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交流發(fā)光裝置的制作方法

文檔序號(hào):8200205閱讀:214來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):交流發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置,尤其是一種交流發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode ;LED)是由半導(dǎo)體材料所制成的發(fā)光組件, 組件具有兩個(gè)電極間施加電壓,通入極小的電流,經(jīng)由電子空穴在發(fā)光層結(jié)合的剩余能量 以光的形式激發(fā)釋出,這就是發(fā)光二極管的基本發(fā)光原理。發(fā)光二極管不同于一般白熾燈 泡,發(fā)光二極管屬冷發(fā)光,具有耗電量低、組件壽命長(zhǎng)、無(wú)須暖燈時(shí)間及反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn), 再加上其體積小、耐震動(dòng)、適合量產(chǎn),容易配合應(yīng)用上的需求制成極小或陣列式的組件,目 前發(fā)光二極管已普遍使用于信息、通訊及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的指示器與顯示裝置上,成為日 常生活中不可或缺的重要組件。但一般市電所供應(yīng)的電源為交流電源,因此使用光電半導(dǎo) 體時(shí)需先將交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源,所以光電半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電路必須外加交流對(duì)直流轉(zhuǎn) 換電路,導(dǎo)致制造成本增加,且交流電源轉(zhuǎn)換成直流電源的過(guò)程中受到功率損耗的影響,會(huì) 造成光電半導(dǎo)體的操作效率降低,因此,直接使用交流電源驅(qū)動(dòng)的光電半導(dǎo)體的發(fā)展有其 必要性,例如具多個(gè)發(fā)光單元的交流發(fā)光裝置。請(qǐng)參閱圖1A與圖1B,所示為現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置的平面示意圖與電路圖。如圖 所示,現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置10包含一個(gè)基板12、第一發(fā)光模塊14與第二發(fā)光模塊16,基板 12上設(shè)置一個(gè)第一電極122與一個(gè)第二電極124,第一發(fā)光模塊14與第二發(fā)光模塊16也 設(shè)置于基板12上,第一發(fā)光模塊14與第二發(fā)光模塊16分別耦接第一電極122與第二電極 124,第一發(fā)光模塊14包含多個(gè)第一發(fā)光單元142,且該多個(gè)第一發(fā)光單元142之間分別通 過(guò)一個(gè)第一導(dǎo)線(xiàn)144串聯(lián)電性相接,第二發(fā)光模塊16系包含多個(gè)第二發(fā)光單元162,且該 多個(gè)第二發(fā)光單元162之間分別通過(guò)一個(gè)第二導(dǎo)線(xiàn)164串聯(lián)電性相接,該多個(gè)第一發(fā)光單 元142與該多個(gè)第二發(fā)光單元162的面積相等,但該多個(gè)第一發(fā)光單元142之間的串聯(lián)極 性不同于該多個(gè)第二發(fā)光單元162之間的串聯(lián)極性,因此現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置10簡(jiǎn)化后的 電路圖即如圖1B所示,第一發(fā)光模塊14與第二發(fā)光模塊16之間的串聯(lián)極性相反,并耦接 于交流電源18?,F(xiàn)有的交流發(fā)光裝置10由串聯(lián)極性相反的第一發(fā)光模塊14與第二發(fā)光模 塊16,使第一發(fā)光模塊14的多個(gè)第一發(fā)光單元142與第二發(fā)光模塊16的多個(gè)第二發(fā)光單 元162于交流電源18所供應(yīng)的交流電的正負(fù)半波周期內(nèi)交替發(fā)光。然而,第一發(fā)光模塊14的多個(gè)第一發(fā)光單元142與第二發(fā)光模塊16的多個(gè)第二 發(fā)光單元162各占有基板12 —半的面積,因此現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置10分別在交流電的正 負(fù)半波周期內(nèi)的發(fā)光面積只有一半,所以現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置10因第一發(fā)光模塊14與第 二發(fā)光模塊16所提供的發(fā)光面積僅能提供現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置10原有發(fā)光效率的一半, 且現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置10的多個(gè)第一發(fā)光單元142與多個(gè)第二發(fā)光單元162都僅利用一 條導(dǎo)線(xiàn)144、164使電源極性與相鄰的發(fā)光單元相耦接,因此當(dāng)導(dǎo)線(xiàn)144、164的其中一條導(dǎo) 線(xiàn)斷線(xiàn)時(shí),現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置10的第一發(fā)光模塊14與第二發(fā)光模塊16的其中之一會(huì)發(fā) 生開(kāi)路而無(wú)法發(fā)光,因而導(dǎo)致現(xiàn)有交流發(fā)光裝置10僅能在正負(fù)半波周期的其中一個(gè)周期
4發(fā)光。針對(duì)上述的發(fā)光面積問(wèn)題,公開(kāi)號(hào)為W02007083885,名稱(chēng)為“LIGHT EMITTING DEVICE WITH LIGHT EMITTING CELLS ARRAYED”的PCT國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)文件,公開(kāi)了一中 發(fā)光裝置,包含一個(gè)基板、一個(gè)發(fā)光晶粒數(shù)組與一個(gè)整流電路,整流電路與發(fā)光晶粒數(shù)組設(shè) 置于基板上,且整流電路環(huán)繞于發(fā)光晶粒數(shù)組的外側(cè),其中整流電路包含多個(gè)二極管,發(fā)光 晶粒數(shù)組包含多個(gè)發(fā)光晶粒,且該多個(gè)發(fā)光晶體之間通過(guò)單一導(dǎo)線(xiàn)串聯(lián)極性相耦接,但是 整流電路使用了基板外圍的電路面積,所以整流電路限制了該發(fā)光裝置的有效發(fā)光面積, 而該多個(gè)二極管是通過(guò)單一導(dǎo)線(xiàn)串聯(lián)電性相耦接,所以該發(fā)光裝置的其中一條導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn) 時(shí),整流電路或發(fā)光晶粒數(shù)組的其中之一會(huì)呈開(kāi)路狀態(tài),而造成整流電路或發(fā)光晶粒數(shù)組 的其中之一無(wú)法運(yùn)作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種交流發(fā)光裝置,其利用多條導(dǎo)線(xiàn)使發(fā)光單 元與相鄰的發(fā)光單元電性相耦接,以避免其中一條導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn)而形成開(kāi)路。本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問(wèn)題是提供一種交流發(fā)光裝置,其利用不同面積的發(fā) 光單元設(shè)置于基板上,以提高發(fā)光效率。本發(fā)明為一種交流發(fā)光裝置,其包含一個(gè)基板、多個(gè)發(fā)光單元,其中該多個(gè)發(fā)光單 元都設(shè)置于基板上,該多個(gè)發(fā)光單元由下而上包含一個(gè)第一半導(dǎo)體層、一個(gè)發(fā)光層與一個(gè) 第二半導(dǎo)體層,以及至少一個(gè)第一電極與至少一個(gè)第二電極分別設(shè)置第一半導(dǎo)體層與第二 半導(dǎo)體層上,且該多個(gè)第一發(fā)光單元與該多個(gè)第二發(fā)光單元分別由多條導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的至 少一個(gè)該發(fā)光單元。由于本發(fā)明的所有發(fā)光單元都由條個(gè)導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的發(fā)光單元,這樣 本發(fā)明的交流發(fā)光裝置的其中一條導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn)時(shí),并不會(huì)形成開(kāi)路,使本發(fā)明的交流發(fā)光裝 置仍可繼續(xù)運(yùn)作。此外,本發(fā)明更可由不同面積的發(fā)光單元增加發(fā)光面積。本發(fā)明所提供的一種交流發(fā)光裝置,其利用不同面積大小的發(fā)光單元設(shè)置于基板 上,而增加有效發(fā)光面積而提高發(fā)光效能,并利用多條導(dǎo)線(xiàn)使多個(gè)發(fā)光單元之間耦接相鄰 的發(fā)光單元,以避免其中一條導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn)而形成開(kāi)路。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1A為現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置的俯視圖;圖1B為現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置的電路圖;圖2A為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的俯視圖;圖2B為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2C為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2D為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2E為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3A為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的俯視圖;圖3B為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3C為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
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圖中附圖標(biāo)記為,
1為現(xiàn)有的交流發(fā)光裝置;12為基板 14為第一發(fā)光模塊;
142為第一發(fā)光單元;16為第二發(fā)光模塊;162為第二發(fā)光單元
18為交流電源;20為交流發(fā)光裝置;22為基板;
24為第一發(fā)光單元;242為第--半導(dǎo)體層;244為第一發(fā)光層;
246為第二半導(dǎo)體層;248為第--電極;250為第二電極;
26為第二發(fā)光單元;262為第三三半導(dǎo)體層;264為第二發(fā)光層;
266為第四半導(dǎo)體層;268為第三三電極;270為第四電極;
28為導(dǎo)線(xiàn);281為第--導(dǎo)線(xiàn);282為第二導(dǎo)線(xiàn);
30為橋式整流電路;32為半導(dǎo)體磊晶層;322為第五半導(dǎo)體層
324為第三發(fā)光層;326為第六半導(dǎo)體層;328為第五電極;
330為第六電極。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖2A至圖2C,所示為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的俯視圖與結(jié) 構(gòu)示意圖。如圖2A所示,本實(shí)施例為一個(gè)交流發(fā)光裝置20,其包含一個(gè)基板22、多個(gè)第一 發(fā)光單元24、多個(gè)第二發(fā)光單元26與多條導(dǎo)線(xiàn)28,該多個(gè)第一發(fā)光單元24與該多個(gè)第二 發(fā)光單元26分別設(shè)置于基板22上,且該多個(gè)第一發(fā)光單元24與多個(gè)第二發(fā)光單元26的 面積不相同,其中本實(shí)施例的該多個(gè)第一發(fā)光單元24與該多個(gè)第二發(fā)光單元26為半導(dǎo)體 磊晶層,且該多個(gè)第一發(fā)光單元24分別通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282 耦接相鄰的發(fā)光單元,以及該多個(gè)第二發(fā)光單元26也分別通過(guò)多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281 及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接相鄰的發(fā)光單元,本實(shí)施例的多個(gè)第一發(fā)光單元24與多個(gè)第二發(fā)光單 元26通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28耦接至相鄰的發(fā)光單元。如圖2B所示,第一發(fā)光單元24與第二發(fā)光單元26,其中第一發(fā)光單元24由下而 上包含一個(gè)第一半導(dǎo)體層242、一個(gè)第一發(fā)光層244與一個(gè)第二半導(dǎo)體層246,由于第二半 導(dǎo)體層246設(shè)置于第一發(fā)光層244上,所以第一發(fā)光單元24于俯視視角中僅能看到第一半 導(dǎo)體層242與第二半導(dǎo)體層246,其如圖2A所示,第一半導(dǎo)體層242與第二半導(dǎo)體層246分 別設(shè)置一個(gè)第一電極248與一個(gè)第二電極250,第一電極248與第二電極250分別由多條 導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接至相鄰的發(fā)光單元。如第圖2C所示,第二發(fā) 光單元26由下而上包含一個(gè)第三半導(dǎo)體層262、一個(gè)第二發(fā)光層264與一個(gè)第四半導(dǎo)體層 266,由于第四半導(dǎo)體層266設(shè)置于第二發(fā)光層264上,所以第二發(fā)光單元26于俯視視角中 僅能看到第三半導(dǎo)體層262與第四半導(dǎo)體層266,其如圖2A所示,第三半導(dǎo)體層262與第四 半導(dǎo)體層266分別設(shè)置一個(gè)第三電極268與一個(gè)第四電極270,第三電極268與第四電極 270由多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接至相鄰的發(fā)光單元。再參閱圖2A,依據(jù)第一發(fā)光單元24所設(shè)置的位置,使多條導(dǎo)線(xiàn)28的耦接方向?yàn)闄M 向與縱向,也因此導(dǎo)線(xiàn)28的耦接方向也隨著第一發(fā)光單元24的設(shè)置位置的不同,而改變耦 接方向,造成第一發(fā)光單元24的導(dǎo)線(xiàn)28耦接至相鄰的發(fā)光單元的耦接方向有同一方向與 也有不同方向,且如圖2B所示,第一發(fā)光單元24由第一半導(dǎo)體層242通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28的 第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接至相鄰的發(fā)光單元的第二半導(dǎo)體層246或第四半導(dǎo)體層
6266,第一發(fā)光單元24亦由第二半導(dǎo)體層246通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn) 282耦接至相鄰的發(fā)光單元的第一半導(dǎo)體層242或第三半導(dǎo)體層262 ;同理,第二發(fā)光單元 26的多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接至相鄰的發(fā)光單元的耦接方向也有 同一方向與不同方向,且如圖2C所示,第二發(fā)光單元26由第三半導(dǎo)體層262通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn) 28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接至相鄰的發(fā)光單元的第二半導(dǎo)體層246或第四半導(dǎo) 體層266,第二發(fā)光單元26也由第四半導(dǎo)體層266通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二 導(dǎo)線(xiàn)282耦接至相鄰的發(fā)光單元的第一半導(dǎo)體層242或第三半導(dǎo)體層262。此外,多條導(dǎo)線(xiàn) 28的耦接方式可為平行耦接或非平行耦接。由于本發(fā)明的第一發(fā)光單元24與第二發(fā)光單元26的面積不同,以利于第一發(fā)光 單元24與第二發(fā)光單元26在基板22上增加發(fā)光單元的設(shè)置面積,且第一發(fā)光單元24通 過(guò)不同幾何圖形的第二半導(dǎo)體層,以利于設(shè)置導(dǎo)線(xiàn)。由于本發(fā)明的發(fā)光單元24、26分別通 過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接至相鄰的發(fā)光單元,所以該多條導(dǎo)線(xiàn)28 的其中一條導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn)時(shí),并不會(huì)形成開(kāi)路在交流發(fā)光裝置20的電路中,因此本發(fā)明的交流 發(fā)光裝置20在該多條導(dǎo)線(xiàn)28的其中一條導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn)時(shí)仍然可正常運(yùn)作,而不受導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn)的 影響,且因本發(fā)明的發(fā)光單元24、26分別通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282 耦接至相鄰的發(fā)光單元,所以交流發(fā)光裝置20的發(fā)光單元之間的電流流量隨著導(dǎo)線(xiàn)數(shù)目 提尚。此外,本實(shí)施例還包含一個(gè)橋式整流電路30,其設(shè)置于基板22上,其中橋式橋式 整流電路30包含多個(gè)半導(dǎo)體磊晶層32,該多個(gè)半導(dǎo)體磊晶層32可為多個(gè)第三發(fā)光單元或 多個(gè)二極管單元,若該多個(gè)半導(dǎo)體磊晶層32為第三發(fā)光單元,則半導(dǎo)體磊晶層32由下而上 為一個(gè)第五半導(dǎo)體層322、一個(gè)第三發(fā)光層324與一個(gè)第六半導(dǎo)體層326,其中第五半導(dǎo)體 層322與第六半導(dǎo)體層326上更分別設(shè)置一個(gè)第五電極328與一個(gè)第六電極330,如圖2D 所示,若該多個(gè)半導(dǎo)體磊晶層32為多個(gè)二極管單元,則半導(dǎo)體磊晶層32由下而上為一個(gè)第 五半導(dǎo)體層322與一個(gè)第六半導(dǎo)體層326,其中第五半導(dǎo)體層322與第六半導(dǎo)體層326上更 分別設(shè)置一個(gè)第五電極328與一個(gè)第六電極330,如圖2E所示。且第五半導(dǎo)體層322與第 六半導(dǎo)體層326分別耦接多條導(dǎo)線(xiàn)28,也就是說(shuō)半導(dǎo)體磊晶層32以第五半導(dǎo)體層322通過(guò) 多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接相鄰的半導(dǎo)體磊晶層32的第六半導(dǎo)體層 326,以及半導(dǎo)體磊晶層32以第六半導(dǎo)體層326通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo) 線(xiàn)282耦接相鄰的半導(dǎo)體磊晶層32的第五半導(dǎo)體層322。如此本發(fā)明的橋式整流電路30 也可通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)28的第一導(dǎo)線(xiàn)281及第二導(dǎo)線(xiàn)282耦接于多個(gè)半導(dǎo)體磊晶層32之間, 使橋式整流電路30也可避免其中一條導(dǎo)線(xiàn)28斷線(xiàn)而形成開(kāi)路的問(wèn)題。本實(shí)施例的第二發(fā) 光單元26耦接至橋式整流電路30。請(qǐng)參閱圖3A至圖3C,所示為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的俯視圖與結(jié) 構(gòu)示意圖。其中圖2A至圖2C與圖3A至圖3C的不同在于圖2A至圖2C的一個(gè)第一半導(dǎo)體 層242與一個(gè)第三半導(dǎo)體層262分別具有一個(gè)第一電極248與一個(gè)第三電極268耦接多條 導(dǎo)線(xiàn)28,圖3A至圖3C的第一半導(dǎo)體層242與第三半導(dǎo)體層262分別具有多個(gè)第一電極248 與多個(gè)第三電極268。如圖3A所示,第一發(fā)光單元24與第二發(fā)光單元26分別通過(guò)多條導(dǎo) 線(xiàn)28耦接至相鄰的發(fā)光單元,且第一發(fā)光單元24與第二發(fā)光單元26分別具有多個(gè)第一半 導(dǎo)體層242與多個(gè)第三半導(dǎo)體層262,以分別耦接至少一條導(dǎo)線(xiàn)28,本實(shí)施例以第一發(fā)光單
7元24與第二發(fā)光單元26分別具有兩個(gè)第一電極248與兩個(gè)第三電極268為例,但不局限 第一電極248與第三電極268的數(shù)量,且本實(shí)施例的每一個(gè)第一電極248與每一個(gè)第三電 極268分別設(shè)置一條導(dǎo)線(xiàn)28,以耦接相鄰的發(fā)光單元,除此之外,每一個(gè)第一電極248與每 一個(gè)第三電極268更可設(shè)置多條導(dǎo)線(xiàn)28。如圖3B所示,兩個(gè)第一半導(dǎo)體層242的每一個(gè)第一電極248分別耦接第一導(dǎo)線(xiàn) 281與第二導(dǎo)線(xiàn)282,以耦接至相鄰的發(fā)光單元,其余設(shè)置方式與圖2B相同,此外,每一個(gè)第 一半導(dǎo)體層242也可分別耦接多條導(dǎo)線(xiàn)28。如圖3C所示,兩個(gè)第三半導(dǎo)體層262的每一個(gè) 第三電極268分別耦接第一導(dǎo)線(xiàn)281與第二導(dǎo)線(xiàn)282,此外,每一個(gè)第三半導(dǎo)體層262也可 分別耦接多條導(dǎo)線(xiàn)28。除了上述實(shí)施例外,本發(fā)明的交流發(fā)光裝置20的多個(gè)第一發(fā)光單元24與多個(gè)第 二發(fā)光單元26更可由串聯(lián)、并聯(lián)、串并聯(lián)耦接為一個(gè)全波交流發(fā)裝置或一個(gè)橋式交流發(fā)光 裝置,也就是說(shuō)本發(fā)明的交流發(fā)光裝置20由多個(gè)第一發(fā)光單元24與多個(gè)第二發(fā)光單元26 的串聯(lián)、并聯(lián)、串并聯(lián)耦接,使交流發(fā)光裝置20可不需另外設(shè)置橋式整流電路30,而直接 以交流電作為供應(yīng)電源而發(fā)光,或者直接由部分第一發(fā)光單元24與部分第二發(fā)光單元26 做為橋式整流電路,以使其余發(fā)光單元以橋式整流電路所輸出的直流電作為供應(yīng)電源而發(fā) 光。此外,本發(fā)明的多個(gè)第一發(fā)光單元24與該多個(gè)第二發(fā)光單元26更可具有不同幾 何圖形,例如長(zhǎng)方形、正方形、三角形、菱形、梯形、多邊形、凸字形、凹字形或上述任意組 合。本發(fā)明的多個(gè)發(fā)光單元24、26更可具相同面積,以設(shè)置于基板22上。綜上所述,本發(fā)明為一種交流發(fā)光裝置,其包含一個(gè)基板、多個(gè)第一發(fā)光單元與多 個(gè)第二發(fā)光單元,由不同面積的多個(gè)第一發(fā)光單元與多個(gè)第二發(fā)光單元使交流發(fā)光裝置增 加有效發(fā)光面積,且本發(fā)明通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)耦接于發(fā)光單元之間,以及發(fā)光單元通過(guò)多條導(dǎo) 線(xiàn)耦接至整流電路,另外整流電路的半導(dǎo)體磊晶層之間也由多條導(dǎo)線(xiàn)使極性相耦接,而避 免其中一條導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn)而產(chǎn)生開(kāi)路的問(wèn)題。以上通過(guò)實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。 在不脫離本發(fā)明原理的情況下,本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以做出許多變形和改進(jìn),這些也應(yīng) 視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種交流發(fā)光裝置,其特征在于,包含一個(gè)基板;以及多個(gè)發(fā)光單元,其包含一個(gè)第一半導(dǎo)體層,其設(shè)置于該基板上;一個(gè)發(fā)光層,其設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層上;以及一個(gè)第二半導(dǎo)體層,其設(shè)置于該發(fā)光層上;其中,更進(jìn)一步包含至少一個(gè)第一電極與至少一個(gè)第二電極,該第一電極設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層上,該第二電極設(shè)置于該第二半導(dǎo)體層上,該第一電極與該第二電極分別通過(guò)該多條導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的該發(fā)光單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元具相同面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元具有不同面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元為半導(dǎo)體磊晶層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)第一電極分別設(shè)置于第 一半導(dǎo)體層上,每一個(gè)第一電極通過(guò)至少一個(gè)該導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的該發(fā)光單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元的該多條導(dǎo)線(xiàn) 具相同耦接方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元的多個(gè)第一半 導(dǎo)體層分別以該多條導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的該發(fā)光單元的一第二半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元的多個(gè)第二半 導(dǎo)體層分別以該多條導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的該發(fā)光單元的一個(gè)第一半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元的該多條導(dǎo)線(xiàn) 具不同耦接方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元的多個(gè)第一半 導(dǎo)體層分別以該多條導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的該發(fā)光單元的一個(gè)第二半導(dǎo)體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元的多個(gè)第二半 導(dǎo)體層分別以該多條導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的該發(fā)光單元的一個(gè)第一半導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元具不同幾何圖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該幾何圖形為長(zhǎng)方形、正方 形、三角形、菱形、梯形、多邊形、凸字形、凹字形或上述的任意組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元具相同面積。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元具不同面積。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元混合串聯(lián)極性 相接為一個(gè)全波交流發(fā)光裝置。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元混合并聯(lián)極性 相接為一個(gè)全波交流發(fā)光裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元混合串并聯(lián)極 性相接為一個(gè)全波交流發(fā)光裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元混合串聯(lián)極性 相接為一個(gè)橋式交流發(fā)光裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)發(fā)光單元混合并聯(lián)極性 相接為一個(gè)橋式交流發(fā)光裝置。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)第一發(fā)光單元混合串并 聯(lián)極性相接為一個(gè)橋式交流發(fā)光裝置。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該交流發(fā)光裝置更包含一個(gè)橋 式整流電路。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該橋式整流電路包含多個(gè)半導(dǎo)體磊晶層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)半導(dǎo)體磊晶層為多個(gè) 第三發(fā)光單元,其分別由下而上包含一個(gè)第一半導(dǎo)體層、一個(gè)發(fā)光層與一個(gè)第二半導(dǎo)體層, 其中,更進(jìn)一步包含一個(gè)第一電極與一個(gè)第二電極,該第一電極設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層,該 第二電極設(shè)置于該第二半導(dǎo)體層。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多個(gè)半導(dǎo)體磊晶層為多個(gè) 二極管單元,其分別由下而上包含一個(gè)第一半導(dǎo)體層與一個(gè)第二半導(dǎo)體層,其中,更進(jìn)一步 包含一個(gè)第一電極與一個(gè)第二電極,該第一電極設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層,該第二電極設(shè)置 于該第二半導(dǎo)體層。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多條導(dǎo)線(xiàn)的其中至少兩條導(dǎo) 線(xiàn)耦接相鄰的該發(fā)光單元。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多條導(dǎo)線(xiàn)的耦接方式為平行 華禹接。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置,其特征在于,該多條導(dǎo)線(xiàn)的耦接方式為非平 行耦接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種交流發(fā)光裝置,其包含一個(gè)基板與多個(gè)發(fā)光單元,其中該多個(gè)發(fā)光單元設(shè)置于基板上,該多個(gè)發(fā)光單元由下而上包含一個(gè)第一半導(dǎo)體層、一個(gè)發(fā)光層與一個(gè)第二半導(dǎo)體層,以及至少一個(gè)第一電極與至少一個(gè)第二電極分別設(shè)置第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層上,該多個(gè)發(fā)光單元分別通過(guò)多條導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的至少一個(gè)該發(fā)光單元。本發(fā)明由于本發(fā)明中的該多個(gè)發(fā)光單元,更由于多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)耦接相鄰的至少一個(gè)發(fā)光單元,以避免該交流發(fā)光裝置因其中一個(gè)導(dǎo)線(xiàn)斷線(xiàn)而導(dǎo)致開(kāi)路的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H05B33/26GK101860998SQ200910057030
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2009年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月7日
發(fā)明者馮輝慶, 潘宏立, 潘錫明, 黃國(guó)欽 申請(qǐng)人:山東璨圓光電科技有限公司
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