專利名稱：布線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上形成布線部的布線基板。
背景技術(shù)：
例如，在等離子體顯示面板(PDP)用電極中，由使銀電極(以下，稱為Ag布線部)和金電極(以下，稱為Au布線部)連接的結(jié)構(gòu)形成。這是為了抑制銀的遷移(migration)。
但是，在Ag布線部和Au布線部連接的界面產(chǎn)生擴(kuò)散。在材料不同的布線部之間相接的界面上具有程度差，必然產(chǎn)生擴(kuò)散。而且，銀是非常容易向金擴(kuò)散的元素，即銀因擴(kuò)散系數(shù)非常大而向Au布線部?jī)?nèi)擴(kuò)散，在Ag布線部產(chǎn)生空穴(void)。因此，例如在形成布線部后，當(dāng)在所述布線部的表面上實(shí)施鍍膜時(shí)，出現(xiàn)在產(chǎn)生所述空穴的部位難附著鍍膜的問(wèn)題，此外在最差時(shí)，發(fā)生斷線等。
此外，在Ag布線部和基板之間也出現(xiàn)上述的擴(kuò)散的問(wèn)題。尤其，對(duì)于基板，在采用低溫?zé)商沾?LTCCLow Temperature Co-fired Ceramics)時(shí)，Ag容易向所述基板擴(kuò)散，發(fā)生上述的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是為解決上述的問(wèn)題而提出的，尤其，其目的在于提供一種能夠適當(dāng)抑制在布線部?jī)?nèi)或在布線部和基板之間產(chǎn)生的擴(kuò)散的布線基板。
本發(fā)明的布線基板，其特征在于，具有基板、和形成在所述基板上的布線部，所述布線部，具有含Ag形成的第1布線部；材料與所述第1布線部不同的第2布線部；夾在所述第1布線部及所述第2布線部之間，熔點(diǎn)比所述第1布線部及所述第2布線部高的第1高熔點(diǎn)金屬部。
高熔點(diǎn)金屬，是不易向所述第1布線部及第2布線部擴(kuò)散的材料，并且，還具有作為能夠適當(dāng)抑制與所述第1高熔點(diǎn)金屬部接觸的第1布線部的Ag的擴(kuò)散的阻擋材料的功能。由此，能夠適當(dāng)防止Ag從第1布線部向第2布線部的擴(kuò)散。因此，與以往相比，能夠適當(dāng)防止在所述布線部產(chǎn)生空穴，能夠制造不易產(chǎn)生斷線等的布線基板。
此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選，在所述基板和至少所述第1布線部之間，形成熔點(diǎn)比所述第1布線部及所述第2布線部高的第2高熔點(diǎn)金屬部，能夠適當(dāng)抑制Ag在所述第1布線部和基板間的擴(kuò)散。
此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述第1高熔點(diǎn)金屬部及第2高熔點(diǎn)金屬部，分別由含有W、Mo或Ta中的至少任何一種元素的金屬材料形成。這些材料都是熔點(diǎn)非常高的金屬材料，能夠有效地抑制Ag在第1布線部和第2布線部間的、及第1布線部和基板間的擴(kuò)散。
此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述第1布線部和第2布線部在高度方向部分對(duì)向，從所述對(duì)向的所述第1布線部和第2布線部之間，朝所述第1布線部和基板之間，具有一體形成所述第1高熔點(diǎn)金屬部及第2高熔點(diǎn)金屬部的高熔點(diǎn)金屬部。由此，能夠有效地抑制Ag在第1布線部和第2布線部間的、及第1布線部和基板間的擴(kuò)散，同時(shí)由于不需要分別形成所述第1高熔點(diǎn)金屬部和第2高熔點(diǎn)金屬部，所以能夠容易制造所要求的布線基板。
此外，本發(fā)明中的布線基板，其特征在于，具有基板、和形成在所述基板上的布線部，所述布線部，具有含Ag形成的第1布線部；材料與所述第1布線部不同的第2布線部；夾在所述第1布線部及所述第2布線部之間，所述第1布線部所含的Ag的組成比，按照從所述第1布線部側(cè)朝所述第2布線部側(cè)減少的組成調(diào)制部。
在該發(fā)明中，由于在所述組成調(diào)制部，所述第1布線部所含的Ag的組成比，按照朝所述第2布線部側(cè)減少，所以與所述第1布線部和第2布線部相接形成時(shí)相比，能夠抑制Ag向所述第2布線部?jī)?nèi)的擴(kuò)散。擴(kuò)散現(xiàn)象，在擴(kuò)散的對(duì)象元素即Ag在擴(kuò)散前不包含在所述第2布線部?jī)?nèi)，或即使包含組成比也低于包含在第1布線部?jī)?nèi)的Ag的組成比，在第1布線部和第2布線部的界面附近Ag組成比有差的時(shí)候，尤其Ag組成比的差越大，越顯著產(chǎn)生。因此，通過(guò)在第1布線部和第2布線部之間，設(shè)置使Ag的組成比按照從第1布線部側(cè)朝第2布線部側(cè)減少的組成調(diào)制部，與以往相比，由于能夠減小在所述第1布線部和第2布線部的界面的Ag組成比(或者，能夠減小在所述第1布線部和第2布線部的界面附近的Ag組成比的差)，同時(shí)也能夠減小在第1布線部和組成調(diào)制部的界面附近的Ag組成比的差，所以能夠適當(dāng)抑制Ag從第1布線部向第2布線部的擴(kuò)散。
在上述情況下，優(yōu)選，所述組成調(diào)制部含有Ag和Pd地形成，所述Pd的組成比，按照從所述第1布線部側(cè)向所述第2布線部側(cè)增加。由此，能夠適當(dāng)抑制Ag向第2布線部的擴(kuò)散。
此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選，在所述基板和至少所述第1布線部之間，形成熔點(diǎn)比所述第1布線部及所述第2布線部高的高熔點(diǎn)金屬部，優(yōu)選能夠抑制Ag在所述第1布線部和基板間的擴(kuò)散。
此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述高熔點(diǎn)金屬部，由含有W、Mo或Ta中的至少任何一種元素的金屬材料形成。由于這些材料都是熔點(diǎn)非常高的金屬材料，所以能夠有效地抑制第1布線部的Ag的擴(kuò)散。
在本發(fā)明中，優(yōu)選至少在所述第1布線部的表面上形成覆蓋部。通過(guò)形成該覆蓋部，能夠適當(dāng)抑制構(gòu)成所述第1布線部的Ag引起遷移。
在本發(fā)明中，優(yōu)選所述第2布線部由Au形成。由于Au與Ag相比，比電阻高，電特性差，但是與Ag相比不易產(chǎn)生擴(kuò)散，所以通過(guò)在微細(xì)的形狀部分，或在相鄰的布線部的間隔窄等高精度的部分上，形成由Au構(gòu)成的第2布線部，能夠提供可靠性更高的布線基板。
此外，優(yōu)選所述第2布線部的表面，是設(shè)在所述布線基板上的電子元件的連接電極的連接面。
此外在本發(fā)明中，例如，所述基板由低溫?zé)商沾尚纬?。在此種情況下，尤其，由于構(gòu)成第1布線部的Ag容易向基板側(cè)擴(kuò)散，所以通過(guò)采用本發(fā)明，能夠有效地抑制Ag向所述基板的擴(kuò)散。
根據(jù)本發(fā)明，由于能夠適當(dāng)抑制Ag從含Ag形成的第1布線部向第2布線部或基板的擴(kuò)散，由此與以往相比，能夠適當(dāng)防止在布線部產(chǎn)生空穴，能夠制造不易產(chǎn)生斷線等的布線基板。


圖1是表示在本實(shí)施方式的布線基板上搭載電子元件的狀態(tài)的所述布線基板及電子元件的局部俯視圖。
圖2是沿高度方向(圖示Z方向)從圖1所示的A-A線切斷且從箭頭方向觀察的所述布線基板及電子元件的局部剖面圖。
圖3是放大表示圖2所示的B的部位的所述布線基板及電子元件的局部放大剖面圖。
圖4是與圖3不同的方式的所述布線基板及電子元件的局部放大剖面圖。
圖5是與圖3、圖4不同的方式的所述布線基板及電子元件的局部放大剖面圖。
圖6是與圖3～圖5不同的方式的所述布線基板及電子元件的局部放大剖面圖。
圖中10-基板，11-布線部，12-連接電極，13-電子元件，15-Au布線部，16-覆蓋部，17-Ag布線部，18-第1高熔點(diǎn)金屬部，20-第2高熔點(diǎn)金屬部，25-組成調(diào)制部，26-高Ag組成比部，27-中Ag組成比部，28-低Ag組成比部，30-高熔點(diǎn)金屬部。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示在本實(shí)施方式的布線基板上搭載電子元件的狀態(tài)的所述布線基板及電子元件的局部俯視圖，圖2是沿高度方向(圖示Z方向)從圖1所示的A-A線切斷且從箭頭方向觀察的所述布線基板及電子元件的局部剖面圖，圖3是放大表示圖2所示的B的部位的所述布線基板及電子元件的局部放大剖面圖，圖4是與圖3不同的方式的所述布線基板及電子元件的局部放大剖面圖，圖5是與圖3、圖4不同的方式的所述布線基板及電子元件的局部放大剖面圖，圖6是與圖3～圖5不同的方式的所述布線基板及電子元件的局部放大剖面圖。
各圖中的圖示X方向表示寬度方向，圖示Y方向表示長(zhǎng)度方向，圖示Z方向表示高度方向。另外，各方向具有與其余的2個(gè)方向正交的關(guān)系。
如圖1及圖2所示，在基板10的上面10a形成有多個(gè)布線部11。所述基板10，由低溫?zé)商沾?LTCCLow Temperature Co-fired Ceramics)形成。所述低溫?zé)商沾墒峭ㄟ^(guò)在中間夾著導(dǎo)體地疊層多個(gè)生片而形成的。
所述布線部11，例如通過(guò)絲網(wǎng)印刷在所述基板10的上面10a形成圖形。所述布線部11，是包含導(dǎo)電填充物和粘合劑樹脂的涂膜?；蛘撸部梢酝ㄟ^(guò)濺射法或鍍膜法等形成所述布線部11。另外，在本說(shuō)明書中，關(guān)于所述布線部11的組成，記載只著眼于金屬元素。即在所述布線部11是所述的涂膜的時(shí)候，在所述布線部11內(nèi)也含有粘合劑樹脂，但是關(guān)于所述粘合劑未特別敘述。例如，在作為布線部11的結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為“Ag布線部”的情況下，除Ag以外含有粘合劑樹脂時(shí)和不含粘合劑時(shí)都適合。此外，關(guān)于組成比，以100質(zhì)量％表現(xiàn)所述布線部所含的金屬元素。即，即使在除金屬元素以外含有粘合劑樹脂的時(shí)候，也記載為除去所述粘合劑樹脂，將所述布線部所含的金屬元素?fù)Q算為100質(zhì)量％。
在所述布線部11上搭載有電子元件13。在所述電子元件13的下面設(shè)置多個(gè)連接電極12。所述布線部11，延伸形成到所述連接電極12下方。所述布線部11的頂端部11a是與所述電子元件13的連接電極12接觸的部位，所述頂端部11a的寬度尺寸非常小。此外，各布線部11的頂端部11a間的間距寬度也非常窄。從所述布線部11的頂端部11a朝后端部11b側(cè)(朝離開所述電子元件13的方向)，所述布線部11的寬度尺寸變寬，此外各布線部的間距也變寬。
所述電子元件13，例如，是具有1個(gè)或多個(gè)CPU、MPU、ROM及RAM等存儲(chǔ)器的IC封裝或裸芯片等。所述電子元件13，通過(guò)倒裝結(jié)構(gòu)連接在所述布線部11上。在所述電子元件13和所述基板10之間設(shè)置封裝樹脂14。
如圖3所示，在布線部11的頂端部11a形成有Au布線部(第2布線部)15。所述Au布線部15的上面15a、前端面(朝與圖示X方向的相反側(cè)的面)15b及側(cè)端面(在與圖示Y方向平行的方向的兩側(cè)出現(xiàn)的面)，都未被例如由玻璃形成的覆蓋部16覆蓋。所述Au布線部15的上面15a成為與所述電子元件13的連接電極12的連接面。
在比所述Au布線部15靠所述布線部11的后端部11b側(cè)形成有Ag布線部(第2布線部)17。另外，在所述Au布線部15和Ag布線部17之間形成有第1高熔點(diǎn)金屬部18。
所述第1高熔點(diǎn)金屬部18，由熔點(diǎn)比所述Au布線部15及Ag布線部17高的金屬材料形成。構(gòu)成所述Au布線部15的Au或構(gòu)成Ag布線部17的Ag，熔點(diǎn)大致在1000℃上下。所述第1高熔點(diǎn)金屬部18，由含有W、Mo或Ta中的至少任何一種元素的金屬材料形成。W、Ta是熔點(diǎn)大致為3400℃左右的高熔點(diǎn)金屬材料，Mo是熔點(diǎn)為2600℃左右的高熔點(diǎn)金屬材料。
在圖3所示的實(shí)施方式中，由于在所述Au布線部15和Ag布線部17之間加添熔點(diǎn)比Au及Ag高的第1高熔點(diǎn)金屬部18，所以能夠適當(dāng)抑制Ag向Au布線部15內(nèi)的擴(kuò)散。由于第1高熔點(diǎn)金屬部18的熔點(diǎn)高，所以擴(kuò)散系數(shù)低，即是不易擴(kuò)散的材料。此外，具有作為能夠適當(dāng)抑制Ag從所述Ag布線部17的擴(kuò)散的阻擋材料的功能。如此，通過(guò)在所述Au布線部15和Ag布線部17之間設(shè)置第1高熔點(diǎn)金屬部18，所述第1高熔點(diǎn)金屬部18本身不易擴(kuò)散，此外，由于也抑制Ag的擴(kuò)散，所以與以往Ag布線部和Au布線部相接形成的方式相比，能夠有效地抑制Ag的擴(kuò)散。
此外，Ag也容易向由低溫?zé)商沾尚纬傻幕?0擴(kuò)散。認(rèn)為這是因?yàn)?，所述低溫?zé)商沾墒怯刹ＡШ吞沾傻幕旌衔飿?gòu)成的生片的疊層物，所述混合物中所含的玻璃是與通常的玻璃不同的組成，由于是與氧化鋁基板等相比非常容易擴(kuò)散的材質(zhì)，及由于同時(shí)燒成所述生片和膏狀的布線部11。另外也可以不同時(shí)燒成所述生片和膏狀的布線部11，但是通常為了簡(jiǎn)化制造或削減成本等而采用同時(shí)燒成。
因此，在圖4所示的實(shí)施方式中，在所述Ag布線部17和所述基板10之間設(shè)置有第2高熔點(diǎn)金屬部20。在圖4中，所述第2高熔點(diǎn)金屬部20也設(shè)在第1高熔點(diǎn)金屬部18下及Au布線部15下，但也可以不設(shè)置。但是，如果在所述第1高熔點(diǎn)金屬部18下及Au布線部15下都設(shè)置所述第2高熔點(diǎn)金屬部20，則能夠在所述第2高熔點(diǎn)金屬部20上的平坦面上形成所述布線部11，容易以規(guī)定形狀形成所述布線部11。尤其，為了以高精度的圖形形成所述布線部11的頂端部11a，優(yōu)選盡量在無(wú)高低差等的平坦的面上形成所述布線部11，因此，優(yōu)選在所述第1高熔點(diǎn)金屬部18下及Au布線部15下都設(shè)置所述第2高熔點(diǎn)金屬部20的方式。
所述第2高熔點(diǎn)金屬部20，優(yōu)選與在圖3中說(shuō)明的第1高熔點(diǎn)金屬部18同樣，由含有W、Mo或Ta中的至少任何一種元素的金屬材料形成。所述第1高熔點(diǎn)金屬部18和第2高熔點(diǎn)金屬部20可以由相同的材料形成、也可以由不同的材料形成。
根據(jù)圖4所示的實(shí)施方式，能夠適當(dāng)抑制Ag在所述Ag布線部17和基板10之間的擴(kuò)散。
在圖5所示的實(shí)施方式中，在所述Au布線部15和Ag布線部17之間，形成組成調(diào)制部25，該組成調(diào)制部25Ag的組成比從所述Ag布線部17側(cè)向所述Au布線部15側(cè)緩慢減少。所述組成調(diào)制部25，分為例如從所述Ag布線部17側(cè)向Au布線部15側(cè)而Ag組成比不同的3個(gè)區(qū)域。從最接近Ag布線部17的一側(cè)朝Au布線部15側(cè)，按高Ag組成比部26、中Ag組成比部27、低Ag組成比部28的順序形成。例如，在高Ag組成比部26，按Ag為98質(zhì)量％、Pd為2質(zhì)量％形成。例如，在中Ag組成比部27，按Ag為95質(zhì)量％、Pd為5質(zhì)量％形成。例如，在低Ag組成比部28，按Ag為90質(zhì)量％、Pd為10質(zhì)量％形成。
如此，在組成調(diào)制部25，從Ag布線部17朝Au布線部15側(cè)，Ag的組成比以98質(zhì)量％→95質(zhì)量％→90質(zhì)量％減少。Pd以2質(zhì)量％→5質(zhì)量％→10質(zhì)量％增加。如此的減少·增加傾向，無(wú)論是階段的還是連續(xù)的，哪種都可以。所謂的“階段的”，指的是在所述高Ag組成比部26、中Ag組成比部27、低Ag組成比部28的各自區(qū)域內(nèi)，具有Ag組成比大概一定的部分的狀態(tài)。另外，所謂的“連續(xù)的”，指的是，基本上沒有Ag組成比大概一定的區(qū)域，例如Ag組成比的緩慢減少，從Ag布線部17朝Au布線部15側(cè)實(shí)質(zhì)上無(wú)中斷地連續(xù)的狀態(tài)。另外，在所述組成調(diào)制部25的所述Ag組成比及Pd組成比，優(yōu)選也加進(jìn)在所述組成調(diào)制部25的電阻值等進(jìn)行設(shè)定。
通過(guò)設(shè)置所述組成調(diào)制部25，Ag組成比在與所述Au布線部15的界面降低。因此，與所述Au布線部15和Ag布線部17相接形成時(shí)相比，能夠適當(dāng)抑制Ag向Au布線部15內(nèi)擴(kuò)散。此外，由于Ag布線部17與Ag組成比高的高Ag組成比部26相接，所以在所述Ag布線部17和高Ag組成比部26的界面附近的Ag組成比的差小，因此，能夠適當(dāng)抑制Ag從所述Ag布線部17向高Ag組成比部26的擴(kuò)散。因而，在圖5所示的實(shí)施方式中，與Ag布線部17和Au布線部15相接形成的以往時(shí)相比，能夠適當(dāng)抑制Ag向Au布線部15內(nèi)擴(kuò)散。
在各高Ag組成比部26、中Ag組成比部27、低Ag組成比部28中，作為Ag以外的金屬元素優(yōu)選采用Pd。通過(guò)添加Pd，能夠適當(dāng)抑制Ag的擴(kuò)散。所述Pd的組成比，優(yōu)選從Ag布線部17朝向Au布線部15增加。在圖5所示的實(shí)施方式中，Pd組成比，從Ag布線部17側(cè)朝Au布線部15側(cè)，以2質(zhì)量％→5質(zhì)量％→10質(zhì)量％增加。
另外，雖未圖示，但在圖5的實(shí)施方式中，與圖4同樣，優(yōu)選至少在所述Ag布線部17和所述基板10之間設(shè)置高熔點(diǎn)金屬部。由此，能夠適當(dāng)抑制Ag在所述Ag布線部17和所述基板10之間的擴(kuò)散。更優(yōu)選，在所述組成調(diào)制部25和基板10之間也設(shè)置高熔點(diǎn)金屬部。由于所述組成調(diào)制部25也含有Ag，所以為了適當(dāng)抑制來(lái)自所述組成調(diào)制部25的Ag擴(kuò)散，優(yōu)選也在基板10和組成調(diào)制部25之間設(shè)置高熔點(diǎn)金屬部。
在圖3～圖5所示的所有的實(shí)施方式中，Au布線部15、第1高熔點(diǎn)金屬部18(或組成調(diào)制部25)及Ag布線部17，平面排列地形成在所述基板10上。換句話講，Au布線部15、第1高熔點(diǎn)金屬部18(或組成調(diào)制部25)及Ag布線部17，在高度方向(圖示Z方向)上不重疊，分別從橫向相接形成。對(duì)此，在圖6中，在所述Au布線部15上形成高熔點(diǎn)金屬部30，在其上形成Ag布線部17。即，形成在高度方向(圖示Z方向)上層疊的方式。如圖6所示，從所述Au布線部15的上面15a的一部分朝所述基板10的上面10a形成所述高熔點(diǎn)金屬部30，在所述高熔點(diǎn)金屬部30上形成所述Ag布線部17，而且，如果在高度方向(圖示Z方向)上局部對(duì)向地形成所述Au布線部15和所述Ag布線部17，如圖4所示，就不需要分別形成第1高熔點(diǎn)金屬部18和第2高熔點(diǎn)金屬部20，能夠以簡(jiǎn)易的結(jié)構(gòu)形成不易向Au布線部15側(cè)及基板10側(cè)擴(kuò)散Ag的結(jié)構(gòu)的布線基板，并且，能夠使導(dǎo)體電阻低的Ag布線部17盡可能靠近Au布線部15，能夠抑制導(dǎo)體特性的劣化。由于所述高熔點(diǎn)金屬部30的導(dǎo)體電阻高，所以通過(guò)盡量使Ag布線部17靠近所述Au布線部15，能夠減小電的損失。另外，也能夠代替圖6的高熔點(diǎn)金屬部30，設(shè)置在圖5中說(shuō)明的組成調(diào)制部25。在此種情況下，從下依次按低Ag組成比部28、中Ag組成比部27、高Ag組成比部26的順序疊層形成構(gòu)成所述組成調(diào)制部25的各層。圖6所示的Au布線部15的上面15a的一部分露出，電子元件13的連接端子12與所述上面15a連接。
如上所述，在本實(shí)施方式中，由于能夠適當(dāng)抑制Ag從Ag布線部17向Au布線部15的擴(kuò)散，所以能夠防止如以往那樣在布線部11形成空穴，或產(chǎn)生斷線等問(wèn)題。此外，也能夠在所述布線部11上適當(dāng)實(shí)施鍍膜。
圖3～圖6所示的覆蓋部16如上所述例如是玻璃。通過(guò)用覆蓋部16至少覆蓋所述Ag布線部17的表面(在本說(shuō)明書中所述的“表面”，指全部露出的面，即上面、側(cè)端面)，能夠適當(dāng)抑制Ag的遷移。此外，優(yōu)選用覆蓋部16覆蓋所述第1高熔點(diǎn)金屬部18的表面或組成調(diào)制部25的表面，優(yōu)選能更適當(dāng)?shù)胤乐笰g的遷移。此外，也可以代替由玻璃形成的覆蓋部16，例如通過(guò)實(shí)施Au鍍膜，也可以抑制所述Ag的遷移。在此種情況下，例如，Au鍍膜可以用無(wú)電解鍍法形成，在布線部11的整個(gè)表面上鍍膜。但是，在也鍍所述Au布線部15的表面實(shí)施Au鍍膜的結(jié)構(gòu)中，由于如果不高精度地控制鍍膜量，例如相鄰的布線部11相互間夾著鍍層，容易出現(xiàn)斷路等問(wèn)題，此外Au鍍膜和Ag布線部17之間的擴(kuò)散也成為問(wèn)題，所以優(yōu)選由玻璃形成所述覆蓋部16。
此外，Ag布線部17，也可以與Ag一同含有Ag以外的金屬元素。此外Au布線部15也可以含有Au以外的金屬元素。此外所述Au布線部15的部分也可以不含Au，由Au以外的金屬元素形成。但是Au布線部15的部分，至少由比Ag難產(chǎn)生擴(kuò)散(擴(kuò)散指數(shù)比Ag小的)材料形成。
此外在本說(shuō)明書中，所謂“材料不同”，包括組成元素不同時(shí)、和組成元素相同但組成比不同時(shí)的雙方。所謂“組成元素不同時(shí)”，如由Au形成的布線部和由Ag形成的布線部。此外所謂“組成比不同時(shí)”，例如，是哪個(gè)布線部都具有Au和Ag地形成，組成元素相同，但一方的布線部(第1布線部)的Ag的組成比大于另一方的布線部(第2布線部)的Ag的組成比時(shí)。但是在后者時(shí)，由于在第2布線部即使很少也必然含有Ag，所以優(yōu)選第2布線部由不含Ag的組成元素形成。
權(quán)利要求
1.一種布線基板，其中，具有基板、和形成在所述基板上的布線部，所述布線部，具有含Ag形成的第1布線部；材料與所述第1布線部不同的第2布線部；夾在所述第1布線部及所述第2布線部之間，熔點(diǎn)比所述第1布線部及所述第2布線部高的第1高熔點(diǎn)金屬部。
2.如權(quán)利要求1所述的布線基板，其中，在所述基板和至少所述第1布線部之間，形成有熔點(diǎn)比所述第1布線部及所述第2布線部高的第2高熔點(diǎn)金屬部。
3.如權(quán)利要求1所述的布線基板，其中，所述第1高熔點(diǎn)金屬部及第2高熔點(diǎn)金屬部，分別由含有W、Mo或Ta中的至少任何一種元素的金屬材料形成。
4.如權(quán)利要求2所述的布線基板，其中，所述第1布線部和第2布線部在高度方向上部分對(duì)向，從所述對(duì)向的所述第1布線部和第2布線部之間向所述第1布線部和基板之間，形成有高熔點(diǎn)金屬部，所述高熔點(diǎn)金屬部一體形成有所述第1高熔點(diǎn)金屬部及第2高熔點(diǎn)金屬部。
5.一種布線基板，其中，具有基板、和形成在所述基板上的布線部，所述布線部，具有含Ag形成的第1布線部；材料與所述第1布線部不同的第2布線部；夾在所述第1布線部及所述第2布線部之間，所述第1布線部所含的Ag的組成比從所述第1布線部側(cè)向所述第2布線部側(cè)減少的組成調(diào)制部。
6.如權(quán)利要求5所述的布線基板，其中，所述組成調(diào)制部含有Ag和Pd形成，所述Pd的組成比從所述第1布線部側(cè)向所述第2布線部側(cè)增加。
7.如權(quán)利要求5所述的布線基板，其中，在所述基板和至少所述第1布線部之間，形成有熔點(diǎn)比所述第1布線部及所述第2布線部高的高熔點(diǎn)金屬部。
8.如權(quán)利要求7所述的布線基板，其中，所述高熔點(diǎn)金屬部，由含有W、Mo或Ta中的至少任何一種元素的金屬材料形成。
9.如權(quán)利要求5所述的布線基板，其中，至少在所述第1布線部的表面形成有覆蓋部。
10.如權(quán)利要求5所述的布線基板，其中所述第2布線部由Au形成。
11.如權(quán)利要求5所述的布線基板，其中，所述第2布線部的表面，是設(shè)置在所述布線基板上的電子元件的連接電極的連接面。
12.如權(quán)利要求5所述的布線基板，其中，所述基板由低溫?zé)商沾尚纬伞?br> 13.如權(quán)利要求4所述的布線基板，其中，所述高熔點(diǎn)金屬部，由含有W、Mo或Ta中的至少任何一種元素的金屬材料形成。
14.如權(quán)利要求1所述的布線基板，其中，至少在所述第1布線部的表面形成有覆蓋部。
15.如權(quán)利要求1所述的布線基板，其中，所述第2布線部由Au形成。
16.如權(quán)利要求1所述的布線基板，其中，所述第2布線部的表面，是設(shè)置在所述布線基板上的電子元件的連接電極的連接面。
17.如權(quán)利要求1所述的布線基板，其中，所述基板由低溫?zé)商沾尚纬伞?br> 全文摘要
本發(fā)明的目的是，在布線基板中適當(dāng)抑制在布線部?jī)?nèi)或在布線部和基板之間產(chǎn)生的擴(kuò)散。在本發(fā)明的布線基板中，在Au布線部(15)和Ag布線部(17)之間，設(shè)置熔點(diǎn)比Au及Ag高的第1高熔點(diǎn)金屬部(18)。由于第1高熔點(diǎn)金屬部(18)的熔點(diǎn)高，所以擴(kuò)散系數(shù)低，也就是不易擴(kuò)散的材料。此外還具有作為適當(dāng)抑制Ag從所述Ag布線部(17)擴(kuò)散的阻擋材料的功能。如此通過(guò)在Au布線部(15)和Ag布線部(17)之間設(shè)置第1高熔點(diǎn)金屬部(18)，與以往Ag布線部和Au布線部相接形成的方式相比，能夠有效地抑制Ag的擴(kuò)散。
文檔編號(hào)H05K1/02GK1881574SQ20061008480
公開日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2006年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月14日
發(fā)明者村田真司 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社