專(zhuān)利名稱：配線基板、顯示裝置、及配線基板的制造方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及AV設(shè)備及OA設(shè)備等的電子裝置中具備的、進(jìn)行各種信號(hào)的傳送的配線基板、具備其配線基板的顯示裝置、及配線基板的制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置等的平面面板型的顯示裝置，由進(jìn)行圖象顯示的顯示區(qū)域、及設(shè)置于其周邊部的周邊區(qū)域構(gòu)成。顯示區(qū)域，是進(jìn)行圖象等的顯示的區(qū)域，具有產(chǎn)生電氣光學(xué)效果及電場(chǎng)發(fā)光效果的顯示媒體(例如，液晶顯示裝置時(shí)為液晶層，EL顯示裝置時(shí)為EL層)。此外，在前述顯示區(qū)域，為了將顯示信號(hào)傳送到顯示媒體，在基板上存在被配設(shè)成矩陣狀的電氣配線。另外，周邊區(qū)域，指顯示區(qū)域的外周區(qū)域，是形成在顯示區(qū)域被配設(shè)成為矩陣狀的電氣配線的引出電極、以及形成顯示需要的周邊電氣配線的區(qū)域。
一般，驅(qū)動(dòng)顯示裝置用的驅(qū)動(dòng)IC，通過(guò)COG(Chip On Grass)安裝方式及TCP(Tape Carrier Package)安裝方式，與周邊區(qū)域連接安裝。
作為其中一例，圖8(a)，是通過(guò)TCP安裝方式連接驅(qū)動(dòng)IC的液晶顯示裝置的概略圖。圖8(b)，是更詳細(xì)地表示圖8(a)的液晶顯示裝置的TCP(柵TCP502或源TCP503)的構(gòu)成的示意圖。
在前述液晶顯示裝置的下基板500上的顯示區(qū)域，未圖示的信號(hào)配線(柵配線、源配線)被配設(shè)成矩陣狀。在前述信號(hào)配線上，設(shè)置上基板501使覆蓋前述顯示區(qū)域。下基板500上不設(shè)置上基板501的區(qū)域，是周邊區(qū)域。周邊區(qū)域的更外側(cè)，設(shè)置供給外部信號(hào)用的外部電路基板504。又，在周邊區(qū)域及外部電路基板504上，有驅(qū)動(dòng)IC505介于兩者間，具有將信號(hào)供給到顯示區(qū)域上的信號(hào)配線用的多個(gè)的TCP(柵TCP502或源TCP503)。外部信號(hào)，經(jīng)外部電路基板504被供給到各TCP。
各TCP503，如圖8(b)所示，在柔軟的軟基材506上，具有驅(qū)動(dòng)IC505、將外部信號(hào)供給到驅(qū)動(dòng)IC用的信號(hào)輸入配線507、及把從驅(qū)動(dòng)IC505輸出的信號(hào)供給到顯示區(qū)域用的信號(hào)輸出配線508等。前述信號(hào)輸入配線507，與配置于外部電路基板504上的端子連接部509的端子作電氣連接。前述信號(hào)輸出配線508，與下基板500的周邊區(qū)域上的端子連接部509進(jìn)行電氣連接。
因此，該TCP安裝方式的液晶顯示裝置，是分別直接將信號(hào)從外部電路基板504輸入到各TCP503的方式，因此，外部電路基板504上需要非常多的配線。為此，會(huì)產(chǎn)生制造工序復(fù)雜化、成本高、可靠性降低等問(wèn)題。因此，為取代這種TCP安裝方式，讓一旦輸入1個(gè)的TCP的信號(hào)依次傳送到鄰接的TCP的所謂“信號(hào)傳送方式”的液晶顯示裝置，在日本專(zhuān)利特開(kāi)1992-313731號(hào)公報(bào)(1992年11月5日公開(kāi))、實(shí)用公開(kāi)1991-114820號(hào)公報(bào)(1991年11月26日公開(kāi))等中已見(jiàn)揭示。
使用圖9(a)及圖9(b)對(duì)采用該信號(hào)傳送方式的液晶顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖9(a)是信號(hào)傳送方式的液晶顯示裝置的概略圖，此外，圖9(b)，是進(jìn)一步詳細(xì)表示前述液晶顯示裝置的TCP(柵TCP512或源TCP513)的構(gòu)成的示意圖。
如圖9(a)所示，前述液晶顯示裝置，與前述的TCP安裝方式的液晶顯示裝置同樣，由下基板510、上基板511、配置于下基板510的周邊區(qū)域的多個(gè)的源TCP513及多個(gè)的柵TCP512、外部電路基板514等構(gòu)成。此外，在各TCP內(nèi)具有驅(qū)動(dòng)IC515。
此外，如圖9(b)所示，提供給前述液晶顯示裝置的TCP513(或512)，在軟基材上、具有驅(qū)動(dòng)IC515、將外部信號(hào)輸入到驅(qū)動(dòng)IC515的信號(hào)輸入配線的IC驅(qū)動(dòng)用配線516、對(duì)向電極用配線517、從驅(qū)動(dòng)IC515將圖象信號(hào)供給到顯示區(qū)域用的信號(hào)輸出配線518、與鄰接的TCP輸入輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)用的中繼配線519、520。此外，各配線，以端子連接部521與別的配線連接。
下面對(duì)前述信號(hào)傳送方式的液晶顯示裝置中各TCP間的信號(hào)的相互傳送進(jìn)行說(shuō)明。首先，來(lái)自外部電路基板514的外部信號(hào)，經(jīng)IC驅(qū)動(dòng)用配線516、對(duì)向電極用配線517被供給到第1TCP內(nèi)的驅(qū)動(dòng)IC。接著，從這個(gè)驅(qū)動(dòng)IC，與外部信號(hào)對(duì)應(yīng)的圖象信號(hào)，通過(guò)信號(hào)輸出配線518被傳送到顯示區(qū)域，同時(shí)，外部信號(hào)的一部，被傳送到中繼配線519、520。傳送到中繼配線519、520的信號(hào)，經(jīng)連接各TCP間的連接配線被輸入到相鄰的第2TCP內(nèi)的中繼配線519、520，供給給驅(qū)動(dòng)IC。這樣，一旦，信號(hào)從外部電路基板514輸入到TCP時(shí)，其一部經(jīng)TCP內(nèi)的驅(qū)動(dòng)IC被傳送到顯示區(qū)域的象素。對(duì)別的信號(hào)，經(jīng)TCP上的中繼配線及基板上的連接配線被依次傳送到鄰接的TCP。
如采用該信號(hào)傳送方式，與以往的TCP安裝方式比較，由于可大幅度削減從外部電路基板輸入到TCP需要的配線數(shù)，因此，可實(shí)現(xiàn)外部電路基板的單純構(gòu)成化、小面積化、及降低成本。此外，在特開(kāi)1992-313731號(hào)公報(bào)、實(shí)用公開(kāi)1991-114820號(hào)公報(bào)中，揭示由于在顯示面板的周邊區(qū)域設(shè)置總線(TCP間的連接配線)，構(gòu)造中可不用外部電路基板。
但是，按照前述2件公報(bào)中揭示的技術(shù)，總線非常長(zhǎng)，導(dǎo)致連接配線的高電阻化。此外，一般，液晶顯示面板上的配線，在玻璃基板上用0.5μm以下的厚度的薄膜形成。因此，將外部電路基板與TCP上的配線比較，電阻值非常高，造成信號(hào)傳送延遲等問(wèn)題發(fā)生。特別是，驅(qū)動(dòng)TCP上的液晶驅(qū)動(dòng)用IC用的電源電壓、以及驅(qū)動(dòng)對(duì)向公共電極用的電源電壓，在高電阻導(dǎo)致電壓降增大時(shí)，動(dòng)作上也會(huì)發(fā)生問(wèn)題。為防止這些現(xiàn)象，必須在低電阻下傳送信號(hào)，結(jié)果，就必須具有外部電路基板、并對(duì)各TCP分別輸入信號(hào)。
另外，在特開(kāi)平6-13724號(hào)公報(bào)(平成6年1月21日公開(kāi))中，作為總線，在顯示裝置的玻璃基板上，采用的不是用薄膜技術(shù)形成的配線、而是利用復(fù)制貼合于玻璃基板上的配線(金屬膜)。這樣，可形成0.5μm以上(最好，5～10μm)的厚度的配線，使總線低電阻化。該結(jié)果，可在顯示面板的周邊部(周邊區(qū)域)全域設(shè)置縱向的總線，不用外部電路基板的構(gòu)造得以實(shí)現(xiàn)。
因此，在特開(kāi)平6-13724號(hào)公報(bào)中的顯示裝置，在追求低電阻化的TCP間的總線，可使用膜厚大的復(fù)制金屬膜，另外，對(duì)導(dǎo)入顯示區(qū)域的配線，可使用用薄膜技術(shù)的以往的薄膜配線。為此，在顯示裝置的周邊區(qū)域，作為膜厚大的TCP間的總線的連接配線、和膜厚小的、導(dǎo)入顯示區(qū)域的配線混存。
在圖10，表示膜厚不同的2種配線混存時(shí)、在顯示裝置的周邊區(qū)域設(shè)置的配線基板的剖視圖。如圖10所示，當(dāng)周邊區(qū)域由復(fù)制金屬膜構(gòu)成的連接配線531、與由金屬薄膜構(gòu)成的導(dǎo)入用配線532混存時(shí)，出現(xiàn)形成于TCP534側(cè)的連接端子533、533與玻璃基板535上形成的兩配線531、532間容易發(fā)生連接不良的問(wèn)題。
即亦，在采用異方導(dǎo)電性粘接材料536進(jìn)行TCP534與玻璃基板535連接時(shí)，在膜厚大的連接配線531部分，異方導(dǎo)電性粘接材料536中含有的導(dǎo)電粒子充分壓迫、使上下配線得以導(dǎo)通。但是，在膜厚薄的導(dǎo)入用配線532部分，導(dǎo)電粒子不充分壓迫，造成連接不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于以上問(wèn)題，其目的在于提供能防止配線與配線上的電子元件的連接部分的連接不良、實(shí)現(xiàn)配線低電阻化的電子裝置的配線基板。
為解決前述課題，本發(fā)明的配線基板，具有基板、配置于前述基板的電子元件、以及在前述基板上成圖且一部被夾于前述基板與前述電子元件間的電氣配線的電子裝置的配線基板，前述電氣配線，在包含第1導(dǎo)電膜及比前述第1導(dǎo)電膜膜厚大的第2導(dǎo)電膜形成的同時(shí)，配置于前述基板與前述電子元件間、與前述電子元件電氣連接的前述電氣配線，僅由前述第1導(dǎo)電膜或第2導(dǎo)電膜的單層構(gòu)造或前述第1導(dǎo)電膜與前述第2導(dǎo)電膜的積層構(gòu)造中的任一方構(gòu)成。
前述配線基板，是顯示裝置等的電子裝置中具備的、將各種信號(hào)傳送到基板上的電氣配線被按照規(guī)定形狀成圖的基板。此外，在該配線基板，在電氣配線被成圖的基板上的一部，配置著包含例如晶體管IC等的電子元件。即亦，對(duì)于具有前述電子元件的部分，具有電氣配線被夾于電子元件與基板間的構(gòu)造，電子元件，經(jīng)內(nèi)在的連接端子與電氣配線作電氣連接。
又，前述電氣配線，包含2種的導(dǎo)電膜、即亦第1導(dǎo)電膜及第2導(dǎo)電膜形成。前述第2導(dǎo)電膜，因比第1導(dǎo)電膜的膜厚大，所以電阻小。此外，前述基板與前述電子元件間配置的電氣配線，僅具有由前述第1導(dǎo)電膜或第2導(dǎo)電膜構(gòu)成的單層構(gòu)造、或前述第1導(dǎo)電膜與前述第2導(dǎo)電膜的積層構(gòu)造中的任一方。即亦，在前述基板與前述電子元件間夾著的部分，前述電氣配線，不包含單層構(gòu)造及積層構(gòu)造，所以不存在單層構(gòu)造與積層構(gòu)造間產(chǎn)生段差的問(wèn)題。
按照前述構(gòu)成，由于在電氣配線的一部采用膜厚大的導(dǎo)電膜，使配線基板容易低電阻化，另外，配置于前述基板與前述電子元件間的部分，由于電氣配線不包含單層膜與積層膜的兩方，所以能形成一定的厚度。因此，在與電子元件電氣連接的電氣配線內(nèi)，不產(chǎn)生膜厚差，因此，可進(jìn)行不會(huì)發(fā)生連接不良的可靠連接。即亦，按照本發(fā)明的配線基板，能解消低電阻化的以往的配線基板中發(fā)生的連接不良。
此外，在特開(kāi)平10-339880號(hào)公報(bào)(1998年12月22日公開(kāi))揭示的是，用第1金屬層與第2金屬層構(gòu)成向象素區(qū)域供給圖象信號(hào)的圖象信號(hào)線，這些第1金屬層與第2金屬層以一部相互重疊形成的液晶顯示裝置。但是，在特開(kāi)平10-339880號(hào)公報(bào)中的液晶顯示裝置，是用來(lái)防止線路上產(chǎn)生圖象信號(hào)延遲差的裝置，與本申請(qǐng)的目的不同，另外，在構(gòu)成上也與本申請(qǐng)不同。
本發(fā)明的顯示裝置，具有進(jìn)行圖象顯示的顯示區(qū)域、以及配置于前述顯示區(qū)域的周邊、向顯示區(qū)域傳送信號(hào)用的周邊區(qū)域，前述配線基板，具有基板、配置于前述基板的電子元件、以及在前述基板上成圖且一部被夾于前述基板與前述電子元件間的電氣配線的電子裝置，前述電氣配線在包含第1導(dǎo)電膜及比前述第1導(dǎo)電膜膜厚大的第2導(dǎo)電膜形成的同時(shí)，配置于前述基板與前述電子元件間、與前述電子元件電氣連接的前述電氣配線，僅由前述第1導(dǎo)電膜或第2導(dǎo)電膜的單層構(gòu)造或前述第1導(dǎo)電膜與前述第2導(dǎo)電膜的積層構(gòu)造中的任一方構(gòu)成。
按照前述構(gòu)成，由于在周邊區(qū)域包含前述的配線基板，可形成低電阻化的配線構(gòu)造。為此，作為信號(hào)傳送方式的顯示裝置，即使連接配線長(zhǎng)也同樣能進(jìn)行良好的信號(hào)傳送。此外，可防止發(fā)生電氣配線與具有驅(qū)動(dòng)IC等的電子元件間的連接部分連接不良。
本發(fā)明的配線基板的制造方法，包括在基板上形成第1導(dǎo)電膜的第1導(dǎo)電膜形成工序，把比前述第1導(dǎo)電膜的膜厚大的第2導(dǎo)電膜積層于前述第1導(dǎo)電膜的至少一部、形成電氣配線的第2導(dǎo)電膜積層工序，以及在不包含由前述第2導(dǎo)電膜積層工序中的前述第1導(dǎo)電膜與第2導(dǎo)電膜的積層產(chǎn)生的段差的前述電氣配線上配置電子元件的電子元件配設(shè)工序。
按照前述方法，通過(guò)形成比第1導(dǎo)電膜的膜厚大的第2導(dǎo)電膜，使配線基板內(nèi)的電氣配線低電阻化。此外，即使使第1導(dǎo)電膜與第2導(dǎo)電膜積層形成電氣配線，由于電子元件被配設(shè)于不包含因積層而產(chǎn)生的段差的區(qū)域、即第1導(dǎo)電膜或第2導(dǎo)電膜的單層構(gòu)造部分、或、第1導(dǎo)電膜與第2導(dǎo)電膜的積層構(gòu)造部分，因此，與電子元件連接的部分的電氣配線的厚度一定，可防止厚度差產(chǎn)生的連接不良。
本發(fā)明的另外的顯示裝置，具有進(jìn)行圖象顯示的顯示區(qū)域、以及配置于前述顯示區(qū)域的周邊、為了向顯示區(qū)域傳送信號(hào)、在基板上使電氣配線成圖的周邊區(qū)域；在前述周邊區(qū)域成圖的前述電氣配線，在包含第1導(dǎo)電膜及比前述第1導(dǎo)電膜的膜厚大的第2導(dǎo)電膜形成的同時(shí)，前述第2導(dǎo)電膜，是在與前述基板不同的支持基材上形成后、被復(fù)制到前述配線基板的復(fù)制膜，此外，前述第1導(dǎo)電膜及前述第2導(dǎo)電膜，利用具有異方導(dǎo)電性的粘接材料粘接。
按照前述構(gòu)成，可使第1導(dǎo)電膜與在其上配設(shè)低電阻的第2導(dǎo)電膜進(jìn)行電氣的且機(jī)械的連接。此外，由于前述粘接材料具有不同的導(dǎo)電性，可防止鄰接的周邊電氣配線相互短路，可良好地將信號(hào)傳送到顯示區(qū)域。
本發(fā)明的另外的目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)，下面將作詳細(xì)說(shuō)明。此外，本發(fā)明的特點(diǎn)，可通過(guò)下面參照附圖的說(shuō)明了解。


圖1(a)～圖1(d)是表示以圖2中的液晶顯示面板的邊緣區(qū)域的A處用實(shí)線圍起來(lái)的部分的配線圖形的示意圖。
圖2是設(shè)置于本發(fā)明的配線基板液晶顯示面板的平面概略圖。
圖3是表示配設(shè)于邊緣區(qū)域的配線基板內(nèi)的第2周邊電氣配線的斷面構(gòu)造的一例的剖視圖。
圖4(a)～圖4(d)是表示第2周邊電氣配線的形成的各工序的配線基板的剖視圖。
圖5(a)～圖5(f)是按照各工序表示在支持薄膜上形成復(fù)制用的復(fù)制金屬膜的方法的一例的復(fù)制用薄膜的剖視圖。
圖6(a)～圖6(f)是按照各工序表示圖5(a)～圖5(f)中的復(fù)制金屬膜形成方法的變形例的復(fù)制用薄膜的剖視圖。
圖7是表示聚酰亞胺薄膜上以無(wú)電解電鍍法成膜的Cu膜的剝離強(qiáng)度與加熱溫度的關(guān)系的曲線圖。
圖8(a)是用TCP安裝方式連接驅(qū)動(dòng)IC的以往的液晶顯示裝置的概略圖，圖8(b)是更詳細(xì)地表示圖8(a)中的液晶顯示裝置的TCP構(gòu)成的示意圖。
圖9(a)是以往的信號(hào)傳送方式的液晶顯示裝置的概略圖，圖9(b)是更詳細(xì)地表示圖9(a)中的液晶顯示裝置的TCP構(gòu)成的示意圖。
圖10是當(dāng)膜厚不同的2種配線混存時(shí)、在顯示裝置的周邊區(qū)域具有的配線基板的剖視圖。
圖11是表示用噴墨法進(jìn)行第2導(dǎo)電膜的形成的情形的示意圖。
圖12(a)～圖12(c)是表示用濕式電鍍法進(jìn)行第2導(dǎo)電膜的形成時(shí)的各工序的示意圖。
具體實(shí)施形態(tài)參照?qǐng)D1(a)～圖7、及圖11、12(a)～(c)，對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。此外，本發(fā)明不限于以下的記載內(nèi)容。
在本實(shí)施形態(tài)，列舉使用TFT(Thin Film Transistor)元件的有源矩陣型的液晶顯示面板為例進(jìn)行說(shuō)明。圖2，設(shè)置本發(fā)明的配線基板的液晶顯示面板(顯示裝置)的平面概略圖。如圖2所示，本液晶顯示面板，采用有源矩陣基板(基板)11和對(duì)向基板12貼合的構(gòu)造，呈現(xiàn)有源矩陣基板11的一部露出的形狀。又，前述液晶顯示面板，在這一對(duì)的基板間的隙間具有液晶層。圖2中的對(duì)向基板12內(nèi)有格子模樣的部分，是顯示區(qū)域。顯示區(qū)域13，是根據(jù)圖象信號(hào)顯示畫(huà)像的區(qū)域。前述顯示區(qū)域13以外的區(qū)域，即亦，對(duì)顯示區(qū)域13的周邊部，在本實(shí)施形態(tài)被稱為邊緣區(qū)域(周邊區(qū)域)。本發(fā)明的配線基板，可設(shè)置在前述邊緣區(qū)域14。
有源矩陣基板11，是在玻璃基板上形成由掃描線、信號(hào)線構(gòu)成的格子狀的矩陣狀配線(電氣配線)、配設(shè)于各象素的開(kāi)關(guān)元件(TFT元件)、象素電極等的基板。對(duì)向基板12上形成公共電極。在有源矩陣基板11的邊緣區(qū)域，分別多個(gè)設(shè)置進(jìn)行對(duì)掃描線依次掃描的柵驅(qū)動(dòng)IC15、及、將圖象數(shù)據(jù)信號(hào)供給到信號(hào)線的源驅(qū)動(dòng)IC16。如圖2所示，在本液晶顯示面板，作為電子元件，前述各驅(qū)動(dòng)IC15、16，形成以TCP安裝方式(也稱為T(mén)AB安裝方式)連接的構(gòu)造。
TCP安裝方式，是將在聚酰亞胺薄膜等的軟基材上搭載IC芯片的TCP(電子元件)與顯示面板連接的方式。此外，把搭載柵驅(qū)動(dòng)IC15的TCP稱為柵TCP17，把搭載源驅(qū)動(dòng)IC16的TCP稱為源TCP18。
此外，在顯示面板的邊緣區(qū)域14的一部，連接著信號(hào)輸入用的FPC19。該信號(hào)輸入用FPC19，承擔(dān)把顯示需要的各種電氣信號(hào)(圖象數(shù)據(jù)信號(hào)等)及驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)IC15、16用的電源(IC驅(qū)動(dòng)用電源電壓、公共電極驅(qū)動(dòng)用電源電壓等)從外部輸入到顯示面板的作用。對(duì)于本液晶顯示面板，進(jìn)行圖象顯示用的圖象數(shù)據(jù)信號(hào)、驅(qū)動(dòng)IC15、16用的驅(qū)動(dòng)電源、對(duì)向基板12側(cè)公共電極的電氣信號(hào)等，全通過(guò)FPC19導(dǎo)入。被導(dǎo)入的各種信號(hào)，通過(guò)依次傳送柵TCP17或源TCP18內(nèi)的配線，使配線數(shù)減少。即亦，本液晶顯示面板，采用“信號(hào)傳送方式”。這樣，本液晶顯示面板，不用以往的大型的外部電路基板(PWB)，可采用使顯示區(qū)域13以外的區(qū)域小面積化的構(gòu)造。
在邊緣區(qū)域14，形成多個(gè)的配線，大體上，采用配設(shè)向顯示區(qū)域13輸出圖象數(shù)據(jù)信號(hào)用的第1周邊電氣配線21(向顯示區(qū)域?qū)胗秒姎馀渚€)、及在鄰接的TCP17、18間進(jìn)行電氣連接的第2周邊電氣配線22的構(gòu)造。即亦，第2周邊電氣配線，使相鄰的多個(gè)的電子元件彼此連接。
此外，F(xiàn)PC19、與柵TCP17或源TCP18電氣連接的電氣配線，在本實(shí)施形態(tài)也被包含在第2周邊電氣配線中。此外，第2周邊電氣配線，由多根的電氣配線構(gòu)成，最好，其中的至少1根，包含向驅(qū)動(dòng)IC15、16供電的電源配線23。
這里，配設(shè)于顯示區(qū)域13的矩陣配線，采用0.5μm以下(最好0、1～0.4μm)的具有導(dǎo)電性的金屬等材料、以形成TFT元件的薄膜工藝形成。作為前述材料，具體可使用Al、Ta、Mo、Cr、Ti等。前述矩陣配線，可使用前述那樣的材料，形成單層膜、積層膜、合金膜等。
此外，配設(shè)于邊緣區(qū)域14的第1周邊電氣配線21、第2周邊電氣配線22(電氣配線)，乃是包含以與顯示區(qū)域13的矩陣配線的形成同樣的工藝、用同樣的材料形成的金屬薄膜(第1導(dǎo)電膜)，以及比用別的工序形成的前述金屬薄膜的膜厚大的復(fù)制金屬膜(第2導(dǎo)電膜)形成的。對(duì)前述周邊電氣配線21、22的構(gòu)成及形成方法將在下面說(shuō)明。
圖3，是表示配設(shè)于前述邊緣區(qū)域14的配線基板內(nèi)的第2周邊電氣配線的斷面構(gòu)造的一例的剖視圖。在有源矩陣基板11的表面，形成金屬薄膜31。又，在金屬薄膜的上層，為了防止金屬薄膜31的腐蝕、氧化，積層著導(dǎo)電性氧化膜32。此外，前述導(dǎo)電性氧化膜32也可省略。在導(dǎo)電性氧化膜32的上層，經(jīng)異方導(dǎo)電性粘接材料33、配設(shè)低電阻性的復(fù)制金屬膜34。在前述復(fù)制金屬膜34，作為材料素材，可采用低電阻率的Cu、Ag、Ni、Au、Al等。前述復(fù)制金屬膜34，是這些材料的單層膜、積層膜、合金膜等。
此外，前述復(fù)制金屬膜34，作為材料、最好能含Cu。是復(fù)制金屬膜34的厚度，最好比下層的金屬薄膜31的膜厚大、具體以1μm以上、15μm以下為好。按照前述構(gòu)成，作為連接鄰接的驅(qū)動(dòng)器15、16(TCP17、18)間連接的配線，可得到充分低電阻的配線。因此，前述復(fù)制金屬膜34，可稱為低電阻金屬膜。在本實(shí)施形態(tài)的液晶顯示面板，第1周邊電氣配線21、第2周邊電氣配線22的一部分，是金屬薄膜31與復(fù)制金屬膜34的積層構(gòu)造。此外，前述一部分以外的部分，是金屬薄膜31或、復(fù)制金屬膜34的單層構(gòu)造。
接著，如前所述、使金屬薄膜31與復(fù)制金屬膜34積層的第2周邊電氣配線22的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。圖4(a)～圖4(d)，是表示前述第2周邊電氣配線的形成的各工序的配線基板的剖視圖。
首先，如圖4(a)所示，在有源矩陣基板11上，形成成為第2周邊電氣配線22的下層的金屬薄膜31的圖形。在該工序，以形成前述顯示區(qū)域13內(nèi)的TFT元件的薄膜工藝、TFT元件同時(shí)形成金屬薄膜31的圖形。作為前述金屬薄膜31的材料，最好使用Al、Ta、Mo、Cr、Ti。用這些材質(zhì)的材料，通過(guò)周知的光刻及腐蝕等、形成由單層膜、積層膜、或合金膜等構(gòu)成的金屬膜31。形成金屬薄膜31后，對(duì)由ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦亞鉛氧化物)等構(gòu)成的導(dǎo)電性氧化膜進(jìn)行積層。
下面，如圖4(b)所示，在金屬薄膜31上配設(shè)異方導(dǎo)電性粘接材料33。作為異方導(dǎo)電性粘接材料33，可采用在絕緣性的樹(shù)脂構(gòu)成的粘接劑(結(jié)合劑)中將導(dǎo)電性粒子(例如，在塑料球的周?chē)纬葾u/Ni鍍膜的導(dǎo)電性粒子)分散的ACF(異方導(dǎo)電性薄膜)及ACP(異方導(dǎo)電性糊)。前述絕緣性的樹(shù)脂，有熱硬化性或熱可塑性，最好采用通過(guò)加熱處理發(fā)揮粘接效果的樹(shù)脂。前述異方導(dǎo)電性粘接材料33，可以只配置于金屬薄膜31成圖的部分的上層，也可配置于能將多個(gè)的金屬薄膜31的圖形覆蓋的整個(gè)平面。
下面，如圖4(c)所示，預(yù)先在與顯示面板不同的支持薄膜36(支持基材)上，將對(duì)應(yīng)于配線形狀成圖的金屬膜(復(fù)制金屬膜34)復(fù)制到載有異方導(dǎo)電性粘接材料33的金屬薄膜31圖形上，作成復(fù)制金屬膜34。對(duì)這個(gè)復(fù)制，最好通過(guò)溫度為150～200℃的熱壓工藝、從配置于配線基板的支持薄膜36的上方進(jìn)行熱壓。對(duì)這個(gè)工序，成圖的金屬薄膜31與復(fù)制金屬膜34，用異方導(dǎo)電性粘接材料33進(jìn)行電氣連接。
下面，如圖4(d)所示，將支持薄膜除去。在本實(shí)施形態(tài)，在支持薄膜36與復(fù)制金屬膜34圖形間，最好采用由受光(最好紫外線)會(huì)使粘接性降低的光崩壞性樹(shù)脂層(最好紫外線崩壞性樹(shù)脂層)、及受熱會(huì)使粘接性降低的熱可塑性樹(shù)脂層構(gòu)成的樹(shù)脂層。采用這樣的構(gòu)成，通過(guò)光照射或加熱處理即可將復(fù)制金屬膜34簡(jiǎn)單地從支持薄膜36上剝離。
此外，在復(fù)制后的復(fù)制金屬膜34的表面，可使用界面活性劑等的防變色劑(例如，メルテツクス公司制造的エンテツクCU-56、北池產(chǎn)業(yè)會(huì)社生產(chǎn)的BT-7等)進(jìn)行保護(hù)。作為復(fù)制金屬膜34，在含銅時(shí)，使用前述防變色劑就更好。這樣，可防止因Cu表面的腐蝕、氧化引起的高電阻化。用前述形成方法、可將低電阻性的金屬膜(復(fù)制金屬膜34)配設(shè)于第2周邊電氣配線22上?？蓪?shí)現(xiàn)配線的低電阻化。此外，前述那樣的配線的低電阻化，也可適合于第1周邊電氣配線21。
接著，對(duì)在支持薄膜36上形成復(fù)制用的復(fù)制金屬膜34的方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5(a)～圖5(f)，是表示按各工序依次對(duì)該方法的一例的復(fù)制用薄膜的剖視圖。
最初，如圖5(a)所示，作為支持薄膜36采用由聚酰亞胺構(gòu)成的薄膜。此外，前述支持薄膜36的表面，使用氫氧化鉀(KOH)等堿性水溶液宜于粗化。下面，如圖5(b)所示，在支持薄膜36的表面，形成無(wú)電解Cu鍍膜38。該工序，在加入Pd等的催化劑后，通過(guò)使支持薄膜36浸液可得到市場(chǎng)的無(wú)電解Cu鍍膜。此后，如圖5(c)所示，在無(wú)電解Cu鍍膜38的上層，再用電氣電鍍法形成Cu鍍膜39，使Cu膜厚膜化。只使用無(wú)電解電鍍法形成Cu被膜也可以，但Cu的厚膜化要較長(zhǎng)時(shí)間。因此，要形成μm級(jí)厚度的Cu膜，如本方法那樣，最好并用無(wú)電解電鍍法及電氣電鍍法。
接著，如圖5(d)所示，在Cu鍍膜39的上層形成與配線圖形對(duì)應(yīng)的保護(hù)膜圖形40。前述保護(hù)膜圖形40，最好采用抗電鍍性的保護(hù)膜，例如，可采用具有感光性的干膠保護(hù)膜。下面，如圖5(e)所示，通過(guò)腐蝕將不要的Cu膜38、39除去。Cu，使用氯化鐵的酸溶液等很容易進(jìn)行腐蝕。下面，如圖5(f)所示，將保護(hù)膜圖形40除去。
通過(guò)前述方法，可在支持薄膜36上形成復(fù)制用的復(fù)制金屬膜34(無(wú)電解Cu鍍膜38是Cu鍍膜39)。此外，圖6(a)～圖6(f)，是按照各工序順序表示圖5(a)～圖5(f)中的形成方法的變形例的復(fù)制用薄膜的剖視圖。對(duì)于該變形例，在無(wú)電解Cu鍍膜38的上層形成保護(hù)膜圖形40后，再形成Cu鍍膜39(參照?qǐng)D6(c)、圖6(d))。此后，剝離保護(hù)膜圖形(參照?qǐng)D6(e))，通過(guò)腐蝕只除去露出的表層Cu(無(wú)電解Cu鍍膜38、及Cu鍍膜39的表層部)(參照?qǐng)D6(f))。
關(guān)于對(duì)由這樣的聚酰亞胺構(gòu)成的復(fù)制薄膜上采用Cu的無(wú)電解電鍍法的覆膜方法、以及成圖方法，可參照特開(kāi)2001-73159號(hào)公報(bào)(2001年3月21日公開(kāi))實(shí)施。此外，按照表面技術(shù)協(xié)會(huì)第100次講演大會(huì)的講演資料匯總集(表面技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)行，1999年9月17日發(fā)行)23、24頁(yè)記載的方法，用紫外線在由聚酰亞胺構(gòu)成的薄膜上形成Ag圖形，Ag圖形上可有選擇地用鍍Cu形成復(fù)制金屬膜。
這里，參照?qǐng)D7，對(duì)在聚酰亞胺薄膜上，用無(wú)電解電鍍法成膜的Cu膜的密著性(剝離強(qiáng)度)與加熱溫度的關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明。圖7，是表示聚酰亞胺薄膜上的Cu膜的剝離強(qiáng)度與加熱溫度的關(guān)系曲線。在曲線圖中，橫軸表示加熱溫度(℃)，縱軸表示剝離強(qiáng)度(kg/cm)。此外，曲線圖內(nèi)的實(shí)線，是聚酰亞胺表面無(wú)處理場(chǎng)合，虛線是聚酰亞胺表面上進(jìn)行化學(xué)腐蝕的場(chǎng)合。如圖7的曲線所示，聚酰亞胺，與有無(wú)表面處理無(wú)關(guān)，用150℃左右的加熱、剝離強(qiáng)度急劇降低，表明剝離容易進(jìn)行。
即亦，通過(guò)加熱處理，由Cu膜38、39與聚酰亞胺構(gòu)成的支持薄膜36的密著性降低，容易剝離。因此，對(duì)于用前述方法得到的Cu膜38、39形成的支持薄膜36，在規(guī)定的場(chǎng)所進(jìn)行定位，一邊加壓一邊進(jìn)行加熱處理，可方便地將Cu膜38、39復(fù)制到別的基板上。此時(shí)，前述Cu膜38、39的厚度(無(wú)電解Cu鍍膜38與Cu鍍膜39的總厚度)，以5～15μm為好。
關(guān)于本發(fā)明中可使用的支持薄膜36的種類(lèi)、及復(fù)制工藝，不限于前述內(nèi)容。對(duì)其他例，可采用記載于特開(kāi)平10-70354號(hào)公報(bào)(1998年3月10日公開(kāi))、特開(kāi)2000-349445號(hào)公報(bào)(2000年12月15日公開(kāi))、及、“日經(jīng)電子”(日經(jīng)BP社、2002.3.11號(hào))26、27頁(yè)的類(lèi)似于電路形成復(fù)制磁帶的薄膜。此外，作為前述支持薄膜36的材料，在形成圖形精度高的高精細(xì)的電路配線時(shí)，最好采用伸縮性小的聚酰亞胺。另外，在形成圖形精度低的電路配線時(shí)，最好采用比聚酰亞胺便宜的PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)、PES(聚醚嗍砜)、環(huán)氧樹(shù)脂等。
接著，對(duì)配設(shè)于本液晶顯示面板的邊緣區(qū)域14的配線基板的周邊電氣配線21、22的合適的配線配置例，參照?qǐng)D1(a)～圖1(d)進(jìn)行說(shuō)明。圖1(a)～圖1(d)，是表示以圖2中的液晶顯示面板的邊緣區(qū)域14上的A處用實(shí)線圍起來(lái)的部分的配線圖形的的各例的示意圖。即亦，圖1(a)～圖1(d)，是表示在有源矩陣基板11上形成第1周邊電氣配線21及第2周邊電氣配線22的樣子。此外，對(duì)夾著前述周邊電氣配線21、22、安裝源TCP18的部分，用點(diǎn)劃線圍著表示。對(duì)該點(diǎn)劃線表示的區(qū)域稱為T(mén)CP安裝區(qū)域。此外，在周邊電氣配線21、22中，包含金屬薄膜31的部分提白表示，包含復(fù)制金屬膜的部分帶斜線表示，兩者積層的部分重合表示。該積層的部分，通過(guò)前述的異方導(dǎo)電性粘接材料33導(dǎo)通。
作為圖1(a)中表示的例，第1周邊電氣配線21，僅以金屬薄膜31形成，第2周邊電氣配線22，包含TCP安裝區(qū)域的一部分，只以金屬薄膜31形成。前述以外的第2周邊電氣配線22，形成金屬薄膜31與復(fù)制金屬膜34的積層構(gòu)造。
此外，作為圖1(b)中表示的例，在TCP安裝區(qū)域，第1周邊電氣配線21、第2周邊電氣配線22，本身具有金屬薄膜31與復(fù)制金屬膜34的積層構(gòu)造。對(duì)其他的部分，作成與圖1(a)的例同樣的構(gòu)成。圖1(c)及圖1(d)中的示例，分別是圖1(a)、圖1(b)中的變形例。對(duì)圖1(c)及圖1(d)，鄰接的源TCP18間的連接配線(第2周邊電氣配線22的一部)，成為復(fù)制金屬膜34的單層構(gòu)造。此外，前述周邊電氣配線21、22，在TCP安裝區(qū)域，經(jīng)未圖示的TCP側(cè)連接端子、及異方導(dǎo)電性粘接材料導(dǎo)通。
如前所述，圖1(a)～圖1(d)中表示的周邊電氣配線21、22的配線圖形，對(duì)夾于有源矩陣基板11與源TCP18間的部分，形成為金屬薄膜31的單層膜、或、金屬薄膜31與復(fù)制金屬膜34的積層膜。此外，在第2周邊電氣配線22的源TCP18間的連接部分，至少包含復(fù)制金屬膜34。此外，對(duì)第1周邊電氣配線21的TCP安裝區(qū)域以外的部分，由于是向顯示區(qū)域13導(dǎo)入的配線，因此，最好只以金屬薄膜31形成。
因此，由于采用圖1(a)～圖1(d)表示的配線圖形中的中的某一個(gè)，在TCP安裝區(qū)域，可使第1周邊電氣配線21與第2周邊電氣配線的厚度相等。按此，可防止因不同厚度的配線混存引起的TCP的連接不良的發(fā)生。此外，對(duì)源TCP18間的連接部分的第2周邊電氣配線22，由于包含低電阻性的復(fù)制金屬膜34，使來(lái)自驅(qū)動(dòng)電源等的各種外部信號(hào)通過(guò)低電阻化的配線，可使源TCP18間傳送。此外，在本實(shí)施形態(tài)，以源TCP18安裝區(qū)域?yàn)槔M(jìn)行說(shuō)明，但對(duì)柵TCP17安裝區(qū)域也可得到同樣效果，因此，最好能適用前述的配線構(gòu)成。此外，在本實(shí)施形態(tài)，最好能使電氣連接驅(qū)動(dòng)IC15、16和外部驅(qū)動(dòng)電源的電源配線23包含于前述第2周邊電氣配線內(nèi)。
此外，在圖1(a)～圖1(d)中未表示，但在本發(fā)明中，在TCP安裝區(qū)域內(nèi)，第1周邊電氣配線21與第2周邊電氣配線22也可采用復(fù)制金屬膜34的單層構(gòu)造的構(gòu)成。
這樣，在具備本發(fā)明的配線基板的液晶顯示面板(顯示裝置)，由于采用復(fù)制金屬膜34的圖形，可實(shí)現(xiàn)TCP間的連接配線(第2周邊電氣配線22)的低電阻化。
即亦，在前述液晶顯示面板，包含低電阻化的第2導(dǎo)電膜形成的第2周邊電氣配線，在構(gòu)成上能使相鄰的各TCP(多個(gè)的電子元件)彼此連接。因此，不會(huì)引起相鄰的各TCP間的電氣配線的高電阻化、可設(shè)置在液晶顯示面板的邊緣區(qū)域整體上縱向的總線。這樣，可得到不需要外部電路基板的液晶顯示面板。
此外，在前述液晶顯示面板，由于電源配線23也作為第2周邊電氣配線之一包含第2導(dǎo)電膜形成，因此，可正常進(jìn)行從電源輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的傳送。
在前述實(shí)施形態(tài)，對(duì)進(jìn)行TCP間的連接配線(第2周邊電氣配線22)的低電阻化時(shí)，通過(guò)在成為基膜的第1導(dǎo)電膜上復(fù)制第2導(dǎo)電膜(低電阻金屬)、形成電氣配線的方法進(jìn)行說(shuō)明。但是，作為第2導(dǎo)電膜的形成方法，不限于前述的復(fù)制法，例如以下的(1)、(2)的方法也可以用。
(1)噴墨法在圖11，示意地表示用噴墨法形成第2導(dǎo)電膜時(shí)的情形。
對(duì)于該噴墨法，將分散Cu、Au、Ag、Ni、Pd、Sn等金屬微粒子的溶液、以及包含特開(kāi)2002-339076號(hào)公報(bào)(2002年11月27日公開(kāi))及特開(kāi)2002-338891號(hào)公報(bào)(2002年11月27日公開(kāi))中公開(kāi)的那樣的有機(jī)金屬化合物的溶液作為墨水使用。又，如圖11所示，將噴墨頭50按箭頭A方向移動(dòng)，由噴墨頭50向規(guī)定場(chǎng)所噴前述墨水，在有源矩陣基板11上的邊緣區(qū)域14上形成第2導(dǎo)電膜34。這樣，可用非常簡(jiǎn)便的工序形成第2導(dǎo)電膜34。
(2)濕式電鍍法對(duì)于濕式電鍍法，在規(guī)定的區(qū)域(應(yīng)當(dāng)形成第2導(dǎo)電膜的區(qū)域)，加入微量的由Pd、Au、Ag、Cu等構(gòu)成的催化劑后，可只在加該催化劑的區(qū)域形成第2導(dǎo)電膜(Cu、Au、Ag、Ni、Pd、Sn等)。
在圖12(a)～圖12(c)，依次表示用濕式電鍍法進(jìn)行形成第2導(dǎo)電膜的各工序的情形。
首先，由于只要在規(guī)定區(qū)域加入作為催化劑起作用的金屬(Pd、Au、Ag、Cu等)，在有源矩陣基板11上的邊緣區(qū)域14，使得在形成與不形成第2導(dǎo)電膜的區(qū)域的表面狀態(tài)(濕潤(rùn)性等)方面產(chǎn)生差異。更具體說(shuō)，如圖12(a)所示，在有源矩陣基板11上的邊緣區(qū)域14，要形成第2導(dǎo)電膜的區(qū)域作為具有親水性的親水部14a，對(duì)不形成第2導(dǎo)電膜的區(qū)域，則作為具有斥水性的斥水部14b。
接著，如12(b)所示，在親水部14a上加入微量的由Pd、Au、Ag、Cu等構(gòu)成的催化劑、形成催化劑層41。作為該催化劑層的形成方法，可列舉(1)將各層積層的基板自體浸入含金屬離子的溶液內(nèi)，只在規(guī)定區(qū)域(第2導(dǎo)電膜的形成區(qū)域)使催化劑金屬吸著的方法；以及(2)將作為催化劑的金屬微粒子分散的墨水、以及含作為催化劑的金屬化合物的墨水用噴墨法在規(guī)定的場(chǎng)所進(jìn)行噴吹的方法等。
又，如圖12(c)所示，采用無(wú)電解電鍍法、根據(jù)前面工序中形成的催化劑層41的圖形使鍍膜成長(zhǎng)、形成第2導(dǎo)電膜。
采用(1)的噴墨法中使用的墨水，在墨水材料的制造中有時(shí)因需要技術(shù)指導(dǎo)使材料費(fèi)用增加，按照(2)的濕式電鍍法，由于可使用較便宜的電鍍材料，所以在使第2導(dǎo)電膜厚膜化時(shí)可用。此外，采用(1)的噴墨法，在謀求第2導(dǎo)電膜的厚膜化時(shí)，由于滴下的尺寸增大或需要重涂，容易使圖形精度降低。另外，按照(2)的濕式電鍍法，由于根據(jù)催化劑層的圖形成長(zhǎng)鍍膜，因此，即使在厚膜化時(shí)也不會(huì)降低圖形精度。
此外，對(duì)于用電鍍法形成第2導(dǎo)電膜，除前述無(wú)電解電鍍法外，也可采用電氣電鍍法。
在本實(shí)施形態(tài)，作為配線基板內(nèi)的電子元件，可列舉具有驅(qū)動(dòng)IC的例子說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此，例如具備存儲(chǔ)器等其他各種電子元件的配線基板也可以用。此外，作為具有驅(qū)動(dòng)IC的前述配線基板，例如，COG安裝方式、TCP安裝方式更適用。這樣，周邊電氣配線的連接不良很容易避免。
此外，在本實(shí)施形態(tài)，作為具有前述配線基板的電子元件，可列舉液晶顯示裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。但本發(fā)明不限于此，在別的電子裝置也可利用。作為前述電子裝置，例如適用于采用有源矩陣基板的平面型觸摸式面板(X線攝象裝置、復(fù)印機(jī))等。此外，本發(fā)明的顯示裝置，不限于前述的液晶顯示面板，例如，EL顯示器、電泳顯示器、電子著色顯示器、等離子顯示器等的各種顯示裝置中都可適用。
此外，對(duì)本發(fā)明，在前述配線基板，可采用具有異方導(dǎo)電性的粘接材料粘接前述第1導(dǎo)電膜與前述第2導(dǎo)電膜。按照前述構(gòu)成，可對(duì)形成于基板上的第1導(dǎo)電膜與配設(shè)于其上的第2導(dǎo)電膜進(jìn)行電氣的且機(jī)械的連接。此外，由于前述粘接材料具有異方導(dǎo)電性，因此，可防止鄰接的周邊電氣配線彼此短路。
前述配線基板的前述第2導(dǎo)電膜，最好含銅形成。按照前述構(gòu)成，可使前述第2導(dǎo)電膜進(jìn)一步低電阻化，同時(shí)，用電鍍法可簡(jiǎn)便地形成具有μm級(jí)厚度的第2導(dǎo)電膜。
前述配線基板的前述第2導(dǎo)電膜的厚度，最好是1μm以上15μm以下。按照前述構(gòu)成，可提供充分低電阻的電氣配線。
前述配線基板的前述第2導(dǎo)電膜，在與前述配線基板不同的支持基材上形成后，最好是在前述配線基板上復(fù)制的復(fù)制膜。
按照前述構(gòu)成，可簡(jiǎn)便地只在規(guī)定區(qū)域配設(shè)比第1導(dǎo)電膜的膜厚大的第2導(dǎo)電膜。此外，在與配線基板不同的支持基材上形成第2導(dǎo)電膜，因此，在用例如電鍍法形成第2導(dǎo)電膜時(shí)，可避免配線基板自身浸入鍍液，可減少加于配線基板上的故障。
形成前述復(fù)制膜的前述支持基材，可含有聚酰亞胺樹(shù)脂。按照這樣的構(gòu)成，通過(guò)加熱處理可容易地使聚酰亞胺樹(shù)脂與第2導(dǎo)電膜的密著性減低，可簡(jiǎn)便地將第2導(dǎo)電膜復(fù)制到配線基板。
前述配線基板的前述第2導(dǎo)電膜，可在前述支持基材上通過(guò)熱可塑性樹(shù)脂層形成。按照這樣的構(gòu)成，用加熱處理使熱可塑性樹(shù)脂層軟化，可容易地從支持基材剝離導(dǎo)電膜、向配線基板復(fù)制。
前述配線基板的前述第2導(dǎo)電膜，可在前述支持基材上通過(guò)光崩壞性樹(shù)脂層形成。
按照前述構(gòu)成，通過(guò)光照射使光崩壞性樹(shù)脂層與導(dǎo)電膜的密著性減低，可容易地從支持基材剝離導(dǎo)電膜、向配線基板復(fù)制。此外，前述光崩壞性樹(shù)脂層，可采用能用紫外線照射導(dǎo)致崩壞的紫外線崩壞性樹(shù)脂層。
前述第2導(dǎo)電膜，可利用分散金屬微粒子的溶液、或含有有機(jī)金屬化合物的溶液形成。
按照前述構(gòu)成，利用分散金屬微粒子的溶液、或含有有機(jī)金屬化合物的溶液作為墨水，用噴墨法可用非常簡(jiǎn)便的工藝形成第2導(dǎo)電膜。
前述第2導(dǎo)電膜，可以是濕式電鍍被膜。
按照前述構(gòu)成，可利用較便宜的電鍍材料形成第2導(dǎo)電膜，因此，在對(duì)第2導(dǎo)電膜厚膜化時(shí)是有用的。此外，前述濕式電鍍被膜，根據(jù)催化劑層的圖形使被膜成長(zhǎng)，因此，在厚膜化場(chǎng)合，圖形精度不會(huì)降低。
此外，在本發(fā)明的顯示裝置，前述配線基板的電子元件，具備多個(gè)，前述電氣配線，可作成具有使前述顯示區(qū)域內(nèi)的電氣配線與前述電子元件連接的第1周邊電氣配線、及至少包含前述第2導(dǎo)電膜形成的、使前述電子元件彼此連接的第2周邊電氣配線的構(gòu)成。
在前述顯示裝置，使電子元件彼此連接的第2周邊電氣配線，由于包含第2導(dǎo)電膜、可實(shí)現(xiàn)低電阻化。為此，按照前述構(gòu)成，不用從顯示面板外部的驅(qū)動(dòng)電源向具備驅(qū)動(dòng)IC等的各電子元件形成配線，使配線數(shù)可大幅度減少。因此，可使顯示面板的顯示區(qū)域外的部分小面積化。
在前述顯示裝置，前述第2周邊電氣配線，可以采用使相鄰的多個(gè)電子元件彼此連接的那樣的構(gòu)成。
按照前述構(gòu)成，第2周邊電氣配線，包含低電阻化的第2導(dǎo)電膜，因此，即使相鄰的電子元件彼此連接也不會(huì)引起高電阻化，可設(shè)置能夠涉及顯示裝置的周邊部全域、縱向的總線。這樣，可得到不用外部電路基板的顯示裝置。
在前述顯示裝置，在前述第2周邊電氣配線，可包含前述電子元件的電源配線。
按照前述構(gòu)成，可利用低電阻化的電源配線供給來(lái)自電源的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，能正常地進(jìn)行信號(hào)的傳送。
此外，對(duì)于本發(fā)明的配線基板的制造方法，前述第2導(dǎo)電膜積層工序，可包括在與前述基板不同的支持基材上形成比前述第1導(dǎo)電膜的膜厚大的第2導(dǎo)電膜的第2導(dǎo)電膜形成工序、以及對(duì)前述第2導(dǎo)電膜進(jìn)行復(fù)制、使積層于前述第1導(dǎo)電膜的至少一部、形成電氣配線的復(fù)制工序。
按照前述方法，可以用復(fù)制法把比第1導(dǎo)電膜的膜厚大的第2導(dǎo)電膜簡(jiǎn)便地只配設(shè)于規(guī)定區(qū)域。此外，由于能在與配線基板不同的支持基材上形成第2導(dǎo)電膜，因此，可減少加在配線基板上的故障。
對(duì)于前述配線基板的制造方法，前述第2導(dǎo)電膜積層工序，還可包含在前述第2導(dǎo)電膜形成工序與前述復(fù)制工序間、將具有異方導(dǎo)電性的粘接材料配設(shè)于前述第1導(dǎo)電膜及/或前述第2導(dǎo)電膜上的粘接材料配設(shè)工序。
按照前述方法，可對(duì)第1導(dǎo)電膜與配設(shè)于其上的第2導(dǎo)電膜進(jìn)行電氣的且機(jī)械的連接。此外，由于前述粘接材料具有異方導(dǎo)電性，因此，可防止鄰接的周邊電氣配線彼此短路。
對(duì)于前述配線基板的制造方法，前述第2導(dǎo)電膜積層工序，可通過(guò)噴墨法實(shí)施。
按照前述方法，可用非常簡(jiǎn)便的工藝形成第2導(dǎo)電膜。
對(duì)于前述配線基板的制造方法，前述第2導(dǎo)電膜積層工序，可用濕式電鍍法實(shí)施。
按照前述方法，由于可使用較便宜的電鍍材料形成第2導(dǎo)電膜，在對(duì)第2導(dǎo)電膜厚膜化時(shí)是有用的。此外，按照濕式電鍍法，根據(jù)催化劑層的圖形使鍍膜成長(zhǎng)，因此，即使在厚膜化時(shí)也不會(huì)降低圖形精度。
在發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明項(xiàng)中列舉的具體的實(shí)施形態(tài)或?qū)嵤├?，都是用?lái)闡明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的，不應(yīng)限于這些具體例作狹義解釋?zhuān)灰怀奖景l(fā)明的精神及權(quán)利要求事項(xiàng)的范圍，容許作各種各樣的變更實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種配線基板，是具有基板(11)、配置于所述基板上的電子元件(15、16、17、18)、以及在所述基板上成圖并且一部被夾于所述基板與所述電子元件間的電氣配線(21、22)的電子裝置的配線基板，其特征在于，在包含第1導(dǎo)電膜(31、32)及比所述第1導(dǎo)電膜膜厚大的第2導(dǎo)電膜(34或38、39)上形成所述電氣配線的同時(shí)，配置于所述基板與所述電子元件間并與所述電子元件電氣連接的所述電氣配線、僅由所述第1導(dǎo)電膜或第2導(dǎo)電膜的單層構(gòu)造或所述第1導(dǎo)電膜與所述第2導(dǎo)電膜的積層構(gòu)造中的任一方構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，以具有異方導(dǎo)電性的粘接材料(33)粘接所述第1導(dǎo)電膜(31、32)與所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)。
3.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，含銅形成所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)。
4.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)的厚度，大于1μm、小于15μm。
5.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)，是在形成于與所述配線基板不同的支持基材(36)上后、復(fù)制到所述配線基板的復(fù)制膜。
6.如權(quán)利要求5所述的配線基板，其特征在于，所述支持基材(36)包含聚酰亞胺樹(shù)脂。
7.如權(quán)利要求5所述的配線基板，其特征在于，在所述支持基材(36)上通過(guò)熱可塑性樹(shù)脂層形成所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)。
8.如權(quán)利要求5所述的配線基板，其特征在于，在所述支持基材(36)上通過(guò)光崩壞性樹(shù)脂層形成所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)。
9.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，由分散金屬微粒子的溶液、或含有有機(jī)金屬化合物的溶液，形成所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)。
10.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)是濕式電鍍被膜。
11.一種顯示裝置，具有進(jìn)行圖象顯示的顯示區(qū)域(13)、以及配置于所述顯示區(qū)域的周邊、向顯示區(qū)域傳送信號(hào)用的周邊區(qū)域(14)，其特征在于，具有基板(11)、配置于所述基板的電子元件(15、16、17、18)、以及在所述基板上成圖且一部被夾于所述基板與所述電子元件間的電氣配線(21、22)，在包含第1導(dǎo)電膜(31、32)及比所述第1導(dǎo)電膜膜厚大的第2導(dǎo)電膜(34或38、39)形成所述電氣配線的同時(shí)，配置于所述基板與所述電子元件間并與所述電子元件電氣連接的所述電氣配線，僅由所述第1導(dǎo)電膜或第2導(dǎo)電膜的單層構(gòu)造或所述第1導(dǎo)電膜與所述第2導(dǎo)電膜的積層構(gòu)造中的任一方構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，在所述配線基板上具備多個(gè)所述電子元件(15、16、17、18)，所述電氣配線(21、22)具有使所述顯示區(qū)域(13)內(nèi)的電氣配線與所述電子元件連接的第1周邊電氣配線(21)、以及至少包含所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)形成、具有使所述電子元件彼此連接的第2周邊電氣配線(22)。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，所述第2周邊電氣配線(22)，將相鄰的多個(gè)電子元件(15、16、17、18)彼此連接。
14.如權(quán)利要求12或13所述的顯示裝置，其特征在于，在所述第2周邊電氣配線(22)，還包含所述電子元件(15、16、17、18)的電源配線(23)。
15.一種配線基板的制造方法，其特征在于，包括下述工序在基板(11)上形成第1導(dǎo)電膜(31、32)的第1導(dǎo)電膜形成工序，把比所述第1導(dǎo)電膜的膜厚大的第2導(dǎo)電膜(34或38、39)積層于所述第1導(dǎo)電膜的至少一部、形成電氣配線(21、22)的第2導(dǎo)電膜積層工序，以及在不包含由所述第2導(dǎo)電膜積層工序中的所述第1導(dǎo)電膜與第2導(dǎo)電膜的積層產(chǎn)生的段差的所述電氣配線上、配置電子元件(15、16、17、18)的電子元件配設(shè)工序。
16.如權(quán)利要求15所述的配線基板的制造方法，其特征在于，所述第2導(dǎo)電膜積層工序，包括在與所述基板(11)不同的支持基材(36)上形成比所述第1導(dǎo)電膜(31、32)膜厚大的第2導(dǎo)電膜(34或38、39)的第2導(dǎo)電膜形成工序，以及復(fù)制所述第2導(dǎo)電膜，以便積層于所述第1導(dǎo)電膜的至少一部上、并形成電氣配線(21、22)的復(fù)制工序。
17.如權(quán)利要求16所述的配線基板的制造方法，其特征在于，所述第2導(dǎo)電膜積層工序，還包含在所述第2導(dǎo)電膜形成工序與所述復(fù)制工序間、在所述第1導(dǎo)電膜(31、32)及/或所述第2導(dǎo)電膜(34或38、39)上、配設(shè)具有異方導(dǎo)電性的粘接材料(33)的粘接材料配設(shè)工序。
18.如權(quán)利要求15所述的配線基板的制造方法，其特征在于，采用噴墨法實(shí)施所述第2導(dǎo)電膜積層工序。
19.如權(quán)利要求15所述的配線基板的制造方法，其特征在于，采用濕式電鍍法實(shí)施所述第2導(dǎo)電膜積層工序。
20.一種顯示裝置，具有進(jìn)行圖象顯示的顯示區(qū)域(13)、配置于所述顯示區(qū)域的周邊、為了向顯示區(qū)域傳送信號(hào)而在基板(11)上使電氣配線(21、22)成圖的周邊區(qū)域(14)，其特征在于，在所述周邊區(qū)域成圖的所述電氣配線，在包含第1導(dǎo)電膜(31、32)及比所述第1導(dǎo)電膜的膜厚大的第2導(dǎo)電膜(34或38、39)形成的同時(shí)，所述第2導(dǎo)電膜是在與所述基板不同的支持基材(36)上形成后、被復(fù)制到所述配線基板的復(fù)制膜，此外、所述第1導(dǎo)電膜及所述第2導(dǎo)電膜、利用具有異方導(dǎo)電性的粘接材料(33)粘接所述第1導(dǎo)電膜及所述第2導(dǎo)電膜。
全文摘要
配線基板在有源矩陣基板上對(duì)第1周邊電氣配線與第2周邊電氣配線成圖，在被成圖的電氣配線上的一部分設(shè)置TCP作為電子元件。包含金屬薄膜及復(fù)制金屬膜形成第1周邊電氣配線及第2周邊電氣配線。此外，在設(shè)置TCP的區(qū)域內(nèi)，第1周邊電氣配線及第2周邊電氣配線，具有金屬薄膜或復(fù)制金屬膜的單層構(gòu)造、或者金屬薄膜及復(fù)制金屬膜的積層構(gòu)造中的任一方。這樣，作為低電阻化的配線基板能可防止連接不良。
文檔編號(hào)H05K3/24GK1469696SQ0314274
公開(kāi)日2004年1月21日 申請(qǐng)日期2003年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月7日
發(fā)明者和泉良弘, 中川敏彥, 彥 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社