本發(fā)明涉及電聲轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種發(fā)聲裝置。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，為了達到理想的低頻效果，通常采用動圈式發(fā)聲單元。為了達到理想的高頻效果，通常采用動鐵式發(fā)聲單元或者壓電式發(fā)聲單元。在一些例子中，例如耳機中，通過設(shè)置單獨的動圈式發(fā)聲單元和動鐵式發(fā)聲單元或者動圈式發(fā)聲單元和壓電式發(fā)生單元，達到兼顧低頻和高頻發(fā)聲效果的目的。

然而，在耳機殼內(nèi)放置多個單元，對耳機結(jié)構(gòu)的設(shè)計有比較嚴(yán)格的要求，耳機體積通常較大，同時對于裝配工藝也有比較嚴(yán)格的要求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個目的是提供一種發(fā)聲裝置的新技術(shù)方案。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種發(fā)聲裝置。該發(fā)聲裝置包括膜片發(fā)聲裝置和壓電發(fā)聲裝置，所述膜片發(fā)聲裝置包括振動膜片，所述壓電發(fā)聲裝置包括壓電片，所述振動膜片與所述壓電片相對設(shè)置，所述振動膜片與所述壓電片相間隔。

可選地，所述膜片發(fā)聲裝置為動圈式發(fā)聲裝置。

可選地，所述動圈式發(fā)聲裝置包括所述振動膜片和導(dǎo)磁體，所述導(dǎo)磁體包括底部和圍繞所述底部設(shè)置的側(cè)壁部，所述底部被構(gòu)造為用于與永磁體連接，所述振動膜片和所述壓電片均被設(shè)置在所述側(cè)壁部上，所述振動膜片和所述壓電片均與所述底部相對，所述振動膜片位于所述壓電片與所述底部之間。

可選地，還包括pcb，所述pcb被設(shè)置在所述底部的外側(cè)，所述壓電發(fā)聲裝置的第二引線經(jīng)由所述側(cè)壁部的外側(cè)與所述pcb連接，所述動圈式發(fā)聲裝置的第一引線經(jīng)由所述側(cè)壁部的內(nèi)側(cè)與所述pcb連接。

可選地，所述側(cè)壁部具有第一凹槽或者缺口，所述第二引線被設(shè)置在所述第一凹槽或者所述缺口中。

可選地，所述側(cè)壁部的內(nèi)側(cè)具有沿周向環(huán)繞設(shè)置的第二凹槽，所述壓電片被卡接在所述第二凹槽中。

可選地，還包括華司，所述華司被設(shè)置在所述底部和所述永磁體之間。

可選地，所述動圈式發(fā)聲裝置包括外殼、外磁結(jié)構(gòu)和所述振動膜片，所述外殼具有外殼側(cè)壁，所述外磁結(jié)構(gòu)被設(shè)置在所述外殼內(nèi)，所述振動膜片和所述壓電片均與所述外殼側(cè)壁連接，所述振動膜片和所述壓電片均與所述外磁結(jié)構(gòu)相對，所述振動膜片位于所述壓電片與所述外磁結(jié)構(gòu)之間。

可選地，在所述壓電片上設(shè)置有泄壓孔。

可選地，所述壓電片為壓電陶瓷片。

本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了兼顧低頻和高頻的發(fā)聲效果，在耳機殼內(nèi)放置多個發(fā)聲單元，這樣耳機結(jié)構(gòu)的設(shè)計有比較嚴(yán)格的要求，耳機體積通常較大，同時對于裝配工藝也有比較嚴(yán)格的要求。因此，本發(fā)明所要實現(xiàn)的技術(shù)任務(wù)或者所要解決的技術(shù)問題是本領(lǐng)域技術(shù)人員從未想到的或者沒有預(yù)期到的，故本發(fā)明是一種新的技術(shù)方案。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，該發(fā)聲裝置在收到低頻信號時主要依靠膜片發(fā)聲裝置發(fā)聲，低頻效果良好；在收到高頻信號時主要依靠壓電發(fā)聲裝置發(fā)聲，高頻效果良好。

此外，該發(fā)聲裝置結(jié)構(gòu)簡單，體積小，順應(yīng)了電子設(shè)備輕薄化、小型化的發(fā)展趨勢。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)聲裝置的剖視圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)聲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)聲裝置的分解圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的導(dǎo)磁體的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的發(fā)聲裝置的剖視圖。

附圖標(biāo)記說明：

10：u鐵；11：壓電陶瓷片；12：側(cè)壁部；13：底部；14：振動膜片；15：音圈；16：永磁體；17：華司；18：pcb；19：振動間隙；20：泄壓孔；21：缺口；22：第二凹槽；23：t鐵；24：外殼側(cè)壁；25：外殼底部；26：正極；27：負(fù)極。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)聲裝置的剖視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)聲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)聲裝置的分解圖。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種發(fā)聲裝置。該發(fā)聲裝置包括膜片發(fā)聲裝置和壓電發(fā)聲裝置。膜片發(fā)聲裝置包括振動膜片14。膜片發(fā)聲裝置采用振動膜片14進行振動發(fā)聲。例如，振動膜片14與音圈15連接。音圈15通過第一引線(未示出)與外部電路電連接。音圈15插入磁場中。音圈15通電后產(chǎn)生洛倫茲力，通過洛倫茲力帶動振膜振動。這種發(fā)聲裝置具有低頻效果好的特點。

壓電發(fā)聲裝置包括壓電片。還包括用于與外部電路連接的第二引線。振動膜片14與壓電片相對設(shè)置。振動膜片14與壓電片相間隔。

例如，壓電發(fā)聲裝置采用壓電片進行振動發(fā)聲。這種發(fā)聲裝置具有高頻效果好的特點。壓電片例如壓電陶瓷片11。壓電陶瓷片11在兩片銅制圓形電極中間放入壓電陶瓷介質(zhì)材料。兩片電極形成電容，當(dāng)接通交流音頻信號時，壓電陶瓷片11會根據(jù)信號的大小、頻率發(fā)生振動而產(chǎn)生相應(yīng)的聲音。

如圖2所示，壓電陶瓷片11的正極26被設(shè)置在中部，負(fù)極27靠近邊緣部位。正極26、負(fù)極27分別通過兩條第二引線(未示出)與外部電路電連接，壓電片相應(yīng)外部電路的電信號，以振動發(fā)聲。

例如，壓電片與振動膜片14相對設(shè)置。通過這種方式，壓電片的振動方向與振動膜片14的振動方向相同，發(fā)聲效果更好。壓電片與振動膜片14相間隔以形成振動空間，避免了二者的振動相互干擾。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，該發(fā)聲裝置在收到低頻信號時主要依靠膜片發(fā)聲裝置發(fā)聲，低頻效果良好；在收到高頻信號時主要依靠壓電發(fā)聲裝置發(fā)聲，高頻效果良好。

此外，該發(fā)聲裝置結(jié)構(gòu)簡單，體積小，順應(yīng)了電子設(shè)備輕薄化、小型化的發(fā)展趨勢。

在一個例子中，膜片發(fā)聲裝置為動圈式發(fā)聲裝置。動圈式發(fā)聲裝置利用振動的音圈15帶動振動膜片14振動發(fā)聲。這種裝置結(jié)構(gòu)簡單，低頻效果良好。

在一個例子中，動圈式發(fā)聲裝置包括振動膜片14和導(dǎo)磁體。導(dǎo)磁體包括底部13和圍繞底部13設(shè)置的側(cè)壁部12。底部13被構(gòu)造為用于與永磁體16連接。例如，動圈式發(fā)聲裝置還包括華司，華司被設(shè)置在底部13和永磁體16之間。通過這種方式，能夠增強磁間隙內(nèi)的磁感強度，提高振動效果。

振動膜片14和壓電片均被設(shè)置在側(cè)壁部12上。例如，通過粘接劑將振動膜片14和壓電陶瓷片11粘接到側(cè)壁部12。振動膜片14和壓電片均與底部13相對，振動膜片14位于壓電片與底部13之間。該動圈式發(fā)聲裝置結(jié)構(gòu)簡單，低頻效果好。

例如，如圖1所示，磁路系統(tǒng)為內(nèi)磁結(jié)構(gòu)。例如，內(nèi)磁結(jié)構(gòu)即永磁體16被設(shè)置在u鐵10內(nèi)的結(jié)構(gòu)。導(dǎo)磁體為磁路系統(tǒng)的u鐵10。u鐵10的底部13與永磁體16連接，以便于導(dǎo)磁。u鐵10與永磁體16的側(cè)壁部12之間形成磁振動間隙19。振動膜片14和音圈15連接在一起，音圈15插入磁振動間隙19中。振動膜片14的邊緣與u鐵10的側(cè)壁部12的中部連接。壓電陶瓷片11安裝在側(cè)壁部12的上端。只需延長側(cè)壁部12的高度即可與壓電陶瓷片11連接。例如，側(cè)壁部12的內(nèi)側(cè)具有沿周向環(huán)繞設(shè)置的第二凹槽22，壓電片(例如壓電陶瓷片11)被卡接在第二凹槽22中。通過這種方式，壓電陶瓷片11與側(cè)壁部12的連接更加牢固。

壓電陶瓷片11與振動膜片14之間形成振動間隙19。例如，振動間隙19的高度大于等于壓電陶瓷片11與振動膜片14的最大振幅之和。通過這種方式，能夠防止壓電陶瓷片11和振動膜片14相互碰撞，壓電陶瓷片11和振動膜片14的振動不會相互影響。

在一個例子中，在壓電片上設(shè)置有泄壓孔20。例如，如圖2-3所示，泄壓孔20為圓形。多個泄壓孔20均勻地分布在壓電陶瓷片11上。通過這種方式，振動間隙19與外部空間的壓力相同。振動膜片14的內(nèi)、外兩側(cè)以及壓電陶瓷片11的內(nèi)、外兩側(cè)不會形成壓力差，避免了在振動時振動膜片14和壓電陶瓷片11產(chǎn)生局部變形。

此外，降低了振動膜片14和壓電陶瓷片的分割振動。

在一個例子中，發(fā)聲裝置還包括pcb17(printedcircuitboard，印刷線路板)。pcb17被設(shè)置在底部13(例如u鐵的底部13)的外側(cè)。第二引線經(jīng)由側(cè)壁部12的外側(cè)與pcb17連接。動圈式發(fā)聲裝置的第一引線經(jīng)由側(cè)壁部12的內(nèi)側(cè)與pcb17連接。通過這種方式，pcb17的設(shè)置能夠保證發(fā)聲裝置電信號的穩(wěn)定。第一引線和第二引線的設(shè)置方式能夠避免兩種引線相互干擾。

例如，在組裝時，先將動圈式發(fā)聲裝置組裝完畢，第一引線經(jīng)由底部13與pcb17(例如pcb17的靠近u鐵10一側(cè))連接；然后將pcb17安裝到底部13的外側(cè)；接下來直接將壓電陶瓷片11安裝到u鐵10的上端，第二引線經(jīng)由側(cè)壁部12外側(cè)與pcb17(例如pcb17遠離u鐵10一側(cè))連接。

在一個例子中，側(cè)壁部12具有第一凹槽或者缺口21。第二引線被設(shè)置在第一凹槽或者缺口21中。例如，如圖4所示，缺口21沿軸向延伸。在布線時，將第二引線放置到缺口21中。通過這種方式，避免了第二引線與外部物體發(fā)生鉤、掛。

此外，發(fā)聲裝置的外觀良好。

例如，第一凹槽或者缺口21與u鐵10一體成型。

圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的發(fā)聲裝置的剖視圖。

如圖5所示，動圈式發(fā)聲裝置包括外殼、外磁結(jié)構(gòu)和振動膜片14。例如，外磁結(jié)構(gòu)為永磁體16設(shè)置在t鐵23外側(cè)的結(jié)構(gòu)。永磁體16為環(huán)形，t鐵23用于導(dǎo)磁。永磁體16與t鐵23的極芯之間形成磁間隙。音圈15與振動膜片14連接。音圈15插入磁間隙中。

外殼具有外殼底部25和圍繞外殼底部25設(shè)置的外殼側(cè)壁24。外磁結(jié)構(gòu)被設(shè)置在外殼內(nèi)，并與外殼底部25連接。振動膜片14和壓電片(例如壓電陶瓷片)均與外殼側(cè)壁24連接。例如，通過粘接劑將二者粘接在外殼側(cè)壁24上。

振動膜片14和壓電片均與外磁結(jié)構(gòu)相對，振動膜片14位于壓電片與外磁結(jié)構(gòu)之間。例如，在振動膜片14與壓電陶瓷片11之間形成振動間隙19。

例如，在外殼側(cè)壁24外側(cè)設(shè)置第一凹槽或者缺口21，以便于第二引線走線。

例如，在外殼底部25設(shè)置pcb17，動圈式發(fā)聲裝置和壓電發(fā)聲裝置通過pcb17與外部電路電連接。

該發(fā)聲裝置同樣具有低頻、高頻效果良好的特點。

雖然已經(jīng)通過例子對本發(fā)明的一些特定實施例進行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進行說明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。