自發(fā)光顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種自發(fā)光顯示裝置，同時具有OLED和QLED，紅、綠、藍色發(fā)光器件的紅、綠、藍光發(fā)光層為有機發(fā)光層或量子點發(fā)光層，且紅、綠、藍光發(fā)光層中至少包括一個有機發(fā)光層及一個量子點發(fā)光層，所述紅、綠、藍光發(fā)光層均采用液相成膜法制得，材料利用率高，生產(chǎn)成本低，從而提高了產(chǎn)品在大尺寸顯示裝置中的成本優(yōu)勢。
【專利說明】
自發(fā)光顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種自發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1des，0LED)顯示器件具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。
[0003]OLED顯示器件屬于自發(fā)光型顯示設(shè)備，通常包括分別用作陽極、與陰極的像素電極、和公共電極、以及設(shè)在像素電極與公共電極之間的有機發(fā)光功能層，使得在適當(dāng)?shù)碾妷罕皇┘佑陉枠O與陰極時，從有機發(fā)光功能層發(fā)光。有機發(fā)光功能層包括了設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層，其發(fā)光機理為在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子注入層和空穴注入層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層迀移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。
[0004]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對顯示裝置的顯示質(zhì)量要求也越來越高。量子點(Quantum Dots，QDs)通常是由Π-V1、或ΙΠ-V族元素組成的球形半導(dǎo)體納米微粒，粒徑一般在幾納米至數(shù)十納米之間。量子點材料由于量子限域效應(yīng)的存在，原本連續(xù)的能帶變成分立的能級結(jié)構(gòu)，受外界激發(fā)后可發(fā)射可見光。量子點電致發(fā)光二極管(Quantum dotsLight-emitting D1des，QLED)和OLED—樣都是自發(fā)光型二極管，目前市面上的OLED顯示裝置都是采用蒸鍍成膜工藝制備，材料利用率低，導(dǎo)致成本居高不下，特別是大尺寸OLED顯示裝置尤為突出。而如果采用液相成膜工藝制備OLED顯示器件或QLED顯示器件，則幾乎不會產(chǎn)生材料浪費，有利于降低OLED顯示器件或QLED顯示器件成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種自發(fā)光顯示裝置，同時具有OLED和QLED，材料利用率高，生產(chǎn)成本低，產(chǎn)品在大尺寸顯示裝置中具有成本優(yōu)勢。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種自發(fā)光顯示裝置，包括數(shù)個陣列排布的紅、綠、藍色子像素區(qū)域；
[0007]所述紅色子像素區(qū)域包括基板、設(shè)于基板上的TFT單元、由所述TFT單元驅(qū)動并設(shè)于TFT單元之上的紅色發(fā)光器件、設(shè)于所述紅色發(fā)光器件上的封裝膠材、及設(shè)于所述封裝膠材上的蓋板；
[0008]所述綠色子像素區(qū)域包括基板、設(shè)于基板上的TFT單元、由所述TFT單元驅(qū)動并設(shè)于TFT單元之上的綠色發(fā)光器件、設(shè)于所述綠色發(fā)光器件上的封裝膠材、及設(shè)于所述封裝膠材上的蓋板；
[0009]所述藍色子像素區(qū)域包括基板、設(shè)于基板上的TFT單元、由所述TFT單元驅(qū)動并設(shè)于TFT單元之上的藍色發(fā)光器件、設(shè)于所述藍色發(fā)光器件上的封裝膠材、及設(shè)于所述封裝膠材上的蓋板；
[0010]所述紅色發(fā)光器件包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極、紅光空穴注入層、紅光空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、紅光電子傳輸層、及陰極；
[0011]所述綠色發(fā)光器件包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極、綠光空穴注入層、綠光空穴傳輸層、綠光發(fā)光層、綠光電子傳輸層、及陰極；
[0012]所述藍色發(fā)光器件包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極、藍光空穴注入層、藍光空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、藍光電子傳輸層、及陰極；
[0013]所述紅、綠、藍光發(fā)光層為有機發(fā)光層、或量子點發(fā)光層，且所述紅、綠、藍光發(fā)光層中至少包括一個有機發(fā)光層及一個量子點發(fā)光層;所述紅、綠、藍光發(fā)光層均采用液相成膜法制得。
[00?4]所述紅、綠、藍光發(fā)光層中的有機發(fā)光層的膜厚為5nm-l OOnm ；
[0015]所述紅、綠、藍光發(fā)光層中的量子點發(fā)光層的膜厚為Inm-1OOnm0
[0016]所述陽極的材料選自透明導(dǎo)電金屬氧化物材料、和高功函數(shù)金屬材料，所述陽極的膜厚為20nm-200nmo
[0017]所述紅、綠、藍光空穴注入層的材料選自有機小分子空穴注入材料、和聚合物空穴注入材料，所述紅、綠、藍光空穴注入層采用液相成膜法制得，所述紅、綠、藍光空穴注入層的膜厚為I nm-100nm。
[0018]所述紅、綠、藍光空穴傳輸層的材料選自有機小分子空穴傳輸材料、和聚合物空穴傳輸材料，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層采用液相成膜法制得，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層的膜厚為I nm-100nm。
[0019 ]可選地，所述紅、綠、藍光電子傳輸層的材料選自有機小分子電子傳輸材料、和聚合物電子傳輸材料，所述紅、綠、藍光電子傳輸層采用液相成膜法制得，所述紅、綠、藍光電子傳輸層的膜厚為lnm-200nmo
[0020 ]可選地，所述紅、綠、藍光電子傳輸層的材料為有機小分子電子傳輸材料，所述紅、
綠、藍光電子傳輸層采用真空蒸鍍的方法制得。
[0021]所述陰極的材料選自低功函金屬材料，所述陰極采用真空蒸鍍方法制得，所述陰極的膜厚為50nm-1000nmo
[0022]所述TFT單元包括形成于基板上的有源層、形成于所述基板、及有源層上的柵極絕緣層、對應(yīng)于所述有源層兩端的上方并形成于所述柵極絕緣層上的源極與漏極、形成于所述柵極絕緣層上并位于源極與漏極之間的柵極、及形成于所述柵極絕緣層、柵極、源極、及漏極上的平坦層；
[0023]所述源極、及漏極通過所述柵極絕緣層上的過孔與所述有源層的兩端相連接;所述漏極通過所述平坦層上的過孔與所述陽極相連接。
[0024]紅、綠、藍光空穴注入層的材料相同；所述紅、綠、藍光空穴傳輸層的材料相同；所述紅、綠、藍光電子傳輸層的材料相同。
[0025]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種自發(fā)光顯示裝置，同時具有OLED和QLED，紅、綠、藍色發(fā)光器件的紅、綠、藍光發(fā)光層為有機發(fā)光層或量子點發(fā)光層，且紅、綠、藍光發(fā)光層中至少包括一個有機發(fā)光層及一個量子點發(fā)光層，所述紅、綠、藍光發(fā)光層均采用液相成膜法制得，材料利用率高，生產(chǎn)成本低，從而提高了產(chǎn)品在大尺寸顯示裝置中的成本優(yōu)勢。
[0026]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0027]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0028]附圖中，
[0029]圖1為本發(fā)明的自發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0030]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0031]請參閱圖1，本發(fā)明提供一種自發(fā)光顯示裝置，包括數(shù)個陣列排布的紅、綠、藍色子像素區(qū)域。
[0032]具體地，所述紅色子像素區(qū)域包括基板110、設(shè)于基板110上的TFT單元210、由所述TFT單元210驅(qū)動并設(shè)于TFT單元210之上的紅色發(fā)光器件310、設(shè)于所述紅色發(fā)光器件310上的封裝膠材120、及設(shè)于所述封裝膠材120上的蓋板130。
[0033]具體地，所述綠色子像素區(qū)域包括基板110、設(shè)于基板110上的TFT單元210、由所述TFT單元210驅(qū)動并設(shè)于TFT單元210之上的綠色發(fā)光器件320、設(shè)于所述綠色發(fā)光器件320上的封裝膠材120、及設(shè)于所述封裝膠材120上的蓋板130。
[0034]具體地，所述藍色子像素區(qū)域包括基板110、設(shè)于基板110上的TFT單元210、由所述TFT單元210驅(qū)動并設(shè)于TFT單元210之上的藍色發(fā)光器件330、設(shè)于所述藍色發(fā)光器件330上的封裝膠材120、及設(shè)于所述封裝膠材120上的蓋板130。
[0035]具體地，所述紅色發(fā)光器件310包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極301、紅光空穴注入層311、紅光空穴傳輸層312、紅光發(fā)光層313、紅光電子傳輸層314、及陰極302。
[0036]具體地，所述綠色發(fā)光器件320包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極301、綠光空穴注入層321、綠光空穴傳輸層322、綠光發(fā)光層323、綠光電子傳輸層324、及陰極302。
[0037]具體地，所述藍色發(fā)光器件330包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極301、藍光空穴注入層331、藍光空穴傳輸層332、藍光發(fā)光層333、藍光電子傳輸層334、及陰極302。
[0038]具體地，所述紅、綠、藍光發(fā)光層313、323、333為有機發(fā)光層、或量子點發(fā)光層，且所述紅、綠、藍光發(fā)光層313、323、333中至少包括一個有機發(fā)光層及一個量子點發(fā)光層；SP相應(yīng)地，所述紅、綠、藍色發(fā)光器件310、320、330為OLED、或QLED，且其中至少包括一個OLED和一個QLED ο所述有機發(fā)光層為OLED中的發(fā)光層，為有機小分子發(fā)光材料、或聚合物發(fā)光材料的膜層，所述量子點發(fā)光層為QLED中的發(fā)光層，為包含量子點發(fā)光材料的膜層。
[0039]具體地，所述紅、綠、藍光發(fā)光層313、323、333均采用液相成膜法制得，所述液相成膜法具體為噴墨打印(Ink-jet Printing，IJP)法、或者噴嘴打印(NozzlePrinting)法，能夠根據(jù)預(yù)設(shè)的圖案直接形成涂層，且相對于真空蒸鍍成膜法，材料利用率高，生產(chǎn)成本低，從而提高了產(chǎn)品在大尺寸顯示裝置中的成本優(yōu)勢。
[0040]具體地，所述紅、綠、藍光發(fā)光層313、323、333中的有機發(fā)光層的膜厚為5nm-1OOnm0
[0041]具體地，所述紅、綠、藍光發(fā)光層313、323、333中的量子點發(fā)光層的膜厚為Irnn-1OOnm0
[0042]具體地，所述陽極301用于向紅、綠、藍光空穴注入層311、321、331注入空穴，其材料選自透明導(dǎo)電金屬材料如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium ZincOxide，IZO)、及氧化鋅(ZnO)等，高功函數(shù)金屬如金(Au)、鈾(Pt)、銀(Ag)及銅(Cu)等，或者上述高功函數(shù)金屬的合金，上述陽極材料可以單獨使用，也可兩個或者多個組合使用。所述陽極301的膜厚為20nm-200nm，優(yōu)選材料為ITO，優(yōu)選膜厚為I OOnm。
[0043]具體地，所述紅、綠、藍光空穴注入層311、321、331分別用于幫助空穴分別從陽極301注入到所述紅、綠、藍光空穴傳輸層312、322、332中，其材料選自有機小分子空穴注入材料、和聚合物空穴注入材料，所述紅、綠、藍光空穴注入層311、321、331采用液相成膜法制得，具體采用噴墨打印法、或者噴嘴打印法制得，所述紅、綠、藍光空穴注入層311、321、331的膜厚為Inm-1OOnm，優(yōu)選材料均為聚(3 ,4-乙稀基二氧噻吩):聚(苯乙稀磺酸鹽)(poly(ethylened1xyth1phene) !polystyrene sulphonate，PEDT:PSS)，優(yōu)選膜厚均為1nm0
[0044]具體地，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層312、322、332用于將空穴從紅、綠、藍光空穴注入層311,321、331傳輸?shù)郊t、綠、藍光發(fā)光層313、323、333中，其材料選自有機小分子空穴傳輸材料、和聚合物空穴傳輸材料，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層312、322、332采用液相成膜法制得，具體采用噴墨打印法、或者噴嘴打印法制得，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層312、322、332的膜厚為lnm-1 OOnm，優(yōu)選材料均為聚(9-乙稀基卩卡卩坐)(poly (9_vinlycarbazole)，PVK)，優(yōu)選膜厚均為20nmo
[0045]具體地，所述紅、綠、藍光電子傳輸層314、324、334用于幫助電子從陰極302傳輸?shù)郊t、綠、藍光發(fā)光層313、323、333中，其材料選自有機小分子電子傳輸材料、和聚合物電子傳輸材料，其中，有機小分子電子傳輸材料可以用真空蒸鍍的方法成膜，也可以用液相成膜法如噴墨打印法、及噴嘴打印法成膜，聚合物電子傳輸材料用液相成膜法如噴墨打印法、及噴嘴打印法成膜，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層312、322、332的膜厚為lnm-200nm，優(yōu)選材料均為三(8-輕基喹啉鋰)(tri(8_quinolinolato)aluminum，Liq3)，優(yōu)選膜厚均為30nm。
[0046]具體地，所述陰極302用于將電子注入到紅、綠、藍光電子傳輸層314、324、334中，材料選自低功函數(shù)金屬材料如鋰(Li)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鑭(La)、鈰(Ce)、銪(Eu)、鐿(Yb)、鋁(Al)、銫(Cs)、及銣(Rb)等，或者上述低功函數(shù)金屬的合金，上述陰極材料可以單獨使用，也可兩種或者更多組合使用，所述陰極302的膜厚為50nm至lOOOnm，所述陰極302具體采用真空蒸鍍成膜法制得。所述陰極302優(yōu)選材料為Al，優(yōu)選膜厚為100nm。
[0047]具體地，所述TFT單元210包括形成于基板110上的有源層211、形成于所述基板110、及有源層211上的柵極絕緣層212、形成于所述柵極絕緣層212上對應(yīng)于所述有源層211兩端位置的源極214與漏極215、形成于所述柵極絕緣層212上并位于源極214與漏極215之間的柵極213、及形成于所述柵極絕緣層212、柵極213、源極214、及漏極215上的平坦層216。
[0048]具體地，所述源極214、及漏極215通過所述柵極絕緣層212上的過孔與所述有源層211的兩端相連接;所述漏極215通過所述平坦層216上的過孔與所述陽極301相連接。
[0049]具體地，無論所述紅、綠、藍色發(fā)光器件310、320、330為OLED還是QLED，其紅、綠、藍光空穴注入層311、321、331的材料可以相同也可以不同，紅、綠、藍光空穴傳輸層312、322、332的材料可以相同也可以不同，紅、綠、藍光電子傳輸層314、324、334的材料可以相同也可以不同。優(yōu)選的，所述紅、綠、藍光空穴注入層311、321、331的材料相同，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層312、322、332的材料相同，所述紅、綠、藍光電子傳輸層314、324、334的材料相同，從而可以降低材料及制程成本。
[0050]在本發(fā)明的一優(yōu)選實施例中，所述紅、綠色發(fā)光器件310、320為OLED，所述藍色發(fā)光器件330為QLED;其中，所述紅光發(fā)光層313為有機發(fā)光層，其材料為聚(2-甲氧基_5_( 2-乙基己氧基)-1，4_ 亞苯基乙撐)(poly[2-methoxy-5-(2 / -ethyhexyloxy-1，4_phenylenevinyIene) ] ,MEH-PPV)，其膜厚為40nm；所述綠光發(fā)光層323為有機發(fā)光層，其材料為9 ,9-二正辛基荷-苯并[2，I，3]噻二卩坐共聚物(poIy (9，9-d1ctylf luorene-alt-benZ0thiadiaZ0le)，F(xiàn)8BT)，其膜厚為50nm;所述藍光發(fā)光層333為量子點發(fā)光層，其材料為以砸化鎘為核硫化鋅為殼的核殼結(jié)構(gòu)的量子點材料(CdSe-ZnS core-shell QDs)，其膜厚為30nm;所述紅、綠、藍光空穴注入層311、321、331的材料及膜厚均相同，其材料均為PEDT:PSS，其膜厚均為30nm;所述紅、綠、藍光空穴傳輸層312、322、332的材料及膜厚均相同，其材料均為PVK，其膜厚均為5nm;所述紅、綠、藍光電子傳輸層314、324、334的材料及膜厚均相同，其材料均為三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)，其膜厚均為30nm;所述陽極301的材料為ITO，膜厚為10nm;所述陰極302的材料為Al，膜厚為10nm。
[0051]綜上所述，本發(fā)明提供的一種自發(fā)光顯示裝置，同時具有OLED和QLED，紅、綠、藍色發(fā)光器件的紅、綠、藍光發(fā)光層為有機發(fā)光層或量子點發(fā)光層，且紅、綠、藍光發(fā)光層中至少包括一個有機發(fā)光層及一個量子點發(fā)光層，所述紅、綠、藍光發(fā)光層均采用液相成膜法制得，材料利用率高，生產(chǎn)成本低，從而提高了產(chǎn)品在大尺寸顯示裝置中的成本優(yōu)勢。
[0052]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括數(shù)個陣列排布的紅、綠、藍色子像素區(qū)域； 所述紅色子像素區(qū)域包括基板(110)、設(shè)于基板(110)上的TFT單元(210)、由所述TFT單元(210)驅(qū)動并設(shè)于TFT單元(210)之上的紅色發(fā)光器件(310)、設(shè)于所述紅色發(fā)光器件(310)上的封裝膠材(120)、及設(shè)于所述封裝膠材(120)上的蓋板(130); 所述綠色子像素區(qū)域包括基板(110)、設(shè)于基板(110)上的TFT單元(210)、由所述TFT單元(210)驅(qū)動并設(shè)于TFT單元(210)之上的綠色發(fā)光器件(320)、設(shè)于所述綠色發(fā)光器件(320)上的封裝膠材(120)、及設(shè)于所述封裝膠材(120)上的蓋板(130); 所述藍色子像素區(qū)域包括基板(110)、設(shè)于基板(110)上的TFT單元(210)、由所述TFT單元(210)驅(qū)動并設(shè)于TFT單元(210)之上的藍色發(fā)光器件(330)、設(shè)于所述藍色發(fā)光器件(330)上的封裝膠材(120)、及設(shè)于所述封裝膠材(120)上的蓋板(130); 所述紅色發(fā)光器件(310)包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極(301)、紅光空穴注入層(311)、紅光空穴傳輸層(312)、紅光發(fā)光層(313)、紅光電子傳輸層(314)、及陰極(302); 所述綠色發(fā)光器件(320)包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極(301)、綠光空穴注入層(321)、綠光空穴傳輸層(322)、綠光發(fā)光層(323)、綠光電子傳輸層(324)、及陰極(302); 所述藍色發(fā)光器件(330)包括由下至上依次層疊設(shè)置的陽極(301)、藍光空穴注入層(331)、藍光空穴傳輸層(332)、藍光發(fā)光層(333)、藍光電子傳輸層(334)、及陰極(302); 所述紅、綠、藍光發(fā)光層(313、323、333)為有機發(fā)光層、或量子點發(fā)光層，且所述紅、綠、藍光發(fā)光層(313、323、333)中至少包括一個有機發(fā)光層及一個量子點發(fā)光層;所述紅、綠、藍光發(fā)光層(313、323、333)均采用液相成膜法制得。2.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述紅、綠、藍光發(fā)光層(313、323、333)中的有機發(fā)光層的膜厚為5nm-100nm; 所述紅、綠、藍光發(fā)光層(313、323、333)中的量子點發(fā)光層的膜厚為lnm-100nm。3.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述陽極(301)的材料選自透明導(dǎo)電金屬氧化物材料、和高功函數(shù)金屬材料，所述陽極(301)的膜厚為20nm-200nm。4.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述紅、綠、藍光空穴注入層(311、321、331)的材料選自有機小分子空穴注入材料、和聚合物空穴注入材料，所述紅、綠、藍光空穴注入層(311、321、331)采用液相成膜法制得，所述紅、綠、藍光空穴注入層(311、321、331)的膜厚為lnm-100nm。5.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層(312、322、332)的材料選自有機小分子空穴傳輸材料、和聚合物空穴傳輸材料，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層(312、322、332)采用液相成膜法制得，所述紅、綠、藍光空穴傳輸層(312、.322、332)的膜厚為lnm-100nm。6.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述紅、綠、藍光電子傳輸層(314、3 24、334)的材料選自有機小分子電子傳輸材料、和聚合物電子傳輸材料，所述紅、綠、藍光電子傳輸層(314、324、334)采用液相成膜法制得，所述紅、綠、藍光電子傳輸層(314、.324、334)的膜厚為lnm-200nm。7.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述紅、綠、藍光電子傳輸層(314、324、334)的材料為有機小分子電子傳輸材料，所述紅、綠、藍光電子傳輸層(314、324、.334)采用真空蒸鍍的方法制得。8.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述陰極(302)的材料選自低功函金屬材料，所述陰極(302)采用真空蒸鍍方法制得，所述陰極(302)的膜厚為50nm-1OOOnm09.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述TFT單元(210)包括形成于基板(110)上的有源層(211)、形成于所述基板(110)、及有源層(211)上的柵極絕緣層(212)、對應(yīng)于所述有源層(211)兩端的上方并形成于所述柵極絕緣層(212)上的源極(214)與漏極(215)、形成于所述柵極絕緣層(212)上并位于源極(214)與漏極(215)之間的柵極(213)、及形成于所述柵極絕緣層(212)、柵極(213)、源極(214)、及漏極(215)上的平坦層(216); 所述源極(214)、及漏極(215)通過所述柵極絕緣層(212)上的過孔與所述有源層(211)的兩端相連接;所述漏極(215)通過所述平坦層(216)上的過孔與所述陽極(301)相連接。10.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，紅、綠、藍光空穴注入層(311、.321,331)的材料相同；所述紅、綠、藍光空穴傳輸層(312、322、332)的材料相同；所述紅、綠、藍光電子傳輸層(314、324、334)的材料相同。
【文檔編號】H01L27/12GK105932028SQ201610404638
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年6月7日
【發(fā)明人】李先杰, 郝鵬, 吳元均
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司