專利名稱：有機(jī)電場發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成有包含由掩模蒸鍍法形成的有機(jī)化合物構(gòu)成的發(fā)光層的像素圖案的有機(jī)電場發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電場發(fā)光裝置是通過使從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在夾在兩極之間的有機(jī)發(fā)光層內(nèi)再結(jié)合而發(fā)光的裝置。其典型結(jié)構(gòu)如圖2所示，將在襯底1上形成的第1電極2、至少包含由有機(jī)化合物形成的發(fā)光層5的薄膜層和第2電極6層疊在一起，通過驅(qū)動產(chǎn)生的發(fā)光從透明的電極一側(cè)向外部發(fā)出。這樣的有機(jī)電場發(fā)光裝置可以做成薄型且在低電壓驅(qū)動下的高亮度發(fā)光，或通過選擇發(fā)光層的有機(jī)化合物進(jìn)行多色發(fā)光，可以用于發(fā)光器件或顯示器等。
有機(jī)電場發(fā)光裝置的制造需要對發(fā)光層等進(jìn)行構(gòu)圖，對其制造方法進(jìn)行了各種各樣的研究。當(dāng)要求微細(xì)的構(gòu)圖時，典型的方法是使用光刻法。有機(jī)電場發(fā)光裝置的第1電極的形成可以使用光刻法，至于發(fā)光層或第2電極的形成，因光刻法基本上存在濕式工藝所帶來的問題，多數(shù)情況下使用起來很困難。因此，發(fā)光層或第2電極的形成可以使用真空蒸鍍、濺射和化學(xué)氣相淀積法(CVD)等干式工藝。作為以這樣的工藝對薄膜進(jìn)行構(gòu)圖的方法，大多應(yīng)用使用了蒸鍍掩模的掩模蒸鍍法。
作為顯示器使用的有機(jī)電場發(fā)光裝置的發(fā)光層的圖案的精細(xì)度相當(dāng)高。在被動矩陣(passive matrix)方式中，發(fā)光層在構(gòu)圖為條狀的第1電極上形成，第1電極的線寬通常為100μm以下，其間距為100μm左右。第2電極也以與第1電極交叉的形式呈條狀形成，間距為幾百μm，該細(xì)長電極的長度方向是低電阻，且寬度方向相鄰的電極彼此之間必需完全絕緣。即使在主動(activematrix)矩陣方式中，發(fā)光層也以同等或其以上的精細(xì)度來構(gòu)圖。
因此，對發(fā)光層的構(gòu)圖中使用的蒸鍍掩模的精細(xì)度也必然要求高。作為掩模部件的制造方法，可以列舉的有蝕刻法或機(jī)械研磨、噴砂法、燒結(jié)法、激光加工法、使用感光性樹脂等方法，但是大多使用微細(xì)圖案加工精度高的蝕刻法或電鑄模法。
此外，若掩模部件厚，則因蒸鍍角度而發(fā)生陰影(shadowing)并出現(xiàn)模糊的圖案，所以，對精細(xì)度的要求越高，掩模部件的厚度越要薄。發(fā)光層用的掩模部件通常是厚度為100μm以下的薄膜，一般，在蒸鍍工序中，將其固定并保持在窗框狀的框架上。
在用來形成發(fā)光層的蒸鍍掩模的掩模部件部分，在母材上存在掩模區(qū)7和被用來形成圖案而配置的開口10的外緣劃分的開口區(qū)9(圖3)。這時，存在因掩模的制作條件而在掩模區(qū)和開口區(qū)之間產(chǎn)生面內(nèi)應(yīng)力差，在其邊界部分(圖3(a)的虛線部)發(fā)生局部彎曲的問題。若使用這樣的蒸鍍掩模，在已發(fā)生彎曲的掩模區(qū)和開口區(qū)的邊界部分，襯底和蒸鍍掩模的密接性能受到破壞，發(fā)光層圖案出現(xiàn)模糊等，特別是，當(dāng)將各色的發(fā)光像素作為一個單位的像素集合的間距為500μm以下時，容易與相鄰發(fā)光像素產(chǎn)生混色，不能得到高精細(xì)的發(fā)光。從在掩模區(qū)和開口區(qū)的邊界部分彎曲的性質(zhì)來看，該邊界的直線長度越長，越容易出現(xiàn)該問題，其影響也大。即，縱橫邊長的畫面尺寸越大，該問題越突出。
對于該問題，已知的有為了抑制掩模部件的翹起或彎曲而給掩模部件賦予張力進(jìn)行固定的技術(shù)或像圖4所示那樣，為了維持圖案的加工精度而使用部分引入了增強(qiáng)線11的技術(shù)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)，但是，這還不能抑制局部彎曲。此外，還公開了一種技術(shù)，即對于用來構(gòu)圖出第2電極的蒸鍍掩模，將掩模部件進(jìn)行分割并使施加的張力變小的手段(例如，參照專利文獻(xiàn)2)，但是，對于更高精細(xì)度的發(fā)光層的構(gòu)圖來說還不夠。再有，上述增強(qiáng)線的導(dǎo)入位置是在和絕緣層重疊的位置上以便不影響發(fā)光，因此，當(dāng)使用引入了增強(qiáng)線的蒸鍍掩模時，若發(fā)光層圖案例如是縱向呈條狀、橫向各色交替的圖案，則縱向間距和發(fā)光像素一樣，是最小的間距，或者是發(fā)光像素的整數(shù)倍，橫向間距成為發(fā)光像素的整數(shù)倍。
進(jìn)而，作為一種現(xiàn)有的多面用蒸鍍掩模，可以通過在具有n個開口部的框架上粘貼掩模部件來生成，這樣可以提高生產(chǎn)效率(例如，參照專利文獻(xiàn)3)，但對于掩模部件局部彎曲的抑制卻沒有效果。
作為另一種現(xiàn)有的多面用蒸鍍掩模，將條狀的第1掩模部件和蒸鍍范圍已規(guī)定好的第2掩模部件重疊的蒸鍍掩模被人們所知(例如，參照專利文獻(xiàn)4)，但是，對于解決本發(fā)明的掩模部件的局部彎曲會影響到發(fā)光區(qū)域的問題，這還不夠。此外，因為需要使條狀的掩模部件和第2掩模部件這兩個掩模部件相對被蒸鍍物進(jìn)行定位，所以，從生產(chǎn)效率的觀點來看，是不利的，此外，有因第2掩模部件的原因而產(chǎn)生陰影之虞，使產(chǎn)生不良品的危險性增大。
專利文獻(xiàn)1特開2000-160323號公報專利文獻(xiàn)2特開2000-12238號公報專利文獻(xiàn)3特開2003-152114號公報專利文獻(xiàn)4特開2003-68454號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)電場發(fā)光裝置的制造方法，其中，形成發(fā)光層而使發(fā)光像素部不受掩模部件彎曲的影響，使整個發(fā)光區(qū)具有很高的精細(xì)度。
為了解決上述問題，本發(fā)明具有以下構(gòu)成。即，A.一種有機(jī)電場發(fā)光裝置的發(fā)光層蒸鍍時使用的蒸鍍掩模，其特征在于該掩模具有掩模部件，該掩模部件包括用來形成發(fā)光像素使用的發(fā)光層的開口(以下，稱作有效開口)和在由上述有效開口群的外緣劃分的區(qū)域(以下，稱作有效開口區(qū))的周圍形成發(fā)光像素時不使用的開口(以下，稱作虛擬開口)。
B.一種制造具有2色以上的發(fā)光像素的有機(jī)電場發(fā)光裝置的方法，其包含下述工序至少對1色像素，使上述A項記載的或改進(jìn)其后的蒸鍍掩模與被蒸鍍部件接觸或配置在附近，通過該掩模蒸鍍發(fā)光性有機(jī)化合物，由此形成發(fā)光層。
C.一種有機(jī)電場發(fā)光裝置，在第1電極和第2電極之間夾持有包含由有機(jī)化合物形成的發(fā)光層的薄膜層的2色以上的發(fā)光像素按規(guī)定的間距排列在襯底上，其特征在于上述發(fā)光層具有條狀圖案，而且發(fā)光像素在一個方向上按各色交替的圖案排列，在與其正交的方向上按同一色排列，而且在排列有上述像素的區(qū)域(以下，稱作發(fā)光區(qū))之外，形成有1個以上的、雖然由和上述發(fā)光層形成用的有機(jī)化合物相同的有機(jī)化合物形成但不作為發(fā)光像素提供的圖案。
按照本發(fā)明，可以得到一種顯示質(zhì)量高的有機(jī)電場發(fā)光裝置，其能夠在整個區(qū)域形成高精細(xì)的發(fā)光層的圖案。


圖1是表示一例像素集合的平面圖。
圖2是說明有機(jī)電場發(fā)光裝置的一例結(jié)構(gòu)的、將部分構(gòu)成切除后的概略立體圖。
圖3是表示一例蒸鍍掩模的概略圖，(a)是平面圖，(b)是剖面圖。
圖4是表示一例蒸鍍掩模的概略立體圖，(a)是一例未引入增強(qiáng)線的蒸鍍掩模，(b)是一例引入了增強(qiáng)線的蒸鍍掩模，(c)是另一例引入了增強(qiáng)線的蒸鍍掩模。
圖5是說明掩模蒸鍍法的示意圖。
圖6是貼合型蒸鍍掩模(單面蒸鍍掩模)及其蒸鍍圖案的示意圖，(a)說明蒸鍍掩模的構(gòu)成，(b)說明由此構(gòu)成的蒸鍍圖案。
圖7是貼合型蒸鍍掩模(4面蒸鍍掩模)及其蒸鍍圖案的示意圖，(a)說明蒸鍍掩模的構(gòu)成，(b)說明由此構(gòu)成的蒸鍍圖案。
圖8是表示一例具有虛擬開口部的蒸鍍掩模的平面圖。
圖9是表示虛擬開口配置在有效開口區(qū)的周圍以使得開口區(qū)(包含有效開口和虛擬開口)的最外周部不具有10mm以上的直線部分的一例蒸鍍掩模的平面圖。
圖10是表示另一例具有虛擬開口部的蒸鍍掩模的平面圖。
圖11是框架上加欞條的蒸鍍掩模(有欞條和蒸鍍掩模的接合)及其蒸鍍圖案的示意圖，(a)說明蒸鍍掩模的構(gòu)成，(b)說明由此構(gòu)成的蒸鍍圖案。
圖12是框架上加欞條的蒸鍍掩模(沒有欞條和蒸鍍掩模的接合)及其蒸鍍圖案的示意圖，(a)說明蒸鍍掩模的構(gòu)成，(b)說明由此構(gòu)成的蒸鍍圖案。
具體實施例方式
本發(fā)明的有機(jī)電場發(fā)光裝置若是2色以上的發(fā)光像素按規(guī)定的間距排列的有機(jī)電場發(fā)光裝置，則既可以是被動矩陣型又可以是主動矩陣型，對顯示形式?jīng)]有限制。特別將在紅、綠、藍(lán)區(qū)域內(nèi)分別具有發(fā)光峰值波長的發(fā)光像素存在的發(fā)光裝置稱作全色顯示器，通常，紅色區(qū)域的光的峰值波長為560～700nm，綠色區(qū)域為500～560nm，藍(lán)色區(qū)域為420～500nm的范圍。
稱之為發(fā)光像素的范圍是指通過通電而發(fā)光的部分。即，是從厚度方向看去相對配置的第1電極和第2電極同時存在的部分，進(jìn)而，在第1電極上形成有絕緣層時是由此限定的范圍。在被動矩陣型顯示器中，第1電極和第2電極呈條狀形成，交叉的部分作為發(fā)光像素使用，所以發(fā)光像素大多是矩形。在主動矩陣型顯示器中，有時在發(fā)光像素附近形成開關(guān)裝置，這時，發(fā)光像素的形狀不是矩形，大多是部分切除后的矩形。但是，在本發(fā)明中，發(fā)光像素的形狀不限于此，例如可以是圓形，也可以通過控制絕緣層的形狀等使其變成任意的形狀。
本發(fā)明的有機(jī)電場發(fā)光裝置利用掩模蒸鍍法形成發(fā)光層。掩模蒸鍍法像圖5所示那樣，是使蒸鍍掩模與被蒸鍍物接觸，或者配置在其附近，以對發(fā)光性有機(jī)化合物進(jìn)行構(gòu)圖的方法，將具有所要的圖案的開口的蒸鍍掩模配置在襯底的蒸鍍源一側(cè)進(jìn)行蒸鍍。為了得到高精度的蒸鍍圖案，重要的是使高平坦度的蒸鍍掩模與襯底密接在一起，使用對掩模部件加張力的技術(shù)或采用利用已配置在襯底背面的磁鐵將蒸鍍掩模密接在襯底上的方法等。
其次，說明本發(fā)明的制造方法中使用的發(fā)光層用的蒸鍍掩模。因?qū)Πl(fā)光層圖案的精度要求高，故對本發(fā)明使用的蒸鍍掩模也必然要求高精細(xì)度。作為掩模部件的制造方法，可以舉出蝕刻法或機(jī)械研磨、噴砂法、燒結(jié)法、激光加工法、使用感光性樹脂等方法，但是大多使用微細(xì)圖案加工精度高的蝕刻法或電鑄模法。作為掩模部件的厚度優(yōu)選為100μm以下。
本發(fā)明的制造方法中使用的蒸鍍掩模的掩模部件的特征是具有用來構(gòu)成發(fā)光像素的有效開口和在由上述有效開口群的外緣劃分的有效開口區(qū)的周圍形成發(fā)光像素時不使用的虛擬開口(圖8)。此外，根據(jù)本發(fā)明的制造方法的有機(jī)電場發(fā)光裝置的一種形態(tài)中，在發(fā)光區(qū)域的周緣部形成由和上述發(fā)光層中使用的有機(jī)化合物同樣的有機(jī)化合物形成的不發(fā)光的圖案。通過使用具有該掩模部件的蒸鍍掩模，由掩模部件內(nèi)的應(yīng)力差等引起的彎曲影響不到存在于虛擬開口的內(nèi)側(cè)的有效開口區(qū)，所以，有效開口區(qū)能夠以高精度地與被蒸鍍部件密接在一起，形成高精細(xì)的發(fā)光層的圖案。
再有，若使用別的語言來表達(dá)，則有效開口區(qū)是與存在于最外側(cè)的有效開口相接且由包含它的最短長度的閉合曲線劃分的區(qū)域。
進(jìn)而，作為能充分得到本發(fā)明的效果的最佳方法，將虛擬開口配置在有效開口區(qū)的周圍，以使開口區(qū)(包括有效開口和虛擬開口)的最外周部沒有10mm以上的直線部分(參照圖9)。由此，可以使局部彎曲有效地分散。
對虛擬開口的個數(shù)、形狀和大小沒有特別限定。個數(shù)只要是1個以上即可，但是，最好是有效開口區(qū)的上下左右各1個以上，若各3個以上則更加好。形狀可以是矩形，也可以是圓形。此外，大小可以比有效開口大，也可以比它小。該虛擬開口的形成雖然可以作為獨立的形狀來加工，但是，因掩模部件做起來容易些，故最好按照與有效開口的圖案相同的排列方式進(jìn)行設(shè)置，假如有效開口的規(guī)定間距是在縱向排列m個、在橫向排列n個的間距，則最好總的開口在縱向排列m+1個以上和/或橫向排列n+1個以上，即，將m×n個開口之外的部分作為虛擬開口使用。
在本發(fā)明中，可以使用多個掩模部件，只要其中的一個掩模部件是具有上述虛擬開口的掩模部件即可。當(dāng)使用多個掩模部件時，各掩模部件可以分開也可以相互接觸。
掩模部件因處理簡便故通常在加張力之后才固定到框架上，有時也直接將掩模部件作為蒸鍍掩模使用。當(dāng)使用框架時，對其形狀沒有特別的限制，可以考慮各種各樣的形態(tài)。
下面，根據(jù)

具體的例子。如圖6所示，通過將以所要的發(fā)光像素的圖案已在用來固定到框架上的邊緣部之外的部分(以下，將該部分稱作蒸鍍掩模有效利用區(qū))的幾乎整個面上開口的掩模部件(上部掩模部件)和具有比發(fā)光區(qū)大的開口的掩模部件(下部掩模部件)重合在一起，在上部掩模部件上形成沒有被下部掩模部件掩蔽的有效開口和已被下部掩模部件掩蔽的虛擬開口，可以得到本發(fā)明的蒸鍍掩模。這時，利用下部掩模部件部分或完全地將虛擬開口的一部分或全部覆蓋。在該構(gòu)成中，不一定非得將2塊掩模部件粘貼在一起，也可以僅僅是重疊在一起，而且可以相互不接觸。此外，若使用這些方法，因上部掩模部件在整個面上均勻地分布有開口部，故難以產(chǎn)生面內(nèi)應(yīng)力差或變形等，可以提高對框架的粘貼精度，進(jìn)而提高蒸鍍的構(gòu)圖精度。再有，發(fā)光層的蒸鍍通過在被蒸鍍部件一側(cè)設(shè)置上部掩模一側(cè)，最好使上部掩模與被蒸鍍部件相接來進(jìn)行。
這里，下部掩模部件其開口的一個邊緣最好位于由上部掩模部件的虛擬開口包圍的區(qū)域的外側(cè)，而且以距有效開口區(qū)的外緣500μm的距離包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。通過這樣的構(gòu)成，虛擬開口的圖案沒有被形成，或者僅存在于有效開口區(qū)的外側(cè)的一部分中(若是有機(jī)電場發(fā)光裝置，該圖案最好在距發(fā)光區(qū)域的外緣500μm以內(nèi)的區(qū)域內(nèi)形成)，在后面的加工中不會產(chǎn)生塵埃、或不會引起布線等的粘結(jié)不良，具有很好的后加工性。此外，可以減輕或消除因下部掩模部件的厚度的原因而產(chǎn)生的陰影。
再有，由虛擬開口包圍的區(qū)域若用別的語言表達(dá)則是與和有效開口區(qū)相鄰的虛擬開口區(qū)相接且由不包含它的最短長度的閉合線劃分的區(qū)域(不過，當(dāng)在有效開口區(qū)的角部不存在虛擬開口時，假定距該角部最近的虛擬開口存在于該角部且與有效開口區(qū)保持相同的距離)。
此外，若使用這些方法，則像圖7、圖11那樣，容易制作與多面用相對應(yīng)的蒸鍍掩模。進(jìn)而，像圖12那樣，當(dāng)將掩模部件和框架組合時，掩模部件可以不一定固定在框架的欞條部分。
在圖6、圖7的例子中，也可以在將兩個掩模部件重疊后再固定到框架上，但是，為了進(jìn)行更高精度的構(gòu)圖，最好將與襯底相對的形成了微細(xì)的圖案的上部掩模部件固定在框架的上面，將規(guī)定蒸鍍區(qū)的下部掩模部件固定在框架的內(nèi)側(cè)等，由此可以不對上部掩模部件作用不必要的力。
再有，當(dāng)利用框架部分或完全地將虛擬開口的一部分或全部覆蓋時，最好按照和上述利用下部掩模部件將虛擬開口覆蓋時同樣的思路進(jìn)行設(shè)計。
為了得到良好的圖案精度，作為掩模部件，最好使用由有效開口和虛擬開口對蒸鍍掩模有效利用區(qū)的90％以上的區(qū)域、最好是95％以上的區(qū)域進(jìn)行開口的部件。此外，有效開口的平均面積(有效開口的總面積/有效開口的個數(shù))和虛擬開口的平均面積(虛擬開口的總面積/虛擬開口的個數(shù))之比(以下稱作開口率)最好在50～200％的范圍內(nèi)，若是80～125％則更好。通過在蒸鍍掩模有效利用區(qū)的盡可能寬的范圍內(nèi)設(shè)置開口，并且使開口率接近100％，由此，容易計算對掩模部件加張力時的伸縮，提高形狀的保持性和對框架的固定精度，進(jìn)而提高構(gòu)圖的精度。
在圖6、圖7中例示的蒸鍍掩模的情況下，虛擬開口的一部分被別的掩模部件(下部掩模部件)覆蓋而隱藏起來。由于下部掩模部件只對發(fā)光區(qū)域進(jìn)行限定，所以就無需像素等級的位置精度，這是很有利的。即，即使虛擬開口有一部分被覆蓋隱藏、有一部分沒有被隱藏，該虛擬開口的圖案也構(gòu)不成發(fā)光像素，所以不存在問題。
下面，示出有機(jī)電場發(fā)光裝置的制造方法的具體例子，但本發(fā)明不限于此。
使用光刻法在形成了氧化錫銦(ITO)等透明電極膜的透明襯底上構(gòu)圖形成隔開一定的間隔配置的多個條狀第1電極。
本發(fā)明的有機(jī)電場發(fā)光裝置也可以具有形成為將第1電極的一部分覆蓋的絕緣層。作為絕緣層的材料，可以使用各種無機(jī)類和有機(jī)類材料，作為無機(jī)類材料，有以氧化硅為代表的氧化錳、氧化釩、氧化鈦、氧化鉻等氧化物材料、硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料、玻璃材料、陶瓷材料等，作為有機(jī)類材料，有聚乙烯類、聚酰亞胺類、聚苯乙烯類、酚醛類、硅類等聚合物材料等。絕緣層的形成可以使用現(xiàn)有的各種形成方法。
本發(fā)明的有機(jī)電場發(fā)光裝置的發(fā)光像素中，包含由有機(jī)化合物形成的發(fā)光層的薄膜層夾在第1電極和第2電極之間。作為該薄膜層的構(gòu)成，只要是包含發(fā)光層，就沒有特別的限制，例如，可以是1)空穴輸送層/發(fā)光層、2)空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層、3)發(fā)光層/電子輸送層、4)將在上述構(gòu)成中各層的一部分或全部所使用的材料在一層中混合的方式中的任意一種。
它們之中，至少發(fā)光層是需要構(gòu)圖的。在全色顯示器的情況下，使用與在紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)3色區(qū)域中具有發(fā)光峰值波長的3個發(fā)光顏色相對應(yīng)的發(fā)光材料依次形成3種發(fā)光層。在本發(fā)明中，發(fā)光層形成條狀圖案，但這里所說的條狀除了將成條狀排列的各要素作為連續(xù)的直線形成之外，還包含斷續(xù)圖案排列在一條直線上的形態(tài)。這種斷續(xù)圖案可以得到位置精度高或密接性好的精細(xì)圖案。這時，發(fā)光層的圖案的間距最好排列成和像素的間距一樣，或者是其整數(shù)倍。
在上述薄膜層形成之后，形成第2電極。在被動矩陣方式中，構(gòu)圖出多個條狀的第2電極，其在薄膜層上與第1電極交叉配置，并隔開一定的間隔配置。另一方面，在主動矩陣方式中，大多在整個發(fā)光區(qū)形成第2電極。在第2電極中，要求其具有能有效地注入電子的陰極的功能，所以，考慮電極的穩(wěn)定性而大多使用金屬材料。
構(gòu)圖出第2電極之后進(jìn)行密封，并連接驅(qū)動電路而得到有機(jī)電場發(fā)光裝置。再有，將第1電極作為不透明的電極，將第2電極作為透明電極，還可以從像素上面取出光。此外，也可以將第1電極作為陰極，將第2電極作為陽極。
進(jìn)而，在1塊襯底上進(jìn)行n份(n是2以上的整數(shù))加工以將該襯底切成n個襯底，若采用這樣的工序，可以提高生產(chǎn)效率，因此從批量生產(chǎn)的制造成本方面考慮，這是可取的。
本發(fā)明的有機(jī)電場發(fā)光裝置因可以構(gòu)圖出高精細(xì)的發(fā)光層，所以能夠使以各包含一個各顏色發(fā)光像素的組為一個單位的像素集合的間距做到縱橫均為500μm以下，更好的情況是做到400μm以下。
實施例下面，通過實施例和比較例來說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受這些例子的限制。
實施例1利用濺射法在厚度為1.1mm的無堿玻璃的表面形成厚度為130nm的ITO(銦錫氧化物)透明電極膜，將這樣形成的玻璃襯底切成120×100mm大小。在ITO襯底上涂敷光致抗蝕劑，利用通常的光刻法中的曝光、顯影來構(gòu)圖。蝕刻并除去ITO的不需要部分之后，通過除去光致抗蝕劑，將ITO膜構(gòu)圖成長90mm、寬80μm的條形狀。以100μm的間距配置816根該條狀的第1電極。
其次，利用旋涂法將正型光致抗蝕劑(東京應(yīng)化工業(yè)(株)制，OFPR-800)涂敷在已形成第1電極的襯底上，使其厚度為3μm。經(jīng)光掩模在該涂敷膜上進(jìn)行圖案曝光，并顯影來進(jìn)行光致抗蝕劑的構(gòu)圖，在顯影之后以180℃進(jìn)行固化。由此，除去絕緣層的不需要部分，在條狀的第1電極上，按照縱向以300μm的間距200個、橫向以100μm的間距816個，形成縱235μm、橫70μm的絕緣層開口部。絕緣層的邊緣部分的截面為正錐形狀。已形成絕緣層的襯底在80℃、10Pa的減壓環(huán)境下放置20分鐘，進(jìn)行脫水處理。
包含發(fā)光層的薄膜層采用電阻絲加熱方式的真空蒸鍍法形成。再有，蒸鍍時的真空度為2×10-4Pa以下，蒸鍍中使襯底相對蒸鍍源旋轉(zhuǎn)。首先，在發(fā)光區(qū)整個面上蒸鍍15nm的酞菁銅和60nm的雙(N-乙基咔唑)，形成空穴輸送層。
作為發(fā)光層用的蒸鍍掩模，使用具有排列有開口部的開口區(qū)的蒸鍍掩模。掩模部件的外形是120×84mm，厚度為25μm，具有在橫方向按300μm的間距排列了278個縱61.77mm、橫100μm的開口部的開口區(qū)。在各開口部按300μm的間距設(shè)置205根寬30μm的增強(qiáng)線。即，由增強(qiáng)線劃分的開口部的個數(shù)縱向是206個，其中，有效開口部是200個，由增強(qiáng)線劃分的一個開口部的尺寸是縱270μm、橫100μm。掩模部件固定在外形相等的寬度為4mm的不銹鋼制的框架上。
將發(fā)光層用的蒸鍍掩模配置在襯底的前方，使兩者密接，在襯底的后方配置鐵氧體類板磁鐵(日立金屬社制，YBM-1B)。這時，配置絕緣層開口部，使其與蒸鍍掩模的有效開口部重疊，而且，調(diào)整位置，使發(fā)光區(qū)的上下左右各有3個虛擬開口部。蒸鍍掩模與膜厚厚的絕緣層接觸，不和之前所形成的空穴輸送層接觸，所以能夠防止掩模劃傷。
在該狀態(tài)下，蒸鍍21nm摻雜了0.3％重量的1，3，5，7，8-五甲基-4，4-二氟化-4-硼-3a，4a-二氮雜-對稱引達(dá)省(PM546)的8-羥基喹啉-鋁絡(luò)合物(Alq3)，構(gòu)圖出綠色發(fā)光層。
其次，使蒸鍍掩模向右錯開1個間距，蒸鍍15nm摻雜了1％重量的4-(二氰亞甲基)-2-甲基-6-(久咯呢定基苯乙烯基)吡喃(DCJT)的Alq3，構(gòu)圖出紅色發(fā)光層。
進(jìn)而，使蒸鍍掩模向左錯開2個間距，蒸鍍20nm的4，4’-雙(2，2’-二苯基乙烯基)二苯(DPVBi)，構(gòu)圖出藍(lán)色發(fā)光層。綠色、紅色和藍(lán)色各發(fā)光層對每3根條狀的第1電極進(jìn)行配置，將第1電極的露出部分完全覆蓋。進(jìn)而，像素的構(gòu)成中未使用的發(fā)光層用有機(jī)化合物的區(qū)域同時在上下配置各3個，左右配置各9個。
其次，對發(fā)光區(qū)整個面蒸鍍35nm的DPVBi和10nm的Alq3。然后，使薄膜層暴露在鋰蒸汽下，進(jìn)行摻雜(膜厚換算量0.5nm)。
作為用于第2電極的構(gòu)圖，使用具有在與掩模部件的襯底相接的面和增強(qiáng)線之間存在間隙的結(jié)構(gòu)的蒸鍍掩模。掩模部件的外形是120×84mm，厚度為100μm，以300μm的間距配置200個長100mm、寬250μm的條狀開口部。在掩模部件的上面形成寬40μm、厚35μm、相對兩邊的間隔為200μm的正六邊形結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格狀的增強(qiáng)線。間隙的高度和掩模部件的厚度相等，為100μm。掩模部件固定在外形相同的寬4mm的不銹鋼制的框架上。
第2電極采用電阻絲加熱方式的真空蒸鍍法形成。再有，蒸鍍時的真空度是3×10-4Pa以下，蒸鍍中使襯底相對2個蒸鍍源旋轉(zhuǎn)。和發(fā)光層的構(gòu)圖一樣，將第2電極用的蒸鍍掩模配置在襯底的前方，使兩者密接，在襯底的后方配置磁鐵。這時，配置絕緣層開口部，使其與蒸鍍掩模的有效開口部重疊。在該狀態(tài)下，蒸鍍200nm厚的鋁，構(gòu)圖出第2電極。第2電極與第1電極正交配置，構(gòu)圖成條狀。
從蒸鍍機(jī)中取出本襯底，使其在旋轉(zhuǎn)泵的減壓環(huán)境下保持20分鐘，然后轉(zhuǎn)移到露點為-90℃以下的氬氣環(huán)境中。在該低濕環(huán)境下，通過使用硬化性環(huán)氧樹脂將襯底和密封用玻璃板貼合來進(jìn)行密封。
這樣一來，在816根寬80μm、間距為100μm的ITO條狀第1電極上形成構(gòu)圖后的綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層，與第1電極正交，配置200根寬250μm、間距為300μm的條狀第2電極，制作成被動矩陣型彩色有機(jī)電場發(fā)光裝置。因紅、綠、藍(lán)各1個、即共3個發(fā)光像素形成1個像素集合，故本發(fā)光裝置按300μm的間距具有272×200個像素集合。
當(dāng)按線順序(line sequential)驅(qū)動本有機(jī)電場發(fā)光裝置時，可以得到良好的顯示特性。進(jìn)而，當(dāng)用顯微鏡觀察發(fā)光像素時，可以確認(rèn)相鄰像素之間沒有混色等現(xiàn)象，能夠在發(fā)光區(qū)整個面上形成良好的發(fā)光層圖案。
實施例2除了發(fā)光層用蒸鍍掩模的有效開口部是縱向200個，橫向272個、且像圖10那樣按400μm的間距在有效開口區(qū)的周圍3mm處排列直徑為200μm的圓形虛擬開口部之外，和實施例1一樣制作了有機(jī)電場發(fā)光裝置。
當(dāng)按線順序驅(qū)動本有機(jī)電場發(fā)光裝置時，可以得到良好的顯示特性。進(jìn)而，當(dāng)用顯微鏡觀察發(fā)光像素時，可以確認(rèn)相鄰像素之間沒有混色等現(xiàn)象，能夠在發(fā)光區(qū)整個面上形成良好的發(fā)光層圖案。
實施例3利用濺射法在厚度為1.1mm的無堿玻璃的表面形成厚度為130nm的ITO透明電極膜，將這樣形成的玻璃襯底切成120×100mm大小。在ITO襯底上涂敷光致抗蝕劑，利用通常的光刻法的曝光、顯影來構(gòu)圖。蝕刻并除去ITO的不需要部分之后，通過除去光致抗蝕劑，將ITO膜構(gòu)圖成長90mm、寬160μm的條形狀。以200μm的間距配置408根該條狀的第1電極。
其次，利用旋涂法將正型光致抗蝕劑(東京應(yīng)化工業(yè)(株)制，OFPR-800)涂敷在已形成第1電極的襯底上，使其厚度為3μm。經(jīng)光掩模在該涂敷膜上進(jìn)行圖案曝光，并顯影來進(jìn)行光致抗蝕劑的構(gòu)圖，在顯影之后以180℃進(jìn)行固化。由此，除去絕緣層的不需要部分，在條狀的第1電極上，按照縱向以600μm的間距100個、橫向以200μm的間距408個，形成縱470μm、橫140μm的絕緣層開口部。絕緣層的邊緣部分的截面為正錐形狀。已形成絕緣層的襯底在80℃、10Pa的減壓環(huán)境下放置20分鐘，進(jìn)行脫水處理。
包含發(fā)光層的薄膜層采用電阻絲加熱方式的真空蒸鍍法形成。再有，蒸鍍時的真空度為2×10-4Pa以下，蒸鍍中使襯底相對蒸鍍源旋轉(zhuǎn)。首先，在發(fā)光區(qū)整個面上蒸鍍15nm的酞菁銅和60nm的雙(N-乙基咔唑)，形成空穴輸送層。
作為用于發(fā)光層的構(gòu)圖，使用具有排列有開口部的開口區(qū)的蒸鍍掩模。掩模部件的外形是120×84mm，厚度為25μm，具有在橫方向按600μm的間距排列了142個縱63.54mm、橫200μm的開口部的開口區(qū)。在各開口部按600μm的間距設(shè)置105根寬60μm的增強(qiáng)線。即，由增強(qiáng)線劃分的開口部的個數(shù)縱向是106個，其中，有效開口部是100個，由增強(qiáng)線劃分的一個開口部的尺寸是縱540μm、橫200μm。掩模部件固定在外形相等的寬度為4mm的不銹鋼制的框架上。
將發(fā)光層用的蒸鍍掩模配置在襯底的前方，使兩者密接，在襯底的后方配置鐵氧體類板磁鐵(日立金屬社制，YBM-1B)。這時，配置絕緣層開口部，使其與蒸鍍掩模的有效開口部重疊，而且，調(diào)整位置，使發(fā)光區(qū)的上下左右各有3個虛擬開口部。蒸鍍掩模與膜厚厚的絕緣層接觸，不和之前所形成的空穴輸送層接觸，所以能夠防止掩模劃傷。
在該狀態(tài)下，蒸鍍21nm摻雜了0.3％重量的1，3，5，7，8-五甲基-4，4-二氟化-4-硼-3a，4a-二氮雜-對稱引達(dá)省(PM546)的8-羥基喹啉-鋁絡(luò)合物(Alq3)，構(gòu)圖出綠色發(fā)光層。
其次，使蒸鍍掩模向右錯開1個間距，蒸鍍15nm摻雜了1％重量的4-(二氰亞甲基)-2-甲基-6-(久咯呢定基苯乙烯基)吡喃(DCJT)的Alq3，構(gòu)圖出紅色發(fā)光層。
進(jìn)而，使蒸鍍掩模向左錯開2個間距，蒸鍍20nm的4，4’-雙(2，2’-二苯基乙烯基)二苯(DPVBi)，構(gòu)圖出藍(lán)色發(fā)光層。綠色、紅色和藍(lán)色各發(fā)光層對每3根條狀的第1電極進(jìn)行配置，將第1電極的露出部分完全覆蓋。進(jìn)而，像素的構(gòu)成中未使用的發(fā)光層用有機(jī)化合物的區(qū)域同時在上下配置各3個，左右配置各9個。
其次，對發(fā)光區(qū)整個面蒸鍍35nm的DPVBi和10nm的Alq3。然后，使薄膜層暴露在鋰蒸汽下，進(jìn)行摻雜(膜厚換算量0.5nm)。
作為用于第2電極的構(gòu)圖，使用具有在與掩模部件的襯底相接的面和增強(qiáng)線之間存在間隙的結(jié)構(gòu)的蒸鍍掩模。掩模部件的外形是120×84mm，厚度為100μm，以600μm的間距配置100個長100mm、寬500μm的條狀開口部。在掩模部件的上面形成寬40μm、厚35μm、相對兩邊的間隔為200μm的正六邊形結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格狀的增強(qiáng)線。間隙的高度和掩模部件的厚度相等，為100μm。掩模部件固定在外形相同的寬4mm的不銹鋼制的框架上。
第2電極采用電阻絲加熱方式的真空蒸鍍法形成。再有，蒸鍍時的真空度是3×10-4Pa以下，蒸鍍中使襯底相對2個蒸鍍源旋轉(zhuǎn)。和發(fā)光層的構(gòu)圖一樣，將第2電極用的蒸鍍掩模配置在襯底的前方，使兩者密接，在襯底的后方配置磁鐵。這時，配置絕緣層開口部，使其與蒸鍍掩模的開口部重疊。在該狀態(tài)下，蒸鍍200nm厚的鋁，構(gòu)圖出第2電極。第2電極與第1電極正交配置，構(gòu)圖成條狀。
從蒸鍍機(jī)中取出本襯底，使其在旋轉(zhuǎn)泵的減壓環(huán)境下保持20分鐘，然后轉(zhuǎn)移到露點為-90℃以下的氬氣環(huán)境中。在該低濕環(huán)境下，通過使用硬化性環(huán)氧樹脂將襯底和密封用玻璃板貼合來進(jìn)行密封。
這樣一來，在408根寬160μm、間距為200μm的條狀第1電極上形成構(gòu)圖后的綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層，與第1電極正交，配置100根寬500μm、間距為600μm的條狀第2電極，制作成被動矩陣型彩色有機(jī)電場發(fā)光裝置。因紅、綠、藍(lán)各1個、即共3個發(fā)光像素形成1個像素集合，故本發(fā)光裝置按600μm的間距具有136×100個像素集合。
當(dāng)按線順序驅(qū)動本有機(jī)電場發(fā)光裝置時，可以得到良好的顯示特性。進(jìn)而，當(dāng)用顯微鏡觀察發(fā)光像素時，可以確認(rèn)在發(fā)光區(qū)的外周部分發(fā)光像素的邊緣部分模糊的事實。這是因為襯底和蒸鍍掩模的密接被破壞，但是，沒有混色現(xiàn)象。
實施例4利用濺射法在外形500×400mm、厚度為0.7mm的無堿玻璃的表面形成厚度為130nm的ITO透明電極膜。在ITO襯底上涂敷光致抗蝕劑，利用通常的光刻法中的曝光、顯影來構(gòu)圖。蝕刻并除去ITO的不需要部分之后，通過除去光致抗蝕劑，將ITO膜構(gòu)圖成長90mm、寬80μm的條形狀。形成對角線長度為4英寸的16面發(fā)光區(qū)，該發(fā)光區(qū)以100μm的間距配置816根該條狀的第1電極，通過將玻璃分割成200×214mm大小的4個部分，制作出4面的ITO襯底。
其次，利用旋涂法將正型光致抗蝕劑(東京應(yīng)化工業(yè)(株)制，OFPR-800)涂敷在已形成第1電極的襯底上，使其厚度為2μm。然后，以120℃使其暫時硬化，經(jīng)光掩模進(jìn)行圖案曝光。進(jìn)而，進(jìn)行顯影，進(jìn)行光致抗蝕劑的構(gòu)圖，在顯影后，在230℃的溫度下進(jìn)行固化。由此，除去絕緣層的不需要部分，在條狀的第1電極上，按照縱向以300μm的間距200個、橫向以100μm的間距816個，形成縱235μm、橫70μm的絕緣層開口部。絕緣層的邊緣部分的截面為正錐形狀。已形成絕緣層的襯底在80℃、10Pa的減壓環(huán)境下放置20分鐘，進(jìn)行脫水處理。
包含發(fā)光層的薄膜層采用電阻絲加熱方式的真空蒸鍍法形成。再有，蒸鍍時的真空度為2×10-4Pa以下，蒸鍍中使襯底相對蒸鍍源旋轉(zhuǎn)。首先，在各發(fā)光區(qū)整個面上蒸鍍15nm的酞菁銅和60nm的雙(N-乙基咔唑)，形成空穴輸送層。
作為發(fā)光層用的蒸鍍掩模，使用具有4個排列有開口部的開口區(qū)的蒸鍍掩模。掩模部件的外形是200×214mm，厚度為25μm，具有在橫方向按300μm的間距排列了278個縱61.77mm、橫100μm的開口部的4個開口區(qū)，并配置在之前所制作的4面ITO襯底的與ITO圖案對應(yīng)的位置上。在各開口部按300μm的間距設(shè)置205根寬30μm的增強(qiáng)線。即，由增強(qiáng)線劃分的1個開口區(qū)的開口部的個數(shù)縱向是206個，其中，有效開口部是200個，由增強(qiáng)線劃分的一個開口部的尺寸是縱270μm、橫100μm。掩模部件固定在具有163×201mm的開口的超級殷鋼制的框架上，蒸鍍掩模有效利用區(qū)變成163×201mm。
將發(fā)光層用的蒸鍍掩模配置在襯底的前方，使兩者密接，在襯底的后方配置鐵氧體類板磁鐵(日立金屬社制，YBM-1B)。這時，配置絕緣層開口部，使其與蒸鍍掩模的有效開口部重疊，而且，調(diào)整位置，使各發(fā)光區(qū)的上下左右各有3個虛擬開口部。蒸鍍掩模與膜厚厚的絕緣層接觸，不和之前所形成的空穴輸送層接觸，所以能夠防止掩模劃傷。
在該狀態(tài)下，蒸鍍21nm摻雜了0.3％重量的1，3，5，7，8-五甲基-4，4-二氟化-4-硼-3a，4a-二氮雜-對稱引達(dá)省(PM546)的8-羥基喹啉-鋁絡(luò)合物(Alq3)，構(gòu)圖出綠色發(fā)光層。
其次，使蒸鍍掩模向右錯開1個間距，蒸鍍15nm摻雜了1％重量的4-(二氰亞甲基)-2-甲基-6-(久咯呢定基苯乙烯基)吡喃(DCJT)的Alq3，構(gòu)圖出紅色發(fā)光層。
進(jìn)而，使蒸鍍掩模向左錯開2個間距，蒸鍍20nm的4，4’-雙(2，2’-二苯基乙烯基)二苯(DPVBi)，構(gòu)圖出藍(lán)色發(fā)光層。綠色、紅色和藍(lán)色各發(fā)光層對每3根條狀的第1電極進(jìn)行配置，將第1電極的露出部分完全覆蓋。進(jìn)而，像素的構(gòu)成中未使用的發(fā)光層用有機(jī)化合物的區(qū)域同時在上下配置各3個，左右配置各9個。
其次，對各發(fā)光區(qū)整個面蒸鍍35nm的DPVBi和10nm的Alq3。然后，使薄膜層暴露在鋰蒸汽下，進(jìn)行摻雜(膜厚換算量0.5nm)。
作為用于第2電極的構(gòu)圖，使用具有在與掩模部件的襯底相接的面和增強(qiáng)線之間存在間隙的結(jié)構(gòu)的蒸鍍掩模。蒸鍍掩模的外形是200×214mm，厚度為100μm，將4個以300μm的間距配置了200個長100mm、寬250μm的條狀開口部的區(qū)域配置在與ITO襯底對應(yīng)的位置上。在掩模部件的上面形成寬40μm、厚35μm、相對兩邊的間隔為200μm的正六邊形結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格狀的增強(qiáng)線。間隙的高度和掩模部件的厚度相等，為100μm。掩模部件固定在具有163×201mm的開口的超級殷鋼制的框架上，蒸鍍掩模有效利用區(qū)變成163×201mm。
第2電極采用電阻絲加熱方式的真空蒸鍍法形成。再有，蒸鍍時的真空度是3×10-4Pa以下，蒸鍍中使襯底相對2個蒸鍍源旋轉(zhuǎn)。和發(fā)光層的構(gòu)圖一樣，將第2電極用的蒸鍍掩模配置在襯底的前方，使兩者密接，在襯底的后方配置磁鐵。這時，配置絕緣層開口部，使其與蒸鍍掩模的有效開口部重疊。在該狀態(tài)下，蒸鍍300nm厚的鋁，構(gòu)圖出第2電極。第2電極與第1電極正交配置，構(gòu)圖成條狀。
從蒸鍍機(jī)中取出本襯底，使其在旋轉(zhuǎn)泵的減壓環(huán)境下保持20分鐘，然后轉(zhuǎn)移到露點為-90℃以下的氬氣環(huán)境中。在該低濕環(huán)境下，通過使用硬化性環(huán)氧樹脂將襯底和密封用玻璃板貼合來進(jìn)行密封。
這樣一來，4面搭載了在816根寬80μm、間距為100μm的ITO條狀第1電極上形成構(gòu)圖后的綠色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層，與第1電極正交，配置200根寬250μm、間距為300μm的條狀第2電極的有機(jī)電場發(fā)光裝置。將其連同玻璃襯底和密封用玻璃板一起分割成4個部分，得到對角線長度為4英寸的被動矩陣型彩色有機(jī)電場發(fā)光裝置。因紅、綠、藍(lán)各1個、即3個發(fā)光像素形成1個像素集合，故本發(fā)光裝置按300μm的間距具有272×200個像素集合。
當(dāng)按線順序驅(qū)動本有機(jī)電場發(fā)光裝置時，可以得到良好的顯示特性。進(jìn)而，當(dāng)用顯微鏡觀察發(fā)光像素時，可以確認(rèn)相鄰像素之間沒有混色等現(xiàn)象，能夠在發(fā)光區(qū)整個面上形成良好的發(fā)光層圖案。發(fā)光層的構(gòu)圖精度在±10μm以內(nèi)。
實施例5將按縱橫300μm的間距在蒸鍍掩模有效利用區(qū)整個面(90％以上)排列了縱270μm、橫100μm的開口部的外形為200×214mm的掩模部件固定在和實施例4同樣的框架上面。進(jìn)而，將設(shè)有4處比發(fā)光區(qū)稍大的開口的外形為162×200mm的掩模部件配置在上述蒸鍍掩模的蒸鍍源一側(cè)的正下方，并固定在框架的內(nèi)側(cè)。兩掩模部件相互之間不連接。這樣來準(zhǔn)備如圖7所示那樣的發(fā)光層用的蒸鍍掩模。除此之外，和實施例1一樣制作出有機(jī)電場發(fā)光裝置。
當(dāng)接線順序驅(qū)動本有機(jī)電場發(fā)光裝置時，可以得到良好的顯示特性。進(jìn)而，當(dāng)用顯微鏡觀察發(fā)光像素時，可以確認(rèn)相鄰像素之間沒有混色等現(xiàn)象，能夠在發(fā)光區(qū)整個面上形成良好的發(fā)光層圖案。此外，像素的構(gòu)成中未使用的發(fā)光層用有機(jī)化合物的區(qū)域上下配置各1個，左右配置各3個，其中一部分是中途半端的形狀。發(fā)光層的構(gòu)圖精度在±7μm以內(nèi)。通過在蒸鍍掩模有效利用區(qū)整個面排列開口部，掩模的彎曲減小，故進(jìn)一步提高了構(gòu)圖的精度。
實施例6作為發(fā)光層用的蒸鍍掩模，使用按縱橫300μm的間距在蒸鍍掩模有效利用區(qū)整個面(90％以上)排列了縱270μm、橫100μm的開口部的外形為200×214mm的掩模部件，并粘貼在增加有十字欞條的超級殷鋼制的框架上面。這時，欞條部分也與蒸鍍掩模粘接在一起。這樣來準(zhǔn)備如圖11所示那樣的發(fā)光層用的蒸鍍掩模。除此之外，和實施例4一樣制作出有機(jī)電場發(fā)光裝置。通過使框架增加十字欞條，4面形成比發(fā)光區(qū)稍大的由該蒸鍍掩模形成的發(fā)光層圖案。
當(dāng)按線順序驅(qū)動本有機(jī)電場發(fā)光裝置時，可以得到良好的顯示特性。進(jìn)而，當(dāng)用顯微鏡觀察發(fā)光像素時，可以確認(rèn)相鄰像素之間沒有混色等現(xiàn)象，能夠在發(fā)光區(qū)整個面上形成良好的發(fā)光層圖案。此外，像素的構(gòu)成中未使用的發(fā)光層用有機(jī)化合物的區(qū)域上下配置各1個，左右配置各3個，其中一部分是中途半端的形狀。發(fā)光層的構(gòu)圖精度在±5μm以內(nèi)。通過增加欞條來減小框架的變形，所以進(jìn)一步提高了構(gòu)圖的精度。
比較實施例1除了發(fā)光層用的蒸鍍掩模的開口部是縱向200個、橫向272個之外，和實施例1一樣制作了有機(jī)電場發(fā)光裝置。即，制作了發(fā)光層用的蒸鍍掩模上沒有虛擬開口部，第1電極和第2電極重疊的發(fā)光區(qū)和發(fā)光層用的蒸鍍掩模的有效開口區(qū)一致的被動矩陣型彩色有機(jī)電場發(fā)光裝置。
當(dāng)按線順序驅(qū)動本有機(jī)電場發(fā)光裝置時，發(fā)現(xiàn)在發(fā)光區(qū)的外周部有相鄰像素之間的混色。這是因為掩模部件的掩模區(qū)和開口區(qū)的邊界部分產(chǎn)生的彎曲破壞了襯底和蒸鍍掩模之間的密接性。
工業(yè)上利用的可能性本發(fā)明可適用于作為要求高清晰的平板顯示器的一種的有機(jī)電場發(fā)光裝置的生產(chǎn)。
權(quán)利要求
1.一種用于有機(jī)電場發(fā)光裝置的發(fā)光層蒸鍍的蒸鍍掩模，其特征在于該掩模具有掩模部件，該掩模部件包括用來形成發(fā)光像素使用的發(fā)光層的開口(以下，稱作有效開口)和在由該有效開口群的外緣劃分的區(qū)域(以下，稱作有效開口區(qū))的周圍形成發(fā)光像素時不使用的開口(以下，稱作虛擬開口)。
2.權(quán)利要求1記載的蒸鍍掩模，其特征在于虛擬開口的一部分或全部被別的掩模部件和/或保持掩模部件的框架部分地或完全地覆蓋而隱藏。
3.權(quán)利要求2記載的蒸鍍掩模，其特征在于上述別的掩模部件或框架，其1個開口的邊緣位于由具有上述虛擬開口的掩模部件的虛擬開口包圍的區(qū)域的外側(cè)，而且位于以距有效開口區(qū)的外緣500μm的距離包圍的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
4.權(quán)利要求1～3任意一項記載的蒸鍍掩模，其特征在于具有上述虛擬開口的掩模部件固定在框架上，并且通過有效開口和虛擬開口使除了與框架固定所使用的部分之外的部分(蒸鍍掩模有效利用區(qū))的90％以上的區(qū)域成為開口，有效開口的平均面積和虛擬開口的平均面積的比率(開口率)是50～200％。
5.一種制造具有2色以上的發(fā)光像素的有機(jī)電場發(fā)光裝置的方法，其包含下述工序至少對1色像素，使權(quán)利要求1～4中任意一項記載的蒸鍍掩模與被蒸鍍部件接觸或配置在附近，通過該掩模蒸鍍發(fā)光性有機(jī)化合物，由此形成發(fā)光層。
6.一種有機(jī)電場發(fā)光裝置，在第1電極和第2電極之間夾持有包含由有機(jī)化合物形成的發(fā)光層的薄膜層的、2色以上的發(fā)光像素按規(guī)定的間距排列在襯底上，其特征在于上述發(fā)光層具有條狀圖案，而且發(fā)光像素在一個方向上按各色交替的圖案排列，在與其正交的方向上按同一色排列，而且在排列有上述發(fā)光像素的區(qū)域(以下，稱作發(fā)光區(qū))之外，形成有1個以上的、雖然由和上述發(fā)光層形成用的有機(jī)化合物相同的有機(jī)化合物形成但不作為發(fā)光像素提供的圖案。
7.權(quán)利要求6記載的有機(jī)電場發(fā)光裝置，其特征在于上述不作為發(fā)光像素提供的圖案在距發(fā)光區(qū)的外緣500μm以內(nèi)形成。
8.權(quán)利要求6或7記載的有機(jī)電場發(fā)光裝置，其特征在于發(fā)光區(qū)內(nèi)的發(fā)光層的圖案的間距相對于某一方向為和上述發(fā)光像素的間距相同或為整數(shù)倍。
9.權(quán)利要求6或7記載的有機(jī)電場發(fā)光裝置，其特征在于以各包含一個各顏色發(fā)光像素的組為1個單位的像素集合的間距縱橫均為500μm以下。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種高精細(xì)的有機(jī)電場發(fā)光裝置，并且提供一種能構(gòu)圖出高精細(xì)的發(fā)光層的有機(jī)電場發(fā)光裝置的制造方法，此外，還提供一種該構(gòu)圖中使用的蒸鍍掩模。為了能夠達(dá)到上述目的，使用蒸鍍掩模進(jìn)行發(fā)光層的蒸鍍，該蒸鍍掩模的特征是具有掩模部件，該掩模部件包括發(fā)光層蒸鍍時用來形成發(fā)光像素使用的發(fā)光層的開口(有效開口)和在由該有效開口群的外緣劃分的區(qū)域(有效開口區(qū))的周圍形成發(fā)光像素時不使用的開口(虛擬開口)。
文檔編號H05B33/14GK101015234SQ200480043948
公開日2007年8月8日 申請日期2004年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月8日
發(fā)明者新井猛, 藤森茂雄, 池田武史 申請人:東麗株式會社