎo)體芯片與基板或其它半導(dǎo)體芯片等接合。粘接劑層3由例如含有適當(dāng)?shù)墓袒詷?shù)脂等固化性化合物的固化性樹(shù)脂組合物或熱塑性樹(shù)脂等形成。固化前的上述固化性樹(shù)脂組合物柔軟，因此，在外力的作用下容易變形。得到帶粘接劑層3的半導(dǎo)體芯片后，將得到的帶粘接劑層3的半導(dǎo)體芯片從粘接劑層3側(cè)疊層于基板等粘附體上。然后，施加熱能或光能，使粘接劑層3固化，從而能夠經(jīng)由粘接劑層3，使粘附體與半導(dǎo)體芯片牢固地接合。為了使上述固化性樹(shù)脂組合物固化，使用固化劑。作為該固化劑，可以舉出例如，三烷基四氫鄰苯二甲酸酐等加熱固化型酸酐類(lèi)固化劑、酚類(lèi)固化劑、胺類(lèi)固化劑或雙氰胺等潛在性固化劑、及陽(yáng)離子類(lèi)催化型固化劑等。為了調(diào)節(jié)固化速度或固化物的物性等，也可以組合使用上述固化劑和固化促進(jìn)劑。粘接劑層3的厚度沒(méi)有特別限定。粘接劑層3的厚度優(yōu)選在f 100 μ m的范圍內(nèi)。粘接劑層3的厚度的更優(yōu)選的下限為3 μ m，更優(yōu)選的上限為60 μ m。若粘接劑層3的厚度在上述范圍內(nèi)，則半導(dǎo)體芯片的貼合容易，更能夠應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體裝置的薄型化?；w材料層4具備具有非粘接性的非粘接部4A。非粘接部4A設(shè)置于基體材料層4的中央?yún)^(qū)域。非粘接部4A設(shè)置于與粘接劑層3的貼合半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)應(yīng)的部分。非粘接部4A的平面形狀為圓形。在俯視圖下，基體材料層4比粘接劑層3大，非粘接部4A比粘接劑層3大。因此，非粘接部4A具有與粘接劑層3的外周側(cè)面3c相比向側(cè)方進(jìn)一步伸出的區(qū)域。因此，在粘接劑層3貼合半導(dǎo)體晶片時(shí)，能夠使半導(dǎo)體晶片與在粘接劑層3的貼合有非粘接部4A的部分對(duì)準(zhǔn)位置。貼合后，可以在貼合有半導(dǎo)體晶片的粘接劑層3的一面3a上可靠地配置非粘接部4A。因此，切片后，可以容易地將帶粘接劑層3半導(dǎo)體芯片從基 體材料層4的非粘接部4A剝離。因此，能夠降低生產(chǎn)損失，能夠提高成品率。另外，“非粘接性”不僅包括表面沒(méi)有粘接性，還包括用手指觸摸表面時(shí)有不粘手的程度的粘接性的情況。具體而言，“非粘接”只是將基體材料層4的非粘接部4A貼合于不銹鋼板，將基體材料層4以300mm/分的剝離速度剝離時(shí)，粘接力為O. 05N/25mm寬度以下。基體材料層4在非粘接部4A的外側(cè)部分的區(qū)域具備具有粘接性的粘接部4B。粘接部4B為環(huán)狀?；w材料層4被覆粘接劑層3，基體材料層4的粘接部4B貼合于脫模層2的上面2a。粘接劑層3的一面3a的整面疊層有基體材料層4的非粘接部4A。粘接部4B并未疊層在粘接劑層3的一面3a上。在進(jìn)行切片時(shí)，切片環(huán)貼合于基體材料層4的粘接部4B。圖2表示只放大切片及芯片鍵合帶I的基體材料層4的俯視圖。如圖2所示，基體材料層4在外周部分具有開(kāi)始貼合時(shí)貼合于切片環(huán)的貼合起點(diǎn)4C。貼合起點(diǎn)4C為貼合開(kāi)始部分。得到帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片時(shí)，從貼合起點(diǎn)4C將基體材料層4的外周部分貼合于切片環(huán)。貼合于基體材料層4的切片環(huán)的部分為具有粘接性的粘接部4B?；w材料層4的平面形狀為大致圓形，除貼合起點(diǎn)4C部分外的基體材料層4的平面形狀為圓形的一部分。在圖2中，假設(shè)基體材料層4整體的平面形狀為圓形的情況的假想線用點(diǎn)劃線表示。將除貼合起點(diǎn)4C外的基體材料層4的貼合于切片環(huán)的部分的寬度設(shè)為W(mm)，將除貼合起點(diǎn)4C外的部分的基體材料層4的外徑(直徑)設(shè)為D(mm)。在本實(shí)施方式中，從基體材料層4的貼合起點(diǎn)4C側(cè)的外周前端起算，位于朝向內(nèi)側(cè)O. 3ff(mm)的距離的位置上的貼合起點(diǎn)4C的長(zhǎng)度L(mm)在O. 30D O. 44D(mm)的范圍內(nèi)。若長(zhǎng)度L低于O. 30D，則貼合時(shí)發(fā)生局部變形的可能性升高。另外，若長(zhǎng)度L超過(guò)O. 44D，則從切片環(huán)露出的可能性升高，露出的情況下，可能會(huì)引起在向下一工序的搬運(yùn)中貼合于其它切片環(huán)，或在加工裝置內(nèi)貼合于周邊部等故障。另外，若貼合起點(diǎn)的長(zhǎng)度過(guò)短，則開(kāi)始貼合時(shí)，應(yīng)力容易集中于貼合起點(diǎn)。通過(guò)延長(zhǎng)貼合起點(diǎn)的長(zhǎng)度，能夠使開(kāi)始貼合時(shí)的應(yīng)力在貼合起點(diǎn)的長(zhǎng)度方向上分散。因此，能夠防止先切片得到的分割后半導(dǎo)體晶片的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的錯(cuò)位。
將貼合起點(diǎn)4C的前端從假設(shè)基體材料層4整體平面形狀為圓形時(shí)的假想線(圖2的點(diǎn)劃線)的貼合方向前端向貼合方向突出的長(zhǎng)度設(shè)為突出長(zhǎng)度Z(mm)。在下述實(shí)施方式中，也同樣地將突出的長(zhǎng)度設(shè)為突出長(zhǎng)度Z(mm)。突出長(zhǎng)度Z(mm)優(yōu)選小于O. 20W，優(yōu)選突出程度小。若突出量變大，則貼合于切片環(huán)時(shí)，可能貼合于切片環(huán)的部分的寬度變得不均勻，或從切片環(huán)露出?！百N合方向”是指將設(shè)有貼合開(kāi)始時(shí)就貼合于切片環(huán)的貼合起點(diǎn)的基體材料層的一端和與該一端相反的另一端連接起來(lái)的方向。寬度W是將基體材料層4貼合于切片環(huán)時(shí)，除貼合起點(diǎn)4C外的部分中從切片環(huán)的內(nèi)周端到基體材料層4的外周端的距離。除貼合起點(diǎn)4C部分外的基體材料層4的平面形狀為圓形的一部分，外徑D表示圓形部分中基體材料層4的外徑(直徑)。貼合起點(diǎn)4C具有寬度方向和比該寬度方向長(zhǎng)的長(zhǎng)度方向。長(zhǎng)度L表示從基體材料層4的貼合起點(diǎn)4C側(cè)的外周前端朝向內(nèi)側(cè)，S卩，在貼合方向上朝向內(nèi)側(cè)，位于O. 3W的距離的位置上的貼合起點(diǎn)4C的長(zhǎng)度方向尺寸。長(zhǎng)度L表示從基體材料層4的貼合起點(diǎn)4C側(cè)的外周前端朝向與基體材料層4的貼合起點(diǎn)4C側(cè)相反的側(cè)，并位于O. 3W的距離的位置上 的貼合起點(diǎn)4C的長(zhǎng)度方向尺寸?；w材料層4在貼合起點(diǎn)4C側(cè)的外周端具有三個(gè)凸部4a 4c。凸部4b位于凸部4a和凸部4c之間。圖2中表示將凸部4a的頂點(diǎn)設(shè)為BI，將凸部4b的頂點(diǎn)設(shè)為Al，將凸部4c的頂點(diǎn)設(shè)為B2。Al為基體材料層4的貼合起點(diǎn)4C側(cè)的外周前端。在基體材料層4中，BI和Al以直線連接，Al和B2以直線連接。由連接B1、A1及B2的三條直線包圍的部分的平面形狀為連接BI和Al的直線及連接Al和B2的直線的長(zhǎng)度相等的等腰三角形。圖2中表示將連接BI和B2的直線與從Al向該直線引的垂線的交點(diǎn)設(shè)為All。BI和基體材料層4的圓形部分、以及B2和基體材料層4的圓形部分以直線連接。圖2中表示將BI和基體材料層4的圓形部分的切點(diǎn)設(shè)為Cl，將B2和基體材料層4的圓形部分的切點(diǎn)設(shè)為C2。連接BI和Cl的直線為基體材料層4的圓形部分的Cl的切線。連接B2和C2的直線為基體材料層4的圓形部分的C2的切線?；w材料層4的非粘接部4A和粘接部4B —體形成。非粘接部4A和粘接部4B由相同材料形成，不是由不同材料形成?；w材料層4可以使用例如，活性能量線固化型或熱固化型且具有粘接性的組合物形成。在使用活性能量線固化型組合物時(shí)，通過(guò)局部地調(diào)節(jié)對(duì)組合物照射的活性能量線的照射量，可以使基體材料層4的粘接性在各部分不同。為了使基體材料層4具有非粘接性，只要增加活性能量線的照射量即可。為了使基體材料層4具有粘接性，只要不照射活性能量線，或減少活性能量線的照射量即可?；w材料層4優(yōu)選由含有丙烯酸類(lèi)聚合物的組合物形成?；w材料層4優(yōu)選由使含有丙烯酸類(lèi)聚合物的組合物交聯(lián)而成的交聯(lián)體形成。該情況下，能夠進(jìn)一步提高切片時(shí)的切削性。另外，能夠容易地控制及設(shè)計(jì)基體材料層4的極性、儲(chǔ)能模量或斷裂伸長(zhǎng)率。上述丙烯酸類(lèi)聚合物沒(méi)有特別限定。上述丙烯酸類(lèi)聚合物優(yōu)選(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物。作為(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物，優(yōu)選使用具有碳原子數(shù)為廣18的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物。通過(guò)使用具有碳原子數(shù)為廣18的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物，可以充分降低基體材料層4的極性，可以降低基體材料層4的表面能量，且能夠提高粘接劑層3從基體材料層4剝離時(shí)的剝離性。上述組合物優(yōu)選含有活性能量線反應(yīng)引發(fā)劑及熱反應(yīng)引發(fā)劑中的至少一種，更優(yōu)選含有活性能量線反應(yīng)引發(fā)劑。活性能量線反應(yīng)引發(fā)劑優(yōu)選光反應(yīng)引發(fā)劑。上述活性能量線包括紫外線、電子束、α線、β線、Y線、X線、紅外線及可見(jiàn)光線。這些活性能量線中，由于固化性?xún)?yōu)越，且固化物不易老化，因此優(yōu)選紫外線或電子束。作為上述光反應(yīng)引發(fā)劑，可以使用例如，自由基光引發(fā)劑或陽(yáng)離子光引發(fā)劑等。作為上述熱反應(yīng)引發(fā)劑，可以舉出自由基熱引發(fā)劑等。為了控制粘接力，也可以向上述組合物中添加異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑?；w材料層4的厚度沒(méi)有特別限定?；w材料層4的厚度優(yōu)選在f 100 μ m的范圍內(nèi)?；w材料層4的厚度的更優(yōu)選的下限為5 μ m，更優(yōu)選的上限為60 μ m。若基體材料 層4的厚度滿(mǎn)足上述優(yōu)選的下限，則能夠進(jìn)一步提高擴(kuò)展性。若基體材料層4的厚度滿(mǎn)足上述優(yōu)選的上限，則厚度變得更均勻，能夠進(jìn)一步提高切片的精度。切片層5為例如切片膜。作為構(gòu)成切片層5的材料，可以舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂等聚酯類(lèi)樹(shù)脂、聚四氟乙烯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、聚甲基戊烯樹(shù)脂、聚醋酸乙烯酯樹(shù)脂等聚烯烴類(lèi)樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、及聚酰亞胺樹(shù)脂等塑料樹(shù)脂等。尤其是，由于擴(kuò)展性?xún)?yōu)越，環(huán)境影響小，因此優(yōu)選聚烯烴類(lèi)樹(shù)脂。切片層5的厚度沒(méi)有特別限定。切片層5的厚度優(yōu)選在1(Γ200μπι的范圍內(nèi)。切片層5的厚度的更優(yōu)選的下限為60 μ m，更優(yōu)選的上限為150 μ m。若切片層5的厚度在上述范圍內(nèi)，則能夠進(jìn)一步提高脫模層2的剝離性及切片層5的擴(kuò)展性。在本實(shí)施方式中，切片層5的平面形狀與基體材料層4的平面形狀相同。切片層5的平面形狀也可以與基體材料層4的平面形狀不同。切片層5的尺寸在不妨礙本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，可以比基體材料層4的尺寸大，也可以比其小。切片層5的尺寸優(yōu)選比基體材料層4的尺寸大。在切片及芯片鍵合帶I中使用切片層5。也可以省略切片層5，基體材料層4兼作切片層。在切片及芯片鍵合帶I中，可以將切片環(huán)貼合于基體材料層4的粘接部4B，因此，不必將切片環(huán)貼合于切片層5。因此，可以省略切片層5。由于不必將切片環(huán)貼合于切片層5，因此，切片層5也可以沒(méi)有粘接力。因此，構(gòu)成切片層5的材料及組分能夠從更大的范圍選擇。由于可以在切片時(shí)更有效地防止半導(dǎo)體芯片的跳躍等，因此，優(yōu)選在基體材料層4的與貼合有粘接劑層3的面相反的另一面貼合切片層5。這種情況下，對(duì)基體材料層4的擴(kuò)展性等沒(méi)有太大的要求，因此，構(gòu)成基體材料層4的材料及組分能夠從更大的范圍選擇。圖3及圖4表不基體材料層的變形例。圖3、4所示的基體材料層11、12除了貼合起點(diǎn)的形狀不同以外，與基體材料層4同樣地構(gòu)成。基體材料層11、12具有非粘接部11A、12A、位于非粘接部11A、12A的外周部分區(qū)域的粘接部11B、12B?；w材料層11、12中貼合于切片環(huán)的部分為具有粘接性的粘接部11B、12B?；w材料層11、12的平面形狀為大致圓形，除貼合起點(diǎn)11C、12C部分外的基體材料層11、12的平面形狀為圓形的一部分。在圖3、4中，假設(shè)基體材料層11、12整體的平面形狀為圓形時(shí)的假想線用點(diǎn)劃線表示。將基體材料層11、12的除貼合起點(diǎn)11C、12C外的部分的基體材料層11、12的貼合于切片環(huán)的部分的寬度設(shè)為W(mm)，將除貼合起點(diǎn)11C、12C外的部分的基體材料層11、12的外徑設(shè)為D(mm)。從基體材料層11、12的貼合起點(diǎn)11C、12C側(cè)的外周前端起，朝向內(nèi)側(cè)并位于O. 3ff(mm)的距離的位置上的貼合起點(diǎn)11C、12C的長(zhǎng)度L (mm)在O. 30D 0. 44D (mm)的范圍內(nèi)。若長(zhǎng)度L低于O. 30D，則貼合時(shí)發(fā)生局部變形的可能性升高。另外，若長(zhǎng)度L超過(guò)O. 44D，則從切片環(huán)露出的可能性升高，露出的情況下，可能會(huì)引起在向下一工序的搬運(yùn)中貼合于其它切片環(huán)，或在加工裝置內(nèi)貼合于周邊部等事故。圖3所示的基體材料層11在貼合起點(diǎn)IlC側(cè)的外周端具有四個(gè)凸部Ila lid。凸部Ilb和凸部Ilc位于凸部Ila和凸部Ild之間，凸部Ilb位于凸部Ila側(cè)，凸部Ilc位于凸部Ild側(cè)。圖3中表示將凸部Ila的頂點(diǎn)設(shè)為BI，將凸部Ilb的頂點(diǎn)設(shè)為Al，將凸部Ilc的頂點(diǎn)設(shè)為A2，將凸部Ild的頂點(diǎn)設(shè)為B2。Al和A2為基體材料層11的貼合起點(diǎn)IlC側(cè)的外周前端。在基體材料層11中，BI和Al以直線連接，Al和A2以曲線連接，A2和B2以直線連接。由連接B1、A1、A2及B2的四條直線所包圍的部分的平面形狀為以連接Al和A2的直 線為上底，以連接BI和B2的直線為下底的等腰梯形。圖3中表示將凸部Ilb和凸部Ilc之間的凹部的最深部設(shè)為All。另外，圖3中表示將連接BI和B2的直線與從Al向該直線引的垂線的交點(diǎn)設(shè)為A21，將連接BI和B2的直線與從A2向該直線引的垂線的交點(diǎn)設(shè)為A22。BI和基體材料層11的圓形部分、及B2和基體材料層11的圓形部分以直線連接。圖3中表示將BI和基體材料層11的圓形部分的切點(diǎn)設(shè)為Cl，將B2和基體材料層11的圓形部分的切點(diǎn)設(shè)為C2。連接BI和Cl的直線及連接B2和C2的直線分別為基體材料層11的圓形部分的Cl、C2的切線。圖4所示的基體材料層12在貼合起點(diǎn)12C側(cè)的外周端具有四個(gè)凸部12a 12d。凸部12b和凸部12c位于凸部12a和凸部12d之間，凸部12b位于凸部12a偵彳，凸部12c位于凸部12d側(cè)。圖4中表示將凸部12a的頂點(diǎn)設(shè)為Al，將凸部12b的頂點(diǎn)設(shè)為A2，將凸部21c的頂點(diǎn)設(shè)為A3，將凸部21d的頂點(diǎn)設(shè)為A4。Al、A2、A3及A4均為基體材料層12的貼合起點(diǎn)12C側(cè)的外周前端。在基體材料層12中，Al和A2、A2和A3、A3和A4分別以曲線連接。圖4中表示將凸部12a和凸部12b之間的凹部的最深部設(shè)為All，將凸部12b和凸部12c之間的凹部的最深部設(shè)為A12，將凸部12c和凸部12d之間的凹部的最深部設(shè)為A13。Al和基體材料層12的圓形部分連接，并且A4和基體材料層12的圓形部分連接。圖4中示出，將Al和基體材料層12的圓形部分的切點(diǎn)設(shè)為Cl，將A4和基體材料層12的圓形部分的切點(diǎn)設(shè)為C2。Al和Cl以曲線和直線連接，Al側(cè)為曲線，Cl側(cè)為直線。圖4中示出，將從Al延伸的曲線和從Cl延伸的直線的界限設(shè)為BI。A4和C2以曲線和直線連接，A4側(cè)為曲線，C2側(cè)為直線。圖4中示出，將從A4延伸的曲線和從C2延伸的直線的界限設(shè)為B2。從Cl延伸的直線及從C2延伸的直線分別為基體材料層12的圓形部分的C1、C2的切線。圖4中示出，將連接BI和B2的直線與從Al向該直線引的垂線的交點(diǎn)設(shè)為A21，將連接BI和B2的直線與從A2向該直線引的垂線的交點(diǎn)設(shè)為A22，將連接BI和B2的直線與從A3向該直線引的垂線的交點(diǎn)設(shè)為A23，將連接BI和B2的直線與從A4向該直線引的垂線的交點(diǎn)設(shè)為A24。凸部12a 12d的前端為曲線?；w材料層12的貼合起點(diǎn)12C側(cè)的外周前端的ΑΓΑ4的曲率比基體材料層12中除貼合起點(diǎn)12C外的部分的外周端的曲率大。如圖3及圖4所示，只要從基體材料層的貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端起向位于朝向內(nèi)側(cè)O. 3ff(mm)的距離的位置上的貼合起點(diǎn)的長(zhǎng)度L (mm)在O. 30D^0. 44D (mm)的范圍內(nèi)即可，基體材料層的貼合起點(diǎn)的平面形狀可以適當(dāng)改變。像基體材料層12那樣，基體材料層的貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端的曲率優(yōu)選比基體材料層除貼合起點(diǎn)外的部分的外周端的曲率大。這種情況下，從脫模層2剝離時(shí)，基體材料層的貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端變成剝離起點(diǎn)，可以容易地剝離，得到帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片時(shí)，可以更高精度地將粘接劑層進(jìn)行切片?；w材料層4的貼合起點(diǎn)4C側(cè)的外周前端為凸部4b的頂點(diǎn)Al?；w材料層11的貼合起點(diǎn)IlC側(cè)的外周前端為凸部IlbUlc的頂點(diǎn)Al、A2?；w材料層12的貼合起點(diǎn) 12C側(cè)的外周前端為凸部12a 12d的頂點(diǎn)AlH這樣，基體材料層優(yōu)選在貼合起點(diǎn)側(cè)的外周端具有凸部，基體材料層3的貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端為該凸部的頂點(diǎn)。這種情況下，從脫模層2剝離時(shí)，基體材料層的貼合起點(diǎn)側(cè)的凸部變成剝離起點(diǎn)，可以容易地剝離，得到帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片時(shí)，可以更高精度地將粘接劑層進(jìn)行切片?；w材料層11在貼合起點(diǎn)IlC側(cè)的外周端具有多個(gè)凸部Ila lld，凸部Ilb和凸部Ilc以曲線連接?；w材料層12在貼合起點(diǎn)12C側(cè)的外周端具有多個(gè)凸部12a 12d，該多個(gè)凸部12a 12d以曲線連接。這樣，基體材料層優(yōu)選在貼合起點(diǎn)側(cè)的外周端具有多個(gè)凸部，該多個(gè)凸部以曲線連接。這種情況下，從脫模層2剝離時(shí)成為剝離起點(diǎn)，可以容易地剝離，得到帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片時(shí)，可以更高精度地將粘接劑層進(jìn)行切片。另外，在基體材料層4、11、12中，貼合起點(diǎn)4C、11C、12C和除貼合起點(diǎn)4C、11C、12C外的部分所成的內(nèi)角在180度以下。即，在貼合起點(diǎn)4C、11C、12C的基端部分中，貼合起點(diǎn)4C、11C、12C和除貼合起點(diǎn)4C、11C、12C外的部分以?xún)?nèi)角在180度以下的方式連接。這樣，若上述內(nèi)角在180度以下，則可以在貼合起點(diǎn)的基端防止基體材料層用盡。若上述內(nèi)角超過(guò)180度，則在貼合起點(diǎn)的基端，存在基體材料層容易用盡的趨勢(shì)。在圖I所示的切片及芯片鍵合帶I中，貼合起點(diǎn)4C只貼合于一個(gè)基體材料層4 一處。貼合起點(diǎn)4C設(shè)置于長(zhǎng)條狀脫模層2的長(zhǎng)度方向的一端側(cè)。圖15表示切片及芯片鍵合帶的變形例。圖I所示的切片及芯片鍵合帶I和圖15所示的切片及芯片鍵合帶51相比，基體材料層上的貼合起點(diǎn)的個(gè)數(shù)及形成位置不同，由此切片層也不同。設(shè)置于切片及芯片鍵合帶I的貼合起點(diǎn)4C和設(shè)置于切片及芯片鍵合帶51的基體材料層52的貼合起點(diǎn)52C的形狀相同。設(shè)置于切片及芯片鍵合帶51的基體材料層52和切片層53的形狀相同。另夕卜，在圖15中，基體材料層52被切片層53覆蓋。在圖15所示的切片及芯片鍵合帶51中，貼合起點(diǎn)52C在一個(gè)基體材料層52上設(shè)置兩處。貼合起點(diǎn)52C設(shè)置于長(zhǎng)條狀脫模層2的長(zhǎng)度方向一端側(cè)和與該一端側(cè)相反的另一端側(cè)。這樣，優(yōu)選一個(gè)基體材料層設(shè)有多個(gè)貼合起點(diǎn)，優(yōu)選設(shè)有至少兩個(gè)貼合起點(diǎn)。一個(gè)基體材料層設(shè)有多個(gè)貼合起點(diǎn)的情況下，優(yōu)選在基體材料層的一端側(cè)和與該一端側(cè)相反的另一端側(cè)設(shè)有貼合起點(diǎn)。這種情況下，能夠消除使用切片及芯片鍵合帶時(shí)的方向性。另外，例如，在不能順利地從一端側(cè)的貼合起點(diǎn)貼合基體材料層的情況等下，能夠從另一端側(cè)的貼合起點(diǎn)貼合基體材料層。更具體而言，在不能順利地從一端側(cè)的貼合起點(diǎn)貼合基體材料層的情況等下，能夠在暫時(shí)卷取長(zhǎng)條狀切片及芯片鍵合帶后，再次開(kāi)卷，由此，從另一端側(cè)的貼合起點(diǎn)貼合基體材料層。(帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法)接著，下面對(duì)使用圖I (a)、(b)及圖2所示的切片及芯片鍵合帶I來(lái)制造帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。首先，具有切片及芯片鍵合帶I和疊層體21。如圖5(d)所示，疊層體21具有保護(hù)片22、疊層于保護(hù)片22 —面22a的分割后半導(dǎo)體晶片23。分割后半導(dǎo)體晶片23被分割成各半導(dǎo)體芯片。分割后半導(dǎo)體晶片23的平面形狀為圓形。
疊層體21能夠經(jīng)由圖5(ar(d)所示的各工序，如下那樣得到。首先，如圖5(a)所示，準(zhǔn)備半導(dǎo)體晶片23A。半導(dǎo)體晶片23A為分割前半導(dǎo)體晶片。半導(dǎo)體晶片23A的平面形狀為圓形。在半導(dǎo)體晶片23A的表面23a上，在被劃痕劃分成矩陣狀的各區(qū)域形成有用于構(gòu)成各半導(dǎo)體芯片的電路。如圖5 (b)所不，從表面23a側(cè)對(duì)準(zhǔn)備的半導(dǎo)體晶片23A進(jìn)行切片。切片后，半導(dǎo)體晶片23A未分裂斷開(kāi)。在半導(dǎo)體晶片23A的表面23a形成有用于分割成一個(gè)一個(gè)半導(dǎo)體芯片的切痕23c。切片使用例如具備高速旋轉(zhuǎn)的刀片的切片裝置等進(jìn)行。然后，如圖5(c)所示，在半導(dǎo)體晶片23A的表面23a貼合保護(hù)片22。然后，對(duì)半導(dǎo)體晶片23A的背面23b進(jìn)行磨削，減薄半導(dǎo)體晶片23A的厚度。在這里，半導(dǎo)體晶片23A的背面23b磨削到切痕23c部分。這樣，能夠得到圖5(d)所示的疊層體21。半導(dǎo)體晶片23A的背面23b優(yōu)選磨削到切痕23c部分。磨削使用例如具備磨削磁石等的磨床等磨削機(jī)進(jìn)行。磨削時(shí)，半導(dǎo)體晶片23A的表面23a貼合有保護(hù)片22，因此磨削碎屑不會(huì)附著在電路上。另外，磨削后，即使半導(dǎo)體晶片23A被分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片，多個(gè)半導(dǎo)體芯片也不會(huì)七零八落，而是呈現(xiàn)貼合于保護(hù)片22的狀態(tài)。得到疊層體21后，如圖6(a)所示，將疊層體21從保護(hù)片22側(cè)置于載物臺(tái)25上。載物臺(tái)25上，在與分割后半導(dǎo)體晶片23的外周側(cè)面隔開(kāi)一定間隔的位置設(shè)有圓環(huán)狀的切片環(huán)26。在剝離切片及芯片鍵合帶I的脫模層2的同時(shí)，或在脫模層2剝離后，將露出的粘接劑層3的另一面3b貼合于分割后半導(dǎo)體晶片23的背面23b。另外，將露出的基體材料層4的外周部分從貼合起點(diǎn)4C貼合于切片環(huán)26。圖8 (a)以正面剖面圖示出將基體材料層4貼合于切片環(huán)26時(shí)的狀態(tài)，圖8(b)以俯視圖示出將基體材料層4貼合于切片環(huán)26后的狀態(tài)。如圖8(a)及(b)所示，通常，將基體材料層4貼合于切片環(huán)26時(shí)，使用剝離刀32，將基體材料層4及切片層5從脫模層2的上面2a剝離。將基體材料層4的貼合起點(diǎn)4C貼合于切片環(huán)26，將輥31按壓在貼合起點(diǎn)4C上。而且，一邊拉平粘接劑層3、基體材料層4及切片層5，一邊將基體材料層4的外周部分貼合于切片環(huán)26，以使粘接劑層3、基體材料層4及切片層5不產(chǎn)生褶皺。收縮力作用于貼合于切片環(huán)26的基體材料層4及切片層5。若上述收縮力在各部分不同，則例如在將基體材料層貼合于切片環(huán)后，或從分割后半導(dǎo)體晶片剝離保護(hù)片后，分割后半導(dǎo)體晶片的切斷部分，即切片線容易彎曲。在切片及芯片鍵合帶I中，長(zhǎng)度L(mm)在O. 30D 0. 44D(mm)的范圍內(nèi)。即，將切片及芯片鍵合帶I的基體材料層4貼合于切片環(huán)時(shí)，將從基體材料層4的貼合起點(diǎn)4C側(cè)的外周前端其朝向內(nèi)側(cè)位于O. 3W的距離的位置貼合于切片環(huán)26，接著將除貼合起點(diǎn)4C外的基體材料層4的外周部分貼合于切片環(huán)26。換言之，開(kāi)始貼合時(shí)，貼合于切片環(huán)26的基體材料層4部分的長(zhǎng)度L(mm)在O. 30D 0.44D(mm)的范圍內(nèi)。因此，貼合于切片環(huán)26的基體材料層4及疊層于該基體材料層4的粘接劑層3及切片層5的收縮力在各部分上不會(huì)有很大不同。因此，將基體材料層4貼合于切片環(huán)26后，或從貼合于粘接劑層3的分割后半導(dǎo)體晶片23將保護(hù)片22剝離后，分割后半導(dǎo)體晶片23的切片線不易彎曲。因此，能夠高精度地將粘接劑層3進(jìn)行切片。還能夠提高帶粘接劑層3的半導(dǎo)體芯片的拾取性。將基體材料層4貼合于切片環(huán)26后，如圖6 (b)所示，將貼合有粘接劑層3的分割后半導(dǎo)體晶片23從載物臺(tái)25取出，翻過(guò)來(lái)。這時(shí)，將切片環(huán)26在貼合于基體材料層4的粘接部4B的狀態(tài)下取出。將取出的分割后半導(dǎo)體晶片23翻過(guò)來(lái)，使表面23a為上方，置于別的載物臺(tái)27上。 接著，如圖7(a)所示，從分割后半導(dǎo)體晶片23的表面23a剝離保護(hù)片22。剝離保護(hù)片22時(shí)，為了使剝離容易，可以加熱保護(hù)片22。接著，如圖7 (b)所示，沿著分割后半導(dǎo)體晶片23的切痕23c (切斷部分)，即沿著切片線對(duì)粘接劑層3進(jìn)行切片。以貫穿兩面的方式對(duì)粘接劑層3進(jìn)行切片，分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片的大小。切片后，在粘接劑層3上形成切斷部分3d。使用切片及芯片鍵合帶I的情況下，具有非粘接性的非粘接部4A位于貼合有分割后半導(dǎo)體晶片23的粘接劑層3部分的下方，因此，能夠高精度地進(jìn)行切片。因此，切片后，能夠提高帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的拾取性。切片只要以貫穿粘接劑層3的方式進(jìn)行即可，沒(méi)有特別限定。作為將粘接劑層3進(jìn)行切片的方法，可以舉出使用切片刀片的方法、以及激光切片的方法等。使用分割后半導(dǎo)體晶片23的情況下，一般使用進(jìn)行激光切片的方法。例如，在中間層4的非粘接部4A發(fā)生固化的情況下，由于非粘接部4A不易因激光的照射而發(fā)生反應(yīng)。因此，基體材料層4不易與粘接劑層3發(fā)生熱粘著。因此，即使在進(jìn)行使用激光光的切片的情況下，也能夠順利地進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的拾取。將半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切片，分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片后，拉長(zhǎng)切片層5，將分割而成的一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片間的間隔擴(kuò)大。然后，將半導(dǎo)體芯片與粘接劑層3 —同從基體材料層4剝離，取出。這樣，可以得到帶粘接劑層3半導(dǎo)體芯片。另外，切片后，優(yōu)選在不改變粘接劑層3和非粘接部4A之間的剝離力的情況下取出半導(dǎo)體芯片。貼合于基體材料層4的粘接劑層3的非粘接部4A具有非粘接性。因此，切片后，即使不改變上述剝離力，也能夠順利地取出帶粘接劑層3的半導(dǎo)體芯片。接著，下面說(shuō)明圖9(a)、(b)所示的使用切片及芯片鍵合帶I的帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法的其它例子。首先，準(zhǔn)備上述切片及芯片鍵合帶I和半導(dǎo)體晶片41。半導(dǎo)體晶片41的平面形狀為圓形。半導(dǎo)體晶片41未被分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。如圖9(a)所示，將半導(dǎo)體晶片41翻過(guò)來(lái)，將翻過(guò)來(lái)的半導(dǎo)體晶片41從表面41a側(cè)置于載物臺(tái)25上。載物臺(tái)25上，在與半導(dǎo)體晶片41的外周側(cè)面隔開(kāi)一定間隔的位置設(shè)有圓環(huán)狀的切片環(huán)26。在剝離切片及芯片鍵合帶I的脫模層2的同時(shí)，或在脫模層2剝離后，將露出的粘接劑層3的另一面3b貼合于半導(dǎo)體晶片41的背面41b。另外，將露出的基體材料層4的外周部分從貼合起點(diǎn)4C貼合于切片環(huán)26。接著，如圖9(b)所示，將貼合有粘接劑層3的半導(dǎo)體晶片41從載物臺(tái)25取出，翻過(guò)來(lái)。這時(shí)，將切片環(huán)26在貼合于基體材料層4的粘接部4B的狀態(tài)下取出。將取出的半導(dǎo)體晶片41翻過(guò)來(lái)，使表面41a為上方，置于別的載物臺(tái)27上。接著，將半導(dǎo)體晶片41與粘接劑層3 —同進(jìn)行切片，分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片。以貫穿兩面的方式使半導(dǎo)體晶片41及粘接劑層3分別分裂。切片后，半導(dǎo)體晶片41形成切斷部分41c，粘接劑層3形成切斷部分3d，且基體材料層4形成切痕。接著，拉長(zhǎng)切片層5，將半導(dǎo)體芯片與粘接劑層3 —同從基體材料層4剝離，取出，從而能夠得到帶粘接劑層3的半導(dǎo)體芯片。下面，通過(guò)舉出實(shí)施例及比較例，具體說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明不限于以下實(shí)施例。(丙烯酸類(lèi)聚合物I)將95重量份的丙烯酸2-乙基己酯、5重量份的丙烯酸2-羥基乙酯、O. 2重量份的作為自由基光引發(fā)劑的Irgcure 651 (Ciba-Geigy公司制造,50%乙酸乙酯溶液)、及O. 01重量份的月桂基硫醇溶解在乙酸乙酯中，得到溶液。對(duì)該溶液照射紫外線進(jìn)行聚合，得到聚合物的乙酸乙酯溶液。另外，相對(duì)于100重量份的該溶液的固體成分，使3. 5重量份的2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(昭和電工公司制，Karenz Μ0Ι)反應(yīng)，得到丙烯酸類(lèi)共聚物(丙烯酸類(lèi)聚合物I)。得到的丙烯酸類(lèi)聚合物I的重均分子量為70萬(wàn)，酸值為O. 86 (mgKOH/g)。另外，作為構(gòu)成用于形成基體材料層的組合物的材料，準(zhǔn)備以下化合物。(光聚合引發(fā)劑)Irgcure 651 (CIBA JAPAN 公司制造)(低聚物)U324A :新中村化學(xué)工業(yè)公司制造，氨基甲酸酯丙烯酸低聚物(10官能團(tuán)的氨基甲酸酯丙烯酸低聚物)，重均分子量1，300(交聯(lián)劑)CORONATE L_45 日本聚氨酯工業(yè)公司制造，異氰酸酯類(lèi)交聯(lián)劑(切片層)使用聚乙烯(Primepolymer公司制造，M12)作為原料，通過(guò)T模法制造厚度為100 μ m的切片層，即聚乙烯薄膜。(實(shí)施例I)在實(shí)施例I中，形成圖I (a)、(b)及圖2所示形狀的切片及芯片鍵合帶及基體材料層。(I)第一疊層體的制作將100重量份的上述丙烯酸類(lèi)聚合物I、I重量份的Irgcure 651、15重量份的作為氨基甲酸酯丙烯酸低聚物的U324A、I重量份的CORONATE L-45混合，得到粘接劑組合物。將得到的粘接劑組合物涂布于脫模PET薄膜上，在110°C下干燥5分鐘，除去溶劑，形成組合物層。對(duì)切片層即聚乙烯薄膜的將要疊層有基體材料層的面進(jìn)行鏡面加工及電暈處理。在組合物層的與貼合有脫模PET薄膜的面相反的面貼合聚乙烯薄膜。然后，在40°C下保存24小時(shí)。接著，對(duì)得到的組合物層的中央?yún)^(qū)域使用水銀燈以2000mJ/cm2的能量照射光，使組合物層固化。這樣，得到中央?yún)^(qū)域具有非粘接部，該非粘接部的外側(cè)部分的區(qū)域具有粘接部的基體材料層(厚度20 μ m)。這樣，得到依次疊層有脫模PET薄膜、基體材料層及切片層的第一疊層體。(2)第二疊層體的制作將15重量份的G_2050M(日油公司制造，含有環(huán)氧基的丙烯酸聚合物，重均分子量Mw20萬(wàn))、70重量份的EXA-7200HH(DIC公司制造，雙環(huán)戊二烯型環(huán)氧化合物)、15重量份的HP-4032D (DIC公司制造，萘型環(huán)氧化合物)、38重量份的YH-309 (三菱化學(xué)公司制造，酸酐類(lèi)固化劑)、8重量份的2MA0K-PW(四國(guó)化成公司制，咪唑)、2重量份的S320(智索公司制造，氨基硅烷)、4重量份的MT-10 (德山公司制造，表面疏水化氣相二氧化硅)混合，得到混 合物。將得到的混合物添加到作為溶劑的甲基乙基酮(MEK)中，使固體成分為60重量％，攪拌得到涂布液。將得到的涂布液涂布于脫模PET薄膜上，使其厚度為ΙΟμπι，在110°C的烘箱內(nèi)加熱干燥2分鐘。然后，進(jìn)行加工，使粘接劑層的平面形狀為下表I所示的直徑的圓形，得到在脫模PET薄膜上疊層有粘接劑層的第二疊層體。(3)切片及芯片鍵合帶的制作接著，將第一疊層體的脫模PET薄膜剝離，使基體材料層露出。在60°C下將基體材料層和切片層的疊層體從基體材料層側(cè)層壓于粘接劑層上，得到層壓體。然后，以圖1(a)、(b)及圖2所示的形狀，且為下述表I所示的尺寸的方式裁切成基體材料層及切片層。這樣，制作具有依次疊層有脫模PET薄膜/粘接劑層/基體材料層/切片層的四層疊層結(jié)構(gòu)的切片及芯片鍵合帶。在得到的切片及芯片鍵合帶中，非粘接部比粘接劑層大，非粘接部具有比粘接劑層的外周側(cè)面更向側(cè)向伸出的區(qū)域。(實(shí)施例2 4)在實(shí)施例2 4中，形成圖I (a)、(b)及圖2所示的形狀的切片及芯片鍵合帶及基體材料層。除了如下表I所示那樣改變基體材料層及切片層的尺寸以外，與實(shí)施例I同樣地制作切片及芯片鍵合帶。另外，雖然，在圖2中，貼合起點(diǎn)4C的前端并未從假設(shè)基體材料層4整體的平面形狀為圓形時(shí)的假想線(點(diǎn)劃線)的貼合方向的前端向貼合方向突出，但是，在實(shí)施例4中，貼合起點(diǎn)4C的前端從假想線的貼合方向的前端向貼合方向突出。[表 I]
I實(shí)施例II實(shí)施例2 I實(shí)施例3I實(shí)施例4
基體材料層的形狀圖2圖2圖2圖2
A1-A11 間的距離 2mm2.5mm3mm3mmBI-B2 間的距離 150mm154mm162mm112mm
突出長(zhǎng)度 z0. Off0. Off0. Off0.20W
寬度 WIOmmIOmmIOmmIOmm
外徑 D370mm370mm370mm370mm
長(zhǎng)度 L152.2mm155mm162mm112mm
長(zhǎng)度 L/ 外徑 D0.4110.4190.4380. 303(實(shí)施例5飛)
在實(shí)施例2飛中，除了將基體材料層及切片層的形狀及尺寸改變成圖3所示的形
狀、下表2所示的尺寸以外，與實(shí)施例I同樣地制作切片及芯片鍵合帶。另外，雖然，在圖3
中，貼合起點(diǎn)IlC的前端并未從假設(shè)基體材料層11整體的平面形狀為圓形時(shí)的假想線(點(diǎn)
劃線)的貼合方向的前端向貼合方向突出，但是，在實(shí)施例6中，貼合起點(diǎn)IlC的前端從假
想線的貼合方向的前端向貼合方向突出。[表2]
實(shí)施例5~實(shí)施例6~
基體材料層的形狀S3S3
凹部的最深部(A3)的深度2^
A1-A2 間的距離60mm78mm
Al-A21間及A2-A22間的距離3mm3mm
B1-B2 間的距離120mm156mm
突出長(zhǎng)度ZO. OOffO. IOff
寬度 WΙΟτηπιΙΟτηπι
外徑 D370mm370mm
長(zhǎng)度 L120mm156mm
長(zhǎng)度 L/ 外徑 D0.3240.422(實(shí)施例7)在實(shí)施例7中，除了將基體材料層及切片層的形狀及尺寸改變成圖4所示的形狀、
下表3所示的尺寸以外，與實(shí)施例I同樣地制作切片及芯片鍵合帶。
[表 3]
權(quán)利要求
1.ー種切片及芯片鍵合帶，其具有粘接劑層以及疊層于所述粘接劑層的一面的基體材料層， 在進(jìn)行切片時(shí)，切片環(huán)貼合在所述基體材料層的外周部分，所述基體材料層在外周部分具有貼合起點(diǎn)，該貼合起點(diǎn)在貼合開(kāi)始時(shí)貼合于切片環(huán)，將除了所述貼合起點(diǎn)以外的部分的所述基體材料層的貼合于所述切片環(huán)的部分的寬度設(shè)為W(mm)，將除了所述貼合起點(diǎn)以外的部分的所述基體材料層的外徑設(shè)為D(mm)吋，從所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端起算，位于朝向內(nèi)側(cè)O. 3W距離的位置上的所述貼合起點(diǎn)的長(zhǎng)度L(mm)在O. 30D O. 44D(mm)的范圍內(nèi)。
2.如權(quán)利要求I所述的切片及芯片鍵合帶，其中， 所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端的曲率比所述基體材料層的除了所述貼合起點(diǎn)以外的部分的外周端的曲率大。
3.如權(quán)利要求I或2所述的切片及芯片鍵合帶，其中， 所述基體材料層在所述貼合起點(diǎn)側(cè)的外周端具有凸部， 所述基體材料層的貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端為所述凸部的頂點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求I所述的切片及芯片鍵合帶，其中， 所述基體材料層在所述貼合起點(diǎn)側(cè)的外周端具有多個(gè)凸部，且該多個(gè)凸部以曲線連接。
5.一種帶有粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其包括以下エ序 使用下述疊層體以及權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的切片及芯片鍵合帶，所述疊層體具有保護(hù)片及疊層于該保護(hù)片的一面上且被分割成一個(gè)ー個(gè)的半導(dǎo)體芯片的分割后半導(dǎo)體晶片， 將所述切片及芯片鍵合帶的所述粘接劑層貼合于所述疊層體的所述分割后半導(dǎo)體晶片上的エ序； 將所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)貼合于圓環(huán)狀的切片環(huán)上，接著將除了所述貼合起點(diǎn)以外的所述基體材料層的外周部分貼合于所述切片環(huán)的エ序； 將所述保護(hù)片從所述分割后半導(dǎo)體晶片上剝離的エ序； 沿所述分割后半導(dǎo)體晶片的切斷部分對(duì)所述粘接劑層進(jìn)行切片的エ序； 切片后將貼合有所述半導(dǎo)體芯片的所述粘接劑層從所述基體材料層剝離，將半導(dǎo)體芯片與所述粘接劑層一同取出的エ序。
6.如權(quán)利要求5所述的帶有粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法，該方法還包括 在半導(dǎo)體晶片的表面形成用于將該半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)ー個(gè)的半導(dǎo)體芯片的切痕的エ序； 在形成有切痕的所述半導(dǎo)體晶片的表面貼合保護(hù)片的エ序；以及對(duì)貼合有所述保護(hù)片的所述半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削，將所述半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)ー個(gè)的半導(dǎo)體芯片，得到所述疊層體的エ序。
7.一種帶有粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的制造方法，該方法包括 使用半導(dǎo)體晶片和權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的切片及芯片鍵合帯， 將所述切片及芯片鍵合帶的所述粘接劑層貼合于所述半導(dǎo)體晶片的エ序； 將所述基體材料層的所述貼合起點(diǎn)貼合于圓環(huán)狀的切片環(huán)上，接著，將除了所述貼合起點(diǎn)以外的所述基體材料層的外周部分貼合于所述切片環(huán)的エ序； 將所述半導(dǎo)體晶片和所述粘接劑層進(jìn)行切片的エ序；以及 在切片后，將貼合有 所述半導(dǎo)體芯片的所述粘接劑層從所述基體材料層剝離，將半導(dǎo)體芯片與所述粘接劑層一同取出的エ序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠?qū)⒄辰觿?3)高精度地進(jìn)行切片，能夠提高帶粘接劑層的半導(dǎo)體芯片的拾取性的切片及芯片鍵合帶。切片及芯片鍵合帶(1)具備粘接劑層、和疊層于粘接劑層的一面(3a)的基體材料層(4)。在進(jìn)行切片時(shí)，在基體材料層的外周部分貼合切片環(huán)(26)?；w材料層在外周部分具有貼合起點(diǎn)(4C)。將除貼合起點(diǎn)外的部分的基體材料層的貼合于切片環(huán)的部分的寬度設(shè)為W(mm)、將除貼合起點(diǎn)外的部分的基體材料層的外徑設(shè)為D(mm)時(shí)，從基體材料層的貼合起點(diǎn)側(cè)的外周前端朝向內(nèi)側(cè)處于0.3W(mm)的距離的位置的貼合起點(diǎn)的長(zhǎng)度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)的范圍內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L21/304GK102844843SQ20118000937
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2011年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者石丸維敏 申請(qǐng)人:積水化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社