專利名稱：在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在有機電路板(printed circuit board orsubstrate)上進行電鍍焊錫的方法，特別是應(yīng)用于形成覆晶封裝，在電路板上進行電鍍焊錫用以形成覆晶封裝及電路板間的焊接方法。
在一般低成本的覆晶封裝技術(shù)中，半導(dǎo)體IC芯片的最上層表面是有若干焊墊的設(shè)計，而有機電路板亦有若干相對一致性的接觸窗(contact)設(shè)計；在芯片與電路板間有低溫焊錫凸塊或其它導(dǎo)電性黏著材設(shè)置，且芯片具焊墊面是朝下并鑲嵌于電路板上，其中焊錫凸塊或?qū)щ娦责ぶ奶峁┬酒c電路板間的電性輸出/輸入及機械性聯(lián)機。對焊錫凸塊而言，在芯片與電路板間的間隙可填入的有機底膠(underfill)，藉此可壓制熱膨脹的不協(xié)調(diào)及降低焊錫接的應(yīng)力。
一般而言，為使焊錫接形成覆晶裝配，通常金屬凸塊，如焊錫凸塊、金凸塊或銅凸塊等，是預(yù)先形成于芯片的電極焊墊表面上，而其中凸塊可為任何形狀，是如釘柱狀凸塊、球形凸塊、柱狀凸塊或其它形狀。而對應(yīng)的焊錫凸塊(或稱預(yù)焊錫凸塊(presolderbump))則通常使用低溫焊錫，亦形成于電路板的接觸焊墊上。在一回焊(reflow)溫度下，芯片以焊錫接與電路板鍵結(jié)在一起，而在芯片與電路板間布設(shè)底膠后，覆晶組件即完成制作。而以焊錫接形成覆晶組件的典型例子可參考

圖1及圖2所示。參閱圖1，是應(yīng)用金屬凸塊及預(yù)焊錫凸塊的典型例子。金屬凸塊101是形成于芯片103的電極焊墊102上，而以低溫焊錫形成的預(yù)焊錫凸塊104，則形成于電路板106的接觸焊墊105上，如圖1A所示。接著在一回焊溫度使溶解暨重塑預(yù)焊錫凸塊104以形成焊錫接107(solderjoint)。在布設(shè)底膠(underfill)108于芯片103與電路板106的間隙后，所述的覆晶組件100于焉完成，如圖1B所示。
再參閱圖2，是另一未應(yīng)用預(yù)焊錫凸塊的典型例子。焊錫凸塊201形成于芯片203的電極焊墊202上，而芯片203在一回焊溫度下與電路板204鍵結(jié)，且此時焊錫接205形成于接觸焊墊206上，如圖2A所示。同樣地，在布設(shè)底膠207于芯片203與電路板204的間隙后，即完成覆晶組件200，如圖2B所示。
一般而言，形成預(yù)焊錫凸塊于電路板上的最常見方法為模版印刷法(stencil printing)。一些參考資料揭露模版印刷法技術(shù)可參考U.S.Pat.Nos.5,203,075(C.G.Angulas et al)，5,492,266(K.G.Hoebener et al)與5,828,128(Y.Higashiguchi et al)。覆晶裝配的焊錫凸塊技術(shù)的選用則包含凸塊間距與尺寸縮小化的雙重考慮。根據(jù)實際經(jīng)驗，當(dāng)凸塊間距在0.15mm以下時，模版印刷法即產(chǎn)生制作的困難，而必須改采電鍍法制作習(xí)知有關(guān)于覆晶封裝在電路板上制作電鍍凸塊的技術(shù)，則可參考U.S.Pat.Nos.5,391,514(T.P.Gall et al)與5,480,835(K.G.Hoebener etal)。然而雖然以電鍍法在電路板上制作的焊錫凸塊的間距較模版印刷法佳，但實施上仍有一些缺點存在，例如在焊錫凸塊的制程中，有機絕緣保護層必須不受傷害，以避免影響產(chǎn)品可靠度。同時，電鍍及凸塊高度的一致性必須加以控制。而這些細節(jié)部分在U.S.Pat.Nos.5,391,514及5,480,835皆未被披露。
本發(fā)明的另一目的是提供一種在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其是以一物理氣相沉積方式形成金屬晶種層的方法。
本發(fā)明的再一目的是提供一種在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其是以一化學(xué)氣相沉積方式形成金屬晶種層的方法。
本發(fā)明的再一目的是提供一種以無電鍍(electrolessplating)方式形成金屬晶種層的方法，其中有機絕緣保護層與焊墊的表面是覆有至少包含銅離子的水溶性溶液，還原該銅離子以形成一催化銅。藉由催化銅的輔助，金屬晶種層可以無電鍍方式形成。
本發(fā)明的再一目的是提供一種以電鍍方式形成金屬晶種層的方法，其中有機絕緣保護層與焊墊的表面是覆有至少包含銅離子的水溶性溶液，還原該銅離子以形成一催化銅。藉由催化銅的輔助，一第一薄金屬層可以無電鍍方式形成。以該第一薄金屬層為電極，一第二薄金屬層可以電鍍方式形成。而金屬晶種層即包含第一薄金屬層及第二薄金屬層。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，所提供的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，包括以下步驟(a)提供一有機電路板，該電路板的表面上形成有電路布局，并包含至少一接觸焊墊；(b)在該電路板上覆上一有機絕緣保護層(solder mask)，該保護層是圖案化而暴露出所述焊墊(pad)；(c)在所述的電路板上沉積形成一薄金屬層；(d)形成一電鍍阻層覆在該薄金屬層上，且至少有一開口裸露出所述接觸焊墊；(e)以電鍍方式形成一焊錫材料于該開口內(nèi)；(f)移除所述的電鍍阻層與及其下的薄金屬層。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，所提供的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其包括以下步驟(a)提供一有機電路板，該電路板的表面上形成有電路布局，并包含至少一接觸焊墊；(b)在該電路板上覆上一有機絕緣保護層，該保護層是圖案化而暴露出所述焊墊；(c)以一水溶性溶液披覆在該保護層與該焊墊上，該水溶性溶液至少含有銅離子，還原該銅離子形成催化銅，而未含還原任何惰性金屬離子；(d)以無電鍍法在所述的電路板上形成一薄金屬層；(e)形成一電鍍阻層覆在該薄金屬層上，且至少有一開口裸露出所述接觸焊墊；(f)以電鍍方式形成一焊錫材料于該開口內(nèi)；(g)移除所述的電鍍阻層及其下方的薄金屬層與催化銅。
為了便于理解本發(fā)明的目的、特征及功效，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進行詳細描述。
圖1A至圖1B是傳統(tǒng)的應(yīng)用金屬凸塊及預(yù)焊錫凸塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A至圖2B是另一傳統(tǒng)的應(yīng)用焊錫凸塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3A～圖3G是本發(fā)明實施例于電路板上進行電鍍焊錫的方法示意圖。
圖4A～圖4C是本發(fā)明另一實施例于電路板上進行電鍍焊錫的方法示意圖。
圖5A～圖5B是本發(fā)明另一實施例于電路板上進行電鍍焊錫的方法示意圖。
圖6A～圖6B是本發(fā)明另一實施例于覆晶組件上進行電鍍焊錫的方法示意圖。
圖7A～圖7B是本發(fā)明另一實施例于覆晶組件上進行電鍍焊錫的方法示意圖。
圖8A～圖8B是本發(fā)明另一實施例于覆晶組件上進行電鍍焊錫的方法示意圖。
附圖標(biāo)號說明1，21，106，204-電路板；2，2a，19，22，105，206-焊墊；3-阻障層；4-有機絕緣保護層；5-金屬晶種層；6-電鍍阻層；7-開口；8-焊錫材料；9，201-焊錫凸塊；10-電路層；12-絕緣層；13-電路線；14，17，23，103，203-芯片；15，19，24，102，202-電極焊墊；16，20-覆晶焊錫接；18，25，26，101-金屬凸塊；27，28，107，205-焊錫接；100，200-覆晶組件；104-預(yù)焊錫凸塊；108，207-底膠。
本發(fā)明是有關(guān)于一種在有機電路板上進行電鍍焊錫凸塊的方法，其可形成具良好電鍍一致性的焊錫凸塊，但卻不會傷害有機絕緣保護層。然而，本發(fā)明的附圖僅為簡單說明，并非依實際尺度描繪，亦即未反映出芯片載體結(jié)構(gòu)中，各層次的實際尺寸與特色。
請參閱圖3A所示，是本發(fā)明第一實施例，首先提供一有機電路板1，該有機電路板1的表面上并形成有一接觸焊墊2。其中作為有機電路板1的絕緣層是可由有機材質(zhì)、纖維強化(fiber-reinforced)有機材質(zhì)或顆粒強化(particle-reinforced)有基材質(zhì)等所構(gòu)成，如環(huán)氧樹脂(epoxy resin)、聚乙醯胺(polyimide)、雙順丁稀二酸醯亞胺/三氮阱(bismaleimide triazine-based)樹脂、氰酯(cyanate ester)、polybenzocyclobutane或其玻璃纖維(glass fiber)的復(fù)合材料等。所述的接觸焊墊2是典型以金屬材料形成，是如銅。一阻障層3覆蓋在該焊墊2上，該阻障層3常包含一由鎳所組成的黏著層與一由金所組成的保護層。然而，所述的阻障層3亦可由鎳(Ni)、鈀(Pd)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉻/鈦(Cr/Ti)、鎳/鈀(Ni/Pd)、鈀/金(Pd/Au)、鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)等，其是可以電鍍(electroplating)、無電鍍(electrolessplating)或物理氣相沉積等方式形成。沉積一有機絕緣保護層4在所述電路板1表面以保護電路布局并提供絕緣作用。
為能在一非導(dǎo)電的表面上電鍍形成焊錫凸塊，在電鍍的前，必須先在該非導(dǎo)電表面上形成一導(dǎo)電晶種層(seed layer)。在一般電路板業(yè)界，該晶種層常以無電鍍沉積形成，在此過程中，其表面必須先浸沒在化學(xué)溶液中，以形成催化性表面(亦即敏化劑(sensitizer)，氯化錫、氯化鈦等；以及活化劑(activator)，是如酸化氯化鈀、酸化氯化金、酸化氯化銀等)，然后再浸沒于無電鍍?nèi)芤盒纬梢粚?dǎo)電晶種層。藉助該晶種層，金屬凸塊即可以電鍍方式形成。然而，以無電鍍在有機電路板上形成晶種層仍有一些缺點其一是該有機電路板暴露在化學(xué)溶液中，亦即敏化劑溶液、活化劑溶液以及無電鍍?nèi)芤褐?，將?dǎo)致有絕緣保護層受到侵蝕性傷害，而使得電路板的可靠度降低；其二是敏化劑溶液及活化劑溶液通常包含有大量的氯離子，其容易穿透該有機保護層，且在浸沒步驟的后會滯留于該保護層中，易導(dǎo)致電路板的可靠度降低；另一問題則是，惰性金屬，亦即鈀、金、銀等，通常是作為非導(dǎo)體表面上扮演一催化金屬的角色，所以也就難以自保護層表面移除，且容易形成殘渣在其表面；同時，蝕刻所述惰性金屬亦容易傷害到該有機保護層。在此情形中，有機電路板的可靠度也就成為難題。
為避免上述傷害有機保護層的問題產(chǎn)生，本發(fā)明是提供一種形成金屬晶種層的方法，且不需使電路板浸沒于化學(xué)溶液中。本發(fā)明是以金屬層作為晶種層，是以物理氣相沉積或化學(xué)物理氣相沉積，是如濺鍍(sputtering)、蒸發(fā)(evaporation)、電弧蒸發(fā)(arc vapordeposition)、離子鍍(ion beam sputtering)、雷射蒸鍍(laserablation deposition)、電漿輔助化學(xué)器相沉積(plasma enhancedCVD)及有機金屬化學(xué)相沉積(Metallorganic CVD)等，在有機電路板的表面上形成一金屬層。接續(xù)所述則是利用該晶種層形成電鍍焊錫凸塊在有機電路板上的制程。
參閱圖3B，為本發(fā)明的實施例。以物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積形成一金屬晶種層5于電路板1上。接著一設(shè)有若干開口7的電鍍阻層6(可為有機光阻材料)沉積并覆蓋在晶種層5上，再形成一電鍍焊錫材料8于各該開口7內(nèi)，如圖3C所示。接著移除所述電鍍阻層6與晶種層5，如圖3D所示。最后，在一回焊溫度下溶解并重塑該焊錫材料8，以形成焊錫凸塊9于焊墊2上，如圖3E所示所述的金屬晶種層5可為金屬、合金或疊層多層金屬所組成，是如銅、鎳、錫、鈷、鉻銅合金、鉛錫合金、錫/銅(雙金屬層)、鎳/銅、鉻/鉻銅合金/銅等。然而，惰性金屬，是如金、銀、鈀、鉑、鉬及鉭等，則必須避免成為該晶種層5的一部分，因在蝕刻時，這類金屬移除時易傷害有機保護層。該晶種層5的厚度在0.01mm以下，較佳者在0.0002至0.0005mm之間。藉由該晶種層5在焊錫材料中的溶解度，會觀察到兩個現(xiàn)象一是如圖3E所示，即晶種層5未能完全溶入該焊錫凸塊9，且在回焊過程中依然存在，是如鎳組成的晶種層5及錫鉛合金組成的焊錫凸塊9；另一則如圖3F所示，晶種層5完全溶入焊錫凸塊9中，在回焊過程中消逝，是如錫組成的晶種層5及錫鉛或錫銅合金組成的焊錫凸塊9。根據(jù)實務(wù)經(jīng)驗，選用錫/銅雙金屬層作為晶種層5最佳，銅可在電鍍阻層6圖案化過程中保護錫不被氧化，而僅須在電鍍前將開口7內(nèi)的銅去除，電鍍時即可得到清潔的錫表面；并且在去除晶種層5時所同時溶出電鍍凸塊的錫，亦可在回焊過程中被晶種層5的殘留錫所補充。
以本實施例來說，亦可不形成阻障層3，如圖3G所示，而使該焊錫凸塊9直接形成于該焊墊2并與其接觸。
而焊錫材料8可為由下列金屬所組成的合金鉛、錫、銀、銅、鉍、銻、鋅、鎳、鋁、錳、銦、碲與鎵等。在回焊過程后，可再以一清潔步驟，是如超音波，清除助溶劑殘渣。
重要的是，晶種層5較薄者為佳。因薄晶種層5在蝕刻液中可較快移除，也就使得有機電路板1浸沒在蝕刻液中的時間能夠縮短。如此，有機保護層4與焊錫材料8被蝕刻液傷害的程度將減少至可接受的范圍。另一方面，在回焊過程中，當(dāng)晶種層5，如錫，會溶入于該焊錫材料8中，該焊錫材料是如錫鉛或錫銅合金，該較薄晶種層5將有少量的錫溶入該焊錫凸塊9中；因此，在此情況下，焊錫凸塊9的合金成分將容易掌握的多。以實務(wù)經(jīng)驗而言，晶種層5的厚度在0.0002至0.0005mm者為最佳。而蝕刻液的成分選擇則可于一般金相學(xué)(metallography)技術(shù)書中得知，是如“Metallographic etching”，Gunter Petzow，American Societyfor Metals，Metals Park，Ohio，(1978)。
所述的晶種層5亦可以無電鍍或電鍍方式形成，催化金屬不應(yīng)用惰性金屬，而是以銅作為催化金屬。典型的非導(dǎo)電表面上形成催化銅的例子，于U.S.Pat.No.3,993,491與3,993,848中皆有揭露。而藉助于催化銅表面，所述的金屬晶種層5可以無電鍍形成。當(dāng)然，該晶種層5亦可在短周期的無電鍍的后，再以電鍍形成，開始時，催化銅形成于一非導(dǎo)電表面上，再以電鍍形成一薄金屬層于該催化銅上，的后，一第二薄金屬層形成于該第一薄金屬層上，因此，該晶種層5即包含有一第一及第二薄金屬層。此外，該有機保護層4的傷害亦可減緩，因該催化銅(非惰性金屬)可輕易自蝕刻液中移除。經(jīng)由上述無電鍍或電鍍制程，所述的焊錫凸塊9即可形成在有機電路板1上，如圖3E，圖3F及圖3B所示。
所述的有機保護層4并非限定必須覆蓋部分焊墊2的表面。參閱圖4A，所述的保護層4沉積在該有機電路板1的表面，但并未覆蓋住焊墊2表面的任何部分。完成所述晶種層5與具開口7的電鍍阻層6，接著于開口7內(nèi)形成電鍍焊錫材料8。在移除電鍍阻層6與晶種層5的后，所述的焊錫凸塊9可在回焊制程中完成。然而因晶種層5在焊錫凸塊內(nèi)的熔解度差異性，亦同樣會有兩不同現(xiàn)象以較低溶解度而言，所述的晶種層5在回焊制程的后仍會存在，如圖4B所示；相對地，以較高熔解度而言，所述的晶種層5在回焊制程的后則會消逝，如圖4C所示。
所述的焊墊2是非限定于任何形狀與尺寸。如圖5A所示，其只顯示有機電路板1最上三層電路層10。而焊墊2a的表面與有機絕緣層12的表面是在同一平面上，沉積一有機絕緣層4，并使其圖案化以暴露出該焊墊2a。而垂直方向的電路線13是通常以所謂的“疊層通孔(stacked via)”技術(shù)完成。而焊錫凸塊9亦可以前述所提方式形成于焊墊2a上，如圖5B所示。
所述的焊錫凸塊9可以應(yīng)用于覆晶(flip chip)封裝技術(shù)上。如圖6A所示，一設(shè)有電極焊墊15的IC芯片14與該有機電路板1耦合。接著，在一回焊溫度下，覆晶焊錫接16在焊墊2與電極焊墊15之間形成，如圖6B所示。
本發(fā)明的再一實施例，所述的焊錫凸塊9亦可以應(yīng)用于覆晶封裝技術(shù)上，以IC芯片上的金屬凸塊加以焊接。如圖7A所示，一IC芯片17利用在各個焊墊19上所附的金屬凸塊18與有機電路板1黏著。在一回焊溫度下，一覆晶焊接20可形成于焊墊2與電極焊墊19之間，如圖7B所示。而所述金屬凸塊18可以金屬、金屬合金或多層疊層數(shù)種金屬所組成，是如焊錫凸塊、金凸塊、銅凸塊或覆蓋著錫帽(solder cap)的銅柱等，當(dāng)然該金屬凸塊18可以是任何形狀，是如釘柱狀凸塊、球形凸塊、柱狀凸塊或其它形狀等。
本發(fā)明的再一實施例，所述焊錫凸塊9可應(yīng)用于形成覆晶焊接與電路板焊接的耦合。如圖8A所示，一電路板21可為一有機電路板或陶瓷電路板，其表面上并設(shè)有焊墊22，及一IC芯片23設(shè)有電極焊墊24鍵結(jié)于與電路板21的表面。一金屬凸塊25形成在所述焊墊22上，以及其它金屬凸塊26形成于各該電極焊墊24上。接著所述電路板21再與有機電路板1相耦合。在一回焊溫度下，形成一位于電極焊墊24與焊墊2間的焊錫接27，及一位于焊墊22與焊墊2間的耦合焊錫接28(board solder joint)，如圖8B所示。而所述的金屬凸塊25、26可以是由金屬、金屬合金或疊層數(shù)種金屬所組成，是如焊錫凸塊、金凸塊、銅凸塊或覆蓋著錫帽(soldercap)的銅柱，當(dāng)然該金屬凸塊25、26可以是任何形狀，是如釘柱狀凸塊、球形凸塊、柱狀凸塊或其它形狀等。
本發(fā)明的在有機電路板上形成焊錫凸塊的方法，是具有下列優(yōu)點
1、本發(fā)明在有機電路板上形成焊錫凸塊的電鍍制程，不會傷害有機保護層，并可提供電鍍凸塊高度的一致性。
2、本發(fā)明提供形成金屬晶種層的方法，且不需使電路板浸沒于化學(xué)溶液中，減少電路板傷害。
綜上所述，本發(fā)明提供高制程良率，有效改善傳統(tǒng)的制程困難及良率損失等缺失，且本發(fā)明的整體制程容易、成本亦非常低廉，量產(chǎn)性高。
以上說明僅為本發(fā)明在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法的較佳實施例，并非用以限制本發(fā)明的實施范圍，任何本領(lǐng)域的熟練人員在不違背本發(fā)明的精神所做的修改，均應(yīng)屬于本發(fā)明的范圍，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)以附帶的權(quán)利要求為依據(jù)。
權(quán)利要求
1.一種在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，包括以下步驟(a)提供一有機電路板，該電路板的表面上形成有電路布局，并包含至少一接觸焊墊；(b)在該電路板上覆上一有機絕緣保護層(solder mask)，該保護層圖案化而暴露出所述焊墊(pad)；(c)在所述的電路板上沉積形成一薄金屬層；(d)形成一電鍍阻層覆在該薄金屬層上，且至少有一開口裸露出所述接觸焊墊；(e)以電鍍方式形成一焊錫材料于該開口內(nèi)；(f)移除所述的電鍍阻層與及其下的薄金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述焊墊上更可覆有一阻障層(barrier layer)。
3.如權(quán)利要求1所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述薄金屬層是以物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法形成。
4.如權(quán)利要求1所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述薄金屬層的材質(zhì)是銅、錫、鉛錫合金或錫/銅雙金屬層。
5.如權(quán)利要求1、3或4所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述薄金屬層的厚度是在0.01mm以下。
6.如權(quán)利要求1所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述的焊錫材料可為由下列金屬所組成的合金鉛、錫、銀、銅、鉍、銻、鋅、鎳、鋁、錳、銦、碲與鎵等。
7.一種在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其包括以下步驟(a)提供一有機電路板，該電路板的表面上形成有電路布局，并包含至少一接觸焊墊；(b)在該電路板上覆上一有機絕緣保護層，該保護層是圖案化而暴露出所述焊墊；(c)以一水溶性溶液披覆在該保護層與該焊墊上，該水溶性溶液至少含有銅離子，還原該銅離子形成催化銅，而未含還原任何惰性金屬離子；(d)以無電鍍法在所述的電路板上形成一薄金屬層；(e)形成一電鍍阻層覆在該薄金屬層上，且至少有一開口裸露出所述接觸焊墊；(f)以電鍍方式形成一焊錫材料于該開口內(nèi)；(g)移除所述的電鍍阻層及其下方的薄金屬層與催化銅。
8.如權(quán)利要求7所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中在所述步驟(d)的后更可包含一步驟(d1)以電鍍法在所述的電路板上形成一第二薄金屬層。
9.如權(quán)利要求8所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述第一及第二薄金屬層的厚度總和是在0.01mm以下。
10.如權(quán)利要求8所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述第二薄金屬層的材質(zhì)是銅或錫。
11.如權(quán)利要求7所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述焊墊上更可覆有一阻障層。
12.如權(quán)利要求7所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述的惰性金屬是指金、鈀或銀。
13.如權(quán)利要求7所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述第一薄金屬層的材質(zhì)是銅、錫、鎳或鉛錫合金。
14.如權(quán)利要求7所述的在有機電路板上進行電鍍焊錫的方法，其中所述的焊錫材料可為由下列金屬所組成的合金鉛、錫、銀、銅、鉍、銻、鋅、鎳、鋁、錳、銦、碲與鎵等。
全文摘要
本發(fā)明是一種在有機電路板上進行電鍍焊錫(electroplatedsolder)的方法,應(yīng)用于形成覆晶(flip－chip)封裝。依據(jù)本方法,首先是提供一有機電路板,該有機電路板布設(shè)有電路圖案,其至少設(shè)有一焊墊(pad),該電路板表面覆有一有機絕緣保護層(solder mask layer),并圖案化以露出該焊墊;接著,在電路板表面形成一金屬晶種(metal seed)層,其是以物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或無電鍍搭配催化銅,或是電鍍搭配催化銅方式所形成。形成一在焊墊處具有至少一開口的電鍍阻層(resist)覆蓋于該金屬晶種層上。最后,以電鍍方式形成焊錫材料在開口內(nèi),移除所述的電鍍阻層及其下的金屬晶種層,于該電路板上完成電鍍焊錫。
文檔編號H05K3/36GK1350420SQ01140209
公開日2002年5月22日 申請日期2001年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月5日
發(fā)明者謝翰坤, 王杏如, 董一中 申請人:全懋精密科技股份有限公司