技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明目的在于減小漏電流而抑制畫(huà)質(zhì)的劣化。本申請(qǐng)的攝像裝置，具有半導(dǎo)體基板和多個(gè)單位像素單元；多個(gè)單位像素單元分別具備：第1導(dǎo)電型的第1區(qū)域，位于半導(dǎo)體基板內(nèi)，在半導(dǎo)體基板的表面的第1區(qū)中在半導(dǎo)體基板的表面上露出；與第1導(dǎo)電型不同的第2導(dǎo)電型的第2區(qū)域，在半導(dǎo)體基板內(nèi)與第1區(qū)域直接鄰接，在被第1區(qū)將周?chē)鼑牡?區(qū)中在半導(dǎo)體基板的表面上露出；光電變換部，位于半導(dǎo)體基板的表面的上方；接觸插塞，位于半導(dǎo)體基板的表面與光電變換部之間，與第2區(qū)域連接；第1晶體管，包括將第1區(qū)內(nèi)的第1部分覆蓋的第1電極、和半導(dǎo)體基板與第1電極之間的第1絕緣層，將第2區(qū)域作為源極及漏極的一方；第2電極，將第1區(qū)內(nèi)的與第1部分不同的第2部分覆蓋；半導(dǎo)體基板與第2電極之間的第2絕緣層。當(dāng)從與半導(dǎo)體基板的表面垂直的方向觀察時(shí)，第2區(qū)域與接觸插塞之間的連接部位于第1電極與第2電極之間。

技術(shù)研發(fā)人員：佐藤好弘;平瀨順?biāo)?br/>受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.16
技術(shù)公布日：2017.09.01