專利名稱：裝置和連接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種裝置和連接方法，尤其涉及集成電路與電源總線連接的技術(shù)。
背景技術(shù)：
集成電路具有電源端子，通過(guò)對(duì)電源端子供給電力，來(lái)驅(qū)動(dòng)集成電路。為了對(duì)電源 端子供給電力，電源端子通過(guò)電源總線與作為電力供給源的電源連接。在驅(qū)動(dòng)集成電路時(shí)，在集成電路中會(huì)產(chǎn)生噪聲，該噪聲從電源端子泄漏。因此，通 過(guò)在電源端子上連接電容器來(lái)減少噪聲泄漏。另外，本發(fā)明的相關(guān)技術(shù)如下所示。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開(kāi)2005-302885號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利特許3170797號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本專利特許3327714號(hào)公報(bào)發(fā)明的公開(kāi)發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題但是，噪聲的強(qiáng)度因電源端子而異。因此，根據(jù)電源端子的不同，有時(shí)噪聲強(qiáng)度大 而很難僅以與該電源端子連接的電容器來(lái)減少噪聲。該噪聲可能會(huì)流入電源中而影響電 源。鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于防止流過(guò)電源端子的噪聲向電源泄漏。解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案本發(fā)明第1形態(tài)的裝置包括多個(gè)電源端子(P11、P21、P31、P41)、與所述多個(gè)電源 端子連接的集成電路(11)、以及具有與電源(Vc)連接的一端(r20)和另一端(r201)的電 源總線O)，所述電源端子以如下方式連接在所述電源總線上，即流過(guò)所述電源端子自身的 電流所含的噪聲的強(qiáng)度(al a4)越大，所述電源端子就連接在越靠近所述另一端的位置 (r21 r24)上。本發(fā)明第2形態(tài)的裝置是在第1形態(tài)的裝置中，還包括連接在各個(gè)所述電源端子 與其它電源(GND)之間的多個(gè)噪聲除去部(Cl C4)。本發(fā)明第3形態(tài)的裝置是在第1形態(tài)的裝置中，還包括僅連接在所述電源端子 (Pll)以外的電源端子(P21、P31、P41)與其它電源(GND)之間的噪聲除去部(C2 C4)，所 述電源端子(Pll)連接在最靠近所述另一端(r201)的位置(r24)上。本發(fā)明第4形態(tài)的裝置是在第2或第3形態(tài)的裝置中，所述噪聲除去部(Cl C4) 為電容器。本發(fā)明第5形態(tài)的裝置是在第4形態(tài)的裝置中，由一個(gè)所述電容器(Cl C4)和 所述電源總線(2)確定的諧振頻率與由其它所述電容器和所述電源總線確定的諧振頻率 互不相同。本發(fā)明第6形態(tài)的裝置是在第1至第5形態(tài)的任一個(gè)裝置中，所述電源總線(2) 的一端(r20)通過(guò)第二噪聲除去部(3)與所述電源(Vc)連接。
本發(fā)明第7形態(tài)的裝置是在第6形態(tài)的裝置中，所述第二噪聲除去部(3)為鐵氧 體磁環(huán)。本發(fā)明第8形態(tài)的裝置是在第1至第7形態(tài)的任一個(gè)裝置中，還包括與接地連 接的配線(1012)、以及通過(guò)絕緣基板將所述電源總線(2)和所述配線層疊的多層層疊基板 (101)，所述集成電路(11)設(shè)置在所述多層層疊基板的所述電源總線側(cè)，所述集成電路和 所述配線在所述多層層疊基板的層疊方向(90)上的距離(d)為Imm以下。本發(fā)明第9形態(tài)的裝置是在第1至7形態(tài)的任一個(gè)裝置中，還包括基板(101)、以 及與接地連接的配線(Al)，所述集成電路(11)設(shè)置在基板的表面上，所述配線設(shè)置在與所 述集成電路相同的所述表面上，并包圍所述集成電路和所述電源端子(P11、P21、P31、P41)。本發(fā)明第1形態(tài)的連接方法，用于將裝置的電源端子連接到電源總線上，所述裝 置包括多個(gè)所述電源端子(Pll、P21、P31、P41)、與所述多個(gè)電源端子連接的集成電路 (11)、以及具有與電源(Vc)連接的一端(r20)和另一端(r201)的所述電源總線O)，將所 述電源端子以如下方式連接在所述電源總線上，即流過(guò)所述電源端子自身的電流所含的噪 聲的強(qiáng)度(al a4)越大，所述電源端子就連接在越靠近所述另一端的位置(r21 r24) 上。本發(fā)明第2形態(tài)的連接方法是在第1形態(tài)的連接方法中，在與所述電源總線(2) 分開(kāi)準(zhǔn)備的電源總線上連接所述電源端子(P11、P21、P31、P41)，對(duì)所述集成電路(11) 提供電源(Vc)，對(duì)流過(guò)各個(gè)所述電源端子的電流的噪聲強(qiáng)度(al a4)預(yù)先進(jìn)行測(cè)定，根據(jù) 該噪聲的強(qiáng)度來(lái)確定將所述電源端子連接到所述電源總線上的所述位置(r21 r24)。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明第1形態(tài)的裝置或第1形態(tài)的連接方法，由于在電源端子中，強(qiáng)度越大 的噪聲，以通過(guò)越長(zhǎng)的電源總線的形態(tài)向電源總線的一端側(cè)流動(dòng)，因此，該電源端子與電源 總線的一端之間的電感增大。由此，可降低向與該一端連接的電源泄漏的噪聲的高頻成分。根據(jù)本發(fā)明第2形態(tài)的裝置，可減少?gòu)碾娫炊俗恿飨螂娫纯偩€的噪聲。根據(jù)本發(fā)明第3形態(tài)的裝置，由于連接在最靠近另一端的位置上的電源端子與其 它電源之間并未連接噪聲除去部，因此，可防止從該電源端子流向電源總線的電流量增加。 由此，該電流所含的噪聲強(qiáng)度不容易變大。根據(jù)本發(fā)明第4形態(tài)的裝置，以電源端子和電源總線等配線的寄生電感器和電容 器構(gòu)成了低通濾波器。由此，可除去大部分噪聲，從而可進(jìn)一步減少噪聲向電源的泄漏。根據(jù)本發(fā)明第5形態(tài)的裝置，由于可獲得諧振頻率不同的低通濾波器，因此，可除 去的頻帶擴(kuò)大。根據(jù)本發(fā)明第6或第7形態(tài)的裝置，可將泄漏到電源總線的一端的噪聲除去，從而 可進(jìn)一步減少噪聲向電源的泄漏。根據(jù)本發(fā)明第8形態(tài)的裝置，由于集成電路與配線之間的距離變小，因此從集成 電路和配線中的任一方流向另一方的電場(chǎng)容易在集成電路與配線之間流動(dòng)。由此，可減少 該電場(chǎng)所引起的噪聲的泄漏。根據(jù)本發(fā)明第9形態(tài)的裝置，通過(guò)使集成電路產(chǎn)生的噪聲流過(guò)該配線，可減少噪 聲向外部的泄漏。另外，因可擴(kuò)大集成電路周圍的配線面積，從而可進(jìn)一步減少噪聲向外部 的泄漏。
根據(jù)本發(fā)明第2形態(tài)的連接方法，通過(guò)預(yù)先測(cè)定噪聲的強(qiáng)度，可確定電源端子在 電源總線上的連接位置。本發(fā)明的目的、特征、內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)說(shuō)明和附圖而變得更為明確。


圖1是表示在第1實(shí)施形態(tài)中說(shuō)明的、噪聲測(cè)定用的電路B的圖。
圖2是表示噪聲的頻譜的圖。
圖3是表示噪聲的頻譜的圖。
圖4是表示噪聲的頻譜的圖。
圖5是表示噪聲的頻譜的圖。
圖6是表示構(gòu)成電路A之后的連接形態(tài)的圖。
圖7是表示構(gòu)成電路A之后的連接形態(tài)的電路圖。
圖8是示意地表示設(shè)在基板101上的集成電路11的剖視圖。
圖9是示意地表示設(shè)在基板102上的集成電路11的俯視圖。
具體實(shí)施例方式第1實(shí)施形態(tài)用圖1 圖6對(duì)本實(shí)施形態(tài)的元件1與電源總線2的連接方法進(jìn)行說(shuō)明。元件1 具有集成電路11和多個(gè)端子(圖1和圖6)。該端子包括電源端子P11、P21、P31、P41和接 地端子P12、P22、P32、P42。集成電路11例如是高速數(shù)字集成電路，與電源端子Pl 1、P21、 P31、P41 和接地端子 P12、P22、P32、P42 連接。首先，對(duì)分別流過(guò)電源端子P11、P21、P31、P41的噪聲進(jìn)行測(cè)定。通過(guò)下面的順序 來(lái)進(jìn)行該噪聲的測(cè)定。第一，元件1設(shè)置在噪聲測(cè)定用的電路B中(圖1)。噪聲測(cè)定用的電路B具有電源Vc、電源總線21、電容器Cll C41、鐵氧體磁環(huán)31 和端子 211、212、221、222、231、232、241、242。端子231與電源總線21的一端r211連接。端子241、211、221從一端r211側(cè)起 依次連接到電源總線21的位置r212、r213、r214上。電源Vc通過(guò)鐵氧體磁環(huán)31與電源總線21連接。在本實(shí)施形態(tài)中，與位置r212 連接。端子212、222、232、242分別與接地連接，在與端子211、221、231、241之間連接有 電容器Cll C41。電源端子PlU P21、P31、P41分別與端子211、221、231、241連接。接地端子P12、 P22、P32、P42 分別與端子 212、222、232、242 連接。第二，用噪聲測(cè)定用的電路B來(lái)驅(qū)動(dòng)集成電路11，此時(shí)，對(duì)流過(guò)電源端子Pl 1、P21、 P3UP41的噪聲進(jìn)行測(cè)定。具體而言，例如用磁性探測(cè)器對(duì)分別流過(guò)電源端子P11、P21、 P3UP41的電流進(jìn)行測(cè)定。接著，例如可通過(guò)對(duì)測(cè)定結(jié)果進(jìn)行頻譜分析來(lái)測(cè)定該電流中所 含的噪聲的強(qiáng)度。圖2 圖5分別例示了就頻率對(duì)在電源端子Pll、P21、P31、P41處測(cè)得的電流進(jìn)行頻譜分析后的結(jié)果。另外，分別用符號(hào)al a4來(lái)表示頻譜強(qiáng)度的最大值。在圖2 圖 5中表示了最大值al最大而最大值a2 a4依次減少的情況。在測(cè)定了噪聲后，將元件1從噪聲測(cè)定用的電路B中拆除，根據(jù)上述最大值al a4，針對(duì)該元件1構(gòu)成電路A。下面用圖6和圖7來(lái)說(shuō)明電路A的結(jié)構(gòu)。另外，圖6表示的 是構(gòu)成了電路A之后的連接形態(tài)，圖7以電路圖來(lái)表示該連接形態(tài)。在圖7中，分別用符號(hào) Enl En4來(lái)表示產(chǎn)生流過(guò)電源端子Pll、P21、P31、P41的噪聲的噪聲源。電路A具有電源Ne、電源總線2、電容器Cl C4、鐵氧體磁環(huán)3。電源總線2的一端r20通過(guò)鐵氧體磁環(huán)3與電源Vc連接。鐵氧體磁環(huán)3可減少?gòu)?一端r20漏出的噪聲，并可因此來(lái)減少噪聲向電源Vc的泄漏。因此，可將鐵氧體磁環(huán)3作 為噪聲除去部。另外，該噪聲除去部只要能減少噪聲即可，而并不局限于鐵氧體磁環(huán)3。例 如，也可使用電容器并在一端r20與接地之間連接電容器。這種情況下，最好在噪聲測(cè)定用 的電路B中也用電容器來(lái)代替鐵氧體磁環(huán)3。在電源端子P11、P21、P31、P41上連接電源總線2。此時(shí)，強(qiáng)度al a4越大，電源 端子P11、P21、P31、P41就與越靠近電源總線2的另一端r201的位置r24、r23、r22、r21連 接。另外，接地端子P12、P22、P32、P42分別與接地連接。電容器Cl C4例如為旁路電容器或去耦電容器，分別連接在電源端子P11、P21、 P31、P41與接地之間。電容器Cl C4分別可減少?gòu)碾娫炊俗覲ll、P21、P31、P41流向電 源總線2的噪聲。因此，可將電容器Cl C4作為噪聲除去部。另外，該噪聲除去部只要能 除去噪聲Enl En4即可，而并不局限于電容器Cl C4。例如，也可使用插入位置上 的電源總線2與電源端子Pll之間的鐵氧體磁環(huán)。這種情況下，最好在噪聲測(cè)定用的電路 B中也插入鐵氧體磁環(huán)來(lái)代替電容器C11、C21、C31、C41。具體而言，在位置r213與電源端 子Pll之間插入鐵氧體磁環(huán)。但是，該噪聲除去部使用電容器(1 04，因與電源端子？11、？21、？31、？41和電源 總線2等配線的寄生電感器構(gòu)成了低通濾波器，因此，可除去更多的噪聲。在圖7中用符號(hào) Ll L3來(lái)表示寄生電感器。根據(jù)該連接方法和連接后的裝置(圖6)，含有強(qiáng)度al a4大的噪聲的電源端子 P11、P21、P31、P41依次在從另一端r201到一端r20排列的位置r24、r23、r22、r21上與電 源總線2連接，從而在電源端子P11、P21、P31、P41中，強(qiáng)度越大的噪聲經(jīng)由距離越長(zhǎng)的電源 總線2而流向一端r20側(cè)。8口，流過(guò)自身的電流的噪聲越大的電源端子？11、？21、卩31、卩41 以越大的電感與一端r20連接。由此，可降低該噪聲的高頻成分。即使是在未連接鐵氧體磁環(huán)3和電容器Cl C4時(shí)，也可獲得上述效果。但是，通 過(guò)如上所述地連接這些噪聲除去部，可除去更多的噪聲。另外，也可僅在連接在最靠近另一端r201的位置上的電源端子Pll以外的電 源端子P21、P31、P41與接地之間連接電容器C2 C4等噪聲除去部。根據(jù)這種形態(tài)，由于 在電源端子Pll與接地之間未連接噪聲除去部，因此可防止從電源端子Pll流向電源總線 2的電流量增加。由此，該電流所含的噪聲的強(qiáng)度不容易變大。在本實(shí)施形態(tài)中，流過(guò)電源端子Pll的噪聲(即由噪聲源Enl產(chǎn)生的噪聲)依次 通過(guò)電容器Cl C4經(jīng)由電源總線2而流向一端r20側(cè)。在圖7中，將該內(nèi)容作為噪聲的 路徑而用箭頭301表示。
流過(guò)電源端子P21的噪聲(圖3)依次通過(guò)電容器C2 C4經(jīng)由電源總線2而流 向一端r20側(cè)。流過(guò)電源端子P31的噪聲(圖4)依次通過(guò)電容器C3、C4經(jīng)由電源總線2 而流向一端r20側(cè)。流過(guò)電源端子P41的噪聲(圖5)僅通過(guò)電容器C4經(jīng)由電源總線2而 流向一端r20側(cè)。在圖7中，將這些內(nèi)容分別作為噪聲的路徑而用箭頭302 303表示。由此，強(qiáng)度越大的噪聲被輸入越多的低通濾波器，由此可減少噪聲向電源Vc的泄 漏。在本實(shí)施形態(tài)中，也可以使一個(gè)由電容器Cl C4和電源總線2確定的諧振頻率 與由其它電容器Cl C4和電源總線2確定的諧振頻率互不相同。根據(jù)這種形態(tài)，能擴(kuò)大 可除去的頻帶。第2實(shí)施形態(tài)圖8是示意地表示設(shè)在基板101上的集成電路11的剖視圖。第1實(shí)施形態(tài)的電 路A例如構(gòu)成在基板101的設(shè)置元件1的一側(cè)的表面1011上。基板101例如可采用多層層疊基板，圖8表示的是這種情況。該多層層疊基板具 有電源層1013和接地層1012。電源總線2、接地層1012和電源層1013分別通過(guò)絕緣基板 從表面1011側(cè)向相反側(cè)的表面1015側(cè)依次層疊。接地端子P12通過(guò)通孔1014與接地層1012連接。圖8中雖未圖示，但接地端子 P22、P32、P42也同樣與接地層1012連接。電源端子Pll、P21、P31、P41依次通過(guò)電源總線 2和電源層與電源Vc連接。在元件1設(shè)置在上述多層層疊基板的表面1011上時(shí)，最好集成電路11與接地層 1012之間在多層層疊基板的層疊方向90上的距離d為Imm以下。這是因?yàn)椋ㄟ^(guò)縮小集成 電路11與接地層1012之間的距離d，從集成電路11和接地層1012中的任一方流向另一方 的電場(chǎng)就容易在集成電路11與接地層1012之間流動(dòng)。由此，可減少該電場(chǎng)所引起的噪聲 的泄漏。圖9是示意地表示設(shè)在基板102上的集成電路11的俯視圖?；?01例如可采
用上述多層層疊基板。在圖9中，元件1設(shè)置在基板102的表面1021上。另外，接地圖案Al設(shè)置在與元 件1相同的表面1021上并包圍元件1。換言之，接地圖案Al包圍了集成電路11和電源端 子 P11、P21、P31、P41。根據(jù)這種形態(tài)，通過(guò)使集成電路11產(chǎn)生的噪聲流過(guò)接地圖案，可減少噪聲向外部 的泄漏。另外，可擴(kuò)大集成電路11周圍的接地圖案的面積，從而可進(jìn)一步減少噪聲向外部 的泄漏。接地圖案的寬度hi、h2最好是4mm以上。對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但上述說(shuō)明在所有方面均只是例示，本發(fā)明并不局限 于此。應(yīng)當(dāng)理解為，未例示的無(wú)數(shù)個(gè)變形例可認(rèn)為不超出本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種裝置，其特征在于，包括 多個(gè)電源端子(P11、P21、P31、P41)；與所述多個(gè)電源端子連接的集成電路(11)；以及 具有與電源(Vc)連接的一端(r20)和另一端(r201)的電源總線0)， 所述電源端子以如下方式連接在所述電源總線上，即若流過(guò)所述電源端子自身的電 流所含的噪聲的強(qiáng)度(al a4)越大，則所述電源端子就位于越靠近所述另一端的位置 (r21 r24)上。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括連接在各個(gè)所述電源端子與其它電源(GND)之間的多個(gè)噪聲除去部(Cl C4)。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括僅連接在所述電源端子(Pll)以外的電源端子(P21、P31、P41)與其它電源 (GND)之間的噪聲除去部(C2 C4)，所述電源端子(Pll)連接在最靠近所述另一端(r201) 的位置(r24)上。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于， 所述噪聲除去部(Cl C4)為電容器。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于， 所述噪聲除去部(Cl C4)為電容器。
6.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，由一個(gè)所述電容器(Cl C4)和所述電源總線(2)確定的諧振頻率與由其它所述電容 器和所述電源總線確定的諧振頻率互不相同。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，由一個(gè)所述電容器(Cl C4)和所述電源總線(2)確定的諧振頻率與由其它所述電容 器和所述電源總線確定的諧振頻率互不相同。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述電源總線O)的一端(r20)通過(guò)第二噪聲除去部(3)與所述電源(Vc)連接。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于， 所述第二噪聲除去部(3)為鐵氧體磁環(huán)。
10.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，還包括 與接地連接的布線(1012)；以及通過(guò)絕緣基板對(duì)所述電源總線( 和所述布線進(jìn)行層疊的多層層疊基板(101)， 所述集成電路(11)設(shè)置在所述多層層疊基板的所述電源總線側(cè)， 所述集成電路和所述布線在所述多層層疊基板的層疊方向(90)上的距離(d)在Imm 以下。
11.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，還包括 與接地連接的布線(1012)；以及通過(guò)絕緣基板對(duì)所述電源總線( 和所述布線進(jìn)行層疊的多層層疊基板(101)， 所述集成電路(11)設(shè)置在所述多層層疊基板的所述電源總線側(cè)， 所述集成電路和所述布線在所述多層層疊基板的層疊方向(90)上的距離(d)在Imm 以下。
12.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，還包括 與接地連接的布線(1012)；以及通過(guò)絕緣基板對(duì)所述電源總線( 和所述布線進(jìn)行層疊的多層層疊基板(101)， 所述集成電路(11)設(shè)置在所述多層層疊基板的所述電源總線側(cè)， 所述集成電路和所述布線在所述多層層疊基板的層疊方向(90)上的距離(d)在Imm 以下。
13.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，還包括 基板(102)；以及與接地連接的布線(Al)，所述集成電路(11)設(shè)置在基板的表面(1021)上，所述布線與所述集成電路相同也設(shè)置在所述表面上，并包圍所述集成電路和所述電源 端子(P11、P21、P31、P41)。
14.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，還包括 基板(102)；以及與接地連接的布線(Al)，所述集成電路(11)設(shè)置在基板的表面(1021)上，所述布線與所述集成電路相同也設(shè)置在所述表面上，并包圍所述集成電路和所述電源 端子(P11、P21、P31、P41)。
15.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，還包括 基板(102)；以及與接地連接的布線(Al)，所述集成電路(11)設(shè)置在基板的表面(1021)上，所述布線與所述集成電路相同也設(shè)置在所述表面上，并包圍所述集成電路和所述電源 端子(P11、P21、P31、P41)。
16.一種連接方法，用于將裝置的電源端子連接到電源總線上， 所述裝置包括多個(gè)所述電源端子(P11、P21、P31、P41)； 與所述多個(gè)電源端子連接的集成電路(11)；以及具有與電源(Vc)連接的一端(r20)和另一端(r201)的所述電源總線0)， 其特征在于，將所述電源端子以如下方式連接在所述電源總線上，即若流過(guò)所述電源端子自身的 電流所含的噪聲的強(qiáng)度(al a4)越大，則所述電源端子就位于越靠近所述另一端的位置 (r21 r24)上。
17.如權(quán)利要求16所述的連接方法，其特征在于，在與所述電源總線(2)分開(kāi)準(zhǔn)備的電源總線上連接所述電源端子(P11、P21、P31、 P41)，對(duì)所述集成電路(11)提供電源(Vc)，對(duì)流過(guò)各個(gè)所述電源端子的電流的噪聲強(qiáng)度(al a4)預(yù)先進(jìn)行測(cè)定， 根據(jù)該噪聲的強(qiáng)度來(lái)確定將所述電源端子連接到所述電源總線上的所述位置(r21 r24)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種防止流過(guò)電源端子的噪聲向電源泄漏的裝置和連接方法。電源總線(2)的一端(r20)通過(guò)鐵氧體磁環(huán)(3)與電源(Vc)連接。此時(shí)，在電源端子(P11、P21、P31、P41)上，噪聲強(qiáng)度越大，電源端子(P11、P21、P31、P41)就與越靠近電源總線(2)的另一端(r201)的位置(r24、r23、r22、r21)連接。另外，接地端子(P12、P22、P32、P42)分別與接地連接，電容器(C1～C4)例如為旁路電容器或去耦電容器，分別連接在電源端子(P11、P21、P31、P41)與接地之間。
文檔編號(hào)H05K9/00GK102144431SQ20078000738
公開(kāi)日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2007年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月1日
發(fā)明者岡野貴史 申請(qǐng)人:大金工業(yè)株式會(huì)社