一種mems麥克風(fēng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及聲電產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
【背景技術(shù)】
[0002]在麥克風(fēng)的實(shí)際應(yīng)用中，受到外部電磁干擾是難以避免的，電磁干擾嚴(yán)重影響麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部芯片性能。
[0003]目前的MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)，通常是將金屬外殼直接焊接在電路板的線路層，如圖1所示，圖1中MEMS麥克風(fēng)的金屬外殼直接焊接在電路板頂層的線路層上，外界的電磁干擾會通過線路層進(jìn)入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部，從而影響封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部芯片。因此，有必要提供一種具備良好屏蔽性能的MEMS麥克風(fēng)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]鑒于上述問題，本實(shí)用新型提供了一種MEMS麥克風(fēng)，以解決現(xiàn)有MEMS麥克風(fēng)電磁屏蔽效果差的問題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]本實(shí)用新型提供了一種MEMS麥克風(fēng)，包括一個封裝結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有用于接收聲音信號的聲孔3，封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置有用于聲電轉(zhuǎn)換的MEMS芯片4和用于信號放大的ASIC芯片5，
[0007]封裝結(jié)構(gòu)由金屬外殼1和與金屬外殼1相配合的多層電路板2構(gòu)成；金屬外殼1焊接在多層電路板2中的地層上。
[0008]優(yōu)選地，多層電路板2包括由上至下依次結(jié)合在一起的第一線路層21、第一基材層2、地層23、第二基材層24和第二線路層25 ；
[0009]多層電路板2的邊緣設(shè)置有由第一線路層21和第一基材層22與地層23構(gòu)成的臺階；
[0010]金屬外殼1扣罩在臺階上，且金屬外殼1的開口端焊接在臺階的地層23上。
[0011]優(yōu)選地，第一線路層21的邊緣與焊接在地層23上的金屬外殼1的開口端具有空隙。
[0012]優(yōu)選地，聲孔3設(shè)置在金屬外殼1上，或者，聲孔3設(shè)置在多層電路板2上。
[0013]優(yōu)選地，MEMS芯片6和ASIC芯片5均設(shè)置在第一線路層21上，二者通過導(dǎo)線連接，ASIC芯片5通過第一線路層21上的導(dǎo)電墊片PAD6與第一線路層21連接。
[0014]本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果是:本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，由于金屬外殼直接焊接在多層電路板中的地層上，金屬外殼和地層能夠形成了一個嚴(yán)密的屏蔽腔，從而能夠有效地提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)的屏蔽效果，從而提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的抗射頻干擾性能。
【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖中:1、金屬外殼；2、多層電路板；21、第一線路層；22、第一基材層；23、地層；24、第二基材層；25、第二線路層；3、聲孔；4、MEMS芯片；5、ASIC芯片；6、導(dǎo)電墊片PAD。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0019]圖2為本實(shí)施例提供的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，圖2中的MEMS麥克風(fēng)包括一個封裝結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有用于接收聲音信號的聲孔3，封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置有用于聲電轉(zhuǎn)換的MEMS芯片4和用于信號放大的ASIC芯片5。
[0020]其中，封裝結(jié)構(gòu)由金屬外殼1和與金屬外殼1相配合的多層電路板2構(gòu)成，金屬外殼1焊接在多層電路板2中的地層上。
[0021]本實(shí)施例將金屬外殼直接焊接在多層電路板中的地層上，利用金屬外殼和地層形成完整的屏蔽腔體。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例能夠有效地提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的屏蔽性能。
[0022]如圖2所示，圖2中的多層電路板2包括由上至下依次結(jié)合在一起的第一線路層21、第一基材層2、地層23、第二基材層24和第二線路層25 ;也即，第一線路層21和地層23通過第一基材層22結(jié)合在一起，地層23和第二線路層25通過第二基材層24結(jié)合在一起。
[0023]多層電路板2的邊緣設(shè)置有由第一線路層21和第一基材層22與地層23構(gòu)成的臺階，即第一線路層21和第一基材層22構(gòu)成第一臺階，地層23構(gòu)成第二臺階；
[0024]金屬外殼1扣罩在臺階上，且金屬外殼1的開口端焊接在臺階的地層23上。
[0025]在實(shí)際應(yīng)用中，可以利用銑床獲得圖2中由第一線路層21和第一基材層22與地層23構(gòu)成的臺階。
[0026]需要說明的是，本實(shí)施例設(shè)計第一線路層和第一基材層的尺寸小于金屬外殼開口端的尺寸，以便于在各組件存在公差時，本實(shí)施例的金屬外殼能夠輕松地焊接到多層電路板的地層上。具體的，如圖2所示，第一線路層21的邊緣與焊接在地層23上的金屬外殼1的開口端具有空隙。
[0027]繼續(xù)參考圖2，本實(shí)施例中的聲孔3設(shè)置在金屬外殼1上，當(dāng)然本實(shí)施例中的聲孔3也可以設(shè)置在多層電路板2上。
[0028]MEMS芯片6和ASIC芯片5均設(shè)置在第一線路層21上，二者通過導(dǎo)線連接，ASIC芯片5通過第一線路層21上的導(dǎo)電墊片PAD 6與第一線路層21連接。
[0029]綜上所述，本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，通過將金屬外殼焊接在多層電路板的地層上，相比于將金屬外殼直接焊接在電路板的線路層的現(xiàn)有技術(shù)，利用金屬外殼和地層形成的嚴(yán)密屏蔽腔來提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的屏蔽效果，從而提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的抗射頻干擾性能。
[0030]為了便于清楚描述本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，在實(shí)用新型的實(shí)施例中，采用了“第一”、“第二”等字樣對功能和作用基本相同的相同項(xiàng)或相似項(xiàng)進(jìn)行區(qū)分，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解“第一”、“第二”等字樣并不對數(shù)量和執(zhí)行次序進(jìn)行限定。
[0031]鑒于MEMS芯片和ASIC芯片的適當(dāng)調(diào)整對本實(shí)用新型的主旨沒有影響，圖樣中的MEMS芯片和ASIC芯片僅采樣簡略圖樣表示。
[0032]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS麥克風(fēng)，包括一個封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有用于接收聲音信號的聲孔(3)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置有用于聲電轉(zhuǎn)換的MEMS芯片(4)和用于信號放大的ASIC芯片(5)，其特征在于: 所述封裝結(jié)構(gòu)由金屬外殼(1)和與所述金屬外殼(1)相配合的多層電路板(2)構(gòu)成；所述金屬外殼(1)焊接在所述多層電路板(2)中的地層上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述多層電路板(2)包括由上至下依次結(jié)合在一起的第一線路層(21)、第一基材層(22)、地層(23)、第二基材層(24)和第二線路層(25)； 所述多層電路板(2)的邊緣設(shè)置有由所述第一線路層(21)和第一基材層(22)與所述地層(23)構(gòu)成的臺階； 所述金屬外殼(1)扣罩在所述臺階上，且所述金屬外殼(1)的開口端焊接在所述臺階的地層(23)上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述第一線路層(21)的邊緣與焊接在所述地層(23)上的金屬外殼(1)的開口端具有空隙。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述聲孔(3)設(shè)置在所述金屬外殼(1)上，或者，所述聲孔(3)設(shè)置在所述多層電路板(2)上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述MEMS芯片(6)和所述ASIC芯片(5)均設(shè)置在所述第一線路層(21)上，二者通過導(dǎo)線電連接，所述ASIC芯片(5)通過所述第一線路層(21)上的導(dǎo)電墊片PAD(6)與所述第一線路層(21)連接。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，包括一個封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有用于接收聲音信號的聲孔(3)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置有用于聲電轉(zhuǎn)換的MEMS芯片(4)和用于放大電信號的ASIC芯片(5)，所述封裝結(jié)構(gòu)由金屬外殼(1)和與所述金屬外殼(1)相配合的多層電路板(2)構(gòu)成；所述金屬外殼(1)焊接在所述多層電路板(2)中的地層上。本實(shí)用新型的技術(shù)方案，通過將金屬外殼焊接在多層電路板的地層上，利用金屬外殼與地層形成的嚴(yán)密的屏蔽腔，來提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的屏蔽效果，以達(dá)到提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)抗射頻干擾性能的目的。
【IPC分類】H04R19/04
【公開號】CN205051872
【申請?zhí)枴緾N201520839417
【發(fā)明人】解士翔
【申請人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2015年10月27日