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雙涂層石英坩堝的制作方法

文檔序號(hào):8041489閱讀:269來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:雙涂層石英坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,更具體的說(shuō)是一種直拉單晶爐使用的石英坩禍。
背景技術(shù)
石英坩堝可在1450度以下使用,分為透明和不透明兩種,用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅,發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料,當(dāng)今,世界半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家已用此坩堝取代了小的透明石英坩堝,半透明石英坩堝具有高純度、耐溫性強(qiáng)、尺寸大精度高、保溫性好、節(jié)約能源、質(zhì)量穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),目前,生產(chǎn)半透明石英坩堝采用的是高純石英砂,高純石英砂價(jià)格昂貴,使得生產(chǎn)出的半透明石英坩堝成本較高,制約了廠家的生產(chǎn),影響了單晶硅行業(yè)的發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種雙涂層石英坩堝,它的技術(shù)方案為所述的雙涂層石英坩堝由普通石英層、氫氧化鋇層、高純石英層組成,其特征是普通石英層的內(nèi)側(cè)設(shè)置高純石英層,高純石英層的內(nèi)側(cè)設(shè)置氫氧化鋇層。本實(shí)用新型所述的高純石英層,其特征是采用高純度石英砂,熔制噴涂在普通石英層的內(nèi)側(cè)。本實(shí)用新型成本較低,內(nèi)側(cè)涂有氫氧化鋇,可以大幅度的改善石英坩堝的使用壽命及長(zhǎng)晶良率。

附圖是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖;附圖中1.普通石英層,2.氫氧化鋇層,3.高純石英層。
具體實(shí)施方式
結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)描述,以便公眾更好地掌握本實(shí)用新型的實(shí)施方法,本實(shí)用新型具體的實(shí)施方案為所述的雙涂層石英坩堝由普通石英層1、氫氧化鋇層 2、高純石英層3組成,其特征是普通石英層1的內(nèi)側(cè)設(shè)置高純石英層3,高純石英層3的內(nèi)側(cè)設(shè)置氫氧化鋇層2。本實(shí)用新型所述的高純石英層3,其特征是采用高純度石英砂,熔制噴涂在普通石英層1的內(nèi)側(cè)。本實(shí)用新型成本較低,內(nèi)側(cè)涂有氫氧化鋇,可以大幅度的改善石英坩堝的使用壽命及長(zhǎng)晶良率。
權(quán)利要求1.雙涂層石英坩堝,由普通石英層(1)、氫氧化鋇層O)、高純石英層C3)組成,其特征是普通石英層(1)的內(nèi)側(cè)設(shè)置高純石英層(3),高純石英層(3)的內(nèi)側(cè)設(shè)置氫氧化鋇層 ⑵。
專利摘要雙涂層石英坩堝,由普通石英層、氫氧化鋇層、高純石英層組成,其特征是普通石英層的內(nèi)側(cè)設(shè)置高純石英層,高純石英層的內(nèi)側(cè)設(shè)置氫氧化鋇層,本實(shí)用新型成本較低,內(nèi)側(cè)涂有氫氧化鋇,可以大幅度的改善石英坩堝的使用壽命及長(zhǎng)晶良率。
文檔編號(hào)C30B15/10GK201933195SQ20102068268
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者岳喜東 申請(qǐng)人:濟(jì)寧潤(rùn)鵬光伏科技有限公司
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