專利名稱：電沉積銅箔的制造方法和電沉積銅箔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有令人滿意的伸長率和非常高的拉伸強(qiáng)度的電沉積銅箔及其制造方法。本發(fā)明還涉及使用這類電沉積銅箔制造的覆銅層壓物以及印刷線路板。
背景技術(shù)：
連續(xù)生產(chǎn)電沉積銅箔時(shí)，通常的做法是在一個(gè)裝滿電解液(其中例如溶解有酸式硫酸銅)的電沉積槽中，安裝一個(gè)Ti制圓柱形轉(zhuǎn)鼓作為陰極，其面對(duì)安裝一個(gè)不溶性陽極，在圓柱形轉(zhuǎn)鼓的表面上將銅電沉積出來。
由如此制得的電沉積銅箔制造印刷線路板，是將如上制得的電沉積銅箔層壓在一層底材(如環(huán)氧樹脂)上，之后通過蝕刻等步驟形成印刷線路。
近年來，電子設(shè)備日益小型化和致密化，因此要求形成高密度的電子線路。所以，目前廣泛使用由多塊印刷線路板相互結(jié)合在一起組成的多層印刷線路板層壓物。
制造這類印刷線路板的方法一般包括通過于260℃左右浮在熔融焊劑上來將器件安裝在線路板上的步驟。在該步驟中，若銅箔的高溫伸長率(HTE)小，由于底材和銅箔之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)差別，銅箔就跟不上底材的膨脹，導(dǎo)致不利的結(jié)果，即銅箔會(huì)開裂，從而使電接觸失效。因此，需要具有高拉伸強(qiáng)度和大的高溫伸長率的銅箔。
已知通過減少銅箔中雜質(zhì)含量，從而增強(qiáng)銅的再結(jié)晶度，可以提供伸長率大的上述銅箔。
例如，日本專利申請(qǐng)公報(bào)(未審查)平7-188969揭示一種大致均勻的電沉積銅箔的制造方法，所述電沉積銅箔具有直徑不超過10微米并具有無規(guī)取向的細(xì)小晶體，所述方法包括在0.1-5A/cm2的電流密度下對(duì)含銅離子、硫酸根離子和至少一種有機(jī)添加劑的電解液(其氯離子濃度被調(diào)節(jié)至小于1ppm)進(jìn)行電解，將銅箔電解沉積出來。
然而，采用這種方法制得的銅箔有一個(gè)缺陷，就是銅箔的高溫伸長率不盡人意。而且，由于電解液中的氯化物濃度必須調(diào)節(jié)至小于1ppm，使得過程控制困難，避免來自例如原料的氯化物沾污就很費(fèi)力。此外，在連續(xù)操作期間，當(dāng)電解液的氯化物濃度超過控制范圍時(shí)，將該濃度再調(diào)節(jié)到控制范圍需要花費(fèi)較長時(shí)間，致使生產(chǎn)效率變差。
已經(jīng)提出通過控制銅箔中所含氯化物的量，將其調(diào)節(jié)在規(guī)定范圍，可制得拉伸強(qiáng)度高，伸長率又大的銅箔。
例如，日本專利申請(qǐng)公報(bào)(未審查)平10-36992披露一種電沉積銅箔，其氯化物含量最大為40ppm，其硫含量最大為30ppm，這種電沉積銅箔的伸長率在180℃為5％或更大。該日本專利申請(qǐng)公報(bào)描述了在制造上述電沉積銅箔過程中，使用由硫酸酸化的硫酸銅溶液組成的電解液，該溶液含有5ppm或更少的氯離子以及0.5-2ppm硫脲。
然而，在制造電沉積銅箔中硫脲等物質(zhì)是作為添加劑加入，因此提高了成本。而且，電沉積銅箔的伸長率并不一直是令人滿意的。
此外，日本專利申請(qǐng)公報(bào)(未審查)平10-330983揭示一種含80-400ppm氯化物的電沉積銅箔，其維克斯硬度范圍在25℃時(shí)為180-320，經(jīng)220℃熱處理30分鐘后為150或更大。該日本專利申請(qǐng)公報(bào)描述了在制造上述的電沉積銅箔過程中，使用含50-250毫克/升氯化物，0.1-1.0克/升氧乙烯表面活性劑、1-10毫克/升膠或明膠和1-10毫克/升含氮有機(jī)化合物的用硫酸酸化的硫酸銅電解液。
然而，在上面揭示的電沉積銅箔的生產(chǎn)中必須加入大量的氯化物，因此存在所用生產(chǎn)設(shè)備被腐蝕的危險(xiǎn)。而且，制得的電沉積銅箔的結(jié)晶呈柱狀，因此銅箔的性能(如拉伸強(qiáng)度和伸長率)并非總是令人滿意。
為了解決上述問題，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛深入的研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過使用一種電解液，其中氯(Cl)離子濃度為1-3ppm，銅濃度為60-85克/升，游離硫酸濃度為100-250克/升，明膠添加劑濃度為0.3-5ppm，于40-60℃，在30-75A/dm2的電流密度下電解，制得的電沉積銅箔含有較高比例的孿晶，其中(尤其是在孿晶間界)選擇性地?fù)接新然铩４送?，還發(fā)現(xiàn)所得電沉積銅箔的氯化物含量為50-180ppm，是電解液中氯離子濃度的40-150倍，所得電沉積銅箔諸如拉伸強(qiáng)度和伸長率的性能均優(yōu)良。本發(fā)明是在這些發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上完成的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種拉伸強(qiáng)度和伸長率均優(yōu)良的電沉積銅箔。
本發(fā)明還提供了制造這種銅箔的方法。
本發(fā)明進(jìn)一步提供了包含絕緣底材和層壓在該底材表面上這種銅箔的覆銅層壓物，還提供了由這種覆銅層壓物上的銅箔制得的具有所需布線圖案的印刷線路板。
本發(fā)明制造電沉積銅箔的方法包括以下步驟制備銅濃度為60-85克/升、游離H2SO4(硫酸)濃度為100-250克/升、氯(Cl)離子濃度為1-3ppm，明膠添加劑濃度為0.3-5ppm的電解液，于40-60℃和30-75A/dm2的電流密度下進(jìn)行電解，由此將銅箔電沉積出來。
本發(fā)明的電沉積銅箔包含孿晶，細(xì)小晶體和/或柱狀晶體，孿晶間界中包含有氯(氯離子)，結(jié)果電沉積銅箔中的氯含量為50-180ppm，是電解液中氯離子濃度的40-150倍。
覆銅層壓物包含絕緣底材，其至少一面上層壓有上述電沉積銅箔。
具有所需布線圖案的印刷線路板，它是通過對(duì)覆銅層壓物上的電沉積銅箔進(jìn)行蝕刻而制得的，該覆銅層壓物包含絕緣底材和層壓在其至少一面上的上述電沉積銅箔。


圖1是含有孿晶的銅箔的剖面示意圖；圖2是孿晶間界的放大示意圖；圖3是含柱狀晶體的銅箔的剖面示意圖；圖4是含細(xì)小晶體的銅箔的剖面示意圖；圖5是用于本發(fā)明制造電沉積銅箔方法的設(shè)備的一個(gè)例子；圖6(a)至(d)是用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝的本發(fā)明和比較例的銅箔剖面照片。
具體實(shí)施例方式
下文詳細(xì)說明本發(fā)明制造電沉積銅箔的方法、電沉積銅箔、本發(fā)明的覆銅層壓物和印刷線路板。
電沉積銅箔的制造方法圖5示出了用于本發(fā)明制造電沉積銅箔方法的設(shè)備的一個(gè)例子。在電沉積槽4中，在圓柱形陰極轉(zhuǎn)鼓1和陽極2之間加入含硫酸銅的電解液，陽極2沿陰極轉(zhuǎn)鼓1保持大致一固定的間隙排列。向裝置提供電沉積銅所需的電流，使銅電沉積在旋轉(zhuǎn)的陰極轉(zhuǎn)鼓1的表面上。厚度達(dá)到給定值的銅箔從陰極轉(zhuǎn)鼓1上連續(xù)卸下，卷在輥式卷繞機(jī)3上。
一般來說，所得電沉積銅箔貼著陰極轉(zhuǎn)鼓的一面是光面(光澤表面)，而電沉積一面是無光面(粗糙表面)。
本發(fā)明中，使用銅濃度為60-85克/升，較好是60-80克/升，硫酸濃度為100-250克/升，較好是120-250克/升的電解液。
在該電解液中，所含氯(Cl)離子的濃度為1-3ppm，較好是1.0-2.5ppm，更好是1.1-2.5ppm。本發(fā)明中，因?yàn)樵阢~箔中要摻入大量(為常規(guī)電沉積銅箔摻入量的4-20倍)的氯化物，因此可能需要加入氯化物。一般來說，加入的氯化物是例如氯化銅。然而，在制造電沉積銅箔過程中加入的水或其它原料已沾染有氯(Cl)離子，因此，可不要求在電解液中另行加入氯化物。
本發(fā)明的電解液中還加入0.3-5ppm，較好是0.3-3ppm的明膠添加劑。明膠添加劑等的例子包括膠和明膠。在氯化物(Cl)濃度低的情況下使用這些明膠添加劑時(shí)，在銅電沉積期間形成孿晶，氯化物摻入到孿晶間界中，從而提高了銅箔中氯化物的含量。
本發(fā)明的該電解液以40-60℃的溶液溫度使用，在30-75A/dm2，較好是40-70A/dm2，更好是45-70A/dm2的電流密度下進(jìn)行電解。
使用上述電解液、用這種方法可制得含有高含量孿晶的電沉積銅箔。所得電沉積銅箔的氯化物含量為50-180ppm。在該電沉積銅箔中，除了孿晶外，可能還含有細(xì)小晶體或柱狀晶體。在這方面，當(dāng)使用如前所述的日本專利申請(qǐng)公報(bào)(未審查)平10-330983中使用的氯離子濃度為10-300ppm的電解液時(shí)，所得銅箔中的晶體會(huì)是柱狀。另一方面，當(dāng)由如前所述的日本專利申請(qǐng)公報(bào)(未審查)平7-188969中使用的氯離子濃度為小于1ppm的電解液制造銅箔時(shí)，所得銅箔中僅發(fā)現(xiàn)細(xì)小晶體，沒有孿晶。
用聚焦離子束(FIB)，制備用于截面觀察的銅箔樣品，之后對(duì)樣品進(jìn)行掃描離子成象顯微鏡(SIM)觀察，來鑒別晶體結(jié)構(gòu)。
當(dāng)沉積和生長進(jìn)行到一定程度時(shí)，突然改變晶體結(jié)構(gòu)的取向，再隨后生長新的晶體，重復(fù)這個(gè)過程，就形成了圖1所示的孿晶。如圖2所示，在孿晶中，兩個(gè)晶體相互接觸并保持一固定的結(jié)晶學(xué)關(guān)系。另一方面，如圖3所示，晶體沿一個(gè)方向的沉積和生長就形成柱狀晶體。再參見圖4，若細(xì)小直徑的許多晶體以無規(guī)取向沉積，就形成細(xì)小晶體。
本發(fā)明的電沉積銅箔中不僅含有孿晶，而且有細(xì)小晶體或柱狀晶體。
如上所述，由本發(fā)明電解液沉積的電沉積銅箔中的氯化物含量為50-180ppm。這一氯化物含量是由氯離子濃度為10-50ppm的電解液制得的電沉積銅箔(其中晶體僅由柱狀晶體組成)的氯化物含量或者由氯離子濃度小于1ppm的電解液制得的銅箔(晶體由細(xì)小晶體組成)的氯化物含量的4-20倍。因此，很明顯，是在孿晶，尤其是孿晶間界中摻入了較多的氯化物。
本發(fā)明電沉積銅箔中氯化物的含量(ppm)為電解液中氯離子濃度(ppm)的40-150倍，較好是40-140倍，更好是50-130倍。
本發(fā)明的上述方法能制得具有其中摻有氯化物的孿晶的電沉積銅箔。如上所述，制得的電沉積銅箔具有優(yōu)良的性能，如高拉伸強(qiáng)度和大的高溫伸長率。
本發(fā)明的上述方法還便于控制電解液的氯化物濃度，而不必加入大量氯化物或添加劑(如硫脲或胺化合物)，因此可以高效率制造電沉積銅箔。在這方面，如日本專利申請(qǐng)公報(bào)(未審查)平10-36992所述向電解液中加入硫脲時(shí)，可能發(fā)生硫摻入銅箔的情況，因此，不僅是所得電沉積銅箔的晶體具有細(xì)小晶粒結(jié)構(gòu)，而且摻入晶體的氯化物量也很小，從而使銅箔的伸長率下降。
采用本發(fā)明上述方法制得的電沉積銅箔的厚度和表面粗糙度(表面輪廓)，可根據(jù)電沉積銅箔的用途適當(dāng)選擇。當(dāng)需要制造較厚的電沉積銅箔時(shí)，應(yīng)降低電沉積槽中圓柱形陰極轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度。
用本發(fā)明上述方法制得的電沉積銅箔的無光面的表面粗糙度(Rz)為2.0-5.0微米，較好是2.4-4.5微米，更好是2.5-4.3微米，最好是2.5-3.2微米。
本發(fā)明制得的電沉積銅箔適合用作制造優(yōu)良印刷線路板中的銅箔。
也就是說，在絕緣底材的至少一面上層疊上述方式制得的電沉積銅箔，可以制造覆銅層壓物。此外，印刷線路板的制法是在由此制得的覆銅層壓物上通過曝光和顯影光致抗蝕劑，然后對(duì)由該抗蝕劑掩蔽的覆銅層壓物的電沉積銅箔進(jìn)行蝕刻，來形成所需的布線圖案。此外，通過將由此制得的印刷線路板一個(gè)疊在另一個(gè)上，同時(shí)按照如上所述方式形成布線圖案，可以制造多層印刷線路板。
如此制得的本發(fā)明電沉積銅箔還可用作二次電池(如鋰離子二次電池)的集電極。
由此制得的電沉積銅箔在使用前，如果需要，最好在電沉積銅箔的無光面(粗糙面，發(fā)生銅電沉積的那個(gè)面)上形成結(jié)節(jié)狀銅。用于形成這種結(jié)節(jié)狀銅的處理稱作“結(jié)節(jié)化”或“粗糙化處理”。
結(jié)節(jié)化處理包括放置電沉積銅箔，使其無光面(粗糙表面)對(duì)著陽極，在含銅離子的電鍍?nèi)芤褐性跓o光面上沉積銅。在該結(jié)節(jié)化處理中，一般依次進(jìn)行燒損電鍍、密封(覆蓋)電鍍和須晶電鍍。
例如，燒損電鍍包括放置按上述方式制得的電沉積銅箔使其無光面(粗糙面)對(duì)著陽極，用下列條件在無光面上鍍銅溶液的銅濃度5-30克/升，溶液中硫酸的濃度50-150克/升，溶液溫度20-30℃，電流密度20-40A/dm2，電鍍時(shí)間5-15秒。
在上述條件下在電沉積銅箔的無光面上進(jìn)行這種電鍍的結(jié)果，是在無光面(粗糙面)上形成被稱之為“燒損沉積物”的枝狀銅電沉積物。
對(duì)經(jīng)過燒損電鍍的無光面再進(jìn)行密封電鍍。密封電鍍例如包括用下列條件，在經(jīng)過上述燒損電鍍的電沉積銅箔的無光面上進(jìn)一步鍍銅溶液的銅濃度40-80克/升，溶液中硫酸的濃度50-150克/升，溶液溫度45-55℃，電流密度20-40A/dm2，電鍍時(shí)間5-15秒。
在電沉積銅箔的無光面上進(jìn)行密封電鍍的結(jié)果，是在具有“燒損沉積物”的無光面上形成結(jié)節(jié)狀銅沉積物。
對(duì)經(jīng)上述條件密封電鍍的無光面的表面又進(jìn)行須晶電鍍。須晶電鍍例如包括用下列條件，在經(jīng)上述密封電鍍的無光面上進(jìn)一步鍍銅溶液的銅濃度5-30克/升，溶液中硫酸的濃度30-60克/升，溶液溫度20-30℃，電流密度10-40A/dm2，電鍍時(shí)間5-15秒。
在上述條件下在經(jīng)密封電鍍的無光面上進(jìn)行須晶電鍍的結(jié)果是，在覆蓋的鍍層(銅的覆蓋層)上面形成了須晶狀的銅。
當(dāng)電沉積銅箔用作二次電池的集電極時(shí)，上述“結(jié)節(jié)化”即“粗糙化處理”不是必需的。無光面和光面之間的表面粗糙度(Rz)差別小的電沉積銅箔宜用作二次電池的集電極。
進(jìn)行了如此結(jié)節(jié)化即粗糙化處理的電沉積銅箔隨后較好還進(jìn)行鈍化。
本發(fā)明中采用的鈍化沒有什么具體限制，可以是例如鋅鍍或錫鍍的鈍化電鍍。在該鈍化電鍍(如鋅鍍)中，使用溶解有硫酸鋅、焦磷酸鋅等的電解液。
鈍化電鍍后，經(jīng)鈍化電鍍的表面宜再用鉻酸鹽處理。在鉻酸鹽處理中，經(jīng)鈍化電鍍的電沉積銅箔一般浸在含0.2-5克/升三氧化鉻且pH值被調(diào)節(jié)至9-13的溶液中，以0.1-3A/dm2的電流密度處理電沉積銅箔的無光面。處理時(shí)間一般約為1-8秒。
鉻酸鹽處理后，電沉積銅箔的表面最好還用硅烷偶聯(lián)劑處理。
在該硅烷偶聯(lián)劑處理中，一般可使用任何硅烷偶聯(lián)劑，例如乙氧基烷氧基硅烷、氨基烷氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基烷氧基硅烷和巰基烷氧基硅烷。這些硅烷偶聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或組合使用。施加到電沉積銅箔表面上的這些硅烷偶聯(lián)劑的量為0.15-20毫克/米2，較好為0.3-2.0毫克/米2，以硅原子計(jì)。
經(jīng)上面的結(jié)節(jié)化即粗糙化處理、鈍化電鍍、鉻酸鹽處理和硅烷偶聯(lián)劑處理的電沉積銅箔，作為形成印刷線路用的銅箔尤其有用。
電沉積銅箔本發(fā)明的電沉積銅箔中，氯或氯離子的摻入量為50-180ppm。
本發(fā)明的電沉積銅箔包含孿晶，
細(xì)小晶體和/或柱狀晶體，以高含量選擇性摻有孿晶，尤其是孿晶間界的氯或氯離子。
用聚焦離子束(FIB)制備銅箔樣品，之后對(duì)銅箔截面進(jìn)行掃描離子顯微鏡(SIM)觀察，來鑒別晶體結(jié)構(gòu)。
當(dāng)沉積和生長進(jìn)行到一定程度，突然改變晶體結(jié)構(gòu)的取向，隨后生長新的晶粒，重復(fù)這個(gè)過程，可形成圖1所示的孿晶。如圖2所示，在孿晶中，兩個(gè)晶體相互接觸并保持一固定的結(jié)晶學(xué)關(guān)系。另一方面，如圖3所示，晶體沿一個(gè)方向沉積和生長就形成柱狀晶粒。再參見圖4，若沒有任何取向地沉積許多微小直徑的晶體，就形成細(xì)晶結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的電沉積銅箔中不僅含有孿晶，而且含有細(xì)小晶體或柱狀晶體。
在室溫下，這種電沉積銅箔的拉伸強(qiáng)度為45-65kg/mm2，較好為45-63kg/mm2，更好是50-62kg/mm2，伸長率約為3-18％，較好是3-15％，更好是6-15％。
可根據(jù)電沉積銅箔的用途適當(dāng)選擇本發(fā)明電沉積銅箔的厚度和表面粗糙度。
本發(fā)明電沉積銅箔的表面粗糙度(Rz)較好是2.0-5.0微米，更好是2.4-4.4微米。
本發(fā)明的上述電沉積銅箔，由于其拉伸強(qiáng)度高，伸長率又大，適合用作印刷線路用途中的銅箔，或用作二次電池(如鋰離子二次電池)的集電極。
本發(fā)明的電沉積銅箔例如可通過上述方法制造。
由本發(fā)明電沉積銅箔制得的覆銅層壓物和印刷線路板覆銅層壓物的制法是，使用熱壓機(jī)將上述電沉積銅箔層壓到絕緣底材的至少一面上，此時(shí)使用絕緣粘合劑或者不用粘合劑。
電子設(shè)備中通常使用的樹脂底材可用作覆銅層壓物的絕緣底材。例如，可使用紙/酚類底材、紙/環(huán)氧樹脂底材、玻璃/環(huán)氧樹脂底材和聚酰亞胺底材。
印刷線路板的制法，是先在如此制得的覆銅層壓物的銅箔表面上施涂例如光致抗蝕劑，隨后對(duì)該光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影以形成所需的抗蝕刻圖案，之后蝕刻電沉積銅箔，這樣，在絕緣底材表面上就覆蓋著由蝕刻銅箔制得的布線圖案。
如此制得的印刷線路板包含絕緣底材，在其表面上覆蓋有通過蝕刻銅箔得到的布線圖案，這種印刷線路板上還可以再用絕緣層與電沉積銅箔進(jìn)一步層壓，并按同樣方式對(duì)電沉積銅箔進(jìn)行蝕刻，形成多層印刷線路板。
根據(jù)本發(fā)明的方法，使用氯離子濃度為1-3ppm，銅濃度為60-85克/升、游離硫酸濃度為100-250克/升和明膠添加劑濃度為0.3-5ppm的電解液，于40-60℃、以30-75A/dm2的電流密度電解，可制得機(jī)械性能(如拉伸強(qiáng)度和伸長率)優(yōu)良的電沉積銅箔。如此獲得的電沉積銅箔尤其適用作用于印刷線路板的銅箔或用于二次電池(如鋰離子二次電池)的集電極。
本發(fā)明的電沉積銅箔具有優(yōu)良的性能，如拉伸強(qiáng)度和伸長率。這種電沉積銅箔特別適合用作印刷線路用途的銅箔，也可用作二次電池(如鋰離子二次電池)的集電極。
現(xiàn)在結(jié)合以下一些實(shí)施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但是這些實(shí)施例絕不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明范圍的限制。
實(shí)施例1制造電沉積銅箔將銅離子和游離硫酸的濃度分別為80克/升和250克/升，氯(Cl)離子和明膠的含量分別為2.7ppm和2ppm的電解液(溶液溫度50℃)連續(xù)加入圖5所示的電沉積槽4中。以60A/dm2的電流密度在陰極轉(zhuǎn)鼓1的表面上沉積(沉淀)銅。從陰極轉(zhuǎn)鼓1連續(xù)卸下生成的銅，由此獲得35微米厚的電沉積銅箔。
測(cè)定所得銅箔的拉伸強(qiáng)度、伸長率、銅箔沉積面(無光面)上的表面粗糙度和氯化物含量。
結(jié)果見表1。
通過掃描離子成象顯微鏡(SIM)觀察，評(píng)價(jià)所得銅箔的晶體結(jié)構(gòu)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，所得電沉積銅箔含有較高含量的孿晶。
實(shí)施例2-3和比較例1-3按照與實(shí)施例1相同的方式制造并測(cè)試電沉積銅箔，不同的是按表1所示改變所用電解液中氯(Cl)離子的濃度。
結(jié)果也示于表1。
表1

由表1可知，將電解液的氯離子濃度調(diào)節(jié)至1-3ppm，可制得拉伸強(qiáng)度高而伸長率也大的電沉積銅箔。
圖6(a)至(d)是按實(shí)施例1相同方式制得(只是改變了電解液的氯離子濃度)的電沉積銅箔的掃描電子顯微鏡照片。圖6(a)示出了用氯離子濃度為0.8ppm的電解液獲得的電沉積銅箔，圖6(b)示出了用氯離子濃度為1.2ppm的電解液獲得的電沉積銅箔，圖6(c)示出了用氯離子濃度為2.8ppm的電解液獲得的電沉積銅箔，圖6(d)示出了用氯離子濃度為3.2ppm的電解液獲得的電沉積銅箔。
由這些圖6可見，本發(fā)明的電沉積銅箔具有光滑的表面，如圖6(b)和(c)所示。而用氯離子濃度小于1ppm或大于3ppm的電解液得到的電沉積銅箔具有許多錐形粗糙度，如圖6(a)和(d)所示。
權(quán)利要求
1.一種制造電沉積銅箔的方法，該方法包括以下步驟制備銅濃度為60-85克/升、游離硫酸濃度為100-250克/升、氯(Cl)離子濃度為1-3ppm和明膠添加劑濃度為0.3-5ppm的電解液，于40-60℃、以30-75A/dm2的電流密度進(jìn)行電解，從而將銅箔電沉積出來。
2.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于所述電沉積銅箔包含孿晶，細(xì)小晶體和/或柱狀晶體，孿晶中摻有氯離子或氯，使得電沉積銅箔的氯含量在50-180ppm的范圍內(nèi)，是電解液中氯離子濃度的40-150倍。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述電沉積銅箔的無光面的表面粗糙度(Rz)在2.0-5.0微米的范圍內(nèi)。
4.一種電沉積銅箔，它包含孿晶，細(xì)小晶體和/或柱狀晶體，孿晶中摻有氯離子或氯，使得電沉積銅箔的氯含量在50-180ppm的范圍內(nèi)，是電解液中氯離子濃度的40-150倍。
5.一種覆銅層壓物，它包含其至少一面上層壓有權(quán)利要求4所述電沉積銅箔的絕緣底材。
6.一種具有所需布線圖案的印刷線路板，它是通過對(duì)權(quán)利要求5所述覆銅層壓物上的電沉積銅箔進(jìn)行蝕刻而制得的。
全文摘要
一種制造電沉積銅箔的方法,包括以下步驟:制備銅濃度為60－85克/升、游離硫酸濃度為100－250克/升、氯(Cl)離子濃度為1－3ppm和明膠添加劑濃度為0.3－5ppm的電解液,于40－60℃、以30－75A/dm
文檔編號(hào)H05K1/09GK1337475SQ0112508
公開日2002年2月27日 申請(qǐng)日期2001年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月4日
發(fā)明者高橋直臣, 平澤裕 申請(qǐng)人:三井金屬鉱業(yè)株式會(huì)社