專利名稱：：感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及例如用于濺射蝕刻處理等的感應(yīng)耦合等離子體(inductivelycoupledplasma,ICP)處理設(shè)備。技術(shù)背景目前,物；里賊射燭刻才支術(shù)(physicalsputteretchingtechnique)用作蝕刻處理技術(shù)中的一種，物理濺射蝕刻技術(shù)使用容易對各種材料進(jìn)行選擇的、例如難熔金屬等金屬材料或者例如金屬氧化物等金屬化合物作為掩膜材料。所述濺射蝕刻技術(shù)已經(jīng)廣泛用于對各種電子器件的電極部分和包括MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)的磁性器件進(jìn)行微處理。在該處理中，被處理面上形成有帶處理圖案的掩膜的加工對象物被容納在氣密處理室的內(nèi)部。隨后，將處理氣體(例如Ar)供給到處理室中，同時保持處理室處于低壓，通過在處理室中產(chǎn)生的高頻磁場將處理氣體轉(zhuǎn)換成等離子體。然后，通過偏置電壓加速等離子體中含有的離子，并且使所述離子撞擊到處理對象物的被處理面，從而被處理面的未一皮掩蔽遮蓋的部分被刮掉(賊射)。例如，專利文獻(xiàn)l中所示的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備熟知為用于進(jìn)行如上所述的處理的設(shè)備中的一種。該ICP處理設(shè)備包括真空容器，其形成在減壓(reducedpressure)下容納被處理物的處理室；電介質(zhì)壁容器，其形成等離子體室，所述等離子體室通過設(shè)置在與處理室中的被處理物相對的位置處的等離子體導(dǎo)入口與上述處理室連通。該ICP處理設(shè)備還包括線圏電極，其被配置在電介質(zhì)壁容器的側(cè)壁部的外側(cè)；以及用于等離子體的高頻電源，其通過向上述線圈電極施加高頻電力而在等離子體室中形成等離子體。[專利文獻(xiàn)l]日本特開2005-117010號7>4艮
發(fā)明內(nèi)容在使用ICP處理設(shè)備的微處理過程中，由金屬(例如Pt、Ir或Ni)或者金屬氧化物(例如氧化銥或者氧化錫)制成的電導(dǎo)體的薄膜通常作為處理對象。當(dāng)處理過大量的金屬性處理對象或者長時間處理大量的金屬性處理對象時，已經(jīng)被等離子體離子賊射并且逐漸飛散的金屬通過等離子體導(dǎo)入口沉積在電介質(zhì)壁容器的側(cè)壁部的內(nèi)表面(innerface)上，并且在所述內(nèi)表面上形成膜。當(dāng)金屬膜如此形成在電介質(zhì)壁容器的側(cè)壁部的內(nèi)表面上時，電介質(zhì)壁容器就難以從線圏電極向等離子體室供給高頻電力。另外，當(dāng)處理金屬氧化物并且金屬氧化物沉積在電介質(zhì)壁容器的側(cè)壁部的內(nèi)表面上時，電介質(zhì)壁容器的電容改變，導(dǎo)致被施加的高頻電力因此變化的問題。已經(jīng)設(shè)計本發(fā)明來解決這種問題。本發(fā)明的目的是提供一種ICP處理設(shè)備，所述ICP處理設(shè)備向電介質(zhì)壁容器的側(cè)壁部的內(nèi)表面供給高頻電力，而不會受歸因于與';賤射蝕刻相關(guān)的碎屑(devris)在該內(nèi)表面上形成的膜的千擾。本發(fā)明提供一種ICP處理設(shè)備，該ICP處理設(shè)備具有真壁容器，其形成等離子體室，該等離子體室通過設(shè)置在與處理室中被處理物相對的位置處的等離子體導(dǎo)入口與所迷處理室連通，并且所述電介質(zhì)壁容器設(shè)置有與等離子體導(dǎo)入口相對的底部以及覆蓋底部與等離子體導(dǎo)入口之間的周部的側(cè)壁部；線圈電極，其被布置在電介質(zhì)壁容器的側(cè)壁部的外側(cè)；以及用于等離子體的高頻電源，其通過向線圏電極施加高頻電力而在等離子體室中形成等離子體，其中，從被處理物的最外周上的任一點(diǎn)開始并且經(jīng)過等離子體導(dǎo)入口的所有直線都在電介質(zhì)壁容器的底部的內(nèi)表面上與該底部形成交點(diǎn)。因為等離子體沿所有方向均一地擴(kuò)散，同時來自被處理物側(cè)的碎屑具有方向性(directivity),因此可以形成如本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的另一種感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備包括等離子體形成室，其具有外周被線圈電極環(huán)繞的磁場形成部，并且通過向所述線圏電極施加高頻電力而在所述等離子體形成室中形成等離子體；以及處理室，其與所述等離子體形成室連通，并且在與所述線圈電極的中心軸線相交的位置處容納被處理物；其中，從已安置在所述處理室中的所述^皮處理物上的任一點(diǎn)開始、經(jīng)過所述處理室與所述等離子體形成室的連通部、并且到達(dá)所述等離子體形成室的所有直線在所述等離子體形成室上的比所述等離子體形成室的所述磁場形成部靠近所述中心軸線的位置具有交點(diǎn)。本發(fā)明提供的再一種感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備包括等離子體形成室，其具有外周被線圏電極環(huán)繞的磁場形成部，并且通過向所述線圈電極施加高頻電力而在所述等離子體形成室中形成等離子體；以及處理室，其與所述等離子體形成室連通，并且在與所述線圏電極的中心軸線相交的位置處容納被處理物；其中，所述等離子體形成室使得其與所述處理室的連通部向比所述磁場形成部靠近所述中心軸線的靠近側(cè)突出。本發(fā)明提供的還一種感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備包括等離子體形成室，其具有外周被線圈電極環(huán)繞的磁場形成部，并且通過向所述線圏電極施加高頻電力而在所述等離子體形成室中形成等離子體；處理室，其與所述等離子體形成室連通，并且在與所述線圏電極的中心軸線相交的位置處容納^f皮處理物；以及突出構(gòu)件，其位于所述等離子體形成室與所述處理室之間，在比所述》茲場形成部靠近所述中心軸線的位置具有開口部，并且防止-爭屑/人所述,皮處理物飛S)J所述場形成部。本發(fā)明提供的一種用在感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備中的電介質(zhì)容器，其包括磁場形成部，其外周被線圈電極環(huán)繞；以及開口部，等離子體可以通過所述開口部方文出；其中，所述開口部形成有漸縮側(cè)壁，使得所述開口部能定位在比所述磁場形成部靠近所述線圏電極的中心軸線的位置。在根據(jù)本發(fā)明的ICP處理設(shè)備中，從被處理物的最外周上的任一點(diǎn)開始并且經(jīng)過等離子體導(dǎo)入口的所有直線都在電介質(zhì)壁容器的底部的內(nèi)表面上與該底部形成交點(diǎn)。因此，當(dāng)通過濺射蝕刻作業(yè)形成的碎屑直線飛行時，從等離子體導(dǎo)入口飛入等離子體室的碎屑撞擊電介質(zhì)壁容器的底部的內(nèi)表面并且沉積在該內(nèi)表面上。因此，所述ICP處理i殳備可以才及大地減少在電介質(zhì)壁容器的側(cè)壁部的內(nèi)表面上沉積的碎屑量，并且可以降低由于沉積碎屑在側(cè)壁部的內(nèi)表面上形成的膜導(dǎo)致的高頻電力的供給障礙。圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備的第一實施例的示意圖。圖2是用于說明在圖l圖解的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備的主要部分中的尺寸和傾斜角的圖。圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備的第二實施例的示意圖。圖4是用于說明在圖3圖解的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備的主要部分中的尺寸和傾斜角的圖。具體實施方式首先，下面將參照圖l和圖2說明根據(jù)本發(fā)明的ICP處理設(shè)備的第一實施例。在圖l中，附圖標(biāo)記l是用于容納例如硅基板2等被處理物的處理室，該處理室由真空容器3形成。真空容器3中的處理室1與排氣系統(tǒng)4連接，以便能夠在減壓下處理硅基板2。處理室1具有保持架5，該保持架5用于在其上安置硅基板2。保持架5具有例如加熱器等溫度控制部件6，用于在需要時調(diào)節(jié)設(shè)置在保持架5上的硅基板2的溫度。此外，保持架5與用于施加偏置電功率的偏置用高頻電源7連接。許多側(cè)壁用磁體9設(shè)置在真空容器3的側(cè)壁部8的外側(cè)。許多側(cè)壁用磁體9沿真空容器3的側(cè)壁部8的圓周方向布置，并且面對側(cè)壁部8側(cè)的磁極與圓周方向上的相鄰的磁體的磁極相互不同。側(cè)壁用磁體9沿真空容器3的側(cè)壁部8的內(nèi)表面在圓周方向上連續(xù)地形成會切磁場，防止等離子體擴(kuò)散到側(cè)壁部8的內(nèi)表面。真空容器3與內(nèi)部是等離子體室10的電介質(zhì)壁容器ll連接。電介質(zhì)壁容器ll被布置成通過等離子體導(dǎo)入口12與上述真空容器3連通，該等離子體導(dǎo)入口12被設(shè)置在與真空容器3中的作為被處理物的硅基板2相對的位置處。換句話說，處理室l通過等離子體導(dǎo)入口12與等離子體室10連通，并且在等離子體室IO中形成的等離子體可以通過等離子體導(dǎo)入口12被導(dǎo)入到處理室1中。電介質(zhì)壁容器ll設(shè)置有與等離子體導(dǎo)入口12相對的底部13和用于覆蓋底部13與等離子體導(dǎo)入口12之間的周部的側(cè)壁部14。至少側(cè)壁部14是由例如石英玻璃等電介質(zhì)物質(zhì)構(gòu)成。在由電介質(zhì)物質(zhì)構(gòu)成的側(cè)壁部14的外側(cè)，布置線圏電極15。線圈電極15與用于等離子體的高頻電源16連接，該高頻電源16通過匹配裝置(matchingdevice)(未示出)向線圈電才及15施加高頻電力(電源功率)，以使電介質(zhì)壁容器11的等離子體室10形成等離子體。在側(cè)壁部14的周圍還設(shè)置電磁體17,以有助于等離子體的形成。附圖標(biāo)記18表示用于將所需的處理氣體(例如，'減射蝕刻氣體)供給到真空容器3的處理室1中的氣體導(dǎo)入系統(tǒng)。圖l所示的線圈電極15是單匝線圈，但是本發(fā)明不限于單匝線圈。在根據(jù)本發(fā)明的ICP處理設(shè)備中，從硅基板2的最外周上的任一點(diǎn)開始并且經(jīng)過上述等離子體導(dǎo)入口12的所有直線與上述電介質(zhì)壁容器11的底部13的內(nèi)表面上與底部13形成交點(diǎn)。換句話說，當(dāng)從涂有Ni等的硅基板發(fā)出的Ni碎屑隨著賊射蝕刻直線飛行時，在硅基板2的最外周中形成的碎屑最容易到達(dá)電介質(zhì)壁容器11的側(cè)壁部14的內(nèi)表面。然而，根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備被構(gòu)造成甚至是在硅基板2的最外周中形成的碎屑也不會飛到側(cè)壁部14,而是飛到底部13的內(nèi)表面，并且底部13的內(nèi)表面可以接收碎屑。因此，該ICP處理設(shè)備可以防止碎屑沉積在側(cè)壁部14的內(nèi)表面上。現(xiàn)在將進(jìn)一步說明原因。硅基板2的平面形狀、等離子體導(dǎo)入口12的平面形狀和電介質(zhì)壁容器11的底部13的內(nèi)表面的平面形狀形成彼此同心的同心圓。同樣在圖l所示的第一實施例中，硅基板2的平面形狀、等離子體導(dǎo)入口12的平面形狀和電介質(zhì)壁容器11的底部13的內(nèi)表面的平面形狀形成彼此同心的同心圓。在這種情況下，當(dāng)圖2所示的e和eo具有e〉eo的關(guān)系時，可以防止上述碎屑沉積在側(cè)壁部i4的內(nèi)表面上。此處，e是由通過硅基板2的最外周上的一點(diǎn)a和等離子體導(dǎo)入口12的最小孔的邊緣上距該一點(diǎn)a最遠(yuǎn)的一點(diǎn)b的直線與硅基板2的表面形成的傾角。eo是通過電介質(zhì)壁容器的底部與側(cè)壁部相交的內(nèi)交線上的一點(diǎn)c和等離子體導(dǎo)入口12的最小孔的邊緣上距該一點(diǎn)c最近的一點(diǎn)b'(在圖中與點(diǎn)b是同一點(diǎn))的直線與電介質(zhì)壁容器的底面形成的傾角。圖2中的狀態(tài)是e二eo的狀態(tài)。當(dāng)硅基板2的直徑確定為D',等離子體導(dǎo)入口12的最小孔(直徑)確定為D,并且等離子體導(dǎo)入口12的最小孔的等離子體室10側(cè)的邊緣與硅基板2的表面之間的垂直距離確定為z時，可以通過以下式(i)確定上述eo。00二tan1[2Z/(D，+D)](1)接著，以如下情況作為實施例利用圖1所示的ICP處理設(shè)備，使用Ar氣作為濺射蝕刻氣體，并且蝕刻使用Ni作為掩膜材料的硅基板2，下面將說明操作狀態(tài)。首先，通過排氣系統(tǒng)4對真空容器3中的處理室1的內(nèi)部進(jìn)行排氣，打開閘門閥(未示出)，并且將覆蓋有掩膜材料Ni的硅基板2搬入處理室1中。由保持架5保持硅基板2，并且由溫度控制部件6將硅基板2保持在預(yù)定的溫度。接著，操作氣體導(dǎo)入系統(tǒng)18,以預(yù)定的流速將處理氣體Ar導(dǎo)入真空容器3中的處理室l中。被導(dǎo)入的Ar氣通過真空容器3中的處理室l擴(kuò)散到電介質(zhì)壁容器ll中的等離子體室10中。此處，從用于等離子體的高頻電源16向線圏電極15施加高頻電力，同時，操作電磁體17以在電介質(zhì)壁容器11中的等離子體室IO中形成等離子體。同時，操作用于偏置的高頻電源7，以向硅基板2供給作為負(fù)直流電壓的自偏壓，并且控制入射到被處理物2的表面上的來自等離子體的離子能。這樣，等離子體從等離子體電介質(zhì)壁容器11中的等離子體室10擴(kuò)散到真空容器3中的處理室l中，到達(dá)硅基板2的表面附近并且濺射蝕刻硅基板2的表面。同時，通過濺射蝕刻作業(yè)形成的Ni等碎屑撞擊電介質(zhì)壁容器11的底部13的內(nèi)表面并且沉積在該內(nèi)表面上，如上所述，從而防止Ni等碎屑沉積在側(cè)壁部14的內(nèi)表面上。接著，以下將參照圖3和圖4說明根據(jù)本發(fā)明的ICP處理設(shè)備的第二實施例。在圖3和圖4中，與圖l和圖2中相同的附圖標(biāo)記表示與圖l和圖2中的構(gòu)件、位置、尺寸和角度相同的構(gòu)件、位置、尺寸和角度。第二實施例與第一實施例基本上類似，因此以下將僅說明不同點(diǎn)。在根據(jù)第二實施例的ICP處理設(shè)備中，電介質(zhì)壁容器ll的底部13的內(nèi)表面的直徑大于等離子體導(dǎo)入口12的最小孔徑，并且電介質(zhì)壁容器11的側(cè)壁部14具有直徑從底部13向等離子體導(dǎo)入口12逐漸變小的截頭圓錐狀。通過這種結(jié)構(gòu)，可以將電介質(zhì)壁容器11的側(cè)壁部14的指向設(shè)置為通過濺射蝕刻作業(yè)已經(jīng)形成于硅基板2上并且從硅基板2上飛走的碎屑更難以沉積在側(cè)壁部14上的指向。因此，更容易防止不直線飛行的碎屑沉積在側(cè)壁部14上。在圖解的第二實施例的情況下，由側(cè)壁部在處理室l側(cè)上的邊緣構(gòu)成等離子體導(dǎo)入口12的最小孔，并且0o與側(cè)壁部14的傾角一致。上面說明了本發(fā)明的典型實施方式。然而，本發(fā)明不限于所述的實施方式，而是在從權(quán)利要求書的說明中領(lǐng)會的技術(shù)范圍內(nèi)可以改變成各種模式。[實施例]以下，用圖l圖解的ICP處理設(shè)備濺射蝕刻覆有Ni掩膜的被處理物(硅基板)。處理條件如下。蝕刻氣體Ar蝕刻氣體的流速178.5mg/分4f(lOOsccm)電源功率l，OOOW偏置電功率300W真空容器中的壓強(qiáng)0.6Pa保持架的溫度20。C蝕刻時間l分鐘(每一件)蝕刻速度30nm/分鐘在上述濺射蝕刻條件下處理在D，為200mm的硅基板上形成的Ni薄膜，并且通過將蝕刻速度降低10%前已處理的基板數(shù)作為需要維護(hù)時的基板數(shù)(即，需要對感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備進(jìn)行維護(hù)時已經(jīng)處理過的基板數(shù))來評價結(jié)果。此處，通過由于已經(jīng)沉積在電介質(zhì)壁容器上的Ni形成薄膜使供給的高頻電力降低的現(xiàn)象來確定需要維護(hù)時的基板數(shù)。表i是示出圖2中圖解的傾角e與需要維護(hù)時的基板數(shù)(其中五件用作一個單位)之間關(guān)系的測量結(jié)果。在本實施例中使用的ICP處理設(shè)備中，等離子體導(dǎo)入口的最小孔徑D是100mm，并且等離子體導(dǎo)入口的最小孔徑部在等離子體室側(cè)的邊緣與被處理物的表面之間的垂直距離Z是300mm。另外，因為如上所述D'是200mm，通過上述式子(1)確定6o是63.5度。[表l〗<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>從表i中，當(dāng)使e大于eo時，因為Ni容易沉積在電介質(zhì)壁容器的底部上，因此確認(rèn)出需要維護(hù)時的基板數(shù)增加。當(dāng)值Z固定時，通過減小等離子體導(dǎo)入口的最小孔徑D可以增大e的值。于是，Ni膜幾乎不沉積在電介質(zhì)壁容器的側(cè)壁部上，這可增加需要維護(hù)時的基板數(shù)。此處，當(dāng)基板的(])是200mm時，等離子體導(dǎo)入口的最小孔徑D可以在40mmSDSl80mm的范圍內(nèi)變化，并且等離子體導(dǎo)入口的最小孔在等離子體室側(cè)的邊緣與被處理物的表面之間的垂直距離Z可以在100mm^Z^500mm的范圍內(nèi)變化。另外，當(dāng)基板的ct)是300mm時，等離子體導(dǎo)入口的最小孔徑D可以在60mm^D^270mm的范圍內(nèi)變化，并且等離子體導(dǎo)入口的最小孔在等離子體室側(cè)的邊緣與被處理物的表面之間的垂直距離Z可以在100mm^Z^600mm的范圍內(nèi)變化。相關(guān)申請的交叉引用本申請還要求2007年9月25日提交的日本專利申請No.2007-246733的優(yōu)先4又，該日本專利申i貪的全部內(nèi)容通過引用包含于此。權(quán)利要求1.一種感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備，其包括真空容器，其形成用于在減壓下容納被處理物的處理室；電介質(zhì)壁容器，其形成等離子體室，所述等離子體室通過設(shè)置在與所述處理室中的所述被處理物相對的位置處的等離子體導(dǎo)入口與所述處理室連通，并且所述電介質(zhì)壁容器設(shè)置有與所述等離子體導(dǎo)入口相對的底部以及覆蓋所述底部與所述等離子體導(dǎo)入口之間的周部的側(cè)壁部；線圈電極，其被布置在所述電介質(zhì)壁容器的所述側(cè)壁部的外側(cè)；以及用于等離子體的高頻電源，其通過向所述線圈電極施加高頻電力而在所述等離子體室中形成等離子體，其中，從已安置在所述處理室中的所述被處理物的最外周上的任一點(diǎn)開始并且經(jīng)過所述等離子體導(dǎo)入口的所有直線都在所述電介質(zhì)壁容器的所述底部的內(nèi)表面上與所述底部形成交點(diǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備，其特征在于，當(dāng)設(shè)由經(jīng)過所述被處理物的最外周上的一點(diǎn)和所述等離子體導(dǎo)入口的最小孔徑部的邊緣上的定位于距所述一點(diǎn)最遠(yuǎn)部中的一點(diǎn)的直線與所述一皮處理物的表面形成的傾角為e,設(shè)經(jīng)過由所述電介質(zhì)壁容器的所述底部與所述側(cè)壁部形成的內(nèi)交線上的一點(diǎn)和所述等離子體導(dǎo)入口的最小孔徑部的邊緣上的距所述內(nèi)交線上的一點(diǎn)最近的一點(diǎn)的直線與所述電介質(zhì)壁容器的底面形成的傾角為eo時，e>e0。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備，其特征在于，所述電介質(zhì)壁容器的所述底部的內(nèi)表面的直徑大于所述等離子體導(dǎo)入口的最小孔徑，并且所述電介質(zhì)壁容器的所述側(cè)壁部形成直徑從所述底部向所述等離子體導(dǎo)入口逐漸變小的截頭圓錐狀。4.一種感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備，其包括等離子體形成室，其具有外周被線圈電極環(huán)繞的磁場形成部，并且通過向所述線圈電極施加高頻電力而在所述等離子體形成室中形成等離子體；以及處理室，其與所述等離子體形成室連通，并且在與所述線圏電極的中心軸線相交的位置處容納被處理物；其中從已安置在所述處理室中的所述一皮處理物上的任一點(diǎn)開始、經(jīng)過所述處理室與所述等離子體形成室的連通部、并且到達(dá)所述等離子體形成室的所有直線在所述等離子體形成室上的比所述等離子體形成室的所述vf茲場形成部靠近所述中心軸線的位置具有交點(diǎn)。5.—種感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備，其包括等離子體形成室，其具有外周被線圈電極環(huán)繞的磁場形成部，并且通過向所述線圏電極施加高頻電力而在所述等離子體形成室中形成等離子體；以及處理室，其與所述等離子體形成室連通，并且在與所述線圈電極的中心軸線相交的位置處容納被處理物；其中所迷等離子體形成室使得其與所述處理室的連通部向比所述磁場形成部靠近所述中心軸線的靠近側(cè)突出。6.—種感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備，其包括等離子體形成室，其具有外周被線圈電極環(huán)繞的磁場形成部，并且通過向所述線圏電極施加高頻電力而在所述等離子體形成室中形成等離子體；處理室，其與所述等離子體形成室連通，并且在與所述線圈電極的中心軸線相交的位置處容納—皮處理物；以及突出構(gòu)件，其位于所述等離子體形成室與所述處理室之間，在比所述磁場形成部靠近所述中心軸線的位置具有開口部，并且防止碎屑從所述被處理物飛到所述；茲場形成部。7.—種用在感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備中的電介質(zhì)容器，其包括磁場形成部，其外周被線圈電極環(huán)繞；以及開口部，等離子體可以通過所述開口部;故出，其中，所述開口部形成有漸縮側(cè)壁，使得所述開口部能定位在比所述磁場形成部靠近所述線圈電極的中心軸線的位置。全文摘要根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備防止通過濺射蝕刻作業(yè)形成的碎屑在電介質(zhì)壁容器(11)的側(cè)壁部(14)的內(nèi)表面上形成膜，并且防止高頻電力的供給受到妨礙。在所述感應(yīng)耦合等離子體處理設(shè)備中，從被處理物(2)的最外周上的任一點(diǎn)開始并且經(jīng)過等離子體導(dǎo)入口(12)的所有直線都在電介質(zhì)壁容器(11)的底部(13)的內(nèi)表面上與底部(13)形成交點(diǎn)。文檔編號H05H1/46GK101399170SQ200810149390公開日2009年4月1日申請日期2008年9月25日優(yōu)先權(quán)日2007年9月25日發(fā)明者坂本清尚,小平吉三,平柳裕久,長田智明申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司