專利名稱：：有機(jī)電致發(fā)光器件和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般涉及一種有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件，更具體地說，涉及一種對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件所用密封薄膜特征的改進(jìn)。本發(fā)明也涉及制造這種有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。
背景技術(shù)：
：迄今，由于有機(jī)電致發(fā)光器件可以實(shí)現(xiàn)自身光發(fā)射以獲得一種高發(fā)光率的屏幕，有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)際應(yīng)用正廣泛被發(fā)展用于薄又輕的便攜式設(shè)備等的顯示器或發(fā)光設(shè)備。這種有機(jī)電致發(fā)光器件具有一種其中在基片上形成電致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，此電致發(fā)光元件包括一對(duì)其中至少一層電極層是透明的電極層和一層夾在該電極層對(duì)之間的有機(jī)光發(fā)射層。對(duì)于這種有機(jī)電致發(fā)光器件有一種擔(dān)心，即由于水分和諸如氧的氣體滲透而引起圖像質(zhì)量衰變和壽命縮短，可能會(huì)損害電致發(fā)光元件的有機(jī)光發(fā)射層和電極層。因此，有人建議，用密封薄膜覆蓋電致發(fā)光元件的表面，以防止外部水分和氣體的滲入。例如，JP2003-118030A披露了一種電致發(fā)光器件，其中利用千燥方法，在有機(jī)基底材料的表面上形成一層氣體阻擋層，利用濕法在該氣體阻擋層的表面上形成由含聚硅氮烷組合物的固化過的物質(zhì)制成的固化物質(zhì)層，并將所得的基底材料作為密封薄膜布置于電致發(fā)光元件的表面上。但是，按JP2003-116030A披露的技術(shù)，在有機(jī)基底材料表面上形成氣體阻擋層及固化物質(zhì)層，并將所得基底材料配置于電致發(fā)光元件表面上，也導(dǎo)致了使電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，厚度增加，和使制造電致發(fā)光器件方法復(fù)雜化的問題。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述與已有技術(shù)相關(guān)的問題完成了本發(fā)明，因此，本發(fā)明目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，它能有效地防止水分和氣體滲入，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。本發(fā)明另一個(gè)目的在于，提供一種能獲得這種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。按照本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括一層基片；在該基片表面上形成并至少有第一電極層、有機(jī)光發(fā)射層和第二電極層的一種電致發(fā)光元件；和在該電致發(fā)光元件表面上形成一層密封薄膜，以覆蓋該電致發(fā)光元件，該密封薄膜由硅和硅的氮化物制成，其中鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目之比，等于或大于0.6、但等于或小于2.0。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)真反復(fù)地進(jìn)行了研究，結(jié)果很清楚，即使當(dāng)鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目之比小于0.6或大于2.0時(shí)，所形成的密封薄膜的水蒸汽透過率表明其數(shù)值不可忽略不計(jì)，但當(dāng)此比等于或大于0.6但等于或小于2.0時(shí)，所形成的密封薄膜的水蒸汽透過率等于或小于測(cè)量精度極限值。由于這個(gè)原因，可以斷定，將適量的Si-Si鍵合鏈分散到Si-N鍵合鏈中，會(huì)增強(qiáng)密封性能。注意，還可利用聚硅氮烷在此密封薄膜表面上形成由Sl02構(gòu)成的第二密封薄膜。按照本發(fā)明制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括在基片上形成至少有第一電極層、有機(jī)光發(fā)射層和第二電極層的一種電致發(fā)光元件；和至少提供一種SiH4氣體和N2氣，并調(diào)節(jié)SiHU氣體的流率和所提供的電能，以便利用等離子體CVD方法，以等于或高于3OO納米/分鐘但等于或低于600納米/分鐘的淀積速率，在此電致發(fā)光元件表面上形成由Si和硅的氮化物構(gòu)成的密封薄膜，覆蓋該電致發(fā)光元件。由Si和硅的氮化物構(gòu)成的密封薄膜的淀積速率，主要取決于SfflU氣體的流率和所提供的電能量，而且，明顯的是，當(dāng)該淀積速率等于或高于300納米/分鐘但等于或低于600納米/分^lf時(shí)，其水蒸汽透過率等于或小于測(cè)量精度極限值。注意，優(yōu)選的是，通過等離子體CVD的方法，在設(shè)定NH3氣流率對(duì)SiH4氣體流率之比等于或高于0.0但等于或低于0.2的條件下，提供NH3氣，形成密封薄膜。此外，還可通過對(duì)該密封薄膜表面涂布聚硅氮烷的方法，形成由Sl02構(gòu)成的薄膜，并使之受到烘烤處理。聚硅氮烷也可以是處于半干燥狀態(tài)的。圖l是說明按照本發(fā)明實(shí)施方案l的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)橫斷面圖2圖示說明密封薄膜的淀積速率和其水蒸汽透過率間的關(guān)聯(lián)；圖3圖示說明鍵合硅的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目之比與其水蒸汽透過率間的關(guān)聯(lián)；圖4圖示說明制造密封薄膜時(shí)NH3氣流率對(duì)SiH4氣體流率之比與所制造的密封薄膜應(yīng)力變化量間的關(guān)聯(lián)；圖5是說明按照本發(fā)明實(shí)施方案2的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)橫斷面圖6是說明實(shí)施方案2在電致發(fā)光元件表面上存在異物時(shí)有機(jī)電致發(fā)光器件主要部分的放大橫斷面圖。具體實(shí)施例方式此后將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。實(shí)施方案l圖1是說明按照本發(fā)明實(shí)施方案1的有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件的結(jié)構(gòu)橫斷面圖。在透明玻璃基片1上形成電致發(fā)光元件2。此電致發(fā)光元件2包括在玻璃基片1表面上形成作為第一電極層的陽(yáng)極3，在陽(yáng)極3上形成的有機(jī)光發(fā)射層4，和在有機(jī)光發(fā)射層4上形成作為第二電極層的陰極5。在此電致發(fā)光元件2表面上形成一層密封薄膜6，覆蓋電致發(fā)光元件2?？捎媚軌蛲干淇梢姽獾耐该骰虬胪该鞑牧现瞥刹ＡЩ琹。因此，除玻璃外，也可以采用滿足這種條件的樹脂作為基片材料。電致發(fā)光元件2的陽(yáng)極3可有作為電極的功能，也可以是至少透明或半透明的，使之能夠透射可見光。因此，例如，可以采用ITO作為陽(yáng)極3的材料。用于有機(jī)光發(fā)射層4的材料至少包含一種已知的有機(jī)電致發(fā)光材料，諸如Akj3或DCM。此外，在陽(yáng)極3和陰極5之間也可以適當(dāng)?shù)匦纬梢粚踊蚨鄬幽切┰谝阎袡C(jī)電致發(fā)光器件中所采用的諸如電子傳遞層和空穴傳遞層。各層均由已知材料適當(dāng)?shù)貥?gòu)成。陰極5可以具有作為電極的功能，并至少可有一種反射可見光的特性。因此，例如，對(duì)于陰極5，可以采用A1、Cr、Mo、鋁合金或Al/Mo層壓層等。可利用已知薄膜成型方法，諸如汽相淀積方法，形成各層。密封薄膜6由Si和硅的氮化物構(gòu)成。對(duì)于這種材料，鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目之比等于或大于0.6但等于或小于2.0。利用這種密封薄膜6，使有可能獲得優(yōu)異的密封能力，防止外部水分和氣體滲入電致發(fā)光元件2中。在這種有機(jī)電致發(fā)光器件中，在其上形成有電致發(fā)光元件2的反面，即玻璃基片l的主表面，是一種光發(fā)射表面。也就是說，使有機(jī)光發(fā)射層4發(fā)射的光線，直接入射至陽(yáng)極3，或使之在通過陰極5反射后間接地入射至陽(yáng)極3，而透射穿過玻璃基片l，從玻璃基片l的光發(fā)射表面放射至外部。接著，此后將描述按照本發(fā)明實(shí)施方案l的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。首先，利用已知薄膜成型方法諸如汽相淀積法，將陽(yáng)極3、有機(jī)光發(fā)射層4和陰極5依次層壓在玻璃基片l的表面上，使形成電致發(fā)光元件2。此后，將其上形成有電致發(fā)光元件的玻璃基片l傳送至處于真空或非活性環(huán)境氣氛中的等離子體CVD體系淀積室內(nèi)的某個(gè)位置上，利用等離子體CVD方法，在陰極5表面上形成密封薄膜6。此時(shí)，對(duì)等離子體CVD體系淀積室至少提供SiH4氣體和N2氣。接著，通過調(diào)節(jié)SiH4氣體的流率和所提供的電能，達(dá)到以等于或高于300納米/分鐘但等于或低于600納米/分鐘的淀積速率，在陰極5表面上形成密封薄膜6。結(jié)果，制成該有機(jī)電致發(fā)光器件。這里，將尺寸為100mmx100mmx0.4mm的聚碳酸酯系列薄膜，放進(jìn)等離子體CVD體系淀積室內(nèi)，然后排放淀積室內(nèi)的空氣至壓力lxl(T3Pa。在此狀態(tài)之下，促使SiH4氣體、NH3氣和N2氣流入淀積室內(nèi)，以調(diào)節(jié)壓力至IOOPa。然后，在間隙20毫米的一對(duì)電極之間施加13.56MHZ的高頻電，對(duì)氣體放電，從而在聚碳酸酯系列薄膜表面上，淀積厚度0.5pm的密封薄膜。這時(shí)，NH3流率和N2流率分別被調(diào)節(jié)至50毫升/分鐘和1000毫升/分鐘，并分別調(diào)節(jié)SiH4流率和在電極對(duì)間施加的電能，各樣地改變密封薄膜的淀積速率，從而形成各種密封薄膜，并對(duì)各樣形成的密封薄膜測(cè)定鍵合硅原子的硅原子的數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原予的數(shù)目的比和其水蒸汽透過率，獲得以下測(cè)量結(jié)果，如表1所示。注意水蒸汽透過率O.lg/n^day(克/平方米.日)表示它等于或低于測(cè)量精度極限值。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>注意，采用X射線光電子分光鏡AXISULTRA(由英國(guó)KRATOSCo.,Ltd.公司制造)，分析各樣形成的密^h蓴膜，測(cè)定在各樣形成的密封薄膜中鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目的比。也就是，在高真空下用X-射線照射該密封薄膜的表面，測(cè)定從該密封薄膜表面發(fā)射出的電子能量，從而對(duì)化學(xué)元素進(jìn)行定性和定量分析。在這種測(cè)定中，預(yù)先用其鍵能接近于Si的軌道2p的Au的軌道4f(84.00eV)來標(biāo)定X射線光電子分光鏡。然后，將該密封薄膜作為樣品放入淀積室中，排放該室內(nèi)空氣，使壓力等于或低于lx10—7Pa，并進(jìn)行Ar離子浸蝕5分鐘，除去密封薄膜表面上的氧化物膜和污染。然后，獲得所得樣品鍵能97-100eV(電子伏特)的波形，此波形被分離成具有101.9eV峰位的波形(源于鍵合氮原子的硅原子)和具有99.7eV峰位的波形(源于鍵合硅原子的硅原子)。然后，將這兩種波形間的面積比定義為鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目的比。此外，利用一種mocon方法測(cè)定其水蒸汽透過率。根據(jù)表l測(cè)量結(jié)果，獲得如圖2所示的淀積速率和水蒸汽透過率間的關(guān)聯(lián)。根據(jù)圖2可以看出，以等于或高于300納米/分鐘但等于或低于600納米/分鐘的淀積速率所形成的密封薄膜的水蒸汽透過率，是等于或低于測(cè)量精度極限值的，因此，在這種條件下制成的密封薄膜顯示了優(yōu)異的密封性能。同樣，根據(jù)表l測(cè)量結(jié)果，獲得了如圖3所示的鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目之比與水蒸汽透過率間的關(guān)聯(lián)。根據(jù)圖3可以看出，其中鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目的比等于或大于0.6但等于或小于2.0的密封薄膜的水蒸汽透過率，是等于或低于測(cè)量精度極限值的，因此，在這種條件下制成的密封顯示優(yōu)異密封性能。此外，調(diào)節(jié)流入等離子體CVD體系淀積室中的SiH4氣體流率至300毫升/分鐘，并調(diào)節(jié)電極間所施加的供給電能至700瓦特(W),以達(dá)到該密封薄膜的淀積速率為約400納米/分鐘，在這種條件下，多樣化地改變NH3氣流率至0、25、50、100、150及300毫升/分鐘，以分別形成厚度各2.0微米的各樣密封薄膜。注意，N2流率被設(shè)定在1000毫升/分鐘，供給電能頻率被設(shè)定為13.56MHz。當(dāng)所形成的密封薄膜保留在其溫度保持60。C和相對(duì)濕度90。/。的高溫及高濕度容器(由TABAIESPEC公司有限公司制造)中SOO小時(shí)后，測(cè)定所形成的各樣密封薄膜的初始應(yīng)力及其應(yīng)力，獲得了如表2所示的測(cè)量結(jié)果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>注意，在4英寸Si晶片上形成密封薄膜，提前測(cè)定其翹曲(warp)量，然后再測(cè)定該密封薄膜在剛形成時(shí)Si晶片的翹曲量和該密封薄膜在高溫及高濕度容器中保留500小時(shí)之后Si晶片的翹曲量，然后分別比較這些Si晶片所得翹曲量與形成密封薄膜之前Si晶片翹曲量，從而計(jì)算該密封薄膜的初始應(yīng)力及該密封薄膜在高溫高濕度容器中保留500小時(shí)之后的應(yīng)力。接著，將該密封薄膜的初始應(yīng)力與在密封薄膜保留500小時(shí)后的密封薄膜應(yīng)力之間的差值定義為應(yīng)力變化量。根據(jù)表2測(cè)量結(jié)果，獲得NH3流率對(duì)SiH4流率的比與應(yīng)力變化量間的關(guān)聯(lián)，如圖4所示。從圖4看出，當(dāng)NH3流率對(duì)SiH4流率的比等于或大于0.0但等于或小于0.2時(shí)，應(yīng)力變化量明顯地小。通過利用汽相淀積法等已知淀積方法獲得電致發(fā)光元件的有機(jī)光發(fā)射層及電極層，其機(jī)械強(qiáng)度低。因此，為了防止破損該電致發(fā)光元件的有才幾光發(fā)射層及電極層，要求為覆蓋該電致發(fā)光元件所形成的密封薄膜的應(yīng)力長(zhǎng)期變化量小。因此，當(dāng)在NH3流率對(duì)SiH4流率的比等于或大于0.0但等于或小于0.2下形成該密封薄膜時(shí)，能夠獲得顯示應(yīng)力變化量小的密封薄膜，因此，有可能獲得其可靠性優(yōu)異的有機(jī)電致發(fā)光器件。實(shí)施方案2圖5說明按照本發(fā)明實(shí)施方案2的有機(jī)電致發(fā)光器件的橫斷面圖。這種有機(jī)電致發(fā)光器件是在圖1所示實(shí)施方案1中的密封薄膜6表面上形成第二密封薄膜7。釆用由聚硅氮烷形成厚度0.01-2.(^m的SiO2薄膜作為第二密封薄膜7。這里，在本說明書中認(rèn)為聚硅氮烷含有電介質(zhì)，而且其中部分鍵合硅原子的氫原子也被烷基基團(tuán)等取代。第二密封薄膜7含有烷基，尤其，分子量小的曱基基團(tuán)，從而提高了作為基底的密封薄膜6的粘著性能并賦予Si02薄膜以柔性，因此，即使當(dāng)?shù)诙芊獗∧?的厚度增大時(shí)，也會(huì)抑制產(chǎn)生裂隙。至于烷基基團(tuán)，優(yōu)選的是具有l(wèi)-4個(gè)碳原子的烷基。此外，聚硅氮烷可以是其中保留有未反應(yīng)成分的半干燥狀態(tài)的聚硅氮烷。此后將描述按照本發(fā)明實(shí)施方案2制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。如同按照本發(fā)明實(shí)施方案l制造有機(jī)電致發(fā)光器件的情況，利用已知薄膜成型方法諸如汽相淀積方法，在玻璃基片1的表面上依次層壓陽(yáng)極3、有機(jī)光發(fā)射層4及陰極5，以形成電致發(fā)光元件2。然后，將其上形成有電致發(fā)光元件2的玻璃基片傳送到等離子體CVD體系淀積室內(nèi)某個(gè)位置，以便通過對(duì)等離子體CVD體系的淀積室至少提供SiHU氣體及N2氣的方法，并也以通過調(diào)節(jié)SiH4氣體流率及提供電能方法獲得的等于或高于300納米/分鐘但等于或低于600納米/分鐘的淀積速率，在陰極5表面上形成密封薄膜6。此后，將具有電致發(fā)光元件2的玻璃基片及其上形成的密封薄膜6置于對(duì)密封薄膜6表面涂布聚硅氮烷的氣氛中?？赡懿捎酶鞣N方法，諸如旋涂法、浸染法、流動(dòng)法、輥式涂布法及絲網(wǎng)印法，作為其涂布方法。此外，也可以在形成密封薄膜6時(shí)的環(huán)境氣氛中，將聚硅氮烷涂布在密封薄膜6的表面上，或在非活性的環(huán)境氣氛中而不將其置于該氣氛中。按照這樣，利用一種加熱元件i^如烘箱或加熱板，對(duì)具有電致發(fā)光元件2、密封薄膜6及其上形成的聚硅氮烷的玻璃基片進(jìn)行烘烤處理，以使聚硅氮烷按照以下化學(xué)反應(yīng)式進(jìn)行反應(yīng)，使在密封薄膜6表面上形成第二密封薄膜7:n+2H20今Si02+NH3+2H2結(jié)果制成按照本發(fā)明實(shí)施方案2的有機(jī)電致發(fā)光器件。在圖6所示情況下，電致發(fā)光元件2的表面上存在異物8諸如粉塵，會(huì)使人擔(dān)心，即使在電致發(fā)光元件2表面上形成了密封薄膜6，異物8也不會(huì)被密封薄膜6完全覆蓋，因此在密封薄膜6中可能形成未被粘著的部分9。但是，在實(shí)施方案2中，由于在密封薄膜6上涂布聚硅氮烷，以形成第二密封薄膜7，所得到的第二密封薄膜7覆蓋了作為基底的密封薄膜6的未粘著部分9。因此，有可能防止外部水分及氣體滲入電致發(fā)光元件2中。此外，由于在電致發(fā)光元件2表面上形成密封薄膜6之后，在該密封薄膜6表面上涂布聚硅氮烷，形成了第二密封薄膜7，這使有可能防止電致發(fā)光元件24皮破損。除塵土外，玻璃粉、光致抗蝕劑薄膜附著物等也是可能的異物8。但是，在任何情況下，第二密封薄膜7都能^隻蓋未被粘著的部分9，防止了水分及氣體滲入電致發(fā)光元件2中。當(dāng)在這種烘烤處理進(jìn)程中所涂聚硅氮烷的未反應(yīng)成分留下來時(shí)，這種未反應(yīng)的聚硅氮烷與滲入的水分發(fā)生反應(yīng)，阻止了所滲入的水分到達(dá)電致發(fā)光元件2。其結(jié)果，有可能防止電致發(fā)光元件2由于滲入水分而引起的衰變。本發(fā)明上述實(shí)施方案1及2描述了關(guān)于底部發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光器件，因此，由有機(jī)光發(fā)射層4發(fā)射的光線透射穿過透明陽(yáng)極3及玻璃基片l放射到外界。但是，本發(fā)明并不限于這種底部發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光器件。也就是說，本發(fā)明也可應(yīng)用于頂發(fā)射型有才幾電致發(fā)光器件，其中將反射電極、有機(jī)光發(fā)射層及透明電極依次層壓在基片上，并因此使該有機(jī)光發(fā)射層發(fā)射的光線透射穿過透明電極的反面至基片而放射到外界。在這種情況下，第一和第二密封薄膜是依次在透明電才及上形成的。因此第一和第二密封薄膜每個(gè)均必須由適用于透射可見光的透明或半透明的材料構(gòu)成。按照本發(fā)明，由Si及硅的氮化物構(gòu)成的密封薄膜是在電致發(fā)光元件表面上形成的，其中鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目的比，等于或大于0.6、但等于或小于2.0。因此，盡管該電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但它可能防止水分及氣體滲入該電致發(fā)光元件中。實(shí)施例l利用反應(yīng)濺射方法，在透明玻璃基片上形成由ITO構(gòu)成的厚度190納米的陽(yáng)極。接著，作為汽相淀積形成光發(fā)射層之前對(duì)基片的清洗，利用一種堿溶液清洗該基片，然后用凈化水清洗，在進(jìn)行干燥后，利用紫外光/臭氧清潔光源清洗該基片。將其上形成有陽(yáng)極的基片傳送至汽相淀積體系中，接著利用石墨坩堝，以0.1納米/秒淀積速率及在真空度約5.0x10—spa下，在這陽(yáng)極表面上淀積IO納米厚度的銅酞菁。以形成空穴注入?yún)^(qū)。然后，利用石墨坩堝，以0.1納米/秒的淀積速率及在5.0x10」Pa的真空度下，在該空穴注入?yún)^(qū)表面上淀積厚度30納米的三苯胺的四聚物，以形成空穴傳遞區(qū)。此外，以0.1納米/秒的淀積速率及在5.0x1(pspa的真空度下，在該空穴傳遞區(qū)的表面上，淀積厚度30納米的DPVBi(發(fā)光色藍(lán)色)，以形成光線發(fā)射區(qū)。利用石墨坩堝，以0.1納米/秒的淀積速率及在約5.0xl(T5Pa的真空度下，在該光線發(fā)射區(qū)上淀積厚度20納米的作為quinolinolato系列金屬絡(luò)合物的Alq3，以形成電子傳遞區(qū)。然后，利用石墨坩堝，以0.03納米/秒的淀積速率及在5.0xlO-Spa的真空度下，在該電子傳遞區(qū)上淀積厚度0.5納米的LiF，以形成陰極界面區(qū)。此外，再利用鴒板材，以l納米/秒的淀積速率及在約5.0xl0-spa的真空度下，在該陰極界面區(qū)上淀積厚度100納米的鋁，以形成陰極。用這種方式在玻璃基片上形成電致發(fā)光元件之后，利用等離子體CVD體系，在該電致發(fā)光元件表面上形成由Si及硅的氮化物構(gòu)成的薄膜作為密封薄膜。也就是，將該玻璃基片放進(jìn)等離子體CVD體系的淀積室中，排放淀積室內(nèi)的空氣至壓力1.0xlO。Pa。接著，促使SiN4氣體、NHs氣及N2氣流入該室，其流率分別為300毫升/分4中、50毫升/分鐘及1000毫升/分鐘，以調(diào)節(jié)壓力至100Pa。然后，對(duì)間隙20毫米的電極對(duì)，施加13.56MHz及700W的高頻電能，對(duì)該混合氣體放電，/人而在該電致發(fā)光元件表面上淀積形成厚度lpm的密封薄膜。由此制成的有機(jī)電致發(fā)光器件的密封薄膜，其鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目的比為1.169。此外，測(cè)定該密封薄膜的水蒸汽透過率，其水蒸汽透過率等于或j氐于測(cè)量精度極限值。在將所形成的密封薄膜溫度保留于60。C及相對(duì)濕度90。/。的環(huán)境中500小時(shí)后，其應(yīng)力變化量數(shù)值低，達(dá)到-2.82MPa。實(shí)施例2與實(shí)施例1的相同，在透明玻璃基片上形成電致發(fā)光元件及利用等離子體CVD體系，在該電致發(fā)光元件表面上形成由Si及硅的氮化物構(gòu)成的密封薄膜之后，利用轉(zhuǎn)速設(shè)定為500rpm的旋涂器，在該密封薄膜表面上涂布20重量％聚硅氮烷，即NL-120(由CLARIANTJAPANCO.Ltd公司生產(chǎn))，利用加熱板使之在90。C下干燥30分鐘，從而形成厚度0.5pm的由SiO2構(gòu)成的第二密封薄膜。權(quán)利要求1.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法包括下述步驟在基片上形成至少具有第一電極層、有機(jī)光發(fā)射層和第二電極層的電致發(fā)光元件；和提供至少SiH4氣體和N2氣，并調(diào)節(jié)SiH4氣體的流率和所提供的電能，從而利用等離子體CVD方法，以等于或高于300納米/分鐘但等于或低于600納米/分鐘的淀積速率，在所述電致發(fā)光元件的表面上，形成由Si和硅的氮化物構(gòu)成的密封薄膜以覆蓋該電致發(fā)光元件。2.如權(quán)利要求l所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中，按照NH3氣流率與S1H4氣流率之比設(shè)定為等于或高于0.0但等于或低于0.2的比率，提供NH3氣體，以利用等離子體CVD方法形成密封薄膜。3.如權(quán)利要求l所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中將聚硅氮烷施用于密封薄膜的表面，并使之經(jīng)受烘烤處理，以形成由Si02構(gòu)成的第二密封薄膜。4.如權(quán)利要求3所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中通過旋涂法、浸染法、流動(dòng)法、輥式涂布法和絲網(wǎng)印法中的任何一種方法，施用聚硅氮烷。5.如權(quán)利要求3所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中聚硅氮烷處于半千燥狀態(tài)。全文摘要在玻璃基片上形成包括陽(yáng)極、有機(jī)光發(fā)射層及陰極的一種電致發(fā)光器件，在該電致發(fā)光元件表面上形成由Si及SiN_x構(gòu)成的覆蓋該電致發(fā)光元件的密封薄膜，其中鍵合硅原子的硅原子數(shù)目對(duì)鍵合氮原子的硅原子數(shù)目的比等于或大于0.6但等于或小于2.0。文檔編號(hào)H05B33/04GK101369637SQ20081014906公開日2009年2月18日申請(qǐng)日期2005年2月28日優(yōu)先權(quán)日2004年3月30日發(fā)明者北村一典,城所敦,富田陵一,竹內(nèi)萬善申請(qǐng)人:株式會(huì)社豐田自動(dòng)織機(jī)