專利名稱：?jiǎn)尉t堝轉(zhuǎn)升降軸的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于直拉硅單晶爐制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及直拉法硅單晶爐坩堝轉(zhuǎn) 動(dòng)和升降用的單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸。
背景技術(shù)：
20世紀(jì)以來(lái),世界各國(guó)半導(dǎo)體材料需求量的增長(zhǎng)，直接影響著我國(guó)半導(dǎo)體 材料業(yè)的M,特別是150咖至200mm單晶需求量在不斷上升。硅單晶爐，是在 惰性氣體環(huán)境中以石墨電阻加熱將硅熔化，用軟軸直拉法生長(zhǎng)無(wú)位錯(cuò)單晶的專 用設(shè)備，用于生產(chǎn)大恥漠集成電路的太陽(yáng)能電池元器件等高質(zhì)量單晶材料。直 拉法硅單晶爐坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)和升降用的單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸，是單晶爐的心臟部分之 一，它需凌^ 義受60kg以上的壓力，并在高于"00° C的溫度下裝載著熔融狀 態(tài)的多晶硅原料，不停地轉(zhuǎn)動(dòng)，目前我國(guó)生產(chǎn)的硅單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸的結(jié)構(gòu)存 在的問(wèn)題為4^干軸和托盤連接部位小，托盤連接處結(jié)構(gòu)單薄，在高溫低溫差 距大的工作環(huán)境下經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)裂紋。硅材料的昂貴和工作環(huán)境的苛刻，要求硅 單晶爐具有極高的安全可靠性，為了節(jié)約生產(chǎn)成本和保證人身設(shè)備安全，避免 不必要的事故發(fā)生，需要尋求一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)固可靠的單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸， 避免單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸的托盤上產(chǎn)生裂紋，延長(zhǎng)了硅單晶爐的使用壽命，從而 節(jié)約提煉硅單晶的生產(chǎn)成本和提高勞動(dòng)生產(chǎn)率。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)固可靠的單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸。
為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸，包括 ^a干軸和托盤。托盤包括盤邊和盤體，盤體中心有一通孔，4W干軸的上端為一 短柱體，且?guī)в信_(tái)階；托桿軸的短柱體與通孑L相配合，托盤下表面與臺(tái)階的上 表面相接觸。^W干軸與托盤配合的周面上，由周向排列的2個(gè)或2個(gè)以上銷子 將托桿軸與托盤連接成一體。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技斜目比，具有以下優(yōu)點(diǎn)；由于托桿軸的短柱體與盤體 上的通3l4目配合，配合面積增加。4W干軸與托盤配合的周面上，由周向排列的 2個(gè)或2個(gè)以上銷子將托桿軸與托盤連接成一體，連接牢靠，托盤上不會(huì)產(chǎn)生 裂纟丈。該結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)固可靠，延長(zhǎng)了硅單晶爐的使用壽命，從而節(jié)約提煉硅單晶的生產(chǎn)成本和提高勞動(dòng)生產(chǎn)率。以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明。
圖l是本實(shí)用新型實(shí)施例的主視示意圖； 圖2是

圖1的A-A放大示意圖； 圖3是圖2的俯3見(jiàn)示意圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例在使用狀態(tài)下的主視示意圖； 圖5是原有技術(shù)在使用狀態(tài)下的主視示意圖。
具體實(shí)施方式

如圖1、圖2和圖3所示為本實(shí)用新型實(shí)施例的主視示意圖、A-A放大示 意圖和A-A放大示意圖的俯視示意圖，單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸，包括石墨4W干軸(1) 和石墨托盤2。石墨托盤2包括盤邊2-1和盤體2-2，盤體2-2中心有一通孔 2-3,石墨托桿軸l的上端為一短柱體l-l，且?guī)в信_(tái)階1-2;石墨4d干軸l的 短柱體1-1與通孔2-3相配合,石墨托盤2下表面與臺(tái)階1-2的上表面相接觸； ;^i干軸1與石墨托盤2配合的周面上，由周向排列的4個(gè)銷子3將4W干軸1與 石墨托盤2連接成一體。
如圖4所示為本實(shí)用新型實(shí)施例在使用狀態(tài)下的主浮見(jiàn)示意圖，單晶爐堝轉(zhuǎn) 升降軸上方的石墨托盤2上連接一石墨坩堝6，單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸帶動(dòng)石墨坩 堝6轉(zhuǎn)動(dòng)，且上下升降。
以上結(jié)構(gòu)使石墨^i干軸1與石墨盤體2配合面積增加，石墨4W干軸1與石 墨托盤2配合面上，周向排列4個(gè)石墨銷子3將石墨4U干軸1與石墨托盤2連接 成一體，連接牢靠，石墨托盤2中心孔周圍上不會(huì)再產(chǎn)生裂紋。
如圖5所示為原有技術(shù)在使用狀態(tài)下的主視示意圖，單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸， 包括石墨^i干軸5和石墨托盤4。石墨托盤4包括盤邊4-1和盤體4-2,盤體 4-2中心有一盲孔4_3,石墨4^干軸5的上端的短柱體5-1與盤體4-2中心的盲 孔4-3相配合。
以上結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是石墨^i干軸5與石墨盤體4配合面積小，石墨托桿軸 5與石墨托盤4靠摩擦力傳遞承載重力和轉(zhuǎn)動(dòng)力，在高溫低溫差距大的工作環(huán) 境下，熱應(yīng)力^^吏盤體4-2中心的盲孔4-3周圍出現(xiàn)裂紋。
權(quán)利要求1、單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸，包括托桿軸(1)和托盤(2)；其特征在于托盤(2)包括盤邊(2-1)和盤體(2-2)，盤體(2-2)中心有一通孔(2-3)，托桿軸(1)的上端為一短柱體(1-1)，且?guī)в信_(tái)階(1-2)；托桿軸(1)的短柱體(1-1)與通孔(2-3)相配合，托盤(2)下表面與臺(tái)階(1-2)的上表面相接觸；托桿軸(1)與托盤(2)配合的周面上，由周向排列的2個(gè)或2個(gè)以上銷子(3)將托桿軸(1)與托盤(2)連接成一體。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸，包括托桿軸和托盤；托盤包括盤邊和盤體，盤體中心有一通孔，托桿軸的上端為一短柱體，且?guī)в信_(tái)階；托桿軸的短柱體與通孔相配合，托盤下表面與臺(tái)階的上表面相接觸；托桿軸與托盤配合的周面上，由周向排列的2個(gè)或2個(gè)以上銷子將托桿軸與托盤連接成一體。這種單晶爐堝轉(zhuǎn)升降軸由于托桿軸的短柱體與盤體上的通孔配合面積增加，托桿軸與托盤配合的周面上，有銷子將托桿軸與托盤連接成一體，連接牢靠，托盤中心孔周圍不再產(chǎn)生裂紋。該結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)固可靠，延長(zhǎng)了硅單晶爐的使用壽命，從而節(jié)約提煉硅單晶的成本和提高勞動(dòng)生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)C30B15/10GK201358321SQ20092003622
公開(kāi)日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2009年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月9日
發(fā)明者李云霞, 程宜紅, 力 范 申請(qǐng)人:常州有則科技有限公司