一種防缺陷多晶硅坩堝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及多晶硅領(lǐng)域，尤其涉及一種防缺陷多晶硅坩禍。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，當今世界電力供應(yīng)漸趨緊張，光伏技術(shù)的運用可以有效地緩解這一局面。光伏發(fā)電主要有單晶、多晶電池片技術(shù)，與單晶相比，多晶光伏具有能耗小、效率高等優(yōu)點；同樣的時間內(nèi)，耗用同樣的能源，多晶產(chǎn)出將是單晶的6?7倍，因而多晶近些年得到廣泛運用。
[0003]目前，對于多晶硅熔融結(jié)晶所使用的坩禍，業(yè)內(nèi)都采用高純石墨材料制作，自身制造成本較大；而且石墨坩禍結(jié)晶出的多晶硅鑄錠，其含雜量較高，硅錠的有效收得率非常低，以及存在使用效果不理想等缺陷，同時尚不能大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。因此，研究開發(fā)一種防缺陷多晶硅坩禍，具有十分重要的實際意義。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]為此，鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本實用新型的一個目的在于提供一種具有均勻且適宜防缺陷多晶硅坩禍。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供的一種防缺陷多晶硅坩禍，包括具有一敞口端的坩禍，其中，坩禍包括長方體槽狀的坩禍本體，所述坩禍本體下面設(shè)置一內(nèi)底面，所述內(nèi)底面均勻設(shè)置有多個用于在多晶硅鑄錠工藝中作為形核點的盲孔，坩禍本體的內(nèi)底面上設(shè)置有一多晶硅砂層，所述盲孔形成于所述多晶硅砂層上。
[0006]作為優(yōu)選，所述多晶硅坩禍的內(nèi)底面為長方形，所述盲孔在所述多晶硅坩禍坩禍的內(nèi)底面上成矩陣排列。
[0007]作為優(yōu)選，所述多晶硅砂層的厚度為0.4_4mm。
[0008]優(yōu)選地，所述多晶硅坩禍為一正方體容器，所述多晶硅坩禍的邊長范圍為0.8-lm。
[0009]本實用新型的有益效果是:
[0010]本實用新型提供了一種防缺陷多晶硅坩禍，在坩禍本體內(nèi)底面上形成若干在多晶硅鑄錠工藝中作為形核點的盲孔，通過熱場與工藝的配合，控制長晶初期的過冷度，從而可以得到均勻的具有一定尺寸大小的小晶粒。本實用新型的防缺陷多晶硅坩禍制備成本低且形核點均勻、適宜。
【附圖說明】
[0011]圖1是一種防缺陷多晶硅坩禍立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]其中:1_樹禍本體，2_盲孔，3_多晶娃砂層。
【具體實施方式】
[0013]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述。
[0014]在一個實施例中，如圖1所示，
[0015]—種防缺陷多晶硅坩禍，包括具有一敞口端的坩禍，其中，坩禍包括長方體槽狀的坩禍本體1，所述坩禍本體1下面設(shè)置一內(nèi)底面，所述內(nèi)底面均勻設(shè)置有多個用于在多晶硅鑄錠工藝中作為形核點的盲孔2，坩禍本體的內(nèi)底面上設(shè)置有一多晶硅砂層3，所述盲孔形成于所述多晶硅砂層上。
[0016]作為優(yōu)選，所述多晶硅坩禍的內(nèi)底面為長方形，所述盲孔在所述多晶硅坩禍坩禍的內(nèi)底面上成矩陣排列。
[0017]作為優(yōu)選，所述多晶硅砂層的厚度為0.4_4mm。
[0018]進一步地，所述多晶硅坩禍為一正方體容器，所述多晶硅坩禍的邊長范圍為0.8-lm0
[0019]以上所揭露的僅為本實用新型較佳實施例而已，當然不能以此來限定本實用新型之權(quán)利范圍，因此依本實用新型權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本實用新型所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種防缺陷多晶硅坩禍，其特征在于:包括具有一敞口端的坩禍，其中，坩禍包括長方體槽狀的坩禍本體(1 )，所述坩禍本體(1)下面設(shè)置一內(nèi)底面，所述內(nèi)底面均勻設(shè)置有多個用于在多晶硅鑄錠工藝中作為形核點的盲孔(2)，坩禍本體的內(nèi)底面上設(shè)置有一多晶硅砂層(3 )，所述盲孔(2 )形成于所述多晶硅砂層(3 )上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防缺陷多晶硅坩禍，其特征在于，所述多晶硅坩禍的內(nèi)底面為長方形，所述盲孔(2)在所述多晶硅坩禍坩禍的內(nèi)底面上成矩陣排列。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防缺陷多晶硅坩禍，其特征在于，所述多晶硅砂層的厚度為 0.4_4mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的一種防缺陷多晶硅坩禍，其特征在于，所述多晶硅坩禍為一正方體容器，所述多晶硅坩禍的邊長范圍為0.8-lm。
【專利摘要】本實用新型涉及一種防缺陷多晶硅坩堝，包括具有一敞口端的坩堝，其中，坩堝包括長方體槽狀的坩堝本體，所述坩堝本體下面設(shè)置一內(nèi)底面，所述內(nèi)底面均勻設(shè)置有多個用于在多晶硅鑄錠工藝中作為形核點的盲孔，坩堝本體的內(nèi)底面上設(shè)置有一多晶硅砂層，所述盲孔形成于所述多晶硅砂層上，通過熱場與工藝的配合，控制長晶初期的過冷度，從而可以得到均勻的具有一定尺寸大小的小晶粒。本實用新型的防缺陷多晶硅坩堝制備成本低且形核點均勻、適宜。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
【公開號】CN205035497
【申請?zhí)枴緾N201520626089
【發(fā)明人】鐘偉, 陸文研
【申請人】無錫舜陽新能源科技有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2015年8月19日