專利名稱：聚酯及其制備和用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于光學(xué)器件的材料，尤其涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，及其物理和電性能的控制。
背景技術(shù)：
一組光電器件是使用有機(jī)材料用于發(fā)光或檢測(cè)的器件。這些器件的基本結(jié)構(gòu)是夾在注入負(fù)電荷載流子(電子)的陰極和注入正電荷載流子(空穴)到有機(jī)層內(nèi)的陽(yáng)極之間的發(fā)光有機(jī)層，例如聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)(“PPV”)或聚芴膜。電子和空穴在有機(jī)層內(nèi)重組，從而生成光子。在WO90/13148中，有機(jī)發(fā)光材料是聚合物。在US4539507中，有機(jī)發(fā)光材料屬于一組稱為小分子的材料，如(8-羥基喹啉)鋁(“Alq3”)。在實(shí)際的器件中，電極之一是透明的，以允許光子逸出器件。
在用透明的第一電極如氧化錫銦(“ITO”)涂布的玻璃或塑料基底上制造典型的有機(jī)發(fā)光器件(“OLED”)。至少一種電致發(fā)光的有機(jī)材料的薄膜層覆蓋第一電極。最后，陰極覆蓋電致發(fā)光有機(jī)材料層。陰極典型地為金屬或合金和可包括單層，如鋁，或多層如鈣和鋁。其它層可添加到該器件上，例如改進(jìn)電荷從電極注入到電致發(fā)光材料上。例如，可在陽(yáng)極和電致發(fā)光材料之間提供空穴注入層如聚(乙烯二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT-PSS)或聚苯胺。當(dāng)由電源在電極之間施加電壓時(shí)，電極之一起到陰極的作用，和另一電極起到陽(yáng)極作用。
對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，重要的特征是相對(duì)于電子能級(jí)的真空水平測(cè)量的結(jié)合能，尤其“最高占據(jù)分子軌道”(HOMO)和“最低未占據(jù)分子軌道”(LUMO)能級(jí)。這些可根據(jù)發(fā)光的測(cè)量結(jié)果和尤其氧化的電化學(xué)電勢(shì)的測(cè)量結(jié)果來(lái)估計(jì)。本領(lǐng)域公知這種能量受到許多因素影響，例如靠近界面的局部環(huán)境，和在由其得到數(shù)值的曲線上的點(diǎn)(峰值)。因此，使用這一數(shù)值是表征性的，而不是定量的。
在操作中，空穴通過(guò)陽(yáng)極被注入到器件內(nèi)和電子通過(guò)陰極被注入到器件內(nèi)?？昭ê碗娮釉谟袡C(jī)電致發(fā)光層內(nèi)重組，形成激子，激子然后進(jìn)行輻射衰變發(fā)光。改進(jìn)器件效率的一種方式是提供空穴和電子遷移材料，例如wo99/48610公開(kāi)了共混空穴遷移聚合物、電子遷移聚合物和電致發(fā)光聚合物。在該文獻(xiàn)中，1∶1的二辛基芴和三苯胺的共聚物用作空穴遷移聚合物。
在聚合物OLED領(lǐng)域內(nèi)的焦點(diǎn)是開(kāi)發(fā)要求紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光材料的全色顯示器。與這一開(kāi)發(fā)相關(guān)的已有聚合物OLED顯示器的一個(gè)缺點(diǎn)是，迄今為止已有的藍(lán)色發(fā)射材料的相對(duì)短的壽命(“壽命”是指當(dāng)在DC驅(qū)動(dòng)下操作時(shí)，在恒定電流下OLED亮度減半時(shí)的時(shí)間)。
在一種方法中，可通過(guò)優(yōu)化OLED的結(jié)構(gòu)來(lái)延長(zhǎng)發(fā)射材料的壽命；例如，藍(lán)光材料的壽命可部分取決于所使用的陰極。然而，選擇改進(jìn)藍(lán)光壽命的陰極的優(yōu)點(diǎn)可能被陰極對(duì)紅光和綠光材料性能的不利影響所抵銷(xiāo)。例如，Synthetic Metals 111-112(2000)，125-128公開(kāi)了一種全色顯示器，其中陰極是LiF/Ca/Al。發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，這一陰極相對(duì)于藍(lán)色發(fā)射材料尤其有效，但相對(duì)于綠色，特別是紅色發(fā)射器顯示出差的性能。
另一方法是開(kāi)發(fā)新型的藍(lán)色電致發(fā)光材料。例如，WO00/55927(它是WO99/48160的改進(jìn))公開(kāi)了一種下式(a)的藍(lán)色電致發(fā)光聚合物 其中w+x+y＝1，w≥0.5，0≤x+y≤0.5，和n≥2。
本質(zhì)上，在WO99/48160中公開(kāi)的獨(dú)立的聚合物被結(jié)合成單一分子。提供F8重復(fù)單元，為的是電子注入的目的；提供TFB單元，為的是空穴遷移的目的；和提供PFB重復(fù)單元作為發(fā)射單元。將各單元結(jié)合成單一的聚合物可優(yōu)選是共混物，例如分子內(nèi)電荷遷移可優(yōu)選是分子間電荷遷移，避免在共混物內(nèi)相分離的潛在難度。
WO02/92723和WO02/92724公開(kāi)了用9，9-二芳基芴重復(fù)單元替代以上所述的聚合物內(nèi)的一些F8重復(fù)單元，這令人驚奇地發(fā)現(xiàn)改進(jìn)聚合物的壽命。
WO99/54385和EP1229063公開(kāi)了芴和PFB類三芳胺重復(fù)單元的共聚物。EP1229063公開(kāi)了比例為70∶30的F8∶TFB共聚物。
本發(fā)明的目的是提供長(zhǎng)壽命的藍(lán)色電致發(fā)光聚合物，尤其適合于在全色電致發(fā)光顯示器中使用的藍(lán)色電致發(fā)光聚合物。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明人令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，PFB用量的下降導(dǎo)致在一些器件結(jié)構(gòu)，尤其全色顯示器內(nèi)改進(jìn)的效率。此外，發(fā)明人令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，不需要具有獨(dú)立的空穴遷移單元和藍(lán)光發(fā)射單元；已發(fā)現(xiàn)，PFB單元可行使這兩個(gè)功能。令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，從以上所述的現(xiàn)有技術(shù)聚合物中省去TFB導(dǎo)致壽命的顯著改進(jìn)。
因此，一方面，本發(fā)明提供含下式(I)的第一重復(fù)單元的聚合物 其中每一Ar獨(dú)立地選自任選取代的芳基或雜芳基，和式(I)的基團(tuán)以小于或等于10％的摩爾比存在，和該聚合物任選地含有，在化學(xué)式-Ar-N(Ar)-Ar-的主鏈內(nèi)具有不大于5％摩爾比的單個(gè)氮原子的第二任選取代的重復(fù)單元。
優(yōu)選地，每一Ar是苯基。更優(yōu)選地，第一重復(fù)單元包括任選取代的式(II)的重復(fù)單元
其中每一R選自氫或增溶基團(tuán)。
優(yōu)選地，第二重復(fù)單元不存在于聚合物內(nèi)。優(yōu)選地，在除了式(I)的重復(fù)單元以外的重復(fù)單元主鏈內(nèi)不存在含氮原子的重復(fù)單元。
優(yōu)選地，聚合物包括選自任選取代的芴、螺芴、茚并芴、亞苯基或低聚亞苯基中的進(jìn)一步的重復(fù)單元，優(yōu)選芴，更優(yōu)選9，9-二取代的芴-2，7-二基。
尤其優(yōu)選的進(jìn)一步的重復(fù)單元選自式(III)的任選取代的重復(fù)單元 其中每一R1獨(dú)立地選自任選取代的烷基、烷氧基、芳基和雜芳基。尤其優(yōu)選的取代基R1選自支鏈或直鏈的C1-10烷基和烴基芳基。
優(yōu)選地，每一R1獨(dú)立地選自含式(IV)的任選取代的殘基中的基團(tuán) 其中n＝1、2或3，和X是增溶基團(tuán)或氫。
優(yōu)選的增溶基團(tuán)X選自任選取代的烷基或烷氧基，更優(yōu)選丁基，最優(yōu)選正丁基。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明第一方面的聚合物包括小于50mol％，更優(yōu)選10-40mol％的式(II)的重復(fù)單元，其中每一R1是芳基。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明第一方面的聚合物包括選自任選取代的9，9-二烷基或9，9-二烷氧基-2，7-芴基中的進(jìn)一步的重復(fù)單元，更優(yōu)選9，9-二(正辛基)芴。
優(yōu)選地，本發(fā)明的聚合物能在400-500nm，最優(yōu)選430-500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)電致發(fā)光。
在第二方面中，本發(fā)明包括一種光學(xué)器件，它包括陽(yáng)極、陰極和位于陽(yáng)極與陰極之間的根據(jù)本發(fā)明第一方面的聚合物。
發(fā)現(xiàn)在器件中，效率的改進(jìn)尤其顯著，其中陰極具有相對(duì)高的功函(wf)，從而導(dǎo)致它成為相對(duì)差的電子注入體，例如鋇(wf＝2.7eV)、鍶(wf＝2.59eV)、和鈣(wf＝2.87eV)、(來(lái)源J.Appl.Phys.48(11)1997，4730)。因此，在本發(fā)明第二方面的優(yōu)選實(shí)施方案中，陰極包括高功函的金屬，優(yōu)選鋇，更優(yōu)選元素鋇。


參考附圖，僅僅作為實(shí)例的方式，進(jìn)一步詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的電致發(fā)光器件。
圖2示出了外部量子效率對(duì)聚合物胺含量作的圖表。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的聚合物優(yōu)選是含本發(fā)明的第一重復(fù)單元和進(jìn)一步的重復(fù)單元，尤其亞芳基共重復(fù)單元，如芴，尤其2，7-連接的9，9-二烷基芴或2，7-連接的9，9-二芳基芴；螺芴如2，7-連接的9，9-螺芴；茚并芴如2，7-連接的茚并芴；苯基如烷基或烷氧基取代的1，4-亞苯基；或可包括一個(gè)或大于一個(gè)雜芳基環(huán)的亞雜芳基重復(fù)單元，例如含三個(gè)共軛連接的重復(fù)單元的三聚體重復(fù)單元的共聚物。這些基團(tuán)中的每一種可被取代。優(yōu)選的亞芳基和亞雜芳基的進(jìn)一步的重復(fù)單元是沿著重復(fù)單元的主鏈完全共軛的那些，即在聚合物主鏈內(nèi)的進(jìn)一步的重復(fù)單元的任何一側(cè)上的兩個(gè)重復(fù)單元之間形成共軛連接的那些。
在例如WO00/55927和WO00/46321中公開(kāi)了合適的進(jìn)一步的重復(fù)單元的其它實(shí)例，其內(nèi)容在此通過(guò)參考將其引入。
本發(fā)明的聚合物可以是均聚物、共聚物、三元共聚物或更高序數(shù)的聚合物。
本發(fā)明的共聚物、三元共聚物或更高序數(shù)的聚合物包括規(guī)則交替、無(wú)規(guī)和嵌段聚合物，其中制備聚合物所使用的每一單體的百分?jǐn)?shù)可以變化。
為了容易加工，優(yōu)選聚合物可溶。可有用地選擇取代基如C1-10烷基或C1-10烷氧基，以給予聚合物在特定溶劑系統(tǒng)內(nèi)具有溶解度。典型的溶劑包括單-或多烷化的苯如甲苯和二甲苯或THF。
尤其適于由芳族單體制備共軛聚合物的兩種聚合技術(shù)是例如在WO00/53656中所述的Suzuki聚合，和在例如“Macromolecules”，31，1099-1103(1998)中所述的Yamamoto聚合。Suzuki聚合需要偶合鹵化物和硼衍生物的官能團(tuán)；Yamamoto聚合需要偶合鹵化物官能團(tuán)。因此，優(yōu)選每一單體具有兩個(gè)反應(yīng)性官能團(tuán)P，其中每一P獨(dú)立地選自(a)選自硼酸基、硼酸酯基和硼烷基中的硼衍生物官能團(tuán)，和(b)鹵化物官能團(tuán)。
參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)器件，尤其電致發(fā)光器件的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，包括透明玻璃或塑料基底1，和氧化錫銦陽(yáng)極2和陰極4。根據(jù)本發(fā)明的聚合物位于陽(yáng)極2和陰極4之間的層3內(nèi)。層3可包括單獨(dú)的本發(fā)明的聚合物或者多種聚合物。在沉積多種聚合物的情況下，它們可包括至少兩種空穴遷移聚合物和電子遷移聚合物，和其中器件是PLED的情況下，如WO99/48160中所述的發(fā)射聚合物的共混物?；蛘?，可由單一的聚合物形成層3，所述單一的聚合物包括選自兩個(gè)或多個(gè)空穴遷移區(qū)域、電子遷移區(qū)域和發(fā)射區(qū)域中的區(qū)域，例如如WO00/55927和US6353083中所述。通過(guò)獨(dú)立的聚合物或單一聚合物的獨(dú)立區(qū)域提供空穴遷移、電子遷移和發(fā)射各自的功能?；蛘?，可通過(guò)單一的區(qū)域或聚合物來(lái)行使大于一種的功能。特別地，單一聚合物或區(qū)域既能電荷遷移，又能發(fā)射。每一區(qū)域可包括單一的重復(fù)單元，例如三芳胺重復(fù)單元可以是空穴遷移區(qū)域?；蛘?，每一區(qū)域可以是重復(fù)單元的鏈，例如聚芴單元的鏈作為電子遷移區(qū)域?？裳刂酆衔镏麈?，例如根據(jù)US6353083，或者作為來(lái)自聚合物主鏈的側(cè)掛基團(tuán)，例如根據(jù)WO01/62869，提供在這一聚合物內(nèi)不同的區(qū)域。
除了層3以外，可提供獨(dú)立的空穴遷移層和/或電子遷移層。
盡管不是主要的，但在陽(yáng)極2和聚合物層3之間的有機(jī)空穴注入材料層(未示出)是所需的，這是因?yàn)樗o助空穴從陽(yáng)極注入到半導(dǎo)體聚合物的一層或多層內(nèi)。有機(jī)空穴注入材料的實(shí)例包括聚(乙烯二氧基噻吩)(PEDT/PSS)，例如在EP0901176和EP0947123中所述，或者聚苯胺，例如如US5723873和US5798170中所述。
陰極4選自具有允許電子注入到電致發(fā)光層內(nèi)的功函的材料。其它因素，如在陰極和電致發(fā)光材料之間不利的相互作用的可能性影響陰極的選擇。陰極可由單一材料如鋁層組成?；蛘?，它可包括多種金屬，例如如WO98/10621中所述鈣和鋁的雙層，例如如WO98/57381、Appl.Phys.Lett.2002，81(4)，634和WO02/84759中所述的元素鋇，或者如WO00/48258中所述的輔助電子注入的介電材料的薄層，例如氟化鋰，或者例如如Appl.Phys.Lett.2001，79(5)，2001中所述的氟化鋇。
典型的電致發(fā)光器件包括功函為4.8eV的陽(yáng)極。因此，空穴遷移區(qū)域的HOMO能級(jí)優(yōu)選為約4.8-5.5eV。類似地，典型的器件的陰極的功函為約3eV。因此，電子遷移區(qū)域的LUMO能級(jí)優(yōu)選約3-3.5eV。
電致發(fā)光器件可以是單色器件或者全色器件(即由紅色、綠色和藍(lán)色電致發(fā)光材料形成)。
實(shí)施例單體實(shí)施例根據(jù)下述流程制備本發(fā)明的單體 單體實(shí)施例M12，7-二溴-9，9-二苯基芴
2，7-二溴芴酮 在3升凸緣燒瓶?jī)?nèi)混合芴酮(100.006g，0.555mol)、五氧化磷(110.148g，0.776mol)和磷酸三甲酯(1200ml)。在機(jī)械攪拌下，快速添加在磷酸三甲酯(200ml)內(nèi)的溴溶液(63ml，1.23mol)。然后在120℃下加熱該透明溶液22小時(shí)。使混合物冷卻到室溫，然后傾倒在3升水內(nèi)。當(dāng)添加硫代硫酸鈉(50.045g)時(shí)，混合物變黃。維持?jǐn)嚢?小時(shí)，然后過(guò)濾黃色固體。在甲醇內(nèi)加熱該固體除去單溴化化合物并得到176.183g(通過(guò)HPLC分析98％純度，94％的產(chǎn)率)。
1H NMR(CDCl3)7.73(2H，d，J 2.0)，7.61(2H，dd，J 7.6，2.0)，7.36(2H，d，J 8.0)；13CNMR(CDCl3)142.3，137.5，135.3，127.9，123.3，121.8，109.8.
4，4`-二溴-2-羧酸-1，1`-聯(lián)苯 在2升凸緣燒瓶?jī)?nèi)放置2，7-二溴芴酮(120.526g，0.356mol)、氫氧化鉀(精細(xì)粉化的薄片，168.327g，3.000mol)和甲苯(600ml)。在120℃下加熱該混合物4小時(shí)，然后使之冷卻到室溫。添加水，在劇烈攪拌下使固體溶解(～2升)。除去綠色含水層，并用水2次洗滌黃色的甲苯層。用濃鹽酸酸化合并的含水層，然后過(guò)濾沉淀的固體，干燥，然后從甲苯中重結(jié)晶，得到100.547g灰白色晶體(79％產(chǎn)率)；1H NMR((CD3)2CO)8.00(1H，d，J 2.0)，7.77(1H，dd，J8.0，2.4)，7.57(2H，d，J 8.0)，7.34(1H，d，J 8.4)，7.29(2H.d，J 8.8)；13C NMR((CD3)2CO)167.1，140.4，139.8，134.2，133.5，132.8，132.7，131.2，130.6，121.4，121.1.
4，4`-二溴-2-羧酸-1，1`-聯(lián)苯的甲酯 在甲醇(700ml)和硫酸(15ml)內(nèi)懸浮4，4-二溴-2-羧酸聯(lián)苯(171.14g，0.481mol)和硫酸(15ml)，然后在80℃下加熱21小時(shí)。除去溶劑并在乙酸乙酯內(nèi)溶解該油狀物。用2N氫氧化鈉、水、飽和氯化鈉洗滌該溶液，在硫酸鎂上干燥，過(guò)濾并蒸發(fā)，得到橙色油狀物。用熱甲醇處理該油狀物，冷卻沉淀出酯并過(guò)濾。蒸發(fā)母液和固體重結(jié)晶，從而得到額外的產(chǎn)物。通過(guò)GCMS分析，酯為100％的純度，獲得123.27g(69％)的產(chǎn)率；1H NMR(CDCl3)7.99(1H，d，J 2.0)，7.64(1H，dd，J 8.0，1.6)，7.51(2H，d，J 8.4)，7.19(1H，d，J 8.8)，7.13(2H，d，J 8.8)，3.67(3H，8)；13C NMR(CDCl3)167.1，140.3，139.1，134.4，132.9，132.1，132.0，131.3，129.8，121.9，121.5，52.3；GCMS；M+＝3704，4`-二溴-2-二苯基醇-1，1`-聯(lián)苯 在干二乙醚(120ml)內(nèi)溶解4，4-二溴-2-甲酯聯(lián)苯(24.114g，65.1mmol)，并通過(guò)使用異丙醇/干冰浴冷卻該溶液到-60℃。然后逐滴添加苯基鋰(在環(huán)己烷醚內(nèi)的1.8M溶液，91ml)。攪拌混合物并使之溫?zé)岬绞覝?。?小時(shí)之后反應(yīng)完成。添加水(70ml)，然后用二乙醚洗滌含水層1次。用氯化鈉洗滌合并的有機(jī)相，在硫酸鎂上干燥，過(guò)濾并蒸發(fā)，得到黃色粉末。從異丙醇中重結(jié)晶得到19g白色固體(59％產(chǎn)率)；GC-MS(m/z，相對(duì)強(qiáng)度％)494(M+，100)；1H NMR(CDCl3)7.43(1H，dd，J 8.4，2.4)，7.28(8H，m)，7.23(2H，d，J 8.0)，7.11(4H，m)，6.99(1H，d，J 2.4)，6.94(1H，d，J 6.4)，6.61(2H，d，J 8.4)；13C NMR(CDCl3)147.5，146.7，140.3，139.3，134.0，133.0，131.2，131.1，130.3，128.2，128.1，127.8，121.8，121.3，83.2.
2，7-二溴-9，9-二苯基芴 攪拌醇(69.169g，140mmol)和冰醋酸(450ml)，并加熱回流，然后逐滴添加濃鹽酸(0.5ml)。當(dāng)加完時(shí)，加熱混合物1小時(shí)，然后冷卻。將反應(yīng)混合物傾倒在水(500ml)內(nèi)，之后過(guò)濾掉固體。從乙酸正丁酯中重結(jié)晶白色固體3次，得到20.03g所需的產(chǎn)物(通過(guò)HPLC分析99.59％，30％產(chǎn)率)。
1H NMR(CDCl3)，δ/ppm7.58(2H，d，J 7.6)，7.49(2H，d，1.2)，7.48(2H，dd，1.6)，7.25(6H，m)，7.14(4H，m).
13C NMR(CDCl3)，δ/ppm153.2，144.6，138.3，131.1，129.6，128.7，128.2，127.4，122.0，121.7，65.8.
單體實(shí)施例M2-M4根據(jù)以上列出的流程和通用的實(shí)驗(yàn)工藝制備下表詳述的具有Ar基的單體。由相應(yīng)的芳基溴化物制備在表中所示的相應(yīng)于Ar基的芳基鋰化合物。
聚合物實(shí)施例P1根據(jù)WO00/53656的工藝，通過(guò)使用9，9-二正辛基芴-2，7-二(乙烯基硼酸酯)(0.65當(dāng)量)、2.7-二溴-9，9-二苯基芴(0.30當(dāng)量)和N，N`-二(4-溴苯基)-N，N`-二(4-正丁基苯基)-1，4-二氨基苯(0.05當(dāng)量)，制備本發(fā)明的藍(lán)色電致發(fā)光聚合物，得到聚合物P1 器件實(shí)施例通過(guò)旋涂，在承載于玻璃基底上的氧化錫銦(獲自美國(guó)的AppliedFilms，Colorado)上沉積PEDT/PSS層(以Baytron P形式獲自Bayer)。通過(guò)旋涂，由二甲苯溶液在PEDT/PSS層上沉積聚合物P1層。在聚合物P1上通過(guò)蒸發(fā)沉積由鋇的第一層和銀的第二覆蓋層組成的陰極。
為了比較的目的，制備相同的器件，所不同的是改變PFB重復(fù)單元的摩爾比。可看出，在胺含量為10％或更低時(shí)的壽命顯著高于大于10％的那些。

此外，根據(jù)圖2可看出，在等于或低于10％的摩爾比下效率顯著較高。
在不希望受到任何理論束縛的情況下，采用鋇陰極的效率改進(jìn)認(rèn)為是本發(fā)明聚合物的低空穴遷移能力所致，其中所述低空穴遷移能力來(lái)自數(shù)量較低的式(I)的重復(fù)單元。鋇是相對(duì)差的電子注入體，因此與本發(fā)明材料的較低的空穴電流相匹配。
盡管用具體的例舉實(shí)施方案描述了本發(fā)明，但要理解，此處所公開(kāi)的特征的各種改性、改變和/或結(jié)合對(duì)熟練本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的，且沒(méi)有脫離以下權(quán)利要求所列出的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種聚合物，它包括下式(I)的第一重復(fù)單元 其中每一Ar獨(dú)立地選自任選取代的芳基或雜芳基，和式(I)的基團(tuán)以小于或等于10％的摩爾比存在，和任選地，在化學(xué)式-Ar-N(Ar)-Ar-的主鏈內(nèi)具有不大于5％摩爾比的單個(gè)氮原子的第二任選取代的重復(fù)單元。
2.權(quán)利要求1的聚合物，其中第一重復(fù)單元包括任選取代的式(II)的重復(fù)單元 其中每一R獨(dú)立地選自氫或增溶基團(tuán)。
3.權(quán)利要求1或2的聚合物，其中第二重復(fù)單元不存在于聚合物內(nèi)。
4.權(quán)利要求1-3任何一項(xiàng)的聚合物，它包括選自任選取代的芴、螺芴、茚并芴、亞苯基或低聚亞苯基中的進(jìn)一步的重復(fù)單元。
5.權(quán)利要求4的聚合物，其中進(jìn)一步的重復(fù)單元選自式(III)的任選取代的重復(fù)單元 其中每一R1獨(dú)立地選自任選取代的烷基、烷氧基、芳基和雜芳基。
6.權(quán)利要求5的聚合物，其中取代基R1選自支鏈或直鏈的C1-10烷基和烴基芳基。
7.權(quán)利要求5或6的聚合物，其中每一R1是式(IV)的任選取代的殘基 其中n＝1、2或3，和X是增溶基團(tuán)或氫。
8.權(quán)利要求7的聚合物，其中每一X獨(dú)立地選自任選取代的烷基或烷氧基，優(yōu)選丁基。
9.權(quán)利要求5-8任何一項(xiàng)的聚合物，它包括小于50mol％，更優(yōu)選10-40mol％式(III)的重復(fù)單元，其中每一R1是芳基。
10.權(quán)利要求9的聚合物，它包括選自任選取代的9，9-二烷基或9，9-二烷氧基-2，7-芴基中的進(jìn)一步的重復(fù)單元。
11.一種光學(xué)器件，它包括陽(yáng)極、陰極，和位于陽(yáng)極與陰極之間的前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的聚合物。
12.權(quán)利要求11的光學(xué)器件，其中陰極包括含鋇的層。
13.權(quán)利要求12的光學(xué)器件，其中陰極包括含元素鋇的層。
14.權(quán)利要求11-13任何一項(xiàng)的光學(xué)器件，它是電致發(fā)光器件。
15.權(quán)利要求11-14任何一項(xiàng)的光學(xué)器件，它能在400-500nm，優(yōu)選430-500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)電致發(fā)光。
16.權(quán)利要求11-15任何一項(xiàng)的光學(xué)器件，其中權(quán)利要求1的聚合物不是組分的共混物。
17.權(quán)利要求11-16任何一項(xiàng)的光學(xué)器件，它是含紅色、綠色和藍(lán)色電致發(fā)光材料的全色電致發(fā)光器件。
18.權(quán)利要求17的光學(xué)器件，其中藍(lán)色電致發(fā)光材料是權(quán)利要求1-10任何一項(xiàng)的聚合物。
全文摘要
一種聚合物，它包括式(I)的第一重復(fù)單元，其中每一Ar獨(dú)立地選自任選取代的芳基或雜芳基，和式(I)的基團(tuán)以小于或等于10％的摩爾比存在，和任選地，在化學(xué)式－Ar－N(Ar)－Ar－的主鏈內(nèi)具有不大于5％摩爾比的單個(gè)氮原子的第二任選取代的重復(fù)單元。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1761693SQ200480007606
公開(kāi)日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2004年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月20日
發(fā)明者B·蒂爾尼, I·格里齊, C·福登, N·帕特爾, M·利德比特 申請(qǐng)人:劍橋顯示技術(shù)有限公司