本發(fā)明涉及聲電產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種MEMS麥克風(fēng)封裝。

背景技術(shù)：

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）麥克風(fēng)以其體積小、 便于SMT（表面貼裝技術(shù)）安裝、耐高溫、穩(wěn)定性好、自動(dòng)化程度高和適合大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)得到了越來越廣泛的應(yīng)用。

現(xiàn)有技術(shù)中現(xiàn)有MEMS麥克風(fēng)PCB板示意圖如圖1所示，在PCB板上設(shè)有相連接的MEMS芯片2和ASIC（專用集成電路）芯片3， ASIC芯片的輸出端口、GND端口、VDD端口分別連接PCB板的正面焊盤13，正面焊盤通過設(shè)置在PCB內(nèi)的銅層14連接PCB板的背部焊盤11后連接外部元器件，然而這樣封裝結(jié)構(gòu)通過PCB內(nèi)的銅層來傳導(dǎo)電信號(hào)，實(shí)際運(yùn)用過程中電信號(hào)傳輸消耗比較大、信號(hào)受干擾大，會(huì)造成電信號(hào)失真，發(fā)熱量巨大等缺點(diǎn)，產(chǎn)品可靠性差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供了一種MEMS麥克風(fēng)封裝，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，采用通用MEMS芯片和ASIC芯片，不增加封裝成本， 使得電信號(hào)傳輸損耗、干擾降低到最小，傳輸性能好，確保了電信號(hào)傳輸?shù)目煽啃浴?/p>

其技術(shù)方案是這樣的：一種MEMS麥克風(fēng)封裝，包括上層PCB板和下層PCB板，所述上層PCB板上設(shè)置有MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片之間通過導(dǎo)線連接，所述ASIC芯片通過導(dǎo)線連接設(shè)置在所述上層PCB上的上層焊盤，所述上層PCB板和所述下層PCB板之間設(shè)有銅層，其特征在于：分別設(shè)置通孔順序穿過所述上層PCB板、銅層、下層PCB板，所述通孔與設(shè)置在所述下層PCB板背面的背部焊盤相連接。

進(jìn)一步的，所述MEMS芯片的BIAS端口通過導(dǎo)線連接所述ASIC芯片的BIAS端口，所述MEMS芯片的VOUT端口通過導(dǎo)線連接所述ASIC芯片的MICIN端口。

進(jìn)一步的，所述ASIC芯片的VDD端口通過導(dǎo)線連接設(shè)置在所述上層PCB板正面的VDD焊盤，所述ASIC芯片的OUT端口通過導(dǎo)線連接設(shè)置在所述上層PCB板正面的輸出焊盤，所述ASIC芯片的GND端口通過導(dǎo)線連接設(shè)置在所述上層PCB板正面的接地焊盤。

進(jìn)一步的，所述VDD焊盤連接設(shè)置在所述上層PCB板和所述下層PCB板之間的第一銅層，第一通孔順序穿過所述上層PCB板、第一銅層、下層PCB板與設(shè)置在所述下層PCB板背面的背部焊盤相連接。

進(jìn)一步的，所述輸出焊盤連接設(shè)置在所述上層PCB板和所述下層PCB板之間的第二銅層，第二通孔順序穿過所述上層PCB板、第二銅層、下層PCB板與設(shè)置在所述下層PCB板背面的背部焊盤相連接。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)線為金線。

本發(fā)明的MEMS麥克風(fēng)封裝，通過在PCB電路板上設(shè)置通孔使得電信號(hào)從ASIC芯片傳導(dǎo)出去后從PCB板的正面焊盤經(jīng)過PCB板之間的銅層后經(jīng)過通孔傳導(dǎo)到背部焊盤，通過通孔可以直接傳輸電信號(hào)，不需要增加額外的封裝成本，生產(chǎn)成本低、市場(chǎng)投放周期短。各功能模塊可預(yù)先分別設(shè)計(jì)，并可大量采用市場(chǎng)現(xiàn)有的通用MEMS芯片和ASIC芯片，有效地降低了成本、設(shè)計(jì)周期變短，投放市場(chǎng)較快，適應(yīng)了目前電子行業(yè)小型化、微型化的發(fā)展需求，比起現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)通過一整片銅層進(jìn)行傳導(dǎo)電信號(hào)，電信號(hào)傳輸消耗比較小、信號(hào)受干擾小，不會(huì)造成電信號(hào)失真，發(fā)熱量也大大減少，產(chǎn)品的性能和可靠性大大提高；其綜合利用了微電子、固體電子等多項(xiàng)工藝技術(shù)，充分發(fā)揮了各種工藝的優(yōu)勢(shì)。從而提高了系統(tǒng)的綜合性能；容易實(shí)現(xiàn)電子系統(tǒng)的小型化、輕量化、高性能和高可靠性，特別適合于手機(jī)、電腦、便攜式電子穿戴設(shè)備等對(duì)體積、重量和環(huán)境要求苛刻的場(chǎng)合。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

見圖2，一種MEMS麥克風(fēng)封裝，包括上層PCB板1和下層PCB板，上層PCB板1上設(shè)置有MEMS芯片2和ASIC芯片3，ASIC芯片為NJU72082G， MEMS芯片為MEMS芯片為NJD3005e，MEMS芯片2的BIAS端口通過金線4連接ASIC芯片3的BIAS端口，MEMS芯片2的VOUT端口通過金線連接ASIC芯片3的MICIN端口， ASIC芯片3的VDD端口通過金線連接設(shè)置在上層PCB板1正面的VDD焊盤5，ASIC芯片3的OUT端口通過金線連接設(shè)置在上層PCB板1正面的輸出焊盤6，ASIC芯片3的GND端口通過金線連接設(shè)置在上層PCB板1正面的接地焊盤7，上層PCB板1和下層PCB板之間設(shè)有第一銅層8、第二銅層9，VDD焊盤5連接設(shè)置在上層PCB板1和下層PCB板之間的第一銅層8，第一通孔10順序穿過上層PCB板1、第一銅層8、下層PCB板與設(shè)置在下層PCB板背面的背部焊盤11相連接，輸出焊盤6連接設(shè)置在上層PCB板1和下層PCB板之間的第二銅層9，第二通孔12順序穿過上層PCB板1、第二銅層9、下層PCB板與設(shè)置在下層PCB板背面的背部焊盤11相連接。

聲音通過MEMS芯片2轉(zhuǎn)換為電信號(hào)通過金線傳遞給ASIC芯片3，ASIC芯片3的輸出從OUT端口通過金線輸出到輸出焊盤6，輸出焊盤6連接第一銅層8，電信號(hào)經(jīng)過第一銅層8后從第一通孔10輸出到背部焊盤11，通過背部焊盤11連接到其他外部裝置，Vdd從ASIC芯片3的VDD端口通過金線輸出到VDD焊盤5，VDD焊盤5連接第二銅層8，經(jīng)過第二銅層9后從第二通孔12輸出到背部焊盤11。

本發(fā)明的MEMS麥克風(fēng)封裝，通過在PCB電路板上設(shè)置通孔使得電信號(hào)從ASIC芯片傳導(dǎo)出去后從PCB板的正面焊盤經(jīng)過PCB板之間的銅層后經(jīng)過通孔傳導(dǎo)到背部焊盤，通過通孔可以直接傳輸電信號(hào)，不需要增加額外的封裝成本，生產(chǎn)成本低、市場(chǎng)投放周期短。各功能模塊可預(yù)先分別設(shè)計(jì)，并可大量采用市場(chǎng)現(xiàn)有的通用MEMS芯片和ASIC芯片，有效地降低了成本、設(shè)計(jì)周期變短，投放市場(chǎng)較快，適應(yīng)了目前電子行業(yè)小型化、微型化的發(fā)展需求，比起現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)通過一整片銅層進(jìn)行傳導(dǎo)電信號(hào)，電信號(hào)傳輸消耗比較小、信號(hào)受干擾小，不會(huì)造成電信號(hào)失真，發(fā)熱量也大大減少，產(chǎn)品的性能和可靠性大大提高；其綜合利用了微電子、固體電子等多項(xiàng)工藝技術(shù)，充分發(fā)揮了各種工藝的優(yōu)勢(shì)。從而提高了系統(tǒng)的綜合性能；容易實(shí)現(xiàn)電子系統(tǒng)的小型化、輕量化、高性能和高可靠性，特別適合于手機(jī)、電腦、便攜式電子穿戴設(shè)備等對(duì)體積、重量和環(huán)境要求苛刻的場(chǎng)合。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。