1.一種成像裝置，包括：
像素陣列單元，包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的像素被配置為接收入射光，并輸出模擬信號(hào)；
耦合到所述像素的多條信號(hào)線中的一條信號(hào)線；以及
多個(gè)比較器和多個(gè)計(jì)數(shù)器；以及
其中，所述多個(gè)比較器中的比較器包括第一放大器、第二放大器和布置在所述第一放大器的輸出節(jié)點(diǎn)與所述第二放大器的輸入節(jié)點(diǎn)之間的隔離器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中所述成像裝置包括第一襯底和第二襯底，并且所述第一襯底和所述第二襯底彼此結(jié)合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置，其中所述第一襯底包括所述像素陣列單元和所述多條信號(hào)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像裝置，其中所述第二襯底包括所述多個(gè)比較器和所述多個(gè)計(jì)數(shù)器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成像裝置，其中所述第二襯底包括控制電路的至少一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置，進(jìn)一步包括多個(gè)通孔，耦合到所述第一襯底和所述第二襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像裝置，其中所述多個(gè)通孔的至少一個(gè)包括金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像裝置，其中所述多個(gè)通孔包括第一多個(gè)通孔和第二多個(gè)通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成像裝置，其中所述第一多個(gè)通孔沿所述像素陣列的第一側(cè)放置，而所述第二多個(gè)通孔沿所述像素陣列的第二側(cè)放置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的成像裝置，其中所述第二側(cè)垂直于所述第一側(cè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像裝置，其中所述多個(gè)通孔放置在所述像素陣列外部。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像裝置，進(jìn)一步包括多個(gè)墊，放置在所述第一多個(gè)通孔和所述第二多個(gè)通孔的外部。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中所述像素耦合到浮空擴(kuò)散、復(fù)位晶體管、放大晶體管和選擇晶體管中的至少一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中所述隔離器包括電容器。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中所述第一放大器被配置為比較基準(zhǔn)電壓和模擬信號(hào)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中所述第一放大器包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的柵極被配置為接收基準(zhǔn)信號(hào)，并且所述第二晶體管的柵極被配置為接收模擬信號(hào)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中所述第二放大器包括第三晶體管，且所述第三晶體管的柵極被配置為從所述第一放大器接收輸出信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的成像裝置，其中所述隔離器耦合在所述第三晶體管的所述柵極與所述第三晶體管的漏極和源極中的一個(gè)之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中所述像素至少包括光電二極管和傳輸晶體管。
20.一種電子設(shè)備，包括：
光學(xué)系統(tǒng)；以及
成像裝置，包括：
像素陣列單元，包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的像素被配置為接收入射光，并輸出模擬信號(hào)；
耦合到所述像素的多條信號(hào)線中的一條信號(hào)線；以及
多個(gè)比較器和多個(gè)計(jì)數(shù)器；以及
其中，所述多個(gè)比較器中的比較器包括第一放大器、第二放大器和布置在所述第一放大器的輸出節(jié)點(diǎn)與所述第二放大器的輸入節(jié)點(diǎn)之間的隔離器。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子設(shè)備，其中所述成像裝置包括第一襯底和第二襯底，所述第一襯底和所述第二襯底彼此結(jié)合，所述第一襯底包括所述像素陣列單元和所述多條信號(hào)線，并且所述第二襯底包括所述多個(gè)比較器和所述多個(gè)計(jì)數(shù)器。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子設(shè)備，進(jìn)一步包括多個(gè)通孔，耦合到所述第一襯底和所述第二襯底，并且其中所述多個(gè)通孔中的至少一個(gè)包括金屬。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電子設(shè)備，其中所述多個(gè)通孔包括第一多個(gè)通孔和第二多個(gè)通孔，所述第一多個(gè)通孔沿所述像素陣列的第一側(cè)放置，所述第二多個(gè)通孔沿所述像素陣列的第二側(cè)放置，并且所述第二側(cè)垂直于所述第一側(cè)。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電子設(shè)備，其中所述多個(gè)通孔放置在所述像素陣列的外部，并且進(jìn)一步包括多個(gè)墊，放置在所述第一多個(gè)通孔和所述第二多個(gè)通孔的外部。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子設(shè)備，其中所述像素至少包括光電二極管和傳輸晶體管，并且所述像素耦合到浮空擴(kuò)散、復(fù)位晶體管、放大晶體管和選擇晶體管中的至少一個(gè)。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子設(shè)備，其中所述隔離器包括電容器。
27.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子設(shè)備，其中所述第一放大器被配置為比較基準(zhǔn)電壓和所述模擬信號(hào)。
28.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子設(shè)備，其中所述第一放大器包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的柵極被配置為接收基準(zhǔn)信號(hào)，并且所述第二晶體管的柵極被配置為接收所述模擬信號(hào)。
29.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子設(shè)備，其中所述第二放大器包括第三晶體管，且所述第三晶體管的柵極被配置為從所述第一放大器接收輸出信號(hào)。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的電子設(shè)備，其中所述隔離器耦合在所述第三晶體管的所述柵極與所述第三晶體管的漏極和源極中的一個(gè)之間。