專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光顯示面板(organic electroluminescent displaypanel)，尤指一種藉由增加布局面積(layout area)使用率以改善發(fā)光不均勻現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光顯示面板。
背景技術(shù)：
在平面顯示器中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器雖然起步較液晶顯示器(LCD)晚，但卻以具備自發(fā)光、廣視角、回應(yīng)速度快、低耗電量、對(duì)比強(qiáng)、亮度高、厚度薄、可全彩化、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及操作環(huán)境溫度范圍大等優(yōu)點(diǎn)，已逐漸在中、小尺寸便攜式顯示器領(lǐng)域中受到矚目。尤其是在經(jīng)過(guò)業(yè)界以及學(xué)界鍥而不舍的研發(fā)之后，一些之前所無(wú)法解決的問(wèn)題，例如工藝不良率過(guò)高、罩幕應(yīng)用不良、封蓋(cap seal)作業(yè)不穩(wěn)定等，目前已經(jīng)有了突破性的發(fā)展，放眼未來(lái)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器甚至可望被應(yīng)用于大尺寸的顯示器領(lǐng)域。
而在分析有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的未來(lái)發(fā)展時(shí)，則必須先了解其驅(qū)動(dòng)方式。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器本身為一電流驅(qū)動(dòng)元件，其發(fā)光亮度乃根據(jù)通過(guò)電流的大小來(lái)決定，目前將有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode，OLED)應(yīng)用在矩陣式顯示器(matrix display)上時(shí)，即是藉由控制OLED驅(qū)動(dòng)電流的大小，來(lái)達(dá)到顯示不同亮度(又稱(chēng)為灰階值)的效果。根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式的差異，矩陣式顯示器可分為被動(dòng)式矩陣(passive matrix)顯示器與主動(dòng)式矩陣(active matrix)顯示器兩種。被動(dòng)式矩陣顯示器是采用循序驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)的方式，逐一驅(qū)動(dòng)位于不同行/列上的像素，因此每一行/列上的像素的發(fā)光時(shí)間會(huì)受限于顯示器的掃描頻率以及掃描線(xiàn)數(shù)目，較不適用于大畫(huà)面以及高解析度(表示掃描線(xiàn)增加)的顯示器。主動(dòng)式矩陣顯示器則是于每一個(gè)像素中形成獨(dú)立的像素電路，包括一電容器(capacitor，Cs)，一OLED發(fā)光元件，以及至少二薄膜晶體管(thin-film transistor，TFT)，以利用像素電路來(lái)調(diào)節(jié)OLED的驅(qū)動(dòng)電流的大小，以期在大畫(huà)面以及高解析度的要求下，仍然可以持續(xù)提供每一像素一穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)電流，并改善顯示面板的發(fā)光均勻性。
請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一有機(jī)發(fā)光顯示面板10的上示圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示面板10包含有二外部電源線(xiàn)(powerline)12、14，外部電源線(xiàn)12、14分別被電性連接至VSS電壓源以及VDD電壓源，且外部電源線(xiàn)14又分別被電性連接至各內(nèi)部電源線(xiàn)16。在圖1中是以一480×180像素的面板為例，因此外部電源線(xiàn)14被電性連接至180條水平的內(nèi)部電源線(xiàn)16。由于電源線(xiàn)14、16的本身具有阻抗，會(huì)產(chǎn)生不預(yù)期的壓降，因此圖1中的有機(jī)發(fā)光顯示面板10將會(huì)有由左至右以及由下至上越來(lái)越暗的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)光不均勻的問(wèn)題。
請(qǐng)參考圖2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)的一有機(jī)發(fā)光顯示面板20的上示圖。如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示面板20亦包含有二外部電源線(xiàn)(powerline)22、24，外部電源線(xiàn)22、24分別被電性連接至VSS電壓源以及VDD電壓源，且外部電源線(xiàn)24又分別被電性連接至各內(nèi)部電源線(xiàn)26。在圖2中是以一480×180像素的面板為例，因此外部電源線(xiàn)24被電性連接至480條垂直的內(nèi)部電源線(xiàn)26。同樣地，由于電源線(xiàn)24、26的本身具有阻抗，會(huì)產(chǎn)生不預(yù)期的壓降，因此圖2中的有機(jī)發(fā)光顯示面板20也會(huì)產(chǎn)生由左至右以及由下至上越來(lái)越暗的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)光不均勻的問(wèn)題。
在圖1或是圖2所示的有機(jī)發(fā)光顯示面板10、20中，這種現(xiàn)象尤其是以外部電源線(xiàn)14、24特別嚴(yán)重。其原因在于外部電源線(xiàn)14、24上流過(guò)的電流較內(nèi)部電源線(xiàn)16、26來(lái)得大，以理論上來(lái)說(shuō)，圖1中外部電源線(xiàn)14上流過(guò)的電流為內(nèi)部電源線(xiàn)16的180倍，而圖2中外部電源線(xiàn)24上流過(guò)的電流為內(nèi)部電源線(xiàn)26的480倍。因此，當(dāng)線(xiàn)路的阻抗效應(yīng)產(chǎn)生時(shí)，所產(chǎn)生的壓降也相對(duì)可觀，并衍生出發(fā)光不均勻的現(xiàn)象。然而，以現(xiàn)今的發(fā)展趨勢(shì)而言，大尺寸面板已是潮流所在，此種由電流經(jīng)由阻抗所造成的發(fā)光不均勻現(xiàn)象，隨著尺寸越大只會(huì)更加嚴(yán)重。以現(xiàn)今既有的電源供應(yīng)方式而言，不僅無(wú)法解決目前的問(wèn)題，也無(wú)法符合未來(lái)的所需。
請(qǐng)參考圖3，圖3為一有機(jī)發(fā)光顯示面板30的等效電路示意圖。如圖3所示，有機(jī)發(fā)光顯示面板30中，包含有多個(gè)像素32，每一個(gè)像素32中，又包含有一開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(switch TFT)34，一電容(capacitor)36，一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(driver TFT)38以及一有機(jī)發(fā)光二極管42。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管34的一源極44連接至一數(shù)據(jù)線(xiàn)(Data Line)46，一柵極48連接至一掃描線(xiàn)(scanline)52，一漏極54連接至電容36的負(fù)電極56以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管38的柵極58，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管38的一漏極62以及電容36的正電極64連接至一內(nèi)部電源線(xiàn)66，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管38的一源極68連接至有機(jī)發(fā)光二極管42的一陽(yáng)極(anode，未顯示)，而有機(jī)發(fā)光二極管42的一陰極(cathode，未顯示)連接至VSS電壓。
于現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)考量實(shí)際的布局情形時(shí)，可以發(fā)現(xiàn)發(fā)光面積(與有機(jī)發(fā)光二極管面積同)、電容36面積以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管38面積幾乎占了整個(gè)像素32的全部面積。請(qǐng)參考圖4，圖4為圖3的有機(jī)發(fā)光顯示面板30依照現(xiàn)有技術(shù)布局時(shí)的部分剖面示意圖。如圖4所示，現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示面板30中，包含有圖3的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管38以及有機(jī)發(fā)光二極管42。柵極58設(shè)置于一基板76之上，一柵極絕緣層(gate insulating layer，GI)78設(shè)置于基板76之上并覆蓋住柵極58，一半導(dǎo)體層82設(shè)置于部分的柵極絕緣層78之上，漏極62設(shè)置于部分的半導(dǎo)體層82以及柵極絕緣層78之上，以及源極68設(shè)置于部分的半導(dǎo)體層84以及柵極絕緣層82之上，且漏極62與源極68不相連(not connect)。一透明導(dǎo)電層84設(shè)置于部分的柵極絕緣層78之上，用來(lái)作為有機(jī)發(fā)光二極管42的陽(yáng)極(anode)，并與源極68相連，有機(jī)發(fā)光二極管42中另包含有一有機(jī)薄膜(未顯示)以及一用來(lái)作為陰極(cathode)的金屬層(未顯示)。一介電層86設(shè)置于基板76之上并覆蓋住源極68、漏極62、半導(dǎo)體層82、柵極絕緣層78以及部分的透明導(dǎo)電層84。于圖4中，可以清楚發(fā)現(xiàn)電容36并未示于圖中，此乃由于現(xiàn)有技術(shù)為一平面結(jié)構(gòu)(planer structure)，電容36設(shè)置的位置與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管38以及有機(jī)發(fā)光二極管42設(shè)置的位置為獨(dú)立分開(kāi)，故沒(méi)有顯示的必要。
以實(shí)務(wù)而言，若能增加發(fā)光面積，對(duì)各像素的發(fā)光亮度將會(huì)有正面的影響，并可以彌補(bǔ)前述電源供應(yīng)不足的問(wèn)題。但是，在目前的布局方式下，卻存在著先天上的限制。此乃由于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管38與有機(jī)發(fā)光二極管42的總面積是固定的，并且驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管38面積與有機(jī)發(fā)光二極管42面積又分別與其壽命(life-time)有絕對(duì)的關(guān)連。這意味著，在兩者總面積固定的前提下，兩者的壽命無(wú)法被同時(shí)增加，當(dāng)其中一者的面積被增加時(shí)，其壽命將會(huì)被增加，但另一者的壽命勢(shì)必被減短。
因此，如何能發(fā)展出一種新的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其布局方式不僅可以允許電源被穩(wěn)定供應(yīng)，以改善發(fā)光不均勻的現(xiàn)象，又可以增加面積使用率以增加發(fā)光面積以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管面積，進(jìn)而延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光二極管以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的壽命，便成為十分重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，尤指一種可以穩(wěn)定供應(yīng)Vdd電源，并藉由增加布局面積使用率以改善發(fā)光不均勻現(xiàn)象的有機(jī)發(fā)光顯示面板。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，該面板包含有一基板，該基板之上定義有多個(gè)像素區(qū)域，各該像素區(qū)域內(nèi)分別定義有一薄膜晶體管區(qū)域。一導(dǎo)電層設(shè)置于部分的各該薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)，一薄膜晶體管分別設(shè)置于各該薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)，且該薄膜晶體管中包含有一柵極，以及至少一介電層設(shè)置于該導(dǎo)電層以及該柵極之間。其中該導(dǎo)電層、該柵極以及該介電層構(gòu)成一電容。
由于本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示面板利用整片的導(dǎo)電層來(lái)作為電容的正極板，并將其設(shè)置于底柵極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之下，或是在頂柵極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的上方或是漏極端，設(shè)置作為電容正極板的導(dǎo)電層，再將導(dǎo)電層電性連接至VDD電源，以形成由上下堆疊的柵極、介電層以及導(dǎo)電層所構(gòu)成的電容。如此一來(lái)，不僅VDD電源的供應(yīng)較為穩(wěn)定，可改善現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光不均勻的問(wèn)題，同時(shí)在此種布局方式下，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管的總面積亦可因?yàn)槎询B式的電容而增加，使發(fā)光面積與開(kāi)口率(aperture ratio)增加，并可將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管設(shè)計(jì)成為具有較大的溝道寬度/溝道長(zhǎng)度比(W/L ratio)，進(jìn)而延長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管的壽命。另外，當(dāng)導(dǎo)電層為一整片時(shí)，阻抗將會(huì)大為降低，對(duì)Vdd電源供應(yīng)的穩(wěn)定性以及均勻性的改善，更有非常明顯的幫助。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一有機(jī)發(fā)光顯示面板的上示圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的一有機(jī)發(fā)光顯示面板的上示圖；圖3為一有機(jī)發(fā)光顯示面板的等效電路示意圖；圖4為圖3的有機(jī)發(fā)光顯示面板依照現(xiàn)有技術(shù)布局時(shí)的部分剖面示意圖；
圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的一有機(jī)發(fā)光顯示面板的部分剖面示意圖；圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的一有機(jī)發(fā)光顯示面板的部分剖面示意圖；圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例的一有機(jī)發(fā)光顯示面板的部分剖面示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明10、20、30、100、200、300有機(jī)發(fā)光顯示面板12、14、22、24外部電源線(xiàn) 16、26內(nèi)部電源線(xiàn)32像素34開(kāi)關(guān)薄膜晶體管36、132、242、342電容38、108、204、304驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管42有機(jī)發(fā)光二極管44、68、124、208、308源極46數(shù)據(jù)線(xiàn)48、58、112、216、316柵極52、62掃描線(xiàn)54、118、212、312漏極56負(fù)電極 64正電極66內(nèi)部電源線(xiàn)76、102、202、302基板78、114、214、314柵極絕緣層82、116半導(dǎo)體層 84透明導(dǎo)電層86、106、128、218、318介電層103、203、303薄膜晶體管區(qū)域104、226、324導(dǎo)電層 122、334接觸孔125、229、327二極管區(qū)域126、234、332透明電極 206、306多晶硅層238、232、328、336絕緣層222、322第一接觸插塞 224、326第二接觸插塞228第一接觸孔 236第二接觸孔具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖5，圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的一有機(jī)發(fā)光顯示面板100的部分剖面示意圖。如圖5所示，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示面板100包含有一基板102，基板102為一由透光的材質(zhì)所構(gòu)成的絕緣基板，通常為一玻璃基板、一石英基板或是一塑膠基板，且基板102的表面另包含有一薄膜晶體管區(qū)域103。一導(dǎo)電層104設(shè)置于基板102的表面，并覆蓋住全部的薄膜晶體管區(qū)域103，或是部分的薄膜晶體管區(qū)域103。導(dǎo)電層104包含有一金屬層、一氧化銦錫層(indium tin oxide layer，ITO layer)或是一氧化銦鋅層(indiumzinc oxide layer，IZO layer)。一介電層106設(shè)置于基板102的表面，并覆蓋住導(dǎo)電層104，一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管108設(shè)置于薄膜晶體管區(qū)域103內(nèi)，并位于導(dǎo)電層104的上方。
驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管108包含有一柵極112設(shè)置于介電層106的表面，柵極112由金屬材質(zhì)所構(gòu)成。一柵極絕緣層114設(shè)置于基板102的表面，并覆蓋住柵極112以及介電層106，一半導(dǎo)體層116設(shè)置于部分的柵極絕緣層114之上，一漏極118設(shè)置于部分的半導(dǎo)體層116以及柵極絕緣層114之上，且漏極118經(jīng)由至少一接觸孔122被電性連接至導(dǎo)電層104，以及一源極124設(shè)置于部分的半導(dǎo)體層116以及柵極絕緣層114之上，源極124與漏極118不相連。
基板102的表面另包含有一二極管區(qū)域125，二極管區(qū)域125內(nèi)設(shè)置有一有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)。一用來(lái)作為有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)的陽(yáng)極的透明電極126設(shè)置于柵極絕緣層114之上，且透明電極126與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管108的源極124相連，有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)另包含有一有機(jī)薄膜(未顯示)以及一用來(lái)作為陰極的金屬層(未顯示)。一介電層128設(shè)置于基板102之上并覆蓋住源極124、漏極118、半導(dǎo)體層116、柵極絕緣層114以及部分的透明電極126。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管108電性連接至有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)以控制有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)的發(fā)光亮度。此外，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管108包含有一N型薄膜晶體管或是一P型薄膜晶體管。
由于導(dǎo)電層104被電性連接至VDD電壓源，因此與導(dǎo)電層104電性連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管108的漏極118亦被電性連接至VDD電位。于圖5中可以明顯的看到，上下堆疊的導(dǎo)電層104、介電層106以及柵極112構(gòu)成一電容132，導(dǎo)電層104為電容132的正電極，柵極112為電容132的負(fù)電極，而介電層106為電容132的電容介電層(capacitor dielectric layer)。
值得一提的是，本實(shí)施例中是以一個(gè)像素作為單位來(lái)做說(shuō)明，事實(shí)上，各像素內(nèi)的導(dǎo)電層104系為相連，即導(dǎo)電層104可視為一整層，阻抗也因而大為降低。就電源供應(yīng)的觀點(diǎn)而言，這樣的結(jié)構(gòu)使Vdd的供應(yīng)非常穩(wěn)定均勻，對(duì)大尺寸面板整體發(fā)光亮度均勻性的改善，有莫大的幫助。同時(shí)，由于電容132設(shè)置于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管108以及介電層128之下，可產(chǎn)生屏蔽效應(yīng)，被外界環(huán)境因素所干擾的幾率因而降低。
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不僅可以應(yīng)用于第一實(shí)施例中的底柵極(bottom gate)結(jié)構(gòu)，亦可以應(yīng)用于第二、第三實(shí)施例中的頂柵極(top gate)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖6，圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的一有機(jī)發(fā)光顯示面板200的部分剖面示意圖。如圖6所示，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示面板200包含有一基板202，基板202為一由透光的材質(zhì)所構(gòu)成的絕緣基板，通常為一玻璃基板、一石英基板或是一塑膠基板，且基板202的表面另包含有一薄膜晶體管區(qū)域203，一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管204設(shè)置于薄膜晶體管區(qū)域203內(nèi)。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管204包含有一多晶硅層206設(shè)置于基板202上，多晶硅層206中包含有一源極208以及一漏極212，一柵極絕緣層214設(shè)置于基板202之上并覆蓋住多晶硅層206，一柵極216設(shè)置于部分的柵極絕緣層214之上，至少一介電層218設(shè)置于基板202之上并覆蓋住柵極216以及柵極絕緣層214，一第一接觸插塞222設(shè)置于介電層218以及柵極絕緣層214內(nèi)并且被電性連接至漏極212，以及一第二接觸插塞224設(shè)置于絕緣層218以及柵極絕緣層214內(nèi)并且被電性連接至源極208，一導(dǎo)電層226經(jīng)由至少一第一接觸孔228被電性連接至第一接觸插塞222。
基板202的表面另包含有一二極管區(qū)域229，二極管區(qū)域229內(nèi)設(shè)置有一有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)。一絕緣層232設(shè)置于基板202之上并覆蓋住導(dǎo)電層226以及介電層218，一用來(lái)作為有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)的陽(yáng)極的透明電極234設(shè)置于絕緣層232之上，且透明電極234經(jīng)由至少一第二接觸孔236被電性連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管204的源極208，有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)另包含有一有機(jī)薄膜(未顯示)以及一用來(lái)作為陰極的金屬層(未顯示)。一絕緣層238設(shè)置于基板202之上并覆蓋住絕緣層232以及部分的透明電極234。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管204電性連接至有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)以控制有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)的發(fā)光亮度。此外，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管204包含有一N型薄膜晶體管或是一P型薄膜晶體管。
由于導(dǎo)電層226被電性連接至VDD電壓源，因此與導(dǎo)電層226電性連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管204的漏極212亦被電性連接至VDD電位。于圖6中可以明顯的看到，上下堆疊的導(dǎo)電層226、介電層218以及柵極216構(gòu)成一電容242，導(dǎo)電層226為電容242的正電極，柵極216為電容242的負(fù)電極，而介電層218為電容242的電容介電層。
請(qǐng)參考圖7，圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例的一有機(jī)發(fā)光顯示面板300的部分剖面示意圖。如圖7所示，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示面板300包含有一基板302，基板302為一由透光的材質(zhì)所構(gòu)成的絕緣基板，通常為一玻璃基板、一石英基板或是一塑膠基板，且基板302的表面另包含有一薄膜晶體管區(qū)域303，一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管304設(shè)置于薄膜晶體管區(qū)域303內(nèi)。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管304包含有一多晶硅層306設(shè)置于基板302之上，且多晶硅層306內(nèi)包含有一源極308以及一漏極312。一柵極絕緣層314設(shè)置于基板302之上并覆蓋住多晶硅層306，一柵極316設(shè)置于部分的柵極絕緣層314之上，至少一介電層318設(shè)置于基板302之上并覆蓋住柵極316以及柵極絕緣層314，一第一接觸插塞322設(shè)置于介電層318以及柵極絕緣層314內(nèi)并且被電性連接至源極308，以及一導(dǎo)電層324經(jīng)由至少一設(shè)置于介電層318以及柵極絕緣層314內(nèi)的第二接觸插塞326被電性連接至漏極312。其中，導(dǎo)電層324與第二接觸插塞326經(jīng)由圖案化同一金屬層(未顯示)所形成。
基板302的表面另包含有一二極管區(qū)域327，二極管區(qū)域327內(nèi)設(shè)置有一有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)。一絕緣層328設(shè)置于基板302之上并覆蓋住導(dǎo)電層324以及介電層318，一用來(lái)作為有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)的陽(yáng)極的透明電極332設(shè)置于絕緣層328之上，且透明電極332經(jīng)由至少一接觸孔334被電性連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管304的源極308，有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)另包含有一有機(jī)薄膜(未顯示)以及一用來(lái)作為陰極的金屬層(未顯示)。一絕緣層336設(shè)置于基板302之上并覆蓋住絕緣層328以及部分的透明電極332。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管304電性連接至有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)以控制有機(jī)發(fā)光二極管(未顯示)的發(fā)光亮度。此外，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管304包含有一N型薄膜晶體管或是一P型薄膜晶體管。
由于導(dǎo)電層324被電性連接至VDD電壓源，因此與導(dǎo)電層324電性連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管304的漏極312亦被電性連接至VDD電位。于圖7中可以明顯的看到，上下堆疊的導(dǎo)電層324、介電層318以及柵極316構(gòu)成一電容342，導(dǎo)電層324為電容342的正電極，柵極316為電容342的負(fù)電極，而介電層318為電容342的電容介電層。
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)并不限于被應(yīng)用在有機(jī)發(fā)光顯示面板，事實(shí)上，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)亦可以被應(yīng)用于其他的自發(fā)光面板，只要能利用本發(fā)明方法來(lái)穩(wěn)定電源供應(yīng)，并且增加布局面積使用率，都涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
由于本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示面板，是利用整片的導(dǎo)電層來(lái)作為電容的正極板，并將其設(shè)置于底柵極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之下，或是在頂柵極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的上方或是漏極端，設(shè)置作為電容正極板的導(dǎo)電層，再將導(dǎo)電層電性連接至VDD電源，以形成由上下堆疊的柵極、介電層以及導(dǎo)電層所構(gòu)成的電容。不僅VDD電源的供應(yīng)較為穩(wěn)定，可改善現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光不均勻的問(wèn)題。在此種布局方式下，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管的總面積亦因而增加，以增加發(fā)光面積與開(kāi)口率，以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道寬度/溝道長(zhǎng)度比(W/L ratio)，進(jìn)而延長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管的壽命。利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)于一實(shí)際生產(chǎn)線(xiàn)時(shí)，將可以制作出具有優(yōu)良整體發(fā)光均勻度以及長(zhǎng)壽命的大尺寸面板。
相較于現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光顯示面板，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示面板利用整片的導(dǎo)電層來(lái)作為電容的正極板，并將其設(shè)置于底柵極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之下，或是在頂柵極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的上方或是漏極端，設(shè)置作為電容正極板的導(dǎo)電層，再將導(dǎo)電層電性連接至VDD電源，以形成由上下堆疊的柵極、介電層以及導(dǎo)電層所構(gòu)成的電容。如此一來(lái)，不僅VDD電源的供應(yīng)較為穩(wěn)定，可改善現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光不均勻的問(wèn)題，同時(shí)在此種布局方式下，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管的總面積亦可因?yàn)槎询B式的電容而增加，使發(fā)光面積與開(kāi)口率(aperture ratio)增加，并可將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管設(shè)計(jì)成為具有較大的溝道寬度/溝道長(zhǎng)度比(W/L ratio)，進(jìn)而延長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及有機(jī)發(fā)光二極管的壽命。此外，當(dāng)導(dǎo)電層為一整片時(shí)，阻抗將會(huì)大為降低，對(duì)Vdd電源供應(yīng)的穩(wěn)定性以及均勻性的改善，會(huì)有非常明顯的幫助。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明專(zhuān)利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，包含有一基板，該基板之上定義有多個(gè)像素區(qū)域，且各該像素區(qū)域之內(nèi)分別定義有一薄膜晶體管區(qū)域；一導(dǎo)電層設(shè)置于部分的各該薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)；一薄膜晶體管分別設(shè)置于各該薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)，該薄膜晶體管中包含有一柵極；以及至少一介電層設(shè)置于該導(dǎo)電層以及該柵極之間；其中該導(dǎo)電層、該柵極以及該介電層構(gòu)成一電容。
2.如權(quán)利要求1的面板，其中該基板為一透明基板，且該基板包含有一玻璃基板、一塑膠基板或是一石英基板，該導(dǎo)電層包含有一金屬層、一氧化銦錫層或是一氧化銦鋅層。
3.如權(quán)利要求1的面板，其中該薄膜晶體管包含有一N型薄膜晶體管或是一P型薄膜晶體管，且該薄膜晶體管用來(lái)作為一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求1的面板，其中該導(dǎo)電層被電性連接至VDD電壓源。
5.如權(quán)利要求1的面板，其中各該像素區(qū)域內(nèi)的各導(dǎo)電層為相連，且該導(dǎo)電層位于該柵極的下方。
6.如權(quán)利要求5的面板，其中該薄膜晶體管另包含有一柵極絕緣層設(shè)置于該柵極以及該介電層之上；一半導(dǎo)體層設(shè)置于部分的該柵極絕緣層之上；一漏極設(shè)置于部分的該半導(dǎo)體層以及該柵極絕緣層之上，且該漏極經(jīng)由至少一接觸孔被電性連接至該導(dǎo)電層；以及一源極設(shè)置于部分的該半導(dǎo)體層以及該柵極絕緣層之上，且該源極與該漏極是不相連。
7.如權(quán)利要求1的面板，其中該導(dǎo)電層位于該柵極的上方。
8.如權(quán)利要求7的面板，其中該薄膜晶體管另包含有一多晶硅層設(shè)置于該基板之上，且該多晶硅層之內(nèi)包含有一源極以及一漏極；一柵極絕緣層設(shè)置于該基板之上并覆蓋住該多晶硅層；該柵極設(shè)置于部分的該柵極絕緣層之上；該介電層設(shè)置于該柵極以及該柵極絕緣層之上；一第一接觸插塞設(shè)置于該介電層以及該柵極絕緣層之內(nèi)并被電性連接至該漏極，且該第一接觸插塞經(jīng)由至少一接觸孔被電性連接至該導(dǎo)電層；以及一第二接觸插塞設(shè)置于該介電層以及該柵極絕緣層之內(nèi)并且被電性連接至該源極。
9.如權(quán)利要求7的面板，其中該薄膜晶體管另包含有一多晶硅層設(shè)置于該基板之上，且該多晶硅層之內(nèi)包含有一源極以及一漏極；一柵極絕緣層設(shè)置于該基板之上并覆蓋住該多晶硅層；該柵極設(shè)置于部分的該柵極絕緣層之上；該介電層設(shè)置于該柵極以及該柵極絕緣層之上；一第一接觸插塞設(shè)置于該介電層以及該柵極絕緣層之內(nèi)并且被電性連接至該源極；以及該導(dǎo)電層直接連接至該漏極。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一有機(jī)發(fā)光顯示面板，其包含有一定義有多個(gè)像素區(qū)域的基板，各像素區(qū)域內(nèi)分別定義有一薄膜晶體管區(qū)域。一導(dǎo)電層設(shè)置于部分的各薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)，一包含有一柵極的薄膜晶體管分別設(shè)置于各薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)，以及至少一介電層設(shè)置于導(dǎo)電層以及柵極之間。導(dǎo)電層、柵極以及介電層構(gòu)成一電容。
文檔編號(hào)H05B33/12GK1558703SQ20041000502
公開(kāi)日2004年12月29日 申請(qǐng)日期2004年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月12日
發(fā)明者李國(guó)勝 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司