專利名稱：自發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及包含通過(guò)在電極對(duì)之間插入發(fā)光單元而形成的發(fā)光像素的自發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
在諸如CRT、LCD、PDP(等離子體顯示面板)、和EL(電致發(fā)光)顯示器的各種顯示裝置中，諸如PDP和EL顯示器的自發(fā)光顯示裝置具有較高的圖像顯示質(zhì)量。
然而，自發(fā)光顯示裝置消耗大量的電能，為了降低對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響及其運(yùn)行成本，需要降低其功耗。特別地，降低功耗的必要性隨著顯示裝置尺寸的變大而增大。
在此，參考圖7所示的無(wú)機(jī)EL顯示裝置作為自發(fā)光顯示裝置的示例，從自發(fā)光顯示裝置發(fā)光機(jī)制的角度描述降低其功耗的必要性。
如圖7所示，無(wú)機(jī)EL顯示裝置通常具有兩個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)，其中用作發(fā)光單元的發(fā)光層40插在絕緣層30和50以及電極20和60a之間。電極20位于襯底10上。
絕緣層30、50和發(fā)光層40為電學(xué)電容性負(fù)載。當(dāng)在電極20和60a之間施加交變電壓時(shí)，電荷被存儲(chǔ)，存儲(chǔ)的數(shù)量取決于發(fā)光層40和絕緣層30、50的電容。
當(dāng)施加的電壓超過(guò)箝位電壓(clamping voltage)(該電壓取決于發(fā)光層40及絕緣層30、50的組分和薄膜厚度)時(shí)，所存儲(chǔ)的電荷在發(fā)光層40內(nèi)流動(dòng)并和發(fā)光層40的發(fā)光中心碰撞以激發(fā)該發(fā)光中心。受激的發(fā)光中心在其能量回落到基態(tài)時(shí)發(fā)出光線。
由于無(wú)機(jī)EL顯示裝置是電容性負(fù)載，產(chǎn)生電流的強(qiáng)度取決于存儲(chǔ)和釋放該電學(xué)電荷時(shí)發(fā)光層40和絕緣層30、50的電容。此外，當(dāng)發(fā)光層4o以上述發(fā)光機(jī)制發(fā)射光線時(shí)，產(chǎn)生電學(xué)電流。因此，由于元件30、40和50的電容隨顯示面積增大而增大，所以當(dāng)顯示面積增大時(shí)，無(wú)機(jī)EL顯示器的功耗增大。
因此，為了使無(wú)機(jī)EL顯示器獲得大的顯示面積、低的工作電壓、和高的亮度，需要降低其功耗。降低功耗的必要性并非特別針對(duì)無(wú)機(jī)EL顯示器，而是自發(fā)光顯示裝置共同的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目標(biāo)是在自發(fā)光顯示裝置中實(shí)現(xiàn)低的功耗，其中該自發(fā)光顯示裝置包含通過(guò)在電極對(duì)之間插入發(fā)光單元而形成的發(fā)光像素。
根據(jù)本發(fā)明的自發(fā)光顯示裝置包含通過(guò)在電極對(duì)之間插入發(fā)光單元而形成的發(fā)光像素，并且在至少一個(gè)電極內(nèi)開孔且所述孔以預(yù)定圖案排列。
通過(guò)在至少一個(gè)電極內(nèi)規(guī)則地排列開孔，減小了發(fā)光像素的總面積。發(fā)光像素總面積的減小也降低了發(fā)光像素的電容。因此降低了自發(fā)光顯示裝置的功耗。
和孔相對(duì)應(yīng)的位置不發(fā)射光線，由于未對(duì)這些位置施加電壓。然而，由于在各個(gè)孔附近發(fā)射的光線被發(fā)光單元的粗糙表面散射，這些位置看上去在發(fā)光。
因此，在自發(fā)光顯示裝置中恰當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)了低功耗，其中該顯示裝置包含通過(guò)在電極對(duì)之間夾入發(fā)光單元而形成的發(fā)光像素。
該電極和發(fā)光單元可以布置成形成以分段顯示圖案排列的多個(gè)發(fā)光像素，或者可以布置成形成以點(diǎn)矩陣顯示圖案排列的多個(gè)發(fā)光像素。


通過(guò)下述描述、所附權(quán)利要求和附圖，可以最好地了解本發(fā)明及其另外的目標(biāo)、特征、和優(yōu)點(diǎn)。在附圖中圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用作自發(fā)光顯示裝置的無(wú)機(jī)EL顯示裝置的示意性截面視圖；圖2為示出該無(wú)機(jī)EL顯示裝置的示意性俯視圖；圖3為示出該無(wú)機(jī)EL顯示裝置的發(fā)光像素的放大視圖；圖4為示出孔的開口尺寸和相對(duì)發(fā)光亮度之間關(guān)系的圖示；圖5為示出面積比和相對(duì)發(fā)光亮度之間關(guān)系的圖示；圖6為示出發(fā)光層的平均表面粗糙度Ra和相對(duì)發(fā)光亮度之間關(guān)系的圖示；以及圖7為相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中無(wú)機(jī)EL顯示裝置的示意性截面視圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，參考圖1至3描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。
如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施例的無(wú)機(jī)EL顯示裝置100是通過(guò)在玻璃襯底10上將薄膜20至60成層堆疊而形成的無(wú)機(jī)EL元件。
在玻璃襯底10上形成第一電極20，作為下電極，其位于發(fā)光層40下方。每個(gè)第一電極20都是光學(xué)透明，例如可由ITO(銦錫氧化物)薄膜或氧化鋅薄膜制成。在本實(shí)施例中，每個(gè)第一電極20由ITO薄膜制成。
在第一電極20上形成第一絕緣層30。第一絕緣層30可由例如五氧化鉭(Ta2O5)或ATO薄膜(Al2O3/TiO2疊層薄膜)制成，其中ATO薄膜是由Al2O3和TiO2形成的疊層薄膜。在本實(shí)施例中，第一絕緣層30由Al2O3/TiO2疊層薄膜制成。
在第一絕緣層30上形成發(fā)光層40，其作為發(fā)光單元，主要由無(wú)機(jī)EL材料制成。發(fā)光層40由例如II-VI化合物半導(dǎo)體制成，其中在該半導(dǎo)體中添加了諸如稀土元素的發(fā)光中心。
II-VI化合物半導(dǎo)體由屬于老式元素周期表中IIA或IIB族(當(dāng)前元素周期表中2或12族)的材料(例如Ca、Sr、Zn、和Cd)和屬于老式元素周期表中VIB族(當(dāng)前元素周期表中16族)的材料(例如O和S)形成的化合物。
具體地，發(fā)光層40可由包含ZnS、SrS、和CaS中至少一種的基底材料以及基底材料中諸如錳(Mn)元素或稀土元素(例如鋱(Tb)和釤)的發(fā)光中心制成。在本實(shí)施例中，發(fā)光層40由硫化鋅及錳(ZnS:Mn)的化合物制成的薄膜構(gòu)成，其中基底材料由ZnS構(gòu)成，發(fā)光中心由Mn形成。
發(fā)光層40的表面粗糙度Ra可以等于或大于10nm。表面粗糙度Ra由JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))定義。
在發(fā)光層40上形成第二絕緣層50。第二絕緣層50可以由例如前述的ATO薄膜或五氧化二鉭薄膜制成。在本實(shí)施例中，第二絕緣層50由Al2O3/TiO2疊層薄膜制成。
在第二絕緣層50上形成第二電極60，其作為上電極，位于發(fā)光層40之上。每個(gè)第二電極60都為光學(xué)透明的，可由例如ITO(銦錫氧化物)薄膜或氧化鋅薄膜制成。在本實(shí)施例中，每個(gè)第二電極60由ITO薄膜制成，厚度約為200nm。
用作顯示區(qū)域的各個(gè)發(fā)光像素70包含相互交疊的第一電極20的一部分和第二電極60的一部分，還進(jìn)一步包含夾在第一電極20和第二電極60的相互交疊部分之間的第一絕緣層30、發(fā)光層40、及第二絕緣層50的部分。
在本實(shí)施例中，第一電極20排列形成第一組條，而第二電極60排列形成第二組條，第二組條垂直于屬于第一組的條。因此，每一個(gè)都包含第一電極20和第二電極60的交疊部分的發(fā)光像素70排列成網(wǎng)狀圖案。換而言之，發(fā)光像素70排列成點(diǎn)矩陣顯示圖案。
當(dāng)在第一電極20和第二電極60之間施加電壓時(shí)，發(fā)光像素70可發(fā)光。如前所述，無(wú)機(jī)EL顯示裝置100包含發(fā)光像素70，通過(guò)在第一電極20和第二電極60之間夾入發(fā)光層40作為發(fā)光單元而形成發(fā)光像素70。
在本實(shí)施例中，由于第一電極20和第二電極60為光學(xué)透明的，從無(wú)機(jī)EL顯示裝置100的玻璃襯底10側(cè)和第二電極60側(cè)均可以接收發(fā)出的光。
如圖1至3所示，在第二電極60的每個(gè)部分打開多個(gè)孔61，以形成發(fā)光像素70。
在圖1和2中，孔61未按比例繪制，出于說(shuō)明的目的而放大這些孔?？?1的詳細(xì)排列如圖3所示。
如圖3所示，孔61規(guī)則地排列成預(yù)定圖案(例如排列成點(diǎn)矩陣顯示圖案)?？?1不限于被排列成點(diǎn)矩陣顯示圖案，也可以排列成其它圖案。
孔61的每個(gè)開口尺寸可以等于或小于50μm，并可以等于或小于20μm?？?1的平均開口尺寸可小于50μm，并可小于20μm。
除了孔61的面積之外的發(fā)光像素70的總面積等于或大于包含孔61的面積的發(fā)光像素70的總面積的25％。
各個(gè)孔61可呈圓形或多邊形。采用標(biāo)準(zhǔn)方式測(cè)量各個(gè)孔61的開口尺寸。例如，如果孔61為圓形，則開口尺寸指各個(gè)孔61的直徑，如果孔61為多邊形，則開口尺寸指各個(gè)孔61的對(duì)角線長(zhǎng)度?？?1無(wú)需以圖3所示的方式排列。
接著描述根據(jù)本實(shí)施例的無(wú)機(jī)EL顯示裝置100的制造方法。
首先，使用濺射技術(shù)在玻璃襯底10上形成光學(xué)透明的ITO薄膜作為第一電極20?？梢允褂霉饪毯涂涛g將第一電極20形成圖案。
接著，使用ALD(原子層沉積)方法在第一電極20上形成Al2O3/TiO2疊層薄膜作為第一絕緣層30。具體地，形成Al2O3/TiO2疊層薄膜的方法包含如下步驟。
在第一步驟中，使用ALD方法，以三氯化鋁(AlCl3)作為鋁(Al)的成分氣體并以水(H2O)作為氧(O)的成分氣體形成Al2O3子層。
在ALD方法中，交替地供應(yīng)鋁的成分氣體和氧的成分氣體，目的是通過(guò)逐片地堆疊分別具有單原子厚度的子薄膜而形成該子層。這種情況下，使用由氬(Ar)形成的Ar載氣將AlCl3氣體引入反應(yīng)室一秒鐘，隨后清除反應(yīng)室內(nèi)的氣體，氣體清除的時(shí)間段足以排空反應(yīng)室中的AlCl3氣體。
接著，類似地由Ar載氣將H2O氣體引入反應(yīng)室一秒鐘，隨后清除反應(yīng)室內(nèi)的氣體，氣體清除的時(shí)間足以排空反應(yīng)室中的H2O氣體。通過(guò)重復(fù)引入AlCl3氣體和H2O氣體的循環(huán)，形成具有預(yù)定厚度的Al2O3子層。
在第二步驟中，采用ALD方法，以四氯化鈦(TiCl4)作為鈦(Ti)的成分氣體并以水(H2O)作為氧(O)的成分氣體形成二氧化鈦?zhàn)訉印?br> 具體地，以類似于第一步驟的方式，使用Ar載氣將TiCl4氣體引入反應(yīng)室一秒鐘，隨后清除反應(yīng)室內(nèi)的氣體，氣體清除的時(shí)間足以排空反應(yīng)室中的TiCl4氣體。接著，類似地由Ar載氣將H2O氣體引入反應(yīng)室一秒鐘，隨后清除反應(yīng)室內(nèi)的氣體，氣體清除的時(shí)間足以排空反應(yīng)室中的H2O氣體。通過(guò)重復(fù)引入TiCl4氣體和H2O氣體的循環(huán)，形成具有預(yù)定厚度的二氧化鈦?zhàn)訉印?br> 通過(guò)交替地重復(fù)第一步驟和第二步驟，形成Al2O3/TiO2疊層薄膜作為第一絕緣層30。由該工藝制備的Al2O3子層和TiO2子層中每一個(gè)的厚度可以為5nm。第一絕緣層30中Al2O3子層和TiO2子層的數(shù)目分別為三十。
Al2O3/TiO2疊層薄膜中第一個(gè)子層和最后一個(gè)子層可以為Al2O3子層或TiO2子層。最靠近第一電極20的第一個(gè)(底部)子層可以為Al2O3子層。
當(dāng)使用ALD方法制備厚度對(duì)應(yīng)于原子尺寸的薄膜時(shí)，如果薄膜中的子層薄于0.5nm則該薄膜不具備絕緣層的功能，而如果該薄膜中的子層的厚度大于20nm時(shí)則由于疊層結(jié)構(gòu)引起的電壓阻抗相對(duì)減小。因此，疊層薄膜中子層的厚度優(yōu)選范圍為0.5nm至20nm，更優(yōu)選范圍為1nm至10nm。
接著，采用蒸發(fā)方法，在第一絕緣層30上形成發(fā)光層40。也就是說(shuō)，采用蒸發(fā)方法，使用硫化鋅和錳(ZnS:Mn)的化合物形成作為發(fā)光層40的薄膜，其中基底材料由ZnS構(gòu)成，發(fā)光中心由Mn構(gòu)成。
隨后，在發(fā)光層40上形成第二絕緣層50，其具有和第一絕緣層30相同的結(jié)構(gòu)和厚度。最后，在第二絕緣層50上形成ITO薄膜作為第二電極60，該第二電極的形成方式和第一電極20相同。
可采用光刻和刻蝕方法將第二電極60制成預(yù)定圖案。通過(guò)將該光刻中所用掩模的圖案從用于第二電極60的條形改為用于孔61的圖案，可簡(jiǎn)單地形成孔61。因此，孔61無(wú)需附加的制造工藝。因此，通過(guò)上述步驟可制成無(wú)機(jī)EL顯示裝置100。
由于第二電極60(以圖3中的矩陣圖案)規(guī)則地排列在每個(gè)發(fā)光像素70內(nèi)，扣除孔61的總面積的每個(gè)發(fā)光像素70的總面積減小。當(dāng)發(fā)光像素70的總面積減小時(shí)，發(fā)光像素70的元件電容降低，因此無(wú)機(jī)EL顯示裝置100的功耗降低。
光線不會(huì)從和孔61相對(duì)應(yīng)的位置發(fā)射，因?yàn)槲聪蛟撐恢檬┘与妷骸Ｈ欢?，由于在各個(gè)孔61附近發(fā)射的光線被發(fā)光層40的粗糙表面所散射，這些位置看上去象在發(fā)光。
因此，在包含發(fā)光像素70的無(wú)機(jī)EL顯示裝置100中恰當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)了低功耗，其中通過(guò)在第一電極20和第二電極60之間夾入發(fā)光層40而形成發(fā)光像素70。
根據(jù)發(fā)明人員的研究，對(duì)于孔61的開口尺寸等于或小于50μm的情形，不發(fā)射光線的發(fā)光像素70的不發(fā)光部分和發(fā)射光線的發(fā)光像素70的發(fā)光部分之間的對(duì)比度小。因此，難以認(rèn)出孔61。
圖4中的相對(duì)發(fā)光亮度是指具有孔61的發(fā)光像素70之一的發(fā)光亮度和沒(méi)有孔的發(fā)光像素的發(fā)光亮度之比。通過(guò)調(diào)整掩模開口的開口尺寸可以容易地改變孔61的開口尺寸。
如圖4所示，隨著一個(gè)孔61的開口尺寸變大，相對(duì)發(fā)光亮度變小。這似乎源于這樣的事實(shí)，即，當(dāng)孔61的開口尺寸越大且發(fā)光部分的邊緣與孔61中心之間的間隔越大時(shí)，來(lái)自孔61的位置的散射光線由于衰減而變得更弱。
根據(jù)發(fā)明人員的研究，對(duì)于孔61的開口尺寸大于100μm的情形，發(fā)光像素70的發(fā)光部分和發(fā)光像素70的不發(fā)光部分之間的對(duì)比度變得顯著，裸眼可認(rèn)出孔61。
相反，對(duì)于孔61的開口尺寸小于50μm的情形，該對(duì)比度變小，裸眼無(wú)法認(rèn)出孔61。因此，在制造無(wú)機(jī)EL顯示裝置100時(shí)，無(wú)需考慮由于孔61的存在所引起的視覺(jué)效應(yīng)。
如圖4所示，對(duì)于孔61的開口尺寸等于或小于20μm的情形，裸眼不能認(rèn)出孔61，可使相對(duì)發(fā)光亮度大于0.8。因此，開口尺寸小于20μm的孔61將由于孔61的存在導(dǎo)致的發(fā)光亮度降低抑制到實(shí)際使用中令人滿意的量。
對(duì)于扣除孔61的面積的發(fā)光像素70的總面積為包含孔61的面積的發(fā)光像素70的總面積的25％以上時(shí)，無(wú)論孔61的數(shù)目是多少，無(wú)機(jī)EL顯示裝置100的發(fā)光亮度幾乎不減小。
從圖5可以看出這一點(diǎn)，該圖示出了發(fā)光像素70的面積比和相對(duì)發(fā)光亮度之間的關(guān)系。在圖5中，面積比是指扣除孔61的面積的發(fā)光像素70的總面積和包含孔61的面積的發(fā)光像素70的總面積之比。
這里，該面積比越小，發(fā)光像素70中孔61的數(shù)目越大。在圖5中，孔61的開口尺寸為12μm。
如圖5所示，只要該面積比等于或大于25％，就可以減小扣除孔61的面積的發(fā)光像素70的總面積而基本上不降低發(fā)光像素70的發(fā)光亮度，由此可以降低發(fā)光像素70的功耗量。
如前所述，將每個(gè)發(fā)光像素70制成無(wú)機(jī)EL顯示裝置100的一部分，其中第一電極20之一和第二電極60之一排列呈相互交叉的條形。此外，發(fā)光像素70可以排列成點(diǎn)矩陣顯示圖案。
在該無(wú)機(jī)EL顯示裝置中，當(dāng)發(fā)光層40的表面粗糙度Ra大于10nm時(shí)，發(fā)光亮度幾乎不改變。
從圖6可以看出這一點(diǎn)，該圖示出了發(fā)光層40的平均表面粗糙度Ra和發(fā)光亮度之間的關(guān)系。在圖6中，孔61的開口尺寸為12μm。
如圖6所示，發(fā)光層40的平均表面粗糙度Ra越小，相對(duì)發(fā)光亮度越小。
其原因被認(rèn)為是由于如下事實(shí)，即，表面粗糙度Ra越小，在孔61處的光散射程度越小。在發(fā)光層40的平均表面粗糙度Ra大于10nm的情形下，可以減小發(fā)光像素70的總面積，而基本上不降低發(fā)光像素70的發(fā)光亮度，由此可以減小發(fā)光像素70的功耗量。
(其它實(shí)施例)本發(fā)明不應(yīng)限于上面所述以及各圖所示的實(shí)施例，在不離開本發(fā)明的主旨下可通過(guò)各種方式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
例如，可以在第一電極20內(nèi)形成沿?zé)o機(jī)EL顯示裝置100厚度方向穿透的孔，例如上面實(shí)施例中第二電極60上的孔61。可在第一電極20和第二電極60中都形成這些孔。
例如孔61可排列成Z字圖案、螺旋圖案、或同心圖案?？?1需要規(guī)則地排列成預(yù)定圖案。
因此，本發(fā)明中在電極20、60中形成的孔61明顯不同于在制造工藝中意外形成的針孔。
在圖1所示的無(wú)機(jī)EL顯示裝置100中，在發(fā)光層40和第一電極20之間提供第一絕緣層30，在發(fā)光層40和第二電極60之間提供第二絕緣層50，其目的是例如保護(hù)發(fā)光層40。然而，可以不使用第一絕緣層30或第二絕緣層50中的任一個(gè)。此外，可以同時(shí)不使用第一絕緣層30和第二絕緣層50。
發(fā)光像素70中第一電極20和第二電極60之一可以是光學(xué)不透明的。對(duì)于電極20、60中一個(gè)是光學(xué)透明，另一個(gè)是光學(xué)不透明的情形，只能通過(guò)透明電極20或60看到光。
發(fā)光像素70可排列成分段顯示圖案。這種情況下，用多個(gè)分段的組合表達(dá)一個(gè)字符(諸如數(shù)字“3”或數(shù)字“8”)，每個(gè)分段對(duì)應(yīng)于一個(gè)發(fā)光像素。在分段顯示圖案中，多個(gè)分段沿繪線型(line drawing)(例如數(shù)字“8”)對(duì)齊，所述繪線型可適用于一個(gè)或多個(gè)數(shù)字。
第一電極20、第一絕緣層30、發(fā)光層40、第二絕緣層50、以及第二電極60可具有不同于上述實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的自發(fā)光顯示裝置不限于用于上述實(shí)施例中所描述的無(wú)機(jī)EL顯示裝置100。該自發(fā)光顯示裝置可實(shí)現(xiàn)為等離子體顯示裝置或有機(jī)EL顯示器。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光顯示裝置，包含發(fā)光像素(70)，其包含電極對(duì)(20、60)和插在該電極對(duì)(20、60)之間的發(fā)光單元(40)，其中在所述電極(20、60)中的至少一個(gè)內(nèi)開有孔(61)且所述孔(61)排列成預(yù)定圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的自發(fā)光顯示裝置，其中孔(61)在所述電極(20、60)的至少一個(gè)中排列成規(guī)則圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的自發(fā)光顯示裝置，其中孔(61)的平均開口尺寸等于或小于50μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的自發(fā)光顯示裝置，其中孔(61)的平均開口尺寸等于或小于20μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的自發(fā)光顯示裝置，其中扣除孔(61)的面積的發(fā)光像素(70)的總面積等于或大于包含孔(61)的面積的發(fā)光像素(70)的總面積的25％。
6.一種自發(fā)光顯示裝置，包含成對(duì)的第一電極和第二電極(20、60)；以及插在第一電極和第二電極(20、60)之間的發(fā)光單元(40)，其中第一和第二電極(20、60)以及發(fā)光單元(40)被布置成形成排列成分段顯示圖案的多個(gè)發(fā)光像素(70)；以及第一和第二電極(20、60)中的至少一個(gè)具有孔(61)，所述孔(61)在每個(gè)發(fā)光像素(70)中排列成預(yù)定圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的自發(fā)光顯示裝置，其中第一電極(20)包含排列在發(fā)光單元(40)一側(cè)的多個(gè)電極板部分；第二電極(60)包含排列在發(fā)光單元(40)另一側(cè)的多個(gè)電極板部分；以及第一和第二電極(20、60)的電極板部分排列成定義該多個(gè)發(fā)光像素(70)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的自發(fā)光顯示裝置，其中孔(61)是穿過(guò)每個(gè)發(fā)光像素(70)中的第一和第二電極(20、60)之一的通孔(61)。
9.一種自發(fā)光顯示裝置，包含成對(duì)的第一和第二電極(20、60)；以及插在第一和第二電極(20、60)之間的發(fā)光單元(40)，其中第一和第二電極(20、60)和發(fā)光單元(40)布置成形成排列成點(diǎn)矩陣顯示圖案的多個(gè)發(fā)光像素(70)；并且第一和第二電極(20、60)中至少一個(gè)具有在每個(gè)發(fā)光像素(70)中排列成預(yù)定圖案的孔(61)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的自發(fā)光顯示裝置，其中發(fā)光單元(40)主要由無(wú)機(jī)EL材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的自發(fā)光顯示裝置，其中發(fā)光單元(40)的表面粗糙度等于或大于10nm。
全文摘要
一種包含發(fā)光像素(70)的自發(fā)光顯示裝置(100)，發(fā)光像素(70)通過(guò)穿過(guò)絕緣層(30、50)在第一和第二電極(20、60)之間夾有發(fā)光層(40)而形成。在第一和第二電極的至少一個(gè)內(nèi)開有孔(60)并規(guī)則排列所述孔。所述孔的開口尺寸可以等于或小于50μm，并且可以小于20μm。因此，該自發(fā)光顯示裝置可以以低功耗工作。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1815768SQ20061000479
公開日2006年8月9日 申請(qǐng)日期2006年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月31日
發(fā)明者石原元, 服部有 申請(qǐng)人:株式會(huì)社電裝