標(biāo)包括變 頻器增益或相對(duì)變頻器增益。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,所述處理電路通過基于所 述第一性能指標(biāo)執(zhí)行分析計(jì)算來確定所述第一控制設(shè)置。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,所述第二性能指標(biāo)包括電 壓駐波比或反射系數(shù)幅度/相位。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,所述搜索操作是局部最小 值搜索操作。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,所述處理電路進(jìn)一步被配 置為執(zhí)行天線估計(jì)來確定測(cè)量的反射系數(shù),并通過根據(jù)天線與檢測(cè)器輸入之間至少一個(gè)模 塊的至少一個(gè)因素來補(bǔ)償所述測(cè)量的反射系數(shù),以生成在確定所述第一控制設(shè)置中所涉及 的估計(jì)的反射系數(shù)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,所述處理電路進(jìn)一步被配 置為生成經(jīng)由所述輸出電路至所述調(diào)諧器的預(yù)定義控制設(shè)置,并當(dāng)所述調(diào)諧器由所述預(yù)定 義控制設(shè)置進(jìn)行配置時(shí),所述處理電路執(zhí)行天線估計(jì)來確定在確定所述第一控制設(shè)置中涉 及的反射系數(shù)。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,所述調(diào)諧器中的至少一個(gè) 可調(diào)元件被配置為具有最小的元件值,以響應(yīng)所述預(yù)定義控制設(shè)置。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,每個(gè)控制設(shè)置包括所述調(diào) 諧器中相應(yīng)可調(diào)元件的至少一個(gè)控制字;當(dāng)所述第一控制設(shè)置中的所述控制字由邊界值設(shè) 定時(shí),所述搜索操作檢查的每個(gè)候選控制設(shè)置具有固定在所述邊界值的控制字。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,在加載下由所述搜索操作 先前檢查的候選控制設(shè)置使所述第二性能指標(biāo)具有超出預(yù)定范圍的度量值,所述處理電路 進(jìn)一步被配置為通過在與所述加載對(duì)應(yīng)的候選控制設(shè)置的搜索列表中刪掉所述候選控制 設(shè)置,來生成所述搜索列表。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,在加載下由所述搜索操作 先前檢查的候選控制設(shè)置使所述第二性能指標(biāo)具有超出預(yù)定范圍的度量值,所述處理電路 進(jìn)一步被配置為通過向與所述加載對(duì)應(yīng)的不利的控制設(shè)置的列表添加所述候選控制設(shè)置, 來動(dòng)態(tài)地維護(hù)所述不利的控制設(shè)置的列表,并參考所述不利的控制設(shè)置的列表來阻止在所 述加載下所述候選控制設(shè)置被再次檢查。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,所述處理電路進(jìn)一步被配 置為預(yù)計(jì)算與至少一個(gè)加載和至少一個(gè)頻率相關(guān)的至少一個(gè)控制設(shè)置,其中根據(jù)所述第一 性能指標(biāo)確定所述至少一個(gè)控制設(shè)置;并且所述處理電路進(jìn)一步被配置為從所述至少一個(gè) 控制設(shè)置加載所述第一控制設(shè)置。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,所述處理電路還被配置為 執(zhí)行粗搜索操作以根據(jù)所述第一性能指標(biāo)尋找第三控制設(shè)置,并通過所述第三控制設(shè)置周 圍的候選控制設(shè)置執(zhí)行細(xì)搜索操作,以根據(jù)所述第一性能指標(biāo)尋找所述第一控制設(shè)置;所 述細(xì)搜索操作使用的第二步長(zhǎng)小于所述粗搜索操作使用的第一步長(zhǎng)。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,每個(gè)控制設(shè)置包括所述 調(diào)諧器中相應(yīng)可調(diào)元件的至少一個(gè)控制字;并且當(dāng)所述第三控制設(shè)置中的所述控制字由邊 界值設(shè)定時(shí),所述細(xì)搜索操作檢查的每個(gè)候選控制設(shè)置具有固定在所述邊界值的控制字。15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗調(diào)諧控制裝置,其特征在于,當(dāng)所述調(diào)諧器由所述第二 控制設(shè)置進(jìn)行配置時(shí),所述處理電路被進(jìn)一步配置為估計(jì)源阻抗,根據(jù)所述第一性能指標(biāo) 和源阻抗估計(jì)結(jié)果確定第三控制設(shè)置,并以所述第三控制設(shè)置設(shè)定的搜索起始點(diǎn)執(zhí)行另一 個(gè)搜索操作,以根據(jù)所述第二性能指標(biāo)尋找所述最終控制設(shè)置。16. -種阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,所述方法包括: 根據(jù)第一性能指標(biāo)確定第一控制設(shè)置; 以所述第一控制設(shè)置設(shè)定的搜索起始點(diǎn)執(zhí)行搜索操作,以根據(jù)與所述第一性能指標(biāo)不 同的第二性能指標(biāo)尋找第二控制設(shè)置;以及 基于從所述第二控制設(shè)置導(dǎo)出最終控制設(shè)置控制調(diào)諧器。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,所述第一性能指標(biāo)包括 變頻器增益或相對(duì)變頻器增益。18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,確定所述第一控制設(shè)置 包括: 通過基于所述第一性能指標(biāo)執(zhí)行分析計(jì)算來確定所述第一控制設(shè)置。19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,所述第二性能指標(biāo)包括 電壓駐波比或反射系數(shù)幅度/相位。20. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,所述搜索操作是局部最 小值搜索操作。21. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,該阻抗調(diào)諧控制方法進(jìn) 一步包括:執(zhí)行天線估計(jì)以確定測(cè)量的反射系數(shù);以及通過根據(jù)天線與檢測(cè)器輸入之間至 少一個(gè)模塊的至少一個(gè)因素來補(bǔ)償所述測(cè)量的反射系數(shù),以生成在確定所述第一控制設(shè)置 中所涉及的估計(jì)的反射系數(shù)。22. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,該阻抗調(diào)諧控制方法進(jìn) 一步包括: 生成至所述調(diào)諧器的預(yù)定義控制設(shè)置;以及 當(dāng)所述調(diào)諧器由所述預(yù)定義控制設(shè)置進(jìn)行配置時(shí),執(zhí)行天線估計(jì)來確定在確定所述第 一控制設(shè)置中涉及的反射系數(shù)。23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,所述調(diào)諧器中的至少一 個(gè)可調(diào)元件被配置為具有最小的元件值,以響應(yīng)所述預(yù)定義控制設(shè)置。24. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,每個(gè)控制設(shè)置包括所述 調(diào)諧器中相應(yīng)可調(diào)元件的至少一個(gè)控制字;執(zhí)行所述搜索操作還包括: 當(dāng)所述第一控制設(shè)置中的所述控制字由邊界值設(shè)定時(shí),保持所述搜索操作檢查的每個(gè) 候選控制設(shè)置的控制字固定在所述邊界值。25. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,在加載下由所述搜索操 作先前檢查的候選控制設(shè)置使所述第二性能指標(biāo)具有超出預(yù)定范圍的度量值;執(zhí)行所述搜 索操作還包括: 通過在與所述加載對(duì)應(yīng)的候選控制設(shè)置的搜索列表中刪掉所述候選控制設(shè)置,來生成 所述搜索列表。26. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,在加載下由所述搜索操 作先前檢查的候選控制設(shè)置使所述第二性能指標(biāo)具有超出預(yù)定范圍的度量值,所述阻抗調(diào) 諧控制方法還包括: 通過向與所述加載對(duì)應(yīng)的不利的控制設(shè)置的列表添加所述候選控制設(shè)置,來動(dòng)態(tài)地維 護(hù)所述不利的控制設(shè)置的列表;以及 參考所述不利的控制設(shè)置的列表來阻止在所述加載下所述候選控制設(shè)置被再次檢查。27. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,確定所述第一控制設(shè)置 包括: 預(yù)計(jì)算與至少一個(gè)加載和至少一個(gè)頻率相關(guān)的至少一個(gè)控制設(shè)置,其中根據(jù)所述第一 性能指標(biāo)確定所述至少一個(gè)控制設(shè)置;以及 從所述至少一個(gè)控制設(shè)置加載所述第一控制設(shè)置。28. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,粗搜索操作具有第一步 長(zhǎng);細(xì)搜索操作具有小于所述第一步長(zhǎng)的第二步長(zhǎng);并且根據(jù)所述第一性能指標(biāo)確定所述 第一控制設(shè)置包括: 執(zhí)行所述粗搜索操作以根據(jù)所述第一性能指標(biāo)尋找第三控制設(shè)置;以及 通過所述第三控制設(shè)置周圍的候選控制設(shè)置執(zhí)行所述細(xì)搜索操作,以根據(jù)所述第一性 能指標(biāo)尋找所述第一控制設(shè)置。29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,每個(gè)控制設(shè)置包括所述 調(diào)諧器中相應(yīng)可調(diào)元件的至少一個(gè)控制字;并且當(dāng)所述第三控制設(shè)置中的所述控制字由邊 界值設(shè)定時(shí),所述細(xì)搜索操作檢查的每個(gè)候選控制設(shè)置具有固定在所述邊界值的控制字。30. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的阻抗調(diào)諧控制方法,其特征在于,該阻抗調(diào)諧控制方法進(jìn) 一步包括: 當(dāng)所述調(diào)諧器由所述第二控制設(shè)置進(jìn)行配置時(shí),估計(jì)源阻抗; 根據(jù)所述第一性能指標(biāo)和源阻抗估計(jì)結(jié)果確定第三控制設(shè)置;以及 以所述第三控制設(shè)置設(shè)定的搜索起始點(diǎn)執(zhí)行另一個(gè)搜索操作,以根據(jù)所述第二性能指 標(biāo)尋找所述最終控制設(shè)置。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種阻抗調(diào)諧控制裝置及方法。阻抗調(diào)諧控制裝置包括處理電路和輸出電路。處理電路被配置為根據(jù)第一性能指標(biāo)確定第一控制設(shè)置,并以第一控制設(shè)置設(shè)定的搜索起始點(diǎn)執(zhí)行搜索操作,以根據(jù)第二性能指標(biāo)尋找第二控制設(shè)置。第二性能指標(biāo)與第一性能指標(biāo)不同。該輸出電路被配置為向調(diào)諧器輸出最終控制設(shè)置,其中從所述第二控制設(shè)置導(dǎo)出所述最終控制設(shè)置。本發(fā)明的阻抗調(diào)諧控制裝置及方法,能夠正確地配置天線調(diào)諧器以使得向天線傳輸?shù)墓β首畲蠡?br>【IPC分類】H04B1/04, H03H7/38
【公開號(hào)】CN105577198
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510644957
【發(fā)明人】郭錠勛, 周強(qiáng), 吳明洲, 梁正柏, 馬克 坦博克 柏納得
【申請(qǐng)人】聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2015年10月8日
【公告號(hào)】US20160126904