1.基于兩次電荷轉(zhuǎn)移的高動態(tài)范圍圖像傳感器，其特征在于，包括光電轉(zhuǎn)換模塊、行列讀出控制模塊、相關(guān)雙采樣電路、列放大器及模數(shù)轉(zhuǎn)換器；相關(guān)雙采樣電路對光電轉(zhuǎn)換模塊讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣，并濾除一部分系統(tǒng)噪聲，列放大器將相關(guān)雙采樣電路采集到的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行放大，由行列讀出控制送給模數(shù)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行數(shù)字化。
2.如權(quán)利要求1所述的基于兩次電荷轉(zhuǎn)移的高動態(tài)范圍圖像傳感器，其特征在于，所述的光電轉(zhuǎn)換模塊由一個M×N陣列的像素單元組成，其中，M、N均為正偶數(shù)，每個像素單元由4T像素、比較器模塊、鎖存器模塊及二選一多路選擇器模塊組成；在外部光信號的作用下，像素單元產(chǎn)生隨光強變化的像素信號，實際上就是起到將光信號轉(zhuǎn)換成電信號的作用；4T像素輸出信號連接到比較器的反向輸入端，而比較器的正向輸入端連接的是參考電壓Vref；比較器的輸出連接到鎖存器上，每一次比較器輸出跳轉(zhuǎn)時，都能鎖存住數(shù)字碼；鎖存器的輸出連接到二選一多路選擇器，用以根據(jù)光強信息產(chǎn)生復(fù)位信號RST和電荷轉(zhuǎn)移信號TG。
3.如權(quán)利要求2所述的基于兩次電荷轉(zhuǎn)移的高動態(tài)范圍圖像傳感器，其特征在于，所述的4T像素是在P型襯底上通過擴(kuò)散或注入工藝生長N阱區(qū)以及重?fù)诫s的N+區(qū)，N阱區(qū)上通過離子注入生長重?fù)诫s的p+區(qū)；在兩個N阱區(qū)、N+區(qū)之間通過干氧法氧化制備柵氧層，并在柵氧層上淀積多晶硅層，形成TG柵；具體連接方式為：M1、SF管的漏端同時與Vdd相連，復(fù)位信號RST接至M1管的柵極，M1管的源端與SF管的柵極以及TG柵一側(cè)的n+區(qū)浮置節(jié)點FD相連，SF管的源端連接M2管的一端，M2管的另一端與并行信號總線相連，行選信號RS接至M2管的柵極；其中，晶體管M1和M2作為開關(guān)管使用，SF為源跟隨器，Vdd為電源電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的基于兩次電荷轉(zhuǎn)移的高動態(tài)范圍圖像傳感器，其特征在于，所述的P型襯底為硅，摻雜材料為硼，摻雜濃度為1×1016/cm3～5×1016/cm3。
5.如權(quán)利要求3所述的基于兩次電荷轉(zhuǎn)移的高動態(tài)范圍圖像傳感器，其特征在于，所述的重?fù)诫sP區(qū)的摻雜材料為硼，摻雜濃度為1×1019/cm3～5×1016/cm3。
6.如權(quán)利要求1所述的基于兩次電荷轉(zhuǎn)移的高動態(tài)范圍圖像傳感器的信號讀出方法，其特征在于，具體步驟如下:
步驟一：電路進(jìn)行復(fù)位操作，M1管和TG柵均打開，將TG柵一側(cè)n+區(qū)浮置節(jié)點FD復(fù)位至Vdd-VTH1，同時清空TG柵另一側(cè)p+n區(qū)積累的光生電荷；
步驟二：TG柵與M1管關(guān)斷，電路進(jìn)入積分狀態(tài)，到達(dá)t0時，TG柵打開，存儲在光電二極管PD中的光生電荷轉(zhuǎn)移到浮置節(jié)點FD中；
步驟三：電荷轉(zhuǎn)移完成后，源跟隨器的源端電壓Vs與比較器正向輸入端的參考電壓Vref比較：
如果電壓Vs大于參考電壓Vref，則可判斷出入射光為弱光，直到積分結(jié)束都不會再有電荷轉(zhuǎn)移，浮置節(jié)點FD的電壓保持不變，t2時刻，源跟隨器的輸出電壓Vs被采集并轉(zhuǎn)換，之后開啟下一幀，重復(fù)以上步驟；
如果電壓Vs小于參考電壓Vref，則可判斷入射光為強光，在時刻t1，傳輸柵TG打開，存儲在光電二極管PD中的光生電荷轉(zhuǎn)移到浮置節(jié)點FD中，同時晶體管M1被復(fù)位，然后TG柵和復(fù)位管M1關(guān)閉，電路進(jìn)入積分工作模式；在時刻t2，傳輸柵TG再次打開，此時源跟隨器SF的輸出點電壓被采集并轉(zhuǎn)換，之后開啟下一幀，重復(fù)以上步驟；
其中：VTH1為晶體管M1的閾值電壓，CPD為光電二極管的結(jié)電容，t0為第一次電荷轉(zhuǎn)移發(fā)生的時刻，t1為第二次電荷轉(zhuǎn)移發(fā)生的時刻，t2為整個積分過程結(jié)束的時刻。