專利名稱：有源矩陣電致發(fā)光顯示板及制作這種顯示板的方法
本申請(qǐng)要求2002年6月7日申請(qǐng)的申請(qǐng)?zhí)枮镹o.P2002-31898的韓國(guó)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，因而該韓國(guó)申請(qǐng)?jiān)诖瞬⑷胱鳛閰⒖肌?br> 一般來(lái)說(shuō)，AMEL顯示板采用底部發(fā)射系統(tǒng)，其中光被發(fā)射到玻璃基板的下側(cè)。但是，由于玻璃基板上的薄膜晶體管(TFT)阻擋了光，底部發(fā)射系統(tǒng)有減小光發(fā)射區(qū)域的趨向。所以，隨TFT尺寸的增大和TFT數(shù)量的增多，底部發(fā)射系統(tǒng)以幾何級(jí)數(shù)減小其開口(aperture)。
因此，研究了一種克服了底部發(fā)射系統(tǒng)缺點(diǎn)的頂部發(fā)射系統(tǒng)。由于頂部發(fā)射系統(tǒng)把光發(fā)射到玻璃基板的上側(cè)，該開口可以增加而與TFT無(wú)關(guān)。在頂部發(fā)射系統(tǒng)中，陰極或陽(yáng)極都可以用作反射板。
當(dāng)陰極被用作反射板時(shí)，AMEL顯示板具有陰極、有機(jī)電致發(fā)光層和透明的陽(yáng)極的結(jié)構(gòu)，他們順序地形成于玻璃基板上。
當(dāng)陽(yáng)極被用作反射板時(shí)，AMEL顯示板具有陽(yáng)極、有機(jī)電致發(fā)光層和透明陰極的結(jié)構(gòu)，他們順序地形成于玻璃基板上。
一般來(lái)說(shuō)，在AMEL顯示板的制作中難于在有機(jī)電致發(fā)光層上形成透明陽(yáng)極。因此，大部分的頂部發(fā)射系統(tǒng)采用陽(yáng)極作為反射板。

圖1說(shuō)明了一種相關(guān)技術(shù)的AMEL顯示板。
參照?qǐng)D1，AMEL顯示板設(shè)置有具有TFT12和儲(chǔ)能電容器(storage capacitor)13的基板11，位于基板11上的平整層(planarizinglayer)14，位于平整層14上以與TFT12連接的陽(yáng)極16，用于絕緣像素的絕緣層15，位于陽(yáng)極16上的有機(jī)電致發(fā)光層17，位于有機(jī)電致發(fā)光層17上的陰極18，和位于陰極18上的保護(hù)層19。
這樣，通過平整在其上形成有TFT的基板、形成通孔、及形成光發(fā)射像素，來(lái)制造頂部發(fā)射系統(tǒng)的顯示板。
但是，因?yàn)槠秸麑?4的有機(jī)物質(zhì)，平整層14和用作反射層的陽(yáng)極之間的粘合力很差。金屬陽(yáng)極和有機(jī)物質(zhì)平整層之間的很差的粘合力導(dǎo)致了像素形成的困難，這惡化了顯示板的性能。
本發(fā)明的目的是提供一種AMEL顯示板和一種能夠容易、穩(wěn)定地制造這種顯示板的方法。
本發(fā)明的附加特征和有益效果將在隨后的描述中闡明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通過隨后的檢驗(yàn)或通過本發(fā)明的實(shí)踐的學(xué)習(xí)將部分地明白。通過在書寫的說(shuō)明書和權(quán)利要求以及附圖的描述中具體指出的結(jié)構(gòu)，將可實(shí)現(xiàn)和達(dá)到本發(fā)明的目的和其它有益效果。
為實(shí)現(xiàn)這些目的和其它有益效果及依照本發(fā)明的目的，正如在這里實(shí)施和廣義描述的，有源矩陣電致發(fā)光(AMEL)顯示板包括具有多個(gè)晶體管的基板，位于基板上的平整層，位于平整層上的膠粘層，位于膠粘層上電連接至晶體管的第一電極，位于第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光(EL)層，及位于有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極。
膠粘層是由氧化硅，氮化硅或ITO(氧化銦錫)形成的。
第一電極是陽(yáng)極，而第二電極是陰極。
AMEL顯示板可以進(jìn)一步包括位于第一電極和有機(jī)電致發(fā)光層之間由ITO(氧化銦錫)形成的中間層。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造AMEL顯示板的方法，包括以下步驟在基板上形成多個(gè)晶體管；在其上形成有晶體管的基板上形成平整層；在平整層上形成膠粘層；以及在膠粘層上形成第一電極以使它電連接到晶體管；在第一電極上形成有機(jī)電致發(fā)光層；以及在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極。
形成第一電極的步驟包括下列步驟在平整層上形成膠粘層；蝕刻膠粘層和平整層的預(yù)定區(qū)域以形成接觸孔；以及在膠粘層上形成第一電極以使它通過接觸孔與晶體管電連接。
膠粘層是由氧化硅或氮化硅形成的。
形成第一電極的步驟包括步驟蝕刻平整層的預(yù)定區(qū)域以形成接觸孔；在平整層上形成膠粘層以使它通過接觸孔連接到晶體管；以及在膠粘層上形成第一電極。
膠粘層是由ITO(氧化銦錫)形成的。
此方法進(jìn)一步包括在形成第一電極的步驟后，在第一電極上形成ITO中間層的步驟。
可以理解的是，本發(fā)明前面的描述和隨后的詳細(xì)描述都是示例性的和解釋性的，用于提供所要求的發(fā)明的進(jìn)一步解釋。
參照?qǐng)D2，在其上形成有多個(gè)TFT和儲(chǔ)能電容器23的基板21上形成預(yù)定厚度的平整層24。然后，通過光刻蝕法和蝕刻有選擇地去掉平整層24和下面的絕緣層。在這種情況下，形成了到TFT22的漏區(qū)的接觸孔。
緊接著，在平整層24上形成膠粘層26以使膠粘層26通過接觸孔電連接到TFT22的漏區(qū)。膠粘層26是由ITO(氧化銦錫)形成的。
然后，在膠粘層26上形成第一電極27。第一電極27是用作反射層的陽(yáng)極。
在第一電極27上形成有機(jī)電致發(fā)光層28，并形成用于隔離像素的的絕緣層25。在去除掉像素之間的有機(jī)電致發(fā)光層28、第一電極27和膠粘層26之后，絕緣層25形成于裸露的平整層24上。
然后，在有機(jī)電致發(fā)光層28上形成作為陰極的第二電極29，并在第二電極29上形成保護(hù)層(未示出)，以完成AMEL顯示板的制造。
這樣，在本發(fā)明中，通過在平整層24和第一電極27之間形成膠粘層26，提高了平整層24和第一電極27之間的粘合力。
因而，當(dāng)形成絕緣層25的濕蝕刻過程中使用的蝕刻劑滲透到平整層24和第一電極27之間時(shí)，可以防止將要發(fā)生的第一電極27與平整層24的列開。
圖3顯示了依照本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的AMEL顯示板?？紤]到制造過程和本發(fā)明第一實(shí)施例不同，本發(fā)明的第二實(shí)施例建議用氧化硅或氮化硅作為膠粘層26的材料。
參照?qǐng)D3，在其上形成有多個(gè)TFT和儲(chǔ)能電容器23的基板21上形成預(yù)定厚度的平整層24。在平整層24上形成有膠粘層26。膠粘層26是由氧化硅或氮化硅形成的。
然后，通過光刻蝕和蝕刻有選擇地去掉膠粘層26、平整層24和下面的絕緣層。在這種情況下，形成了到TFT22的漏區(qū)的接觸孔。
緊接著，形成第一電極27以使其通過接觸孔電連接到TFT22的漏區(qū)。該第一電極27是用作反射層的陽(yáng)極。
然后，在第一電極27上形成有機(jī)電致發(fā)光層28，并在像素之間形成絕緣層25用于像素之間的絕緣。
然后，在有機(jī)電致發(fā)光層28上形成作為陰極的第二電極，及在第二電極29上形成保護(hù)層(未示出)，以完成AMEL顯示板的制造。
這樣，由于本發(fā)明在平整層24和第一電極27之間形成膠粘層26，平整層24和第一電極27之間的粘合力得到了增強(qiáng)。
圖4顯示了依照本發(fā)明第三實(shí)施例的AMEL顯示板。在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，在第一電極27和膠粘層26上的有機(jī)電致發(fā)光層28之間進(jìn)一步形成有中間層30，用于改善顯示板性能。該中間層30是由ITO(氧化銦錫)或類似的材料形成的。
中間層30的用作匹配第一電極27和有機(jī)電致發(fā)光層28的空子注入層(HIL，Hole Injecting Layer)的工作功能。中間層30更進(jìn)一步地改善了顯示板的性能。
依靠膠粘層在第一電極和平整層之間的粘合力的強(qiáng)度使得更容易、穩(wěn)定地制造顯示板成為可能。
第一電極和有機(jī)電致發(fā)光層之間的中間層改善了顯示性能。
很明顯，對(duì)那些熟知本領(lǐng)域的人來(lái)說(shuō)，可以對(duì)本發(fā)明作出各種不離開本發(fā)明精神和范圍的修改和變化。因而，本發(fā)明應(yīng)涵蓋本發(fā)明的修改和變化，只要它們?cè)诟郊訖?quán)利要求和其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣電致發(fā)光(AMEL)顯示板，包括具有多個(gè)晶體管的基板；位于基板上的平整層；位于平整層上的膠粘層；位于膠粘層上電連接到晶體管的第一電極；位于第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光(EL)層；以及位于有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣電致發(fā)光顯示板，其中所述膠粘層是由氧化硅、氮化硅或氧化銦錫形成。
3.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣電致發(fā)光顯示板，其中所述第一電極是陽(yáng)極，和所述第二電極是陰極。
4.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣電致發(fā)光顯示板，進(jìn)一步包括位于第一電極和有機(jī)電致發(fā)光層之間的中間層。
5.如權(quán)利要求4所述的有源矩陣電致發(fā)光顯示板，其中所述中間層是由氧化銦錫形成的。
6.一種用于制造有源矩陣電致發(fā)光顯示板的方法，包括下列步驟在基板上形成多個(gè)晶體管；在其上形成有多個(gè)晶體管的基板上形成平整層；在平整層上形成膠粘層，并在膠粘層上形成第一電極以使其電連接到晶體管；在第一電極上形成有機(jī)電致發(fā)光層；以及在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成第一電極的步驟包括下列步驟在平整層上形成膠粘層；蝕刻所述膠粘層和所述平整層的預(yù)定區(qū)域，以形成接觸孔；以及在所述膠粘層上形成第一電極以使第一電極通過接觸孔電連接到晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述膠粘層是由氧化硅或氮化硅形成的。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成第一電極的步驟包括下列步驟蝕刻平整層的預(yù)定區(qū)域，以形成接觸孔；在平整層上形成膠粘層以使其通過接觸孔連接到晶體管；以及在膠粘層上形成第一電極。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述膠粘層是由氧化銦錫形成的。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括在形成第一電極的步驟之后在第一電極上形成中間層的步驟。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述中間層是由氧化銦錫形成的。
全文摘要
有源矩陣電致發(fā)光顯示板，其包括具有多個(gè)晶體管的基板，位于基板上的平整層，位于平整層上的氧化硅、氮化硅或ITO膠粘層，位于膠粘層上與晶體管電連接的第一電極，位于第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光層，以及位于有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1469424SQ0314246
公開日2004年1月21日 申請(qǐng)日期2003年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月7日
發(fā)明者金昌男 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社