專利名稱：勾型磁場(chǎng)單晶爐用爐室抓取提升旋轉(zhuǎn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于晶體生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種勾型磁場(chǎng)單晶爐用爐室抓 取提升旋轉(zhuǎn)裝置。
背景技術(shù)：
硅晶體生長(zhǎng)目前正朝著高純度，高完整性，高均勻性和大直徑方向發(fā)展，集成電路 特別是極大規(guī)模集成電路(60-95nm)對(duì)晶體質(zhì)量有嚴(yán)格的要求。材料中的有害雜質(zhì)及其不 均勻性以及摻雜劑分布的不均勻性是制約單晶質(zhì)量的主要因素之一，它們會(huì)引起材料的 光學(xué)、電學(xué)性能的不均勻性，最終損害半導(dǎo)體器件的光、電學(xué)性能。這就要求減少單晶材料 的缺陷、雜質(zhì)含量，提高氧、碳等雜質(zhì)以及摻雜劑在晶體中分布的均勻性。晶體生長(zhǎng)設(shè)備是一種真空高溫熔煉設(shè)備，為滿足大尺寸(12英寸IC級(jí))用硅單晶 生長(zhǎng)，在現(xiàn)有晶體生長(zhǎng)設(shè)備中增加了勾型磁場(chǎng)裝置，由于所增加的勾型磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)安裝在主 爐室外側(cè)，對(duì)裝熱系統(tǒng)及多晶硅原料的主爐室的開合造成了影響，操作變得非常困難，因此 設(shè)計(jì)一種抓取提升旋轉(zhuǎn)裝置，能夠適應(yīng)主爐室的開合，成為一道必需解決的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種勾型磁場(chǎng)單晶爐用爐室抓取提升旋轉(zhuǎn)裝置，解決了 配有勾型磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)的大直徑單晶爐主爐室開合困難的問(wèn)題。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是，一種勾型磁場(chǎng)單晶爐用爐室抓取提升旋轉(zhuǎn)裝 置，包括豎直設(shè)立的油缸，油缸的活塞桿上安裝有支臂，支臂能夠轉(zhuǎn)動(dòng)到主爐室的上方，支 臂包括對(duì)稱的多根懸臂構(gòu)成，每個(gè)懸臂的外端頭設(shè)置有一個(gè)氣缸和抓取搖臂，抓取搖臂的 中部鉸接在懸臂中，氣缸與抓取搖臂的一端連接，抓取搖臂的另一端為勾爪。本實(shí)用新型的抓取提升旋轉(zhuǎn)裝置，其特征還在于，所述的支臂由水平設(shè)置的軸心 對(duì)稱的三根懸臂構(gòu)成。所述的支臂由水平設(shè)置的十字形狀的四根懸臂構(gòu)成。本實(shí)用新型的有益效果是，實(shí)現(xiàn)了配有勾型磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)的大直徑單晶爐主爐室的開 合操作容易，安全可靠。

圖1是本實(shí)用新型裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1.主爐室，2.抓取搖臂，3.氣缸，4.支臂，5.油缸，6.凸沿。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示，本實(shí)用新型裝置的結(jié)構(gòu)是，在主爐室1的旁邊設(shè)置有油缸5，油缸5的活塞桿上安裝有支臂4，該活塞桿上下伸縮時(shí)可以帶動(dòng)支臂4上下移動(dòng)，活塞桿沿水平面轉(zhuǎn) 動(dòng)時(shí)，可以帶動(dòng)支臂4旋轉(zhuǎn)到主爐室1的正上方位置，支臂4包括水平設(shè)置的軸心對(duì)稱的三 根懸臂構(gòu)成，每個(gè)懸臂的外端頭設(shè)置有一個(gè)氣缸3和抓取搖臂2，抓取搖臂2的中部鉸接在 懸臂中，氣缸3與抓取搖臂2的一端(上端)連接，抓取搖臂2的另一端(下端)形狀為彎鉤 向內(nèi)的勾爪，用于與主爐室1的上端口邊緣的凸沿6實(shí)現(xiàn)勾掛連接，用來(lái)提升主爐室1。支 臂4也可以由水平設(shè)置的十字形狀的四根懸臂構(gòu)成。本實(shí)用新型的裝置工作過(guò)程為，需要打開主爐室時(shí)，先將支臂4旋轉(zhuǎn)到主爐室1正 上方，然后，操作油缸5的活塞桿下降，使得抓取搖臂2到達(dá)與主爐室1上端口的凸沿6相 勾掛的位置，驅(qū)動(dòng)氣缸3伸張使得抓取搖臂2下端勾爪向內(nèi)進(jìn)到勾掛位置，與主爐室1的凸 沿6勾掛牢靠，再操作油缸5的活塞桿上升，即可提升主爐室1抬升移動(dòng)，再手動(dòng)將主爐室 1旋轉(zhuǎn)到需要的位置。需要關(guān)閉主爐室時(shí)，與上步相反，油缸5通過(guò)支臂4將主爐室1旋轉(zhuǎn)到單晶爐的原 安裝位置正上方，操作油缸5的活塞桿下降，使得主爐室1下降到位，斷開氣缸3的供氣卸 壓，使得抓取搖臂2下端勾爪向外與主爐室1的的凸沿6脫開，再移開支臂4即可。本實(shí)用新型的裝置，打開主爐室和關(guān)閉主爐室的過(guò)程是雙向的，構(gòu)成一個(gè)完整工 作循環(huán)，可以滿足主爐室的抓取、提升、旋轉(zhuǎn)移動(dòng)的需要，可以對(duì)主爐室的移動(dòng)位置進(jìn)行精 確控制，同時(shí)還可實(shí)現(xiàn)升降運(yùn)動(dòng)速度可調(diào)(運(yùn)動(dòng)過(guò)程時(shí)，速度不能調(diào)整)。
權(quán)利要求一種勾型磁場(chǎng)單晶爐用爐室抓取提升旋轉(zhuǎn)裝置，其特征在于，包括豎直設(shè)立的油缸(5)，油缸(5)的活塞桿上安裝有支臂(4)，支臂(4)能夠轉(zhuǎn)動(dòng)到主爐室(1)的上方，支臂(4)包括對(duì)稱的多根懸臂構(gòu)成，每個(gè)懸臂的外端頭設(shè)置有一個(gè)氣缸(3)和抓取搖臂(2)，抓取搖臂(2)的中部鉸接在懸臂中，氣缸(3)與抓取搖臂(2)的一端連接，抓取搖臂(2)的另一端為勾爪。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抓取提升旋轉(zhuǎn)裝置，其特征在于，所述的支臂(4)由水平設(shè) 置的軸心對(duì)稱的三根懸臂構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抓取提升旋轉(zhuǎn)裝置，其特征在于，所述的支臂(4)由水平設(shè) 置的十字形狀的四根懸臂構(gòu)成。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種勾型磁場(chǎng)單晶爐用爐室抓取提升旋轉(zhuǎn)裝置，包括豎直設(shè)立的油缸，油缸的活塞桿上安裝有支臂，支臂能夠轉(zhuǎn)動(dòng)到主爐室的上方，支臂包括對(duì)稱的多根懸臂構(gòu)成，每個(gè)懸臂的外端頭設(shè)置有一個(gè)氣缸和抓取搖臂，抓取搖臂的中部鉸接在懸臂中，氣缸與抓取搖臂的一端連接，抓取搖臂的另一端為勾形爪。本實(shí)用新型裝置很好的滿足了勾型磁場(chǎng)晶體生長(zhǎng)設(shè)備的爐室開合需求。
文檔編號(hào)C30B15/00GK201756595SQ201020250519
公開日2011年3月9日 申請(qǐng)日期2010年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月7日
發(fā)明者吳世海, 楊潤(rùn), 蔣劍 申請(qǐng)人:西安理工大學(xué)